專利名稱：固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種背照式(kick-illuminated)固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，為了實現(xiàn)靈敏度更高的固態(tài)圖像拾取設(shè)備，提出了背照式固態(tài)圖像拾取 設(shè)備，在背照式固態(tài)圖像拾取設(shè)備中，與其上形成有布線的前表面相反的背表面用作光入 射側(cè)。使用硅錠晶片的半導(dǎo)體基板、通過在硅半導(dǎo)體基板上形成用于在其上形成光電二極 管的外延層而獲得的外延基板、或者SOI基板用作用于在其上形成背照式固態(tài)圖像拾取設(shè) 備的基板。作為使用半導(dǎo)體基板的背照式固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方法，公開了一種包括以 下步驟的方法在半導(dǎo)體基板的一部分中形成與半導(dǎo)體基板的材料不同的材料的埋層的蝕 刻末端檢測部分；檢測蝕刻末端檢測部分的露出；以及，從而結(jié)束減小厚度(參見日本專利 申請公開No. 2005-353996)。具體地講，首先，將硅氧化物膜從基板的前表面埋入到成像 區(qū)和離開外圍電路部分的區(qū)域中，成像區(qū)和離開外圍電路部分的區(qū)域為半導(dǎo)體基板的一部 分。接著，根據(jù)機械拋光處理或者機械拋光處理和CMP處理的組合從基板的背表面對半導(dǎo) 體基板進行拋光，并對其進一步執(zhí)行等離子體蝕刻處理。然后，檢測當(dāng)硅氧化物膜露出時發(fā) 光強度的變化，并結(jié)束減小厚度。另外，美國專利申請No. 2006/0006488公開了在形成于基 板上的外延層上形成光電二極管等，并用研磨機研磨基板的相對側(cè)，然后對其執(zhí)行濕式蝕 刻處理。另外，公開了在半導(dǎo)體基板上形成P+層，在P+層上形成ρ外延層、η外延層等，P+ 層用作蝕刻停止層(參見日本專利申請公開No. 2005-150521)。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在傳統(tǒng)的背照式固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方法中，制造工藝的產(chǎn)量和用作 光接收表面的背表面的平坦化不充足。在根據(jù)日本專利申請公開No. 2005-353996的固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方法中， 通過從硅基板的前表面形成開口并將硅氧化物膜埋入到形成的開口中來形成用于檢測蝕 刻末端的硅氧化物膜，因此，制造產(chǎn)量低。另外，雖然等離子體蝕刻處理期間的發(fā)光強度的 變化被檢測，從而檢測蝕刻末端，但是由于埋入到硅基板中的硅氧化物膜存在于硅基板的 平面內(nèi)的有限部分中，所以當(dāng)硅氧化物膜露出時的發(fā)光強度的變化小。因此，檢測蝕刻末端 的精度不足。而且，在對硅基板的均勻雜質(zhì)濃度區(qū)進行等離子體蝕刻處理的情況下，蝕刻速 率的部分差異發(fā)生在進行等離子體蝕刻處理的表面中，因此，當(dāng)蝕刻處理結(jié)束時的表面平 坦化不足。另外，在根據(jù)日本專利申請公開No. 2005-150521的固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方 法中，形成外延層，因此，制造產(chǎn)量低。此外，在對硅基板進行一濕式蝕刻處理時，如果蝕刻 速率高，則難以獲得滿意的蝕刻表面的平坦化，從而為了獲得滿意的平坦化，除了使蝕刻速率變低之外別無選擇。因此，難以同時滿足制造產(chǎn)量和蝕刻處理結(jié)束時的表面平坦化。為了解決傳統(tǒng)構(gòu)造的上述問題，提出本發(fā)明，因此，本發(fā)明的目的是實現(xiàn)能夠獲得 優(yōu)良圖像的固態(tài)圖像拾取設(shè)備的廉價制造方法。