專利名稱：涂覆助聽器組件的方法和包括涂覆組件的助聽器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及涂覆助聽器組件的方法。本發(fā)明進(jìn)一步涉及包括涂覆組件的助聽器。 更具體而言，本發(fā)明涉及涂覆助聽器組件的方法，其中涂層以這樣的方法產(chǎn)生，所述方法包 括金屬氧化物層的汽相沉積，隨后是硅烷層的氣相沉積。本發(fā)明還涉及用涂層涂覆的助聽 器組件和包括這樣的組件的助聽器。本發(fā)明進(jìn)一步涉及用于助聽器組件的涂層。
背景技術(shù)：
助聽器通常包括一系列組件，如機(jī)殼(housing)、內(nèi)部電子電路、換能器、聲音管道 (sound conduit)、耳機(jī)、開關(guān)、按鈕、連接器以及各種配件，如耳垢防護(hù)裝置、機(jī)械接合器和 調(diào)頻單元。更具體來說，機(jī)殼可以用外殼制成并且還包括電池蓋、電池盒以及保護(hù)性麥克風(fēng) 柵格。內(nèi)部電子電路和換能器可以至少部分地被提供密封連接和彈性吊架的套管狀的襯墊 覆蓋，而且換能器還可以包括聲道(acoustical path)內(nèi)額外的防護(hù)網(wǎng)罩。耳內(nèi)式(in-the-ear)(ITE)和完全耳道式(completely-in-canal，深耳道式) (CIC)助聽器通常包括外殼，該外殼在解剖學(xué)上適合使用者耳道的相關(guān)部分。接收器被安置 在外殼中，并且與被排列在近端處的聲音輸出端口相連通，即，適合位于耳道中的外殼末端 靠近鼓膜。擬面向外部環(huán)境的外殼遠(yuǎn)端，即，相對(duì)的末端，由面板組合件封閉，通過導(dǎo)線連接 到接收器。在一種設(shè)計(jì)中，該面板組合件包括麥克風(fēng)、電子器件、電池盒以及鉸鏈蓋。該麥 克風(fēng)通過可以被柵格覆蓋的端口與外部連通。然而，ITE助聽器可能被視為集成了所有助聽器部分的耳機(jī)，耳背式(BTE)助聽器 包括機(jī)殼和耳機(jī)，所述機(jī)殼適于保持在使用者耳廓上，所述耳機(jī)適于插入使用者耳道內(nèi)并 且用于將所期望的聲音輸出傳送到耳道內(nèi)。該耳機(jī)通過聲音管道或在其容納有接收器的情 況下通過電導(dǎo)線與BTE機(jī)殼相連接。在任一情況下，其都具有用于傳送聲音輸出的輸出端在正常使用期間，助聽器受到外部因素如磨損、潮濕、汗、耳垢、真菌、細(xì)菌、污垢和 水的影響。這些因素中的一些可以具有腐蝕性影響；其它因素可以引起非預(yù)期生物膜的產(chǎn) 生或其它不規(guī)則表面銅綠的形成。腐蝕可以通過選擇耐用材料加以控制。然而，外部因素 可以隨時(shí)間生成難看的外觀。將涂層應(yīng)用到助聽器表面常常是理想的。這可以是疏水涂層，從而改善抗潮濕性 并由此保護(hù)助聽器電子器件。它也可以是耐刮涂層從而維護(hù)助聽器的外觀，或者它可以是 一些其它形式的涂層。W02008/025355描述了用作耳垢防護(hù)裝置的助聽器的過濾器。這樣的過濾器可以 在包含初始等離子體處理的涂覆過程中進(jìn)行處理，以在以應(yīng)用硅烷化學(xué)的蒸汽沉積方法涂 覆之前通過引入表面羥基來激活過濾器元件的表面。為了使外部表面疏水，可以使用全氟 烷基硅烷或烷基硅烷。等離子體處理對(duì)于要求在硅烷涂層之前施加粘附層的非金屬、聚合 物底材來講是尤其重要。底材還可以先于任何涂層被微結(jié)構(gòu)化，這樣最終被涂覆的過濾器 將具有超疏水表面。
PCT/DK2007/000002公開了用于助聽器的組件，其表面以這樣的方法被制成疏水
或超疏水的，所述方法包括等離子體處理，隨后進(jìn)行源自汽相沉積的全氟烷基硅烷或烷基 硅烷的自組裝單層的附著。所述表面還可以先于硅烷涂覆被微結(jié)構(gòu)化，并且為了提供超疏 水性，在涂覆之前進(jìn)行微結(jié)構(gòu)化步驟是有必要的。W02007/054649描述了帶有超疏水或超親水涂層的產(chǎn)品。該產(chǎn)品是通過使用氣相 沉積方法，初始地將納米級(jí)(nanometer scale)厚度的中間層施加在底材如聚合物或玻璃 上而制成的。隨后，在施加第二層以提供期望的物理性能如超疏水性之前，中間層被提供以 納米級(jí)的粗糙度。這些超疏水涂層可以被用于阻止水在例如玻璃上的冷凝或使得表面對(duì)于 液體來說非常光滑。作為一個(gè)實(shí)例，通過使用所謂的等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積將硅烷 氣體沉積在表面上，可以在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)底材上制成50-300nm厚度的硅層。然 后，在氣相沉積步驟中，用二甲基四硅氧烷處理現(xiàn)在粗糙的表面之前，該層經(jīng)受等離子體處 理以在表面上生成納米級(jí)的雕刻。因此制成的產(chǎn)品現(xiàn)在應(yīng)當(dāng)具有連續(xù)膜，膜的表面使得底 材超疏水。所述的方法既可用于熱不穩(wěn)定性材料如熱塑性聚合物，又可用于更穩(wěn)定的底材。 但是，考慮到中間硅層至底材的應(yīng)用中涉及的相互作用(chemistries)，不清楚該方法是否 產(chǎn)生具有足夠耐久性的涂層。US2005/0186731描述了在底材如硅片上形成氧化物層。具體而言，原子層沉積 (ALD)被用于從金屬有機(jī)前體如三甲基鋁(TMA)沉積氧化單層，這將導(dǎo)致氧化鋁的形成。 進(jìn)行US2005/0186731的方法的反應(yīng)依賴于在較高溫度下使用臭氧氣體與金屬有機(jī)前體。 US2005/0186731的方法適用于制造用于集成電路的半導(dǎo)體，并沒有給出關(guān)于生成的表面的 疏水性或親水性信息。US2004/0221798涉及通過ALD在底材上生長(zhǎng)薄膜的方法。在該方法中，金屬或半 導(dǎo)體元件的氣態(tài)化合物被沉積并與氣態(tài)第二反應(yīng)物發(fā)生反應(yīng)。根據(jù)反應(yīng)物的選擇，形成的 薄膜可以是金屬的或者是金屬的氧化物或其它化合物。一個(gè)例子是通過在其與水反應(yīng)之前 沉積TMA來形成氧化鋁。