專利名稱：Cmos圖像傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，并且更具體地涉及一種CMOS)圖像傳感器的像素區(qū)。
背景技術(shù)：
通常，圖像傳感器是將光圖像變換成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。代表性的圖像傳感器包括電荷耦合器件(CCD)和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器。
在CCD中，各個(gè)MOS電容器被如此地設(shè)置，使得它們彼此非常接近，且電荷載流子存儲(chǔ)在電容器并被轉(zhuǎn)移。該CMOS圖像傳感器利用了將控制電路和信號(hào)處理電路用作外圍電路的CMOS技術(shù)，并且為了連續(xù)輸出而形成對(duì)應(yīng)于各單位像素?cái)?shù)目的多個(gè)MOS晶體管。
圖1圖示了典型CMOS圖像傳感器的電路圖，并且更具體地，像素的電路圖。
典型CMOS圖像傳感器的像素包括光電二極管PD、轉(zhuǎn)移晶體管Tx、重置晶體管Rx、驅(qū)動(dòng)晶體管Dx、以及選擇晶體管Sx。光電二極管PD產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于入射光的光電荷并轉(zhuǎn)移這些光電荷。轉(zhuǎn)移晶體管Tx將從光電二極管PD供給的光電荷轉(zhuǎn)移到浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD。重置晶體管Rx重置浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD，并且驅(qū)動(dòng)晶體管Dx響應(yīng)供給到浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD的電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)源極端子。選擇晶體管Sx連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Dx的源極端子，并且使用驅(qū)動(dòng)晶體管Dx來(lái)選擇性地將該源極端子連接到輸出端子。
具體地，包括浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD的區(qū)域‘A’在CMOS圖像傳感器的操作中起到很重要的作用，在區(qū)域‘A’轉(zhuǎn)移晶體管Tx和驅(qū)動(dòng)晶體管Dx被公共地連接。
圖2圖示了圖1中所示的電路圖的布局圖。為了方便，以與對(duì)應(yīng)晶體管相同的標(biāo)記來(lái)標(biāo)記配置像素的晶體管的柵圖案。
形成了光電二極管PD和有源區(qū)。順序地設(shè)置轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案Tx、重置晶體管的柵圖案Rx、驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx、以及選擇晶體管的柵圖案Sx。
如圖所示地設(shè)置了分別與柵圖案Tx、Dx、Rx中每個(gè)接觸的接觸部CT2、CT3和CT6以及與有源區(qū)接觸的接觸CT1、CT4和CT5。
在有源區(qū)中接觸浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的接觸部CT1與接觸柵圖案Dx的接觸部CT2通過(guò)金屬線M1A而彼此連接。金屬線M1B連接到接觸柵圖案Tx的接觸部CT6。
圖3A圖示了典型CMOS圖像傳感器的橫截面圖并且圖3B圖示了典型CMOS圖像傳感器的俯視圖。圖3A和3B示出典型CMOS圖像傳感器的典型限制。
參見(jiàn)圖3A，形成了器件隔離結(jié)構(gòu)STI。然后，順序地形成包括N型區(qū)DN和P型區(qū)PO的光電二極管、轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案Tx、重置晶體管的柵圖案Rx、驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx、以及選擇晶體管的柵圖案Sx。
參見(jiàn)圖3B，柵圖案Tx與光電二極管相鄰地設(shè)置。柵圖案Rx和柵圖案Dx與柵圖案Tx相鄰地設(shè)置。
通常需要在浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD和柵圖案Dx中的每個(gè)區(qū)域形成接觸部，以將浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD和柵圖案Dx彼此連接。通常需要金屬線來(lái)連接接觸部。由于器件的大規(guī)模集成，當(dāng)形成接觸部時(shí)可能在區(qū)域B發(fā)生未對(duì)準(zhǔn)(misalignment)的問(wèn)題。
CMOS圖像傳感器中典型的浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)通常用以讀取由照射在像素上的光產(chǎn)生的電子所提供的信號(hào)。供給到浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的電壓確定了驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)能力。
因此，浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案之間的線在轉(zhuǎn)移精確的信號(hào)方面是很重要的。
有時(shí)使用0.18μm技術(shù)在CMOS圖像傳感器中的浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)區(qū)域形成包括鋁的兩個(gè)接觸部，以轉(zhuǎn)移更精確的信號(hào)。
但是，由于減小的尺寸和增加的像素?cái)?shù)量，如果將CMOS圖像傳感器應(yīng)用在便攜式產(chǎn)品中，則難以在浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)設(shè)置兩個(gè)接觸部。
在減小CMOS圖像傳感器的尺寸并增加像素?cái)?shù)量的同時(shí)，難以在像素的浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)處設(shè)置超過(guò)一個(gè)的接觸部。另外，因?yàn)楦?dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的電路面積減小，所以變得甚至難以穩(wěn)定地形成一個(gè)單個(gè)的接觸部。
這是因?yàn)樵诟?dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)執(zhí)行的接觸部形成期間、覆蓋余量(overlaymargin)減小，所以帶來(lái)了這樣的結(jié)果。
在浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案之間的穩(wěn)定連接是圖像傳感器操作的核心功能。通過(guò)穩(wěn)定的連接可以消除信號(hào)轉(zhuǎn)移中的不穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，其可以在浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)晶體管之間提供穩(wěn)定的連接。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，包括光電二極管；與所述光電二極管的一側(cè)接觸的轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案；驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案，被設(shè)置為距所述轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案具有一預(yù)定間隔距離；以及浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)，被設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案之間。