為了實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明提供一種固態(tài) 圖像拾取設(shè)備的制造方法，該方法包括從半導(dǎo)體基板的第一表面根據(jù)離子注入方法在半 導(dǎo)體基板中形成第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)的步驟；在第一半導(dǎo)體區(qū)和半導(dǎo)體基板的第 一表面之間形成多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)的步驟；通過從半導(dǎo)體基板的第二表面對半導(dǎo)體基板進行 拋光的第一移除步驟；和在第一移除步驟之后通過以比第一移除步驟的速度低的速度從半 導(dǎo)體基板的第二表面減小半導(dǎo)體基板的厚度的第二移除步驟，其中，至少在第一半導(dǎo)體區(qū) 露出之前繼續(xù)第二移除步驟。根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方法，可提供一種能夠提高制造產(chǎn)量并能 夠提高半導(dǎo)體基板的用作光入射側(cè)的背表面的平坦化的固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方法。根據(jù)以下參照附圖對示例性實施例的描述，本發(fā)明的進一步的特征將變得清楚。


圖1A、圖IB和圖IC是每個示出根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方法的實 施例的制造處理視圖。圖2D、圖2E和圖2F是每個示出根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方法的實 施例的制造處理視圖。圖3G、圖3H和圖31是每個示出根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方法的實 施例的制造處理視圖。圖4是示出應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取設(shè)備的成像系統(tǒng)的概念圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將根據(jù)附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細(xì)描述。以下，參照圖IA至圖4對本發(fā)明的實施例進行描述。(第一實施例)圖IA至圖IC是每個示出根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方法的實施例的 制造處理視圖。在圖IA中，根據(jù)離子注入方法將第一導(dǎo)電類型的高濃度雜質(zhì)離子注入到具有第 一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板中，從而在其中形成第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)，第一半導(dǎo)體 區(qū)在從半導(dǎo)體基板的第一表面(前表面)起的預(yù)先確定的深度處被均勻高度摻雜。半導(dǎo)體 基板10由例如P型硅形成，第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)11為P+型半導(dǎo)體區(qū)。P+ 型第一半導(dǎo)體區(qū)11是通過將硼(B)離子注入到半導(dǎo)體基板的整個表面中而形成的。關(guān)于 離子注入條件，劑量設(shè)為IX 1014cnT2，加速能量設(shè)為3. 4MeV。關(guān)于離子注入條件的范圍，劑 量可以是2 X IO11 1 X IO14CnT2 (包括端值)，加速能量可以是2. 0 3. 4MeV (包括端值)。 當(dāng)在這些注入條件下將離子注入到半導(dǎo)體基板中時，可優(yōu)化光電轉(zhuǎn)換區(qū)12在光入射方向 上的厚度，光電轉(zhuǎn)換區(qū)12根據(jù)入射光產(chǎn)生電荷。為了在隨后將通過減小半導(dǎo)體基板的厚度 來執(zhí)行的移除步驟中增強處理表面的平坦化，特別有效的是將離子注入到半導(dǎo)體基板的整 個表面中。另外，根據(jù)離子注入方法，依賴于離子注入條件可控地形成厚度方向上的雜質(zhì)濃度分布，因此，為了在隨后將通過減小半導(dǎo)體基板的厚度來執(zhí)行的移除步驟中增強處理表 面的平坦化，離子注入方法特別有效。光電轉(zhuǎn)換區(qū)12為例如光電二極管。在上述注入條件 下，形成高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)(P+型半導(dǎo)體區(qū))11，以使其中心在距離半導(dǎo)體基板10的第一 表面約2. 8 4. 3 μ m的深度處。