盡管未描述這樣的多層涂層的確切性質(zhì)，但是所述的方法也可以 用于多個(gè)涂覆循環(huán)。雖然US2004/0221798的方法似乎意圖用于半導(dǎo)體組件的制造，但是該 方面并沒有明確限定于具體的領(lǐng)域，這是因?yàn)樯傻耐繉拥碾娦阅茱@得非常重要。雖然提 到涂層可以形成在金屬底材或金屬氧化物上，但是該文件同樣沒有具體說明該底材的確切 組成。因?yàn)閺?qiáng)調(diào)的是電性能，涂層的其它物理性能如疏水性、親水性或機(jī)械性能并沒有被提 及，因此還是不清楚所形成的涂層對(duì)最終產(chǎn)品的耐久性有什么影響。W02005/121397涉及生成多層涂層的方法，其使用氣相沉積原理，命名為"分子氣 相沉積(molecular vapour deposition)“，目的是控制層厚度、機(jī)械性能和表面性能以及 提供納米級(jí)的功能。發(fā)現(xiàn)通過將氧化物-基的層施加至給定底材，隨后將有機(jī)基的層施加 在氧化物-基的層上，有可能使親水樣底材表面轉(zhuǎn)變?yōu)槭杷砻?，其中所述有機(jī)基的層在 有機(jī)分子的末端提供不與氧化物基的層反應(yīng)的疏水表面官能團(tuán)。通過控制過程參數(shù)，可進(jìn) 一步發(fā)現(xiàn)，可以控制覆蓋在底材表面上的膜的密度和結(jié)構(gòu)組成，這使得能夠形成非常平滑 的膜。為生產(chǎn)中間氧化物層，W02005/121397的方法通常依賴于用作前體的鹵化的硅烷如氯 硅烷、氟硅烷和氟硅氧烷。在與這些化學(xué)品反應(yīng)時(shí)將產(chǎn)生鹵化氫例如HC1，作為副產(chǎn)物。通 過在最終涂覆步驟中使用各種全氟硅烷或烷基硅烷，所描述的生產(chǎn)的多層涂層將被提供以 表面功能從而生成疏水表面。這些化合物通常的形式為相應(yīng)的二氯硅烷或三氯硅烷或甲氧
5基硅烷。所提供的表面功能也可以具有包含部分如3-氨基丙基部分或3-環(huán)氧丙氧基部分 的反應(yīng)性質(zhì)。W02005/121397的方法適用于不同類型的底材，如不銹鋼、玻璃、聚苯乙烯、丙 烯酸或硅片。但是，記住通常使用的氯硅烷的反應(yīng)將在涂覆期間產(chǎn)生少量的HCl作為副產(chǎn) 物，清楚地表明所進(jìn)行的反應(yīng)由于HCl的腐蝕性能而可能對(duì)底材有害。在該背景下，本發(fā)明的目的是提供具有增強(qiáng)的粘合力和機(jī)械性能的涂層，并克服 與腐蝕性副產(chǎn)物的形成相關(guān)的問題以及其它問題。通過在通常不形成腐蝕性反應(yīng)產(chǎn)物的方法中產(chǎn)生涂層達(dá)到該目的。此外，涂層的 粘合性能以及涂料或金屬化層的耐久性得以提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及涂覆助聽器組件的方法，該方法包括步驟a)提供助聽器組件；b)使用氣相沉積將有機(jī)金屬化合物施加至所述助聽器組件的表面；c)誘導(dǎo)包括所施加的有機(jī)金屬化合物的反應(yīng)，以將其轉(zhuǎn)化為金屬氧化物；d)使用氣相沉積將硅烷分子施加至所述助聽器組件表面上的所述金屬氧化物； 和e)誘導(dǎo)所述施加的硅烷分子和所述金屬氧化物之間的反應(yīng)以在所述硅烷分子和 所述金屬氧化物之間形成共價(jià)鍵和/或與相鄰的施加的硅烷分子共價(jià)連接。所述助聽器組件可以是在助聽器的構(gòu)造中使用的任何組件，或者其可以是幾種這 樣的組件的組合。有機(jī)金屬化合物是本領(lǐng)域內(nèi)眾所周知的，在優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述有機(jī) 金屬化合物是三甲基鋁(TMA或Al (CH3) 3)。任何氣相沉積方法都適用于將有機(jī)金屬化合物 施加至助聽器組件的表面，但優(yōu)選地使用分子氣相沉積和/或原子層沉積來施加有機(jī)金屬 化合物。在氣相沉積期間，一般地在0. Ol-IOTorr的壓力下施加有機(jī)金屬化合物，盡管對(duì)于 一些應(yīng)用來說，壓力可以適當(dāng)?shù)厣踔恋陀?. OlTorr。取決于底材和所沉積的化合物的性質(zhì)， 施加溫度可以從環(huán)境溫度上至約100°C，或者甚至更高。施加時(shí)間通常少于約1分鐘，一般 地為 0. 5-10s。在各步驟中氣相沉積有機(jī)金屬化合物或硅烷分子之后，化合物或分子將物理地吸 附至表面。所述吸附優(yōu)選地采用單層的形式。在形成單層之后，可以改變條件以誘導(dǎo)包括 所吸附的化合物或分子的反應(yīng)?？蛇x地，不要求改變條件以誘導(dǎo)反應(yīng)的化合物或分子可以 被吸附，以便該反應(yīng)可以被描述為自發(fā)進(jìn)行。誘導(dǎo)反應(yīng)可以通過施加化學(xué)品來引發(fā)，該化學(xué) 品將與所吸附的本體(entities)發(fā)生反應(yīng)，以便在所吸附的本體和表面上的原子之間和/ 或在相鄰的吸附本體之間誘導(dǎo)形成共價(jià)鍵。當(dāng)有機(jī)金屬化合物是TMA時(shí)，可以通過施加水 分子至表面來誘導(dǎo)反應(yīng)，盡管也可以使用其它化合物如過氧化氫(H2O2)、氧(O2)、臭氧(O3)。 用水分子進(jìn)行誘導(dǎo)是優(yōu)選的，并且優(yōu)選從氣相施加水分子。在一個(gè)實(shí)施方式中，分別施加有機(jī)金屬化合物然后誘導(dǎo)反應(yīng)以形成金屬氧化物的 步驟b)和C)被重復(fù)。通過重復(fù)這些步驟，可能順序地構(gòu)建金屬氧化物層并因此提供期望 的金屬氧化物層厚度。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，該層的厚度在2-20nm之間。在甚至更優(yōu)選的 實(shí)施方式中，該層的厚度在5-lOnm之間。在這些步驟中施加的有機(jī)金屬化合物不需要相同，并且可以根據(jù)期望的圖案分層。例如，基于兩種不同的金屬的化合物可以被用于生產(chǎn)金屬氧化物之間交替的層，該交替 的層可以具有相同的或不同的厚度。