專利名稱：一種gsm900干放電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及無(wú)線通訊領(lǐng)域，尤其涉及干線放大器電路領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
干線放大器，簡(jiǎn)稱干放，是在功率變低而不能滿足覆蓋要求時(shí)的信號(hào)放大設(shè)備。當(dāng) 信號(hào)源設(shè)備功率難以達(dá)到覆蓋要求時(shí)，該設(shè)備可以放大信號(hào)源(一般是微蜂窩)的功率，以 覆蓋更多的區(qū)域。許多建筑物都會(huì)因?yàn)闊o(wú)線通訊信號(hào)覆蓋不佳，引起的通話質(zhì)量差的問(wèn)題， 因此需要架設(shè)干線放大器，用于無(wú)源室內(nèi)分布系統(tǒng)中補(bǔ)償由于信號(hào)傳輸和分配而引起的功 率衰耗，保障通話質(zhì)量。一般的GSM900干放電路中，通常是由包括多級(jí)聲表濾波器單元和放大器單元構(gòu) 成上行增益通道和下行增益通道至兩個(gè)雙工器單元和天線，并且有單片機(jī)控制單元分別 對(duì)上行增益通道和下行增益通道進(jìn)行信號(hào)功率檢測(cè)和下行輸入功率檢測(cè)，一般的干放電路 中還包括溫度檢測(cè)單元和監(jiān)控電路單元構(gòu)成一個(gè)完整的GSM900干放電路。但是一般的 GSM900干放電路存在一個(gè)缺點(diǎn)，就是下行增益通道沒(méi)有經(jīng)過(guò)選頻處理，因此該GSM900干放 電路不夠穩(wěn)定。此外，還存在另一個(gè)缺點(diǎn)，就是沒(méi)有對(duì)反射功率進(jìn)行檢測(cè)反饋，容易造成功 率過(guò)大或者過(guò)小而損壞干放電路芯片的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容因此，針對(duì)上述的不足，本實(shí)用新型提出一種具有選頻功能和反射功率檢測(cè)功能 的GSM900干放電路。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是本實(shí)用新型的GSM900干放電路，包括了由多級(jí)聲表濾波器單元和放大器單元構(gòu) 成下行增益通道和上行增益通道至兩個(gè)雙工器單元和天線，并且有單片機(jī)控制單元分別對(duì) 上行增益通道進(jìn)行信號(hào)功率檢測(cè)和下行增益通道進(jìn)行信號(hào)功率檢測(cè)和下行輸入功率檢測(cè)， 還包括連接于所述單片機(jī)控制單元上溫度檢測(cè)單元和監(jiān)控電路單元，所述的單片機(jī)控制單 元的輸出端串聯(lián)一選頻電路后連接至下行增益通道的混頻器單元。進(jìn)一步的，所述的選頻電路包括連接于單片機(jī)控制單元的輸出端的PLL頻率合成 器單元及依次串聯(lián)其后的低通濾波器單元、VCO壓控振蕩器單元、3dB橋路單元，所述的VCO 壓控振蕩器單元的輸出端還串聯(lián)一分頻器單元后連接于PLL頻率合成器單元的輸入端， PLL頻率合成器單元的另一端口還連接一晶體振蕩器單元。更進(jìn)一步的，所述的PLL頻率合成器單元由MC145152芯片及外圍連接的電阻和電 容構(gòu)成的頻率合成電路。更進(jìn)一步的，所述的分頻器單元是由MC12022芯片及外圍連接的電阻和電容構(gòu)成 的分頻電路。進(jìn)一步的，所述的下行增益通道的輸出端還并接一個(gè)反射功率檢測(cè)的反饋電路至 所述的單片機(jī)控制單元。所述的反射功率檢測(cè)的反饋電路是依次串聯(lián)的20dB衰減器單元、反射功率檢測(cè)器單元和放大器單元。更進(jìn)一步的，所述的反射功率檢測(cè)器單元是由MAX4003芯片及外圍連接的電阻和 電容構(gòu)成的射頻功率檢測(cè)電路。更進(jìn)一步的，所述的放大器單元是由LM358芯片及外圍連接的電阻和電容構(gòu)成的 運(yùn)算放大電路。本實(shí)用新型采用上述技術(shù)方案，在GSM900干放電路的下行增益通道增加選頻電 路單元，使該GSM900干放電路能夠更穩(wěn)定工作；并且加入反射功率進(jìn)行檢測(cè)反饋電路，避 免由于功率過(guò)大或者過(guò)小而損壞干放電路芯片的問(wèn)題。