光電轉(zhuǎn)換區(qū)12被形成為與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電 類型的η型半導(dǎo)體區(qū)，并累積電子。光電轉(zhuǎn)換區(qū)12形成在高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)11和半導(dǎo) 體基板10的第一表面之間。應(yīng)該指出，假設(shè)第一導(dǎo)電類型為ρ型，假設(shè)第二導(dǎo)電類型為η 型，但是導(dǎo)電類型可相反。在這種情況下，高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)為η+型，第二導(dǎo)電類型的光 電轉(zhuǎn)換區(qū)為P型。在形成η+型半導(dǎo)體區(qū)時，考慮光電轉(zhuǎn)換區(qū)12的深度適當(dāng)?shù)剡x擇離子注 入條件，例如劑量和加速能量。鑒于以下事實控制光電轉(zhuǎn)換區(qū)12的厚度。也就是說，當(dāng)厚 度過小時，靈敏度或電荷的飽和量降低，而當(dāng)厚度過大時，用于晶體管的高工作電壓是必須 的以充分地傳送在光電轉(zhuǎn)換區(qū)12中產(chǎn)生的電荷，也就是說，固態(tài)圖像拾取設(shè)備所消耗的電 力變得較高。應(yīng)該指出，在上述示例中，關(guān)于基板形成，將離子注入到半導(dǎo)體基板中，從而形 成高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)，但是可采用可供選擇的形成方法。根據(jù)第一可選方法，在第一導(dǎo)電 類型的半導(dǎo)體基板上形成作為第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)的外延層，并在其上形 成作為雜質(zhì)濃度比第一半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度低的或者導(dǎo)電類型與第一半導(dǎo)體區(qū)的導(dǎo)電類 型不同的第二半導(dǎo)體區(qū)的另一個外延層。根據(jù)第二可選方法，在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基 板內(nèi)部形成作為第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)的離子注入層，并在其上形成作為雜 質(zhì)濃度比第一半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度低的或者導(dǎo)電類型與第一半導(dǎo)體區(qū)的導(dǎo)電類型不同的 第二半導(dǎo)體區(qū)的外延層。作為第二半導(dǎo)體區(qū)的外延層可被形成為具有均勻的雜質(zhì)濃度，或 者可被形成為具有隨著外延層的生長而變低的雜質(zhì)濃度。在使用外延層的情況下，其生長 表面對應(yīng)于第一表面，并在形成于半導(dǎo)體基板上的外延層上形成光電轉(zhuǎn)換區(qū)。根據(jù)上述各種形成方法制備包括第一導(dǎo)電類型的高濃度雜質(zhì)區(qū)的基板，然后制造 處理進行到形成構(gòu)成電路的光電轉(zhuǎn)換區(qū)的后一步驟。以下，給出制造使用圖IA所示的半導(dǎo) 體基板10的固態(tài)圖像拾取設(shè)備的方法的描述。在制備基板之后，如圖IB所示，在半導(dǎo)體基板10中形成包括光電轉(zhuǎn)換區(qū)12的電 路。包括光電轉(zhuǎn)換區(qū)的電路包括光電轉(zhuǎn)換區(qū)12、浮置擴散區(qū)14、轉(zhuǎn)移晶體管Tr、放大晶體管 (未顯示)和重置晶體管(未顯示)。另外，元件隔離層15被形成為使光電轉(zhuǎn)換區(qū)12與其 它光電轉(zhuǎn)換區(qū)隔離。轉(zhuǎn)移晶體管Tr通過柵電極13的電壓的控制將電荷從光電轉(zhuǎn)換區(qū)12 轉(zhuǎn)移到浮置擴散區(qū)14。光電轉(zhuǎn)換區(qū)12包括與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的η型半 導(dǎo)體區(qū)。由于暗電流可被抑制，所以希望在光電轉(zhuǎn)換區(qū)12的第一表面?zhèn)刃纬膳c光電轉(zhuǎn)換區(qū) 12的導(dǎo)電類型相反的導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)。