可以選擇有機(jī)金屬化合物以便得到的金屬氧化物涂層 包含氧化鋁和氧化硅的層；氧化鋁和氧化硅的層不需要具有相同的厚度，并且本發(fā)明并不 特別限定具體的層數(shù)。構(gòu)建含有多于兩種不同金屬的金屬氧化物層也在本發(fā)明的范圍內(nèi)； 除了 TMA和硅烷，相關(guān)的有機(jī)金屬化合物可以是產(chǎn)生氧化鋅層的二乙基鋅或者是產(chǎn)生二氧 化鈦層的烷氧基鈦(Ti (OR)4)。優(yōu)選地，如下提供氧化硅層通過使用氣相沉積將1，2_ 二(三氯甲硅烷基)乙烷 施加至助聽器組件的表面并誘導(dǎo)包括施加的1，2-二(三氯甲硅烷基)乙烷的反應(yīng)以將其 轉(zhuǎn)化為氧化硅。1，2_ 二(三氯甲硅烷基)乙烷一般地被施加至步驟c)中形成的金屬氧化 物表面，并且在轉(zhuǎn)化為氧化硅之后，金屬氧化物的另一層可以通過重復(fù)步驟b)和c)來形 成。在包括多層金屬氧化物層的多層形成過程中，在金屬氧化物層之間也可以形成數(shù)個(gè)這 樣的氧化硅層。助聽器組件的涂層優(yōu)選地具有使最終涂層成為疏水或超疏水的性能。這可以使用 含有全氟烷基部分或氟烷基部分的硅烷分子來獲得。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，含全氟的硅烷 分子是全氟癸基三氯硅烷(FDTS)。其它有關(guān)的氟烷基-或全氟烷基化合物可以是例如全氟 辛基三氯硅烷(F0TQ或三氯硅烷，其帶有多至最大可能的任意數(shù)目的氟原子的辛基或癸 基。也可以使用帶有烷基鏈而沒有氟原子的硅烷分子來提供疏水性或超疏水性。也可以使用任何氣相沉積方法來施加硅烷分子。施加硅烷分子的優(yōu)選方法是分子 氣相沉積和原子層沉積。在施加有機(jī)金屬化合物和形成金屬氧化物之前，可以處理助聽器組件以使表面微 結(jié)構(gòu)化。因此，本發(fā)明的方法可以進(jìn)一步包括在施加有機(jī)金屬化合物之前微結(jié)構(gòu)化助聽器 組件外表面的步驟。任何能夠提供微結(jié)構(gòu)至所述表面的方法都與本發(fā)現(xiàn)相關(guān)。使用激光器 如ω2激光器、準(zhǔn)分子激光器、二極管激光器、纖維激光器、固態(tài)激光器如Nd:YAG、皮秒激光 器和飛秒激光器的表面激光處理是尤其相關(guān)的。也可以應(yīng)用其它方法如微注射模塑或在制 作微電子器件/納電子器件或微機(jī)電系統(tǒng)/納機(jī)電系統(tǒng)中使用的那些以及其它刻蝕或電化 學(xué)方法。用于助聽器的組件也可以具有多個(gè)透孔(through-going pores)，在施加涂覆之 前，每個(gè)孔的最大橫截面尺寸小于200 μ m。一般地，孔的橫截面尺寸在100-200 μ m范圍內(nèi)， 盡管也可以考慮其它尺寸。因此，本發(fā)明的方法也可以包括給助聽器組件打出多個(gè)這樣的 孔的步驟?？梢允褂萌魏魏线m的方法例如沖壓孔通過組件或組件底材來進(jìn)行打孔。也可以 用激光器如(X)2激光器、準(zhǔn)分子激光器、二極管激光器、纖維激光器、固態(tài)激光器如Nd:YAG、 皮秒激光器和飛秒激光器進(jìn)行激光燒蝕來打孔。底材的微注射模塑同樣可以是相關(guān)的。根據(jù)助聽器組件表面的性質(zhì)，在施加有機(jī)金屬化合物之前，用氧等離子體進(jìn)行處 理可能是有利的。用氧等離子體處理將羥基引入表面，其然后可以與有機(jī)金屬化合物進(jìn)行 反應(yīng)以形成與表面共價(jià)連接的金屬氧化物層。當(dāng)助聽器組件表面的最外層包括聚合材料 時(shí)，用氧等離子體處理是優(yōu)選的，盡管也可能包括在具有金屬原子或金屬氧化物的外層的 表面上產(chǎn)生涂層。也可以使用除了氧等離子體之外的其它類型的等離子體。 本發(fā)明也涉及提供有包含氧化鋁層的疏水涂層的助聽器組件，以及包括提供有這 樣涂層的組件的助聽器?？梢杂酶鶕?jù)本發(fā)明的方法提供這樣的涂層。組件的表面可以基本上完全涂覆有涂層或其可以有意地部分地涂覆有涂層。本發(fā)明的帶有涂層的組件可以 包括聚合材料的外表面。任何聚合材料都是合適的，盡管在某些實(shí)施方式中材料如聚甲醛 (POM)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚碳酸酯(PC)或稱為ABS/PC的ABS和PC的摻和 物是優(yōu)選的。POM作為縮醛塑料也是已知的。進(jìn)一步相關(guān)類型的聚合材料是纖維素-丙酸 酯(CAP/CP)、甲基丙烯酸甲酯-丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(MABS)、聚酰胺(PA)、熱塑性聚 酯(PBT)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。對(duì)本發(fā)明來說，帶有金屬外表面的組件也是合適的。 任何類型的金屬都可以被涂覆，但金屬如鋼、不銹鋼、金、銀、鉬或鈦是優(yōu)選的。本發(fā)明還涉及包含涂覆有依據(jù)本發(fā)明的涂層的助聽器組件的助聽器。本發(fā)明進(jìn)一步的方面是用于助聽器組件的涂層，其中所述涂層按照包括以下步驟 的方法制成提供助聽器組件；使用氣相沉積將有機(jī)金屬化合物施加至所述助聽器組件的表面；誘導(dǎo)包括所施加的有機(jī)金屬化合物的反應(yīng)，以將其轉(zhuǎn)化為金屬氧化物；使用氣相沉積將硅烷分子施加至助聽器組件表面上的金屬氧化物；和誘導(dǎo)施加的硅烷分子和金屬氧化物之間的反應(yīng)以在所述硅烷分子和所述金屬氧 化物之間形成共價(jià)鍵和/或共價(jià)連接相鄰的施加的硅烷分子。發(fā)明詳述從與附圖結(jié)合的以下詳細(xì)描述，將容易地理解本發(fā)明。如所認(rèn)識(shí)到的，本發(fā)明能夠 在不偏離本發(fā)明的情況下在各種明顯的方面具有其他不同的實(shí)施方式并且進(jìn)行改進(jìn)。因 此，附圖和說明書將被視為在本質(zhì)上是示例性的而非限制性的。在附圖中