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于制造CMOS圖像傳感器的方法，包括在襯底中形成光電二極管；在距所述光電二極管具有一預(yù)定間隔距離的區(qū)域、形成浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)；在光電二極管和浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的一側(cè)之間、形成轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案；形成與浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的另一側(cè)接觸的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案；形成絕緣層以覆蓋轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案；選擇性地蝕刻該絕緣層，以形成暴露驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案的預(yù)定部分和浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的預(yù)定部分的接觸孔；以及在接觸孔中填充導(dǎo)電材料來(lái)形成接觸塞。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種CMOS圖像傳感器，包括第一光電二極管和第二光電二極管；浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)，設(shè)置在所述第一光電二極管和所述第二光電二極管之間；第一轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案，設(shè)置在所述第一光電二極管和所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)之間；第二轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案，設(shè)置在所述第二光電二極管和所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)之間；驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案，設(shè)置為距所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)具有一預(yù)定的間隔距離；接觸所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的第一接觸部；接觸所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案的第二接觸部；以及連接所述第一接觸部和所述第二接觸部的線。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供一種CMOS圖像傳感器，包括第一光電二極管和第二光電二極管；浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)，設(shè)置在所述第一光電二極管和所述第二光電二極管之間；第一轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案，設(shè)置在所述第一光電二極管和所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)之間；第二轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案，設(shè)置在所述第二光電二極管和所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)之間；驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案，設(shè)置為與所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)部分地重疊；以及接觸部，設(shè)置為與所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案都接觸。


參照下面結(jié)合附圖給出的示范實(shí)施例的描述可以更好地理解本發(fā)明的以上和其他的目的及特征。
圖1圖示了典型CMOS圖像傳感器的電路圖；圖2圖示了圖1中所示的典型CMOS圖像傳感器的布局圖；圖3A圖示了另一典型CMOS圖像傳感器的橫截面視圖；圖3B圖示了圖3A中所示的典型CMOS圖像傳感器的俯視圖；圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明的第一種思想的CMOS圖像傳感器的俯視圖；圖5A圖示了根據(jù)本發(fā)明的第二種思想的CMOS圖像傳感器的俯視圖；圖5B圖示了圖5A中所示的CMOS圖像傳感器的橫截面視圖；
圖6和7圖示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的布局圖；以及圖8圖示了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的布局圖。
具體實(shí)施例方式
將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明示范實(shí)施例的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器。另外，貫穿本發(fā)明的示范實(shí)施例，相同或類似的參考標(biāo)號(hào)表示不同圖中相同或類似元件。
圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明的第一種思想的CMOS圖像傳感器的俯視圖。圖4代表本發(fā)明的第一種思想。CMOS圖像傳感器的像素包括光電二極管PD，設(shè)置在浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD的一側(cè)上的轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案Tx，以及設(shè)置在浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD的另一側(cè)上的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx。
根據(jù)本發(fā)明的第二種思想，圖5A圖示了CMOS圖像傳感器的俯視圖且圖5B圖示了圖5A中所示的CMOS圖像傳感器的橫截面視圖。
參見(jiàn)圖5A和5B，本發(fā)明的另一思想是用對(duì)接(butting)接觸結(jié)構(gòu)來(lái)設(shè)置接觸部X，使得接觸部X同時(shí)接觸浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx。
參見(jiàn)圖5B，在形成浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx之后形成接觸部X。形成絕緣層ILD以覆蓋浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx，并且將絕緣層圖案化以部分地暴露浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx。
結(jié)果，接觸浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD的接觸部X也接觸驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx。
更詳細(xì)地，形成包括N型區(qū)DN和P型區(qū)PO的光電二極管PD以及浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD。然后，形成了轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案Tx和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx。
絕緣層ILD形成在所產(chǎn)生的襯底結(jié)構(gòu)之上。絕緣層ILD被選擇性地去除以部分地暴露浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD和驅(qū)動(dòng)晶體管Dx的柵圖案Dx，從而形成接觸孔。導(dǎo)電材料被填充在接觸孔中。