接著，如圖IC所示，在半導(dǎo)體基板10的第一表面(前表面)上形成布線層20，并 執(zhí)行氫燒結(jié)處理。氫燒結(jié)處理改進了作為半導(dǎo)體基板10的硅基板的前表面和絕緣膜之間 的界面狀態(tài)，還改進了硅基板和由鋁等形成的金屬布線之間的電接觸，這使得能夠獲得優(yōu) 良的圖像。接著，如圖2D所示，將支撐基板30接合到布線層20。然后，為了隨后的對半導(dǎo)體 基板10進行拋光的步驟，將基板上下翻轉(zhuǎn)，以使得支撐基板面向下。接著，如圖2Ε所示，通過根據(jù)機械拋光(MP)處理或化學(xué)機械拋光(CMP)處理減小 半導(dǎo)體基板10的厚度來執(zhí)行第一移除步驟。半導(dǎo)體基板10的第二表面(背表面)與第一表面相對，在圖2E中面向上。為了留下4.3 μ m(與第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)11 的深度和后面的第二移除步驟中將移除的膜厚度相應(yīng))，執(zhí)行第一移除步驟，以使得半導(dǎo)體 基板10的厚度變?yōu)? μ m 6 μ m。在預(yù)先測量移除步驟之前半導(dǎo)體基板10的厚度的情況 下，通過控制拋光設(shè)備的位移量和拋光時間長度來執(zhí)行拋光。如果在拋光時間長度固定的 情況下執(zhí)行第一移除步驟，則可使第一移除步驟簡化。由于提高制造處理的產(chǎn)量的原因，第 一移除步驟中的處理速度比其后將執(zhí)行的第二移除步驟中的處理速度高。接著，如圖2F所示，以第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)11用作蝕刻停止物， 通過根據(jù)渦電流CMP處理減小半導(dǎo)體基板10的厚度來執(zhí)行第二移除步驟。在渦電流CMP 處理中，根據(jù)與半導(dǎo)體基板10中所包含的雜質(zhì)的濃度相應(yīng)的電阻率的變化檢測移除步驟 中的蝕刻末端。在以第一導(dǎo)電類型的高濃度離子注入的第一半導(dǎo)體區(qū)11用作蝕刻停止物 執(zhí)行渦電流CMP處理的情況下，能以高精度控制半導(dǎo)體基板10的厚度。此外，可根據(jù)渦電 流CMP處理形成具有滿意的平坦化的半導(dǎo)體基板。因此，在半導(dǎo)體基板10的整個區(qū)域上， 從半導(dǎo)體基板10的背表面起，光電轉(zhuǎn)換區(qū)12在厚度方向上的形成區(qū)域變得均一。根據(jù)日 本專利申請公開No. 2005-353996中所公開的方法(在該方法中，基于形成于硅基板的一部 分中的埋層檢測蝕刻末端，從而結(jié)束蝕刻處理)，蝕刻表面(用作光入射側(cè)的背表面)的平 坦化被削弱，并且硅基板的平面內(nèi)的厚度發(fā)生波動。在平面內(nèi)距離半導(dǎo)體基板的布線層的 均一深度處形成光電轉(zhuǎn)換區(qū)，并且如果用作光入射側(cè)的背表面的平坦化被削弱，則在平面 內(nèi)距離背表面的光電轉(zhuǎn)換區(qū)的深度不同，這從而引起平面內(nèi)的靈敏度波動。因此，為了抑制 平面內(nèi)的特性波動和獲得優(yōu)良的圖像質(zhì)量，有效的是使用第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo) 體區(qū)11作為蝕刻停止物。另外，第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)11用作反轉(zhuǎn)表面層， 其用于防止光電轉(zhuǎn)換區(qū)12的端部在半導(dǎo)體基板的第二表面(背表面)上露出，因此，可減 小暗電流。為了使第一半導(dǎo)體區(qū)11用作反轉(zhuǎn)表面層，將第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體 區(qū)的雜質(zhì)濃度控制為IO17 102°cm_3(包括端值)，當(dāng)減小半導(dǎo)體基板的厚度的第二移除步 驟結(jié)束時第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)露出。接著，如圖3G所示，執(zhí)行氫燒結(jié)處理。結(jié)果，可改進第二移除步驟之后的第一導(dǎo)電 類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)11的露出表面的界面狀態(tài)。