圖1圖解說明帶有聲音管道的傳統(tǒng)的耳背式(BTE)助聽器；圖2圖解說明耳道式接收器(RIC)類型的耳背式助聽器；圖3圖解說明耳內(nèi)式助聽器；圖4圖解說明耳垢防護(hù)裝置；圖5圖解說明助聽器組件內(nèi)部耳垢阻礙元件(earwax barrier element)和標(biāo)準(zhǔn) 的耳垢防護(hù)裝置的安裝；圖6圖解說明帶有調(diào)頻單元單元的BTE助聽器；圖7示出了用于氣相沉積的典型系統(tǒng)的示意圖。為更完全地詳述本發(fā)明，以下說明本發(fā)明定義中使用的術(shù)語(yǔ)。“助聽器組件"可以是在制造助聽器時(shí)使用的任何單個(gè)組件，如機(jī)殼、套管、外 殼、內(nèi)部電子電路、換能器、面板、柵格、阻擋物、鉤、蓋子、電池室、按鈕、開關(guān)、操縱器、連接 器、聲音電路、電線、耳機(jī)、耳垢防護(hù)裝置、調(diào)頻單元等，或者所述組件也可以是幾個(gè)這種組 件的組合，或者甚至基本上是完全組裝的助聽器。在復(fù)雜性方面來說，組件的范圍可以從由 單一材料如聚合物、金屬或其它合適材料制成的單個(gè)組件，到包含幾種不同的這樣的材料 以及包括機(jī)械和/或電子功能的組件。圖1所示為傳統(tǒng)的耳背式(BTE)助聽器100，其包括多種可能有利于涂覆的組件。 這些組件至少包括BTE機(jī)殼101、聲音電路102、耳機(jī)103、連接器鉤104、聲音控制器105和 電源開關(guān)106。圖2所示為耳道式接收器(RIC)型BTE助聽器200，其包括多種可能有利于涂覆的組件。這些組件至少包括BTE機(jī)殼201、上機(jī)殼202、下機(jī)殼203、電池室204、麥克風(fēng)柵格 205、在BTE機(jī)殼201和金屬線元件207的電導(dǎo)線之間提供電連接的連接裝置206，以及在 RIC機(jī)殼209和金屬線元件207的電導(dǎo)線之間提供電連接的連接裝置208。圖3所示為耳內(nèi)式(ITE)助聽器300，其包括多種可能有利于涂覆的組件。這些組 件至少包括ITE殼301、電池蓋302和聲音控制器303。圖4所示為耳垢防護(hù)裝置400，其包括耳垢阻礙元件401和管狀元件402。圖5所示為接收器耳垢阻礙元件401和耳垢防護(hù)裝置400在助聽器組件機(jī)殼501 內(nèi)的安裝。接收器阻礙元件被安裝在助聽器接收器502的輸出管上。圖6所示為BTE機(jī)殼600，其包括可能有利于涂覆的FM導(dǎo)向器(shoe) 601。FM導(dǎo) 向器601具有上部分602——其可以適合于多種不同的助聽器機(jī)殼——和含有調(diào)頻單元的 下部分603。圖7所示為典型的氣相沉積系統(tǒng)的示意圖。用于聽覺的組件的表面還可以被稱為“助聽器表面”。因此，助聽器表面可以是金 屬的、塑料的、用金屬處理的、涂敷的(painted)或其它涂覆的表面。一些表面材料可以有 利地進(jìn)行等離子體處理以在氣相沉積步驟中進(jìn)行涂覆之前通過引入表面羥基來活化表面。 等離子體處理對(duì)于非金屬、聚合物底材尤其重要。如本發(fā)明中上下文中所用，術(shù)語(yǔ)“氣相沉積”指用一層分子來涂覆表面的一系列技 術(shù)。一般而言，氣相沉積包括這樣的步驟將合適的反應(yīng)性的分子從氣相沉積到表面上，然 后誘導(dǎo)反應(yīng)以使沉積的分子與相鄰的沉積分子和/或與底材表面的化學(xué)部分反應(yīng)。沉積 層可以采用單分子層形式，或者層的厚度可以與幾個(gè)分子對(duì)應(yīng)。一個(gè)分子單層的例子是所 謂的自組裝單層(SAM)。具有多于一個(gè)分子層厚度的層可以通過同時(shí)沉積數(shù)個(gè)層來制備， 或者層也可以通過順序沉積幾個(gè)單層、然后在幾個(gè)單層間誘導(dǎo)反應(yīng)產(chǎn)生。幾種類型的氣相 沉積方法在本領(lǐng)域內(nèi)是已知的，如化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、分子氣相沉積 (MVD)、氣相夕卜延(atomic layer epitaxy)、原子層夕卜延(atomic layer epitaxy)等。在 優(yōu)選的實(shí)施方式中，本發(fā)明的氣相沉積是已知為分子氣相沉積的類型。這種分子氣相沉積 可以適當(dāng)?shù)卦贛VD設(shè)備中進(jìn)行，所述MVD-設(shè)備如MVD-100、MVD-100E或MVD-15，由Applied Microstruc-tures Inc (San Jose, CA, USA)提供。這種設(shè)備還能夠進(jìn)行原子層沉積以形成 金屬氧化物涂層，并且這一實(shí)施方式也是優(yōu)選的。在仍有另一優(yōu)選的實(shí)施方式中，分子氣相 沉積和原子層沉積都在涂覆步驟中使用?！坝袡C(jī)金屬化合物”被理解為包含與碳原子共價(jià)連接的金屬原子的化合物。對(duì)于在 本發(fā)明的涂層中的使用，盡管本領(lǐng)域技術(shù)人員清楚，也可以使用幾種其它的有機(jī)金屬化合 物，但是三甲基鋁(TMA或Al(CH3)3)是特別適合的有機(jī)金屬化合物。在有機(jī)金屬化合物中 發(fā)現(xiàn)的典型的金屬包括鋁、鎵、銦和其它過渡金屬如鈦或鋅。在本發(fā)明的上下文中，包含與 碳原子共價(jià)連接的半金屬元素如硼、硅、砷和硒的化合物也被認(rèn)為是有機(jī)金屬化合物。TMA和金屬表面上的羥基之間的反應(yīng)可以根據(jù)以下反應(yīng)進(jìn)行，因此與產(chǎn)生本發(fā)明 的涂層的方法中步驟b)相對(duì)應(yīng) Al (CH3) 3 (g) +M-OH (S) — M-0-A1 (CH3) 2 (s) +CH4 (g)然后，隨后的步驟c)可以根據(jù)以下反應(yīng)進(jìn)行2H20 (g) +M-0-A1 (CH3) 2 (S) — M-Q-Al (OH) 2+2CH4 (g)