圖1是本實(shí)用新型的電路模塊框圖；圖2是本實(shí)用新型的電路原路圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。參閱圖1和圖2所示，本實(shí)用新型的GSM900干放電路，包括了由多級(jí)聲表濾波器 單元和放大器單元構(gòu)成下行增益通道2和上行增益通道3至兩個(gè)雙工器單元7、9和天線8、 10，并且有單片機(jī)控制單元1分別對(duì)上行增益通道進(jìn)行信號(hào)功率檢測(cè)5和下行增益通道進(jìn) 行信號(hào)功率檢測(cè)4和下行輸入功率檢測(cè)6，還包括連接于所述單片機(jī)控制單元1上的溫度檢 測(cè)單元11和監(jiān)控電路單元12，所述的單片機(jī)控制單元1的輸出端串聯(lián)一選頻電路后連接至 下行增益通道2的混頻器單元。所述單片機(jī)控制單元1是采用ATMEGA64A芯片U34外接6M晶振CY2和外圍的復(fù)位 電路構(gòu)成的單片機(jī)控制系統(tǒng)電路。本實(shí)用新型的GSM900干放電路的下行增益通道2和上 行增益通道3可以根據(jù)信號(hào)增益要求設(shè)定多級(jí)串接的聲表濾波器單元和放大器單元。本實(shí) 用新型一個(gè)最佳實(shí)施例中，下行增益通道2為串接于雙工器單元9輸出端的隔離器單元后 的下行低噪放大器單元、ATT數(shù)字衰減器單元、AGC自動(dòng)增益控制器單元、第一級(jí)下行放大 器單元、第一級(jí)混頻器單元、第一級(jí)中頻放大器單元、中頻聲表濾波器單元、第二級(jí)中頻放 大器單元、第二級(jí)混頻器單元、第一級(jí)聲表濾波器單元、第二級(jí)下行放大器單元、第二級(jí)聲 表濾波器單元、第三級(jí)下行放大器單元、第三級(jí)聲表濾波器單元、第四級(jí)下行放大器單元、 第五級(jí)下行放大器單元后至雙工器單元7輸入端的隔離器單元；上行增益通道3為串接于 雙工器單元7輸出端的隔離器單元后的上行低噪放大器單元、ATT數(shù)字衰減器單元、AGC自 動(dòng)增益控制器單元、第一級(jí)上行放大器單元、第一級(jí)聲表濾波器單元、第二級(jí)上行放大器單 元、第二級(jí)聲表濾波器單元、第三級(jí)上行放大器單元、第三級(jí)聲表濾波器單元、第四級(jí)上行 放大器單元、第五級(jí)上行放大器單元后至雙工器單元9輸入端的隔離器單元。所述的下行 輸入功率檢測(cè)單元6為串接于下行低噪放大器的聲表濾波器、2級(jí)放大器單元、功率檢測(cè)單 元和第3級(jí)放大器單元后，輸入所述單片機(jī)控制單元1的端口。所述的下行增益通道和上 行增益通道的信號(hào)功率檢測(cè)單元4、6均是連接于增益通過(guò)輸出端的功率檢測(cè)單元后分別 輸出至放大器單元和比較器單元，放大器單元輸出至單片機(jī)控制單元1，比較器單元輸出至 所述的AGC自動(dòng)增益控制器單元。
4[0019]所述的選頻電路包括連接于單片機(jī)控制單元1的輸出端的PLL頻率合成器單元 1401及依次串聯(lián)其后的低通濾波器單元1403、VCO壓控振蕩器單元1404、3dB橋路單元 1406，所述的VCO壓控振蕩器單元1404的輸出端還串聯(lián)一分頻器單元1405后連接于PLL 頻率合成器單元1401的輸入端，PLL頻率合成器單元1401的另一端口還連接一晶體振蕩 器單元1402。所述的PLL頻率合成器單元1401由MC145152芯片U22及外圍連接的電阻和 電容構(gòu)成的頻率合成電路。所述的分頻器單元1405是由MC12022芯片U21及外圍連接的 電阻和電容構(gòu)成的分頻電路。所述的反射功率檢測(cè)的反饋電路是依次串聯(lián)的20dB衰減器單元、反射功率檢測(cè) 器單元和放大器單元。優(yōu)選的，所述的反射功率檢測(cè)器單元是由MAX4003芯片U24及外圍 連接的電阻和電容構(gòu)成的射頻功率檢測(cè)電路。所述的放大器單元是由LM358芯片U25-B及 外圍連接的電阻和電容構(gòu)成的運(yùn)算放大電路。盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本實(shí)用新型，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng) 該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié) 上可以對(duì)本實(shí)用新型做出各種變化，均為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種GSM900干放電路，包括了由多級(jí)聲表濾波器單元和放大器單元構(gòu)成下行增益通道(2)和上行增益通道(3)至兩個(gè)雙工器單元(7、9)和天線(8、10)，并且有單片機(jī)控制單元(1)分別對(duì)上行增益通道進(jìn)行信號(hào)功率檢測(cè)(5)和下行增益通道進(jìn)行信號(hào)功率檢測(cè)(4)和下行輸入功率檢測(cè)(6)，還包括連接于所述單片機(jī)控制單元(1)上溫度檢測(cè)單元(11)和監(jiān)控電路單元(12)，其特征在于所述的單片機(jī)控制單元(1)的輸出端串聯(lián)一選頻電路后連接至下行增益通道(2)的混頻器單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GSM900干放電路，其特征在于所述的選頻電路包括連接于 單片機(jī)控制單元(1)的輸出端的PLL頻率合成器單元(1401)及依次串聯(lián)其后的低通濾波 器單元(1403)、VC0壓控振蕩器單元(1404)、3dB橋路單元(1406)，所述的VCO壓控振蕩器 單元(1404)的輸出端還串聯(lián)一分頻器單元(1405)后連接于PLL頻率合成器單元(1401) 的輸入端，PLL頻率合成器單元(1401)的另一端口還連接一晶體振蕩器單元(1402)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GSM900干放電路，其特征在于所述的PLL頻率合成器單元 (1401)由MC145152芯片(U22)及外圍連接的電阻和電容構(gòu)成的頻率合成電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GSM900干放電路，其特征在于所述的分頻器單元(1405)是 由MC12022芯片(U21)及外圍連接的電阻和電容構(gòu)成的分頻電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GSM900干放電路，其特征在于所述的下行增益通道(2)的 輸出端還并接一個(gè)反射功率檢測(cè)的反饋電路至所述的單片機(jī)控制單元(1)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的GSM900干放電路，其特征在于所述的反射功率檢測(cè)的反饋 電路是依次串聯(lián)的20dB衰減器單元、反射功率檢測(cè)器單元和放大器單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的GSM900干放電路，其特征在于所述的反射功率檢測(cè)器單元 是由MAX4003芯片及外圍連接的電阻和電容構(gòu)成的射頻功率檢測(cè)電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的GSM900干放電路，其特征在于所述的放大器單元是由 LM358芯片及外圍連接的電阻和電容構(gòu)成的運(yùn)算放大電路。
專利摘要本實(shí)用新型涉及無(wú)線通訊領(lǐng)域，尤其涉及干線放大器電路領(lǐng)域。本實(shí)用新型的GSM900干放電路，包括了由多級(jí)聲表濾波器單元和放大器單元構(gòu)成下行增益通道和上行增益通道至兩個(gè)雙工器單元和天線，并且有單片機(jī)控制單元分別對(duì)上行增益通道進(jìn)行信號(hào)功率檢測(cè)和下行增益通道進(jìn)行信號(hào)功率檢測(cè)和下行輸入功率檢測(cè)，還包括連接于所述單片機(jī)控制單元上溫度檢測(cè)單元和監(jiān)控電路單元，所述的單片機(jī)控制單元的輸出端串聯(lián)一選頻電路后連接至下行增益通道的混頻器單元。因此，本實(shí)用新型提出一種具有選頻功能和反射功率檢測(cè)功能的GSM900干放電路。
文檔編號(hào)H04B7/15GK201674498SQ20102016311
公開日2010年12月15日 申請(qǐng)日期2010年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月15日
發(fā)明者傅錦青 申請(qǐng)人:福建省萬(wàn)華電子科技有限公司