因此，可進一步減小將作為噪聲源 的電荷對光電轉(zhuǎn)換區(qū)的影響。接著，如圖3H所示，在其厚度減小的半導(dǎo)體基板10的背表面上形成鈍化膜41，并 在其上提供濾色器42和微透鏡43，從而形成固態(tài)圖像拾取設(shè)備1。鈍化膜41由硅氮化物 膜或硅氧化物膜形成。濾色器由與每一個光電轉(zhuǎn)換區(qū)12相應(yīng)的顏色的材料形成。而且，如圖31所示，將透明蓋構(gòu)件2安裝到圖3H所示的固態(tài)圖像拾取設(shè)備，從而 封裝光接收區(qū)50。如上所述，多次對半導(dǎo)體基板執(zhí)行移除步驟。因此，可同時改進制造處理的產(chǎn)量和 半導(dǎo)體基板在移除步驟之后的平坦化，這能實現(xiàn)能夠獲得優(yōu)良圖像的固態(tài)圖像拾取設(shè)備。(第二實施例)接著，對第二實施例進行描述。本實施例與第一實施例的不同之處在于根據(jù)蝕刻 處理執(zhí)行圖2F所示的第二移除步驟。采用干式蝕刻處理或濕式蝕刻處理作為蝕刻處理。用于干式蝕刻處理的蝕刻氣體的示例包括CF4、SF6, NF3> SiF4, BF3> XeF2, ClF3和SiCl40與第一實施例中的渦電流CMP處理類似地，在干式蝕刻處理中，也使用第一導(dǎo)電類 型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)11作為蝕刻停止物，以使得以高精度控制半導(dǎo)體基板10的厚度， 并提高其平坦化，在第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)11中，半導(dǎo)體基板10的雜質(zhì)濃度變化。另外，濕式蝕刻處理為堿性濕式蝕刻處理。用于其的蝕刻溶液的示例包括 TMAH(羥化四甲銨)；KOH(氫氧化鉀)、水和IPA (異丙醇)的混合溶液；和EPW(乙二胺鄰苯 二酚水)。所有蝕刻劑具有低濃度P型硅和高濃度P型硅之間的蝕刻選擇性，并且第一導(dǎo)電 類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)11用作硅基板的蝕刻處理中的蝕刻停止物，以使得以高精度 控制半導(dǎo)體基板10的厚度。因此，半導(dǎo)體基板的平坦化令人滿意。每種蝕刻劑在80°C時 的P_對p+(p_/p+)的蝕刻比對于TMAH約為10，對于Κ0Η、水和IPA的混合溶液約為200，對 于EPW約為1000，因此，在使用EPW的情況下，以最高精度控制半導(dǎo)體基板10的厚度。為了 使第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)用作反轉(zhuǎn)表面層，將第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半 導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度控制為IO17 102°cm_3(包括端值)，當(dāng)減小半導(dǎo)體基板的厚度的第二移 除步驟結(jié)束時第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)露出。(第三實施例)接著，對第三實施例進行描述。本實施例與第一實施例的不同之處在于根據(jù) PACE (等離子體輔助化學(xué)蝕刻)處理執(zhí)行圖2F所示的第二移除步驟。PACE處理為在用等離子體氣體局部蝕刻半導(dǎo)體基板的表面的同時使半導(dǎo)體基板 平坦化的處理。因此，以高精度控制半導(dǎo)體基板10的厚度，并且其平坦化是令人滿意的，這 從而能獲得優(yōu)良的圖像。為了使第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)用作反轉(zhuǎn)表面層，將 第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度控制為IOw IO19CnT3 (包括端值)，當(dāng)減 小半導(dǎo)體基板的厚度的第二移除步驟結(jié)束時第一導(dǎo)電類型的高濃度第一半導(dǎo)體區(qū)露出。(第四實施例)接著，在圖4中示出應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取設(shè)備的成像系統(tǒng)的示例。如圖4所示，成像系統(tǒng)90主要包括光學(xué)系統(tǒng)、成像設(shè)備86和信號處理單元。