在這些反應(yīng)中，“M"代表金屬，“(S)"代表在底材表面上的原子，“(g)〃指 氣相或蒸汽相。因此產(chǎn)生的氧化鋁層的層厚度為大約1A。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，有機(jī)金屬化合物是TMA(Al (CH3)3)。與使用如在現(xiàn)有 技術(shù)中廣泛使用的四氯硅烷(SiCl4)作為前體相比，發(fā)現(xiàn)TMA特別有利。眾所周知，四氯硅 烷用于在底材上產(chǎn)生氧化硅層。此方法一般包括將硅烷氣相沉積到底材上，然后進(jìn)行反應(yīng)， 以將吸咐的層轉(zhuǎn)化為氧化物。但是，該過程包括形成已知為高度腐蝕性的反應(yīng)產(chǎn)物氯化氫 (HCl)。HCl的腐蝕性對(duì)于涂布的底材、涂層本身和其中進(jìn)行反應(yīng)的環(huán)境都是問題。相反，如 在本發(fā)明中進(jìn)行的，將吸咐的TMA與水反應(yīng)形成氧化鋁層將會(huì)導(dǎo)致甲烷(CH4)的形成。與 HCl相比，甲烷幾乎是惰性的且它的形成不會(huì)造成任何與腐蝕性相關(guān)的問題。貫穿本文使用的術(shù)語(yǔ)“前體”一般指參與化學(xué)反應(yīng)的分子或化合物。因此，TMA、水、 硅烷等都可以被認(rèn)為是前體，盡管該術(shù)語(yǔ)并不限于這些化合物。此外還發(fā)現(xiàn)，在本發(fā)明的涂層表面上形成的氧化鋁層在最外涂層和底材間提供了 增強(qiáng)的粘合力。在本發(fā)明中，在助聽器組件底材表面和外表面上的硅烷層之間形成的金屬 氧化物層因而還可被描述為“粘合層”。這意味著，相比于其中硅烷層被直接施加至助聽器 組件的情況，金屬氧化物層用于增強(qiáng)硅烷層與助聽器組件的粘合強(qiáng)度。因此，不受任何特定 理論的限制，通過使用金屬氧化物粘合層如氧化鋁，助聽器組件的耐久性和機(jī)械穩(wěn)定性以 及因此乃至助聽器的耐久性和機(jī)械穩(wěn)定性也被提高。不受理論限制，可以推測(cè)這種增強(qiáng)的粘合力另外提高了涂覆的底材的綜合機(jī)械性 能，所以這對(duì)于刮擦和類似的物理挑戰(zhàn)變得更具抵抗性。在本發(fā)明中，術(shù)語(yǔ)“硅烷分子”所述的是這樣的化合物，其可以用通SR4Si來表達(dá)， 其中R可以是相同或不同的化學(xué)部分。在一些實(shí)施方式中，硅烷分子可被表示為(R1)3SiR2,其中R1是能與相鄰的硅烷分 子或存在于金屬氧化物中的羥基在合適的條件下形成共價(jià)鍵的部分，R2是烷基鏈，其可以 包括任何期望的官能團(tuán)或基團(tuán)。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，R1是氯、甲氧基或乙氧基。烷基鏈R2的官能團(tuán)可用于使涂層疏水、親水、帶正電、帶負(fù)電或提供化學(xué)反應(yīng)性基 團(tuán)。疏水烷基鏈可以是例如未衍生化的烷基，或它們可以是全氟烷基鏈。親水官能團(tuán)可以由 R2上的羥基提供。如果期望得到帶電的官能團(tuán)，負(fù)電荷可以從羧酸基或磺酸基獲得，正電荷 可以從連接到R2的伯、仲、叔或季胺獲得。反應(yīng)性基團(tuán)可以是環(huán)氧，如縮水甘油基部分。但 是，可能需要提供帶有保護(hù)基團(tuán)的烷基鏈R2的官能團(tuán)或基團(tuán)以防止或最小化不必要的硅烷 分子聚合。這與以引入親水或帶電荷部分為目的的情況尤其相關(guān)。使用這種具有保護(hù)基團(tuán) 的硅烷分子也在本發(fā)明中有所考慮?？蛇x地，還可以通過以下連接這種官能團(tuán)首先與帶有 反應(yīng)性基團(tuán)如縮水甘油基或環(huán)氧的硅烷分子反應(yīng)，然后使該基團(tuán)與合適的試劑反應(yīng)以引入 期望的官能團(tuán)。帶環(huán)氧基的烷基鏈可以例如與親核試劑如胺、亞硫酸鹽、醇、水、羥基、硫醇 等在合適的條件下反應(yīng)，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，用全氟烷基鏈衍生化硅烷分子。在仍有另一優(yōu)選的實(shí)施方 式中，硅烷分子是全氟癸基三氯硅烷(FDTS)。全氟衍生化的硅烷用于使助聽器組件表面疏 水或超疏水，如下面所說明的。硅烷分子還可僅攜帶一個(gè)或兩個(gè)R1部分(除了 R2部分)，以使分子可表示為下面
1的通式=R1(R3)2SiR2, (R1)2R3SiR2,其中R3代表基本上為惰性的基團(tuán)，如烷基鏈?！俺杷北挥糜诿枋霾牧系男再|(zhì)，其中一滴水會(huì)滑過或滾過“超疏水”表面。該性 質(zhì)可更準(zhǔn)確地通過水滴與表面之間的接觸角來表征。因此，固體被液體潤(rùn)濕的一個(gè)量化量 度是接觸角，它在幾何學(xué)上被定義為液體在三相界面即液體、氣體和固體相交處形成的內(nèi) 角。接觸角值小于90°說明液體在固體表面上展開，在這種情況下顯示液體潤(rùn)濕固體(這 可被稱為“親水”)。如果接觸角大于90°，液體在固體表面上傾向于形成液滴，并且說明其 顯示了非潤(rùn)濕(或“疏水”)行為。在這一術(shù)語(yǔ)學(xué)中，結(jié)論是，接觸角越大，表面排斥各自物質(zhì)的能力越好。對(duì)未處理 的表面，接觸角一般低于90°。本領(lǐng)域熟知的是，涂布帶疏水層的固體以增加接觸角并因此 獲得防濕表面。這樣的表面涂層一般可以將水的接觸角增加到大約115-120°。結(jié)構(gòu)的改 性，如某些材料表面的微結(jié)構(gòu)化將提高材料排斥水性和油性物質(zhì)的能力。當(dāng)通過將這種結(jié) 構(gòu)化和(疏水)涂層進(jìn)行結(jié)合來改性表面時(shí)，對(duì)于多種材料來說，水的接觸角超過145°，并 且在本發(fā)明的上下文中這一特征被稱為超疏水。除了超疏水表面特征外，改性材料也可以 獲得超疏油表面特征。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，具有微結(jié)構(gòu)化表面的助聽器組件設(shè)有根據(jù)本發(fā)明的 涂層，因此使涂覆的助聽器組件超疏水。表面結(jié)構(gòu)化優(yōu)選在橫向尺度實(shí)現(xiàn)，其遠(yuǎn)大于原子和分子的特征尺寸以及顆粒或其 它亞納米結(jié)構(gòu)，但不大于100微米。這被稱作“微結(jié)構(gòu)”。結(jié)構(gòu)化和/或涂層可被施加到整個(gè)組件表面或其可以被施加至組件的一部分。