在如上制造的CMOS圖像傳感器中，浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx通過(guò)一個(gè)接觸部連接。因此，可以解決與浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)晶體管之間的不穩(wěn)定的線連接相關(guān)的典型限制。
圖6和7圖示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的布局圖，以便實(shí)施圖4中所示的本發(fā)明的第一種思想。執(zhí)行第一實(shí)施例，以便實(shí)施所述第一種思想，在第一種思想中在設(shè)置轉(zhuǎn)移晶體管之后設(shè)置驅(qū)動(dòng)晶體管。
參見(jiàn)圖6，根據(jù)第一實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的像素布局示出了轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案Tx1和Tx2。每個(gè)柵圖案被設(shè)置為分別接觸光電二極管PD1和PD2。
浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD設(shè)置在轉(zhuǎn)移晶體管的兩個(gè)柵圖案Tx1和Tx2之間。設(shè)置了重置晶體管的柵圖案Rx、驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx、選擇晶體管的柵圖案Sx以及有源區(qū)ACTIVE1和ACTIVE2。
選擇晶體管的柵圖案Sx和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx共享共有的有源區(qū)ACTIVE2。選擇晶體管的柵圖案Sx被形成為 形。
重置晶體管的柵圖案Rx獨(dú)立地具有與有源區(qū)ACTIVE2隔離的有源區(qū)ACTIVE1。驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx的一部分形成在有源區(qū)ACTIVE1和有源區(qū)ACTIVE2之間。有源區(qū)ACTIVE1和ACTIVE2中的每個(gè)與光電二極管PD1和PD2以及浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD隔離。
參見(jiàn)圖7，根據(jù)第一實(shí)施例的CMOS圖像傳感器中像素的布局示出設(shè)置在柵圖案和有源區(qū)中每個(gè)的接觸部以及金屬線。
接觸部CT1到CT5形成在有源區(qū)。接觸部CN1到CN6設(shè)置在所示的柵圖案。
具體地，接觸浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD的接觸部CT1和接觸驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx的接觸部CNT6以如下方式設(shè)置接觸部CT1和接觸部CNT6通過(guò)金屬線M2A連接。金屬線M2B和M2C是分別連接到接觸轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案Tx1和Tx2的接觸部CNT1和CNT2的金屬線。
由于實(shí)質(zhì)上增加了CMOS圖像傳感器中的像素的數(shù)量并且減小了像素的尺寸，所以難以穩(wěn)定地形成接觸浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD的接觸部CT1、接觸驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx的接觸部CNT6、以及金屬線M2A。在圖8中示出一種用于克服這種限制的方法。
圖8圖示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的布局圖。
根據(jù)第二實(shí)施例的CMOS圖像傳感器具有與根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的類似的布局。但是，根據(jù)第二實(shí)施例的CMOS圖像傳感器包括對(duì)接接觸結(jié)構(gòu)的接觸部CTx，其同時(shí)接觸浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx，這不同于根據(jù)第一實(shí)施例的CMOS圖像傳感器，其包括分開(kāi)形成接觸浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD的接觸部CT1、接觸驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx的接觸部CNT6、以及金屬線M2A。
具體地，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx和浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD部分地重疊以允許接觸部CTx同時(shí)接觸浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx。
結(jié)果，可以增加接觸浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx的接觸余量而不增加生產(chǎn)成本。
另外，可以穩(wěn)定地連接驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案Dx和浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)FD，所以當(dāng)CMOS圖像傳感器工作時(shí)可以改進(jìn)信號(hào)轉(zhuǎn)移的可靠性。
根據(jù)該實(shí)施例，可以在高度集成的CMOS圖像傳感器中解決這些限制，所述限制包括在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案和浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)之間的金屬線形成期間可能發(fā)生的接觸對(duì)準(zhǔn)的問(wèn)題。同樣，因?yàn)橄蓑?qū)動(dòng)晶體管的柵圖案和在浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)之間可能的接觸問(wèn)題，所以可以穩(wěn)定地轉(zhuǎn)移信號(hào)。
另外，通過(guò)有效地設(shè)置包括浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的像素，可以在工藝中確保對(duì)準(zhǔn)余量，以允許以更有效的方式的圖像傳感器的大規(guī)模集成。
本申請(qǐng)包含2005年10月25日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.KR2005-0100741的相關(guān)主題，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合在這里。
盡管已經(jīng)關(guān)于某些特定實(shí)施例描述了本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，很明顯可以在不脫離后面的權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下進(jìn)行各種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，包括光電二極管；與所述光電二極管的一側(cè)接觸的轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案；驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案，設(shè)置為距所述轉(zhuǎn)移晶體管的所述柵圖案具有一預(yù)定的間隔距離；以及浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)，設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移晶體管的所述柵圖案和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵圖案之間。