光學(xué) 系統(tǒng)主要包括快門91、成像透鏡92和光圈93。成像設(shè)備86包括固態(tài)圖像拾取設(shè)備1。信 號處理單元主要包括成像信號處理電路95、A/D轉(zhuǎn)換器96、圖像信號處理電路97、存儲器單 元87、外部I/F單元89、定時發(fā)生器98、總體控制和算術(shù)運算單元99、記錄介質(zhì)88和控制 記錄介質(zhì)的I/F單元94。應(yīng)該指出，信號處理單元不必包括記錄介質(zhì)88。快門91置于成像透鏡92在光路上的近側(cè)，并且控制曝光。成像透鏡92使入射光折射，并在成像設(shè)備86的固態(tài)圖像拾取設(shè)備1的成像平面 上形成被攝體圖像。光圈93在光路上置于成像透鏡92和固態(tài)圖像拾取設(shè)備1之間，并且調(diào)整穿過成 像透鏡92、然后被引導(dǎo)到固態(tài)圖像拾取設(shè)備1的光的量。成像設(shè)備86的固態(tài)圖像拾取設(shè)備1將形成于固態(tài)圖像拾取設(shè)備1的成像平面上 的被攝體圖像轉(zhuǎn)換為圖像信號。成像設(shè)備86從固態(tài)圖像拾取設(shè)備1讀出圖像信號，并輸出 讀出的圖像信號。成像信號處理電路95連接至成像設(shè)備86，對從成像設(shè)備86輸出的圖像信號進行處理。
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A/D轉(zhuǎn)換器96連接至成像信號處理電路95，將從成像信號處理電路95輸出的經(jīng) 處理的圖像信號(模擬信號)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。圖像信號處理電路97連接至A/D轉(zhuǎn)換器96，對從A/D轉(zhuǎn)換器96輸出的圖像信號 (數(shù)字信號)執(zhí)行各種算術(shù)運算，例如校正，從而產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)。產(chǎn)生的圖像數(shù)據(jù)提供給存 儲器單元87、外部I/F單元89、總體控制和算術(shù)運算單元99和控制記錄介質(zhì)的I/F單元 94。存儲器單元87連接至圖像信號處理電路97，并且存儲從圖像信號處理電路97輸 出的圖像數(shù)據(jù)。外部I/F單元89連接至圖像信號處理電路97。通過這種構(gòu)造，從圖像信號處理電 路97輸出的圖像數(shù)據(jù)通過外部I/F單元89傳送到外部裝置(個人計算機等)。定時發(fā)生器98連接至成像設(shè)備86、成像信號處理電路95、A/D轉(zhuǎn)換器96和圖像 信號處理電路97。通過這種構(gòu)造，定時發(fā)生器98將定時信號提供給成像設(shè)備86、成像信號 處理電路95、A/D轉(zhuǎn)換器96和圖像信號處理電路97。此外，成像設(shè)備86、成像信號處理電 路95、A/D轉(zhuǎn)換器96和圖像信號處理電路97各自與定時信號同步地工作?？傮w控制和算術(shù)運算單元99連接至定時發(fā)生器98、圖像信號處理電路97和控制 記錄介質(zhì)的I/F單元94，并對定時發(fā)生器98、圖像信號處理電路97和控制記錄介質(zhì)的I/F 單元94進行總控制。記錄介質(zhì)88可拆卸地連接至控制記錄介質(zhì)的I/F單元94。通過這種構(gòu)造，通過控 制記錄介質(zhì)的I/F單元94將從圖像信號處理電路97輸出的圖像數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)88 中。通過上述構(gòu)造，當(dāng)可在固態(tài)圖像拾取設(shè)備1中獲得優(yōu)良的圖像信號時，還可獲得 優(yōu)良的圖像(圖像數(shù)據(jù))。盡管已參照示例性實施例對本發(fā)明進行了描述，但是應(yīng)該理解本發(fā)明不限于所公 開的示例性實施例。