在 元件中緊鄰任何孔的表面的至少一部分的控制結(jié)構(gòu)化可以是尤其有利的。施加的微結(jié)構(gòu)可以在一定的空間帶寬(spatial bandwidth)內(nèi)是周期性的、準(zhǔn)周 期性的或隨機(jī)的?？臻g帶寬被定義為結(jié)構(gòu)的橫向尺度的波數(shù)倒數(shù)的范圍，波數(shù)被定義為周 期性結(jié)構(gòu)的橫向波長(zhǎng)的倒數(shù)值。該結(jié)構(gòu)被施加至至少一部分組件表面。表面結(jié)構(gòu)的平均間 距(pitch)應(yīng)該為100微米或更低。長(zhǎng)寬比一般為1 1或更大。在包括40微米、10微米 和5微米的寬間距范圍內(nèi)的樣品均獲得了好的結(jié)果。表面結(jié)構(gòu)化可通過許多方法進(jìn)行，例如用熱或非熱相互作用對(duì)表面進(jìn)行激光處 理。用于表面結(jié)構(gòu)化的激光器的非限制性實(shí)例是CO2激光器、準(zhǔn)分子激光器、二極管激光器、 纖維激光器、固態(tài)激光器如Nd: YAG、皮秒激光器和飛秒激光器。也可使用在制備微電子器 件/納電子器件或微電子機(jī)械系統(tǒng)/納電子機(jī)械系統(tǒng)中使用的方法及其它刻蝕或電化學(xué)方 法。對(duì)于許多助聽器組件，如機(jī)殼、套管、外殼、面板、柵格、鉤、蓋子、電池座(battery drawers)、按鈕和操作器，一般優(yōu)選通過注射成型的方法制造它們。在這種情況下，組件 表面的結(jié)構(gòu)化可以通過適當(dāng)?shù)亟Y(jié)構(gòu)化所用的沖模的內(nèi)表面來實(shí)現(xiàn)，如通過激光鉆孔、刻 蝕或火花(spark)處理。在組件是由SLA技術(shù)制造的情況下，有時(shí)稱作快速定型(rapid prototyping)方法，一般優(yōu)選在模制后提供元件表面的微結(jié)構(gòu)化，如通過激光處理、刻蝕或 電化學(xué)處理?？蛇x地，微結(jié)構(gòu)化的組件還可以在微注射成型步驟中或使用熱模壓原理制造。用于給助聽器組件表面提供微結(jié)構(gòu)的相同的技術(shù)一般還可以在給助聽器組件提 供許多透孔時(shí)使用。這些孔一般具有100-200微米的最大橫截面尺寸。在本文中，橫截面 指從穿孔的底材表面看到的橫截面。該橫截面的形狀可以是圓形的、橢圓形或多邊形的等，當(dāng)橫截面是圓形時(shí)，最大橫截面尺寸與直徑相對(duì)應(yīng)。橫截面的形狀一般取決于規(guī)定使用的 方法。例如，激光燒蝕常常產(chǎn)生圓孔，而壓印取決所用的印可以提供其他形狀的孔。透孔對(duì) 于限制厚度如小于毫米級(jí)的助聽器組件很重要。這些組件可以用作過濾器以阻止耳垢、灰 塵等透過。帶有透孔的組件的聲學(xué)性能可是很重要的，所以可以在提供孔之前考慮提供給 組件的孔的大小和形狀以及孔的網(wǎng)格。孔深度方面的形狀(cbpth-wise shape)沒有特別 限制。因此，助聽器組件的兩側(cè)的透孔的形狀和橫截面尺寸可以大致相同，或者橫截面尺寸 可以具有不同的大小，以便從表面的一側(cè)來看孔比從另一側(cè)小。同樣，孔的一側(cè)可以是例如 圓形的而在另一側(cè)大約是橢圓形的。圖7示意性地說明了用于生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明的涂層的前體的經(jīng)典的氣相沉積系統(tǒng)。 系統(tǒng)701包括用于每一前體的儲(chǔ)存器70h-c，在優(yōu)選的和示例性的實(shí)施方式中所述前體是 水、TMA和FDTS。每個(gè)儲(chǔ)存器經(jīng)由包括閥的管與蒸發(fā)室703a-c流體連通。蒸發(fā)室703a_c 各自與注氣口 7(Ma-c流體連通，注氣口 7(Ma-c用于將前體注入反應(yīng)室705 ；蒸發(fā)室703a-c 和反應(yīng)室705之間的管可以包括閥門，并且管優(yōu)選被加熱以避免蒸發(fā)的前體冷凝。儲(chǔ)存器 702a-c和蒸發(fā)室703a-c也可以被加熱。反應(yīng)室705被控溫并與真空泵706流體連通，這 使得反應(yīng)室705內(nèi)的壓力被控制。以下，單位"Torr (托)"將被用于壓力；ITorr對(duì)應(yīng)于 約133Pa。反應(yīng)室705內(nèi)的壓力和溫度都取決于施加至該室的具體的前體，但壓力通常在 0. Ol-IOTorr，溫度在環(huán)境溫度至100°C，一般地在35°C和60°C之間。但是，溫度也可以被 增加至高于該范圍(增加至例如150°C )并且還取決于底材的性質(zhì)。例如，當(dāng)聚合材料被 涂覆時(shí)，反應(yīng)條件應(yīng)考慮聚合物的性質(zhì)以避免聚合物的軟化或熔融。在某些情況下，可能期 望將壓力降低至甚至在0. OlTorr以下。系統(tǒng)701可以被裝備有傳感器707以監(jiān)測(cè)反應(yīng)室 705內(nèi)部的溫度和壓力以及其他條件，以適用于給定反應(yīng)。此外，系統(tǒng)也可以適當(dāng)?shù)乇辉O(shè)計(jì) 為包括用于吹洗氣體例如N2的供給設(shè)備(未示出)，以在施加前體之間包括吹洗步驟。對(duì)于其中等離子體處理合適的底材如聚合材料，系統(tǒng)701可以包括用于處理底材 表面的等離子體源708。當(dāng)適合施加等離子體時(shí)，一般使用氧(O2)等離子體。等離子體處 理適于清潔和活化某些底材，因此當(dāng)加工除了聚合物之外的材料時(shí)也可以被包括。系統(tǒng)701被裝配有合適的入口(未示出)，用于將底材放置在反應(yīng)室705內(nèi)并在反 應(yīng)完成后將其除去。同樣，反應(yīng)室將被裝配以固定架、架子等(未示出)，用于在反應(yīng)期間支 撐底材。在將底材定位在反應(yīng)室705內(nèi)之后，室705中的壓力和溫度被適當(dāng)設(shè)定，儲(chǔ)存器 702可以被加熱。一般而言，在允許反應(yīng)物進(jìn)入反應(yīng)室之前，使用真空泵706抽空反應(yīng)室705 從而控制壓力。