2.如權(quán)利要求1的CMOS圖像傳感器，還包括同時(shí)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵圖案和所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)接觸的對(duì)接接觸部。
3.一種用于制造CMOS圖像傳感器的方法，包括在襯底中形成光電二極管；在距所述光電二極管具有一預(yù)定間隔距離的區(qū)域、形成浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)；在所述光電二極管和所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的一側(cè)之間形成轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案；形成與所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的另一側(cè)接觸的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案；形成絕緣層以覆蓋所述轉(zhuǎn)移晶體管的所述柵圖案和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵圖案；選擇性地蝕刻所述絕緣層，以形成一接觸孔，所述接觸孔暴露所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵圖案的預(yù)定部分和所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的預(yù)定部分；以及在所述接觸孔中填充導(dǎo)電材料以形成接觸塞。
4.一種CMOS圖像傳感器，包括第一光電二極管和第二光電二極管；浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)，設(shè)置在所述第一光電二極管和所述第二光電二極管之間；第一轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案，設(shè)置在所述第一光電二極管和所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)之間；第二轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案，設(shè)置在所述第二光電二極管和所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)之間；驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案，設(shè)置為距所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)具有一預(yù)定間隔距離；第一接觸部，接觸所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)；第二接觸部，接觸所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵圖案；以及線，連接所述第一接觸部和所述第二接觸部。
5.如權(quán)利要求4的CMOS圖像傳感器，還包括選擇晶體管，其共同共享所述驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)。
6.如權(quán)利要求5的CMOS圖像傳感器，其中所述選擇晶體管形成為 形。
7.如權(quán)利要求5的CMOS圖像傳感器，還包括重置晶體管，其獨(dú)立地具有與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述有源區(qū)隔離的另一有源區(qū)。
8.如權(quán)利要求7的CMOS圖像傳感器，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵圖案的一部分形成在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述有源區(qū)和所述重置晶體管的所述另一有源區(qū)之間。
9.如權(quán)利要求7的CMOS圖像傳感器，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述有源區(qū)和所述重置晶體管的所述另一有源區(qū)中的每個(gè)與所述第一光電二極管、所述第二光電二極管以及所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)隔離。
10.一種CMOS圖像傳感器，包括第一光電二極管和第二光電二極管；浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)，設(shè)置在所述第一光電二極管和所述第二光電二極管之間；第一轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案，設(shè)置在所述第一光電二極管和所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)之間；第二轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案，設(shè)置在所述第二光電二極管和所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)之間；驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案，設(shè)置為與所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)部分地重疊；以及接觸部，設(shè)置為與所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵圖案都接觸。
11.如權(quán)利要求10的CMOS圖像傳感器，還包括選擇晶體管，其共同共享所述驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)。
12.如權(quán)利要求11的CMOS圖像傳感器，其中所述選擇晶體管形成為 形。
13.如權(quán)利要求11的CMOS圖像傳感器，還包括重置晶體管，其獨(dú)立地具有與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述有源區(qū)隔離的另一有源區(qū)。
14.如權(quán)利要求13的CMOS圖像傳感器，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵圖案的一部分形成在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述有源區(qū)和所述重置晶體管的所述另一有源區(qū)之間。
15.如權(quán)利要求13的CMOS圖像傳感器，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述有源區(qū)和所述重置晶體管的所述另一有源區(qū)中的每個(gè)與所述第一光電二極管、所述第二光電二極管以及所述浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)隔離。
全文摘要
一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，包括光電二極管；與所述光電二極管的一側(cè)接觸的轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案；驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案，其設(shè)置為距轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案具有一預(yù)定間隔距離；以及浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)，其設(shè)置在轉(zhuǎn)移晶體管的柵圖案和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵圖案之間。
文檔編號(hào)H04N5/369GK1967857SQ20061014998
公開(kāi)日2007年5月23日 申請(qǐng)日期2006年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月25日
發(fā)明者樸東赫 申請(qǐng)人:美格納半導(dǎo)體有限會(huì)社