應(yīng)該賦予權(quán)利要求的范圍以最寬泛的解釋以涵蓋所有這樣的變型及等 同的結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方法，包括根據(jù)離子注入方法從半導(dǎo)體基板的第一表面?zhèn)仍诎雽?dǎo)體基板中形成第一導(dǎo)電類型的 第一半導(dǎo)體區(qū)的步驟；在第一半導(dǎo)體區(qū)和所述半導(dǎo)體基板的第一表面之間形成多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)的步驟； 從所述半導(dǎo)體基板的第二表面?zhèn)葘Π雽?dǎo)體基板進行拋光的第一移除步驟；以及 在第一移除步驟之后，以比第一移除步驟的速度低的速度從所述半導(dǎo)體基板的第二表 面?zhèn)葴p小所述半導(dǎo)體基板的厚度的第二移除步驟，其中，至少在第一半導(dǎo)體區(qū)露出之前，繼續(xù)第二移除步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，還包括至少在形成多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)的步驟之前，在第一半導(dǎo)體區(qū)和半導(dǎo)體基板中的第二表面 之間形成第二半導(dǎo)體區(qū)的步驟，第二半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度低于第一半導(dǎo)體區(qū)的雜質(zhì)濃度， 或者第二半導(dǎo)體區(qū)的導(dǎo)電類型不同于第一導(dǎo)電類型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，執(zhí)行第二移除步驟以露出作為被布置在半導(dǎo)體基板的與第一表面?zhèn)认喾吹囊粋?cè)的反 轉(zhuǎn)表面層的第一半導(dǎo)體區(qū)，所述多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)中的每一個布置在第一表面?zhèn)取?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，還包括在第二移除步驟之后，對第一半導(dǎo)體區(qū)露出的區(qū)域進行氫燒結(jié)處理的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，在劑量為2 X IO11cm-2 IX IO14CnT2且加速能量為2. OMeV 3. 4MeV的條件下按照離 子注入方法進行形成第一半導(dǎo)體區(qū)的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，進行第二移除步驟，以使得露出的第一半導(dǎo)體區(qū)包含IO17CnT3 102°cm_3的雜質(zhì)濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，根據(jù)機械拋光或化學(xué)機械拋光處理進行第一移除步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，根據(jù)渦電流化學(xué)機械拋光處理進行第二移除步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中， 根據(jù)干式或濕式蝕刻處理進行第二移除步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，根據(jù)等離子體輔助化學(xué)蝕刻處理進行第二移除步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種固態(tài)圖像拾取設(shè)備的制造方法，包括根據(jù)離子注入方法從半導(dǎo)體基板的第一表面在半導(dǎo)體基板中形成第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)的步驟；在第一半導(dǎo)體區(qū)和半導(dǎo)體基板的第一表面之間形成多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)的步驟；通過從半導(dǎo)體基板的第二表面對半導(dǎo)體基板進行拋光的第一移除步驟；在第一移除步驟之后，通過以比第一移除步驟的速度低的速度從半導(dǎo)體基板的第二表面減小半導(dǎo)體基板的厚度的第二移除步驟，其中，直到第一半導(dǎo)體區(qū)露出之前，繼續(xù)第二移除步驟。
文檔編號H04N5/335GK102088026SQ20101057014
公開日2011年6月8日 申請日期2010年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月7日
發(fā)明者巖田旬史, 市川武史 申請人:佳能株式會社