然后，通過打開儲(chǔ)存器702和蒸發(fā)室703之間的閥，從儲(chǔ)存器將相關(guān)的前體 例如TMA蒸發(fā)入蒸發(fā)室。當(dāng)達(dá)到特定壓力后，關(guān)閉閥，然后通過打開蒸發(fā)室703和反應(yīng)室 705之間的閥，蒸發(fā)室703中的前體經(jīng)由注氣口 704被注入反應(yīng)室705。一旦達(dá)到兩室之間 的壓力平衡，關(guān)閉它們之間的閥。給定的前體可以被多次注入反應(yīng)室705，只要蒸發(fā)室703 中的壓力大于反應(yīng)室705中的壓力。根據(jù)要進(jìn)行的具體反應(yīng)，多于一種前體也可以同時(shí)被 施加至反應(yīng)室705中。在前體被引入反應(yīng)室705之后，前體將反應(yīng)一段特定的時(shí)間。反應(yīng) 可以是在底材上進(jìn)行吸附，或者前體的引入可以誘導(dǎo)底材表面上的反應(yīng)。當(dāng)吸附在底材表 面上時(shí)，一些前體可以同時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。在規(guī)定的反應(yīng)時(shí)間之后，使用真空泵706將任何前體 和副產(chǎn)物泵出反應(yīng)室705。該抽空之后可以使用惰性氣體如氮?dú)膺M(jìn)行多次吹洗步驟。
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在優(yōu)選的實(shí)施方式中，TMA和水在0. Ol-IOTorr下被施加0. l_60s，或者甚至更優(yōu) 選地0. 5-10s,并且FDTS在0. Ol-IOTorr下、更優(yōu)選低于IiTorr下被施加l_60min，更優(yōu)選 施加5-30min。在使用1，2-二(三氯甲硅烷基)乙烷的情況下，壓力一般在0. Ol-IOTorr 之間，優(yōu)選低于2Torr。在不同的實(shí)施方式中，系統(tǒng)包括含有前體的儲(chǔ)存器、反應(yīng)室和用于前體的管，所述 管被構(gòu)造為允許氣態(tài)前體恒流通過反應(yīng)室。儲(chǔ)存器、蒸發(fā)室和反應(yīng)室可以被加熱，氣體流速 可以被調(diào)節(jié)。儲(chǔ)存器管可以包括用于分離儲(chǔ)存器和管的閥。用于清潔和活化表面的等離子 體源可以是該系統(tǒng)的集成部分。通過打開儲(chǔ)存器和氣體管線之間的閥一段規(guī)定的時(shí)間，將 每一前體從儲(chǔ)存器蒸發(fā)入氣體管線，在此段時(shí)間之后關(guān)閉閥。在該設(shè)置中，吹洗時(shí)間被定義 為沒有前體被注入氣體流的時(shí)間。當(dāng)用兩種不同的前體A和B進(jìn)行操作時(shí)，可能的工藝順序 可以如下注入前體A，吹洗，注入前體B，吹洗。注入前體的時(shí)間和吹洗時(shí)間可以是相同或 不同的，并且一般適當(dāng)?shù)匾悦霚y(cè)量。該工藝順序(指示為循環(huán))可以被重復(fù)任意次數(shù)。除 了吹洗時(shí)間和注入時(shí)間，該類型操作中的重要參數(shù)是在吹洗和注入時(shí)間之間的相互影響， 以及氣體流速。實(shí)施例現(xiàn)將用以下概括的非限制性實(shí)例描述本發(fā)明。用于對(duì)比的現(xiàn)有技術(shù)實(shí)施例也被給 出。實(shí)施例闡述本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但不意欲限制本發(fā)明?，F(xiàn)有技術(shù)實(shí)施例作為現(xiàn)有技術(shù)的示例，四種不同聚合物類型ABS、PA、PE和POM被涂覆以氧化硅 粘合層，然后是FDTS的外層。最初，厘米尺寸的聚合物樣品經(jīng)受氧等離子體處理，然后在 MVD-設(shè)備(MVD-100，來自 Applied Microstructures, Inc.，San Jose, CA, USA)中進(jìn)行 SiCl4 的氣相沉積，隨后是與水蒸氣反應(yīng)以誘導(dǎo)聚合并形成氧化硅。然后，F(xiàn)DTS被施加在MVD設(shè) 備中以引入疏水外層。所涂覆的樣品在65°C被加熱過夜，然后暴露于人工汗液。汗液測(cè)試在65°C下干燥 器中進(jìn)行，在所述干燥器中，涂覆的樣品暴露于PH3的人工汗液組合物(Microtronic)長(zhǎng)至 10天。在1、3、5、7和10天后，從干燥器中取出樣品，記錄施加在樣品上的水滴的靜態(tài)接觸 角；每個(gè)樣品進(jìn)行四次測(cè)量。結(jié)果在下表1中總結(jié)，其中給出了接觸角的平均值，從測(cè)試結(jié)果中計(jì)算它們各自 的95%置信區(qū)間。表1.現(xiàn)有技術(shù)的疏水涂層
權(quán)利要求
1.涂覆助聽器組件的方法，該方法包括下述步驟a)提供助聽器組件；b)使用氣相沉積將有機(jī)金屬化合物施加至所述助聽器組件的表面；c)誘導(dǎo)包括所施加的有機(jī)金屬化合物的反應(yīng)，以將其轉(zhuǎn)化為金屬氧化物；d)使用氣相沉積將硅烷分子施加至所述助聽器組件表面上的所述金屬氧化物；和e)誘導(dǎo)所施加的硅烷分子和所述金屬氧化物之間的反應(yīng)以在所述硅烷分子和所述金 屬氧化物之間形成共價(jià)鍵和/或與相鄰的施加的硅烷分子共價(jià)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆助聽器組件的方法，其中所述有機(jī)金屬化合物是三甲基 鋁(Al (CH3) 3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的覆涂助聽器組件的方法，其中所述硅烷分子包含全氟烷 基部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的涂覆助聽器組件的方法，其中所述步驟b)和c) 被重復(fù)以提供期望的金屬氧化物層厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的涂覆助聽器組件的方法，其中在每個(gè)重復(fù)的步驟b)中，所述 施加的有機(jī)金屬化合物可以與前一步驟b)中的有機(jī)金屬化合物相同，或者所述有機(jī)金屬 化合物可以包含不同于前一步驟b)的金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的涂覆助聽器組件的方法，其中所述金屬氧化物層 的所述厚度在2-20nm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的涂覆助聽器組件的方法，其進(jìn)一步包括步驟在 施加有機(jī)金屬化合物之前，用氧等離子體處理所述助聽器組件的表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的涂覆助聽器組件的方法，其進(jìn)一步包括步驟在 施加所述有機(jī)金屬化合物之前，微結(jié)構(gòu)化所述助聽器組件的外表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的涂覆助聽器組件的方法，其進(jìn)一步包括步驟在 施加所述有機(jī)金屬化合物之前，給所述助聽器組件打出多個(gè)透孔，每個(gè)孔的最大橫截面尺 寸小于200 μ m。
10.助聽器，其包括設(shè)有疏水涂層的組件，所述涂層包括氧化鋁層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的助聽器，其中設(shè)有所述涂層的所述組件包括微結(jié)構(gòu)化的外表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的助聽器，其中設(shè)有所述涂層的所述組件包括多個(gè)透 孔，每個(gè)孔的最大橫截面尺寸小于200 μ m。
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12任一項(xiàng)所述的助聽器，其中設(shè)有所述涂層的所述組件包括聚 合材料的外表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的助聽器，其中所述聚合材料是聚甲醛(POM)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的助聽器，其中所述聚合材料是丙烯腈-丁二烯-苯乙烯 (ABS)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的助聽器，其中所述聚合材料是丙烯腈-丁二烯-苯乙烯/ 聚碳酸酯(ABS/PC)。
17.根據(jù)權(quán)利要求10至12任一項(xiàng)所述的助聽器，其中設(shè)有所述涂層的所述組件包括金 屬材料的外表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的助聽器，其中所述金屬材料是鋼。
19.用于助聽器組件的涂層，其中所述涂層用包含以下步驟的方法制成-提供助聽器組件；-使用氣相沉積將有機(jī)金屬化合物施加至所述助聽器組件的表面；-誘導(dǎo)包括所施加的有機(jī)金屬化合物的反應(yīng)，以將其轉(zhuǎn)化為金屬氧化物；-使用氣相沉積將硅烷分子施加至所述助聽器組件表面上的所述金屬氧化物；和-誘導(dǎo)所施加的硅烷分子和所述金屬氧化物之間的反應(yīng)以在所述硅烷分子和所述金屬 氧化物之間形成共價(jià)鍵和/或與相鄰的施加的硅烷分子共價(jià)連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于助聽器組件的涂層，其中所述有機(jī)金屬化合物是三甲 基鋁(A1(CH3)3)。
21.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的用于助聽器組件的涂層，其中所述硅烷分子包含全氟 烷基部分。
22.根據(jù)權(quán)利要求19至21任一項(xiàng)所述的用于助聽器組件的涂層，其中所述步驟b)和 c)被重復(fù)以提供期望的金屬氧化物層厚度。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的用于助聽器組件的涂層，其中在每個(gè)重復(fù)的步驟b)中，所 述施加的有機(jī)金屬化合物可以與前一步驟b)中的有機(jī)金屬化合物相同，或者所述有機(jī)金 屬化合物可以包含不同于前一步驟b)的金屬。
24.根據(jù)權(quán)利要求19至23任一項(xiàng)所述的用于助聽器組件的涂層，其中所述金屬氧化物 層的厚度在2-20nm之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求19至M任一項(xiàng)所述的用于助聽器組件的涂層，其進(jìn)一步包括步驟 在施加有機(jī)金屬化合物之前，用氧等離子體處理所述助聽器組件的表面。
26.根據(jù)權(quán)利要求19至25任一項(xiàng)所述的用于助聽器組件的涂層，其進(jìn)一步包括步驟 在施加所述有機(jī)金屬化合物之前，微結(jié)構(gòu)化所述助聽器組件的外表面。
全文摘要
用于涂覆助聽器的方法，所述方法包括沉積不生成腐蝕性反應(yīng)產(chǎn)物的粘合層。所述方法包括步驟使用氣相沉積將有機(jī)金屬化合物施加至助聽器組件的表面；誘導(dǎo)反應(yīng)，以將有機(jī)金屬化合物轉(zhuǎn)化為金屬氧化物；然后將硅烷分子施加至表面；和誘導(dǎo)所施加的硅烷分子和所述金屬氧化物之間的反應(yīng)。本發(fā)明還涉及包括助聽器組件以及用于助聽器組件的涂層的助聽器，所述助聽器組件設(shè)有包括氧化鋁層的疏水涂層。在用于氣相沉積前體的系統(tǒng)(701)中生成涂層。
文檔編號(hào)H04R25/00GK102124756SQ200880130748
公開日2011年7月13日 申請(qǐng)日期2008年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月14日
發(fā)明者J·E·韋斯特加德, J·M·奧森, K·B·豪格紹, L·H·克里斯坦森, T·A·拉爾森 申請(qǐng)人:唯聽助聽器公司