專利名稱：振膜結(jié)構(gòu)及采用所述振膜結(jié)構(gòu)的電磁揚(yáng)聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種振膜結(jié)構(gòu)及采用所述振膜結(jié)構(gòu)的電磁揚(yáng)聲器。
背景技術(shù)：
目前，消費(fèi)者對(duì)便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品的要求越來(lái)越高，例如輕薄便于攜帶的手 機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、PDA、MP3等備受市場(chǎng)推崇。人們不但要求產(chǎn)品輕、薄、短、小以便于攜帶， 而且對(duì)產(chǎn)品的性能也格外關(guān)注，例如音質(zhì)等方面。因此，隨著便攜式電子產(chǎn)品朝著輕薄短小 的方向發(fā)展，其音質(zhì)如何保持或者不斷提升成為業(yè)界關(guān)注的問(wèn)題之一。電磁揚(yáng)聲器的振膜 是電磁揚(yáng)聲器發(fā)聲的核心部件，對(duì)其聲學(xué)性能要求也不斷提高。電磁揚(yáng)聲器的振膜是將一種材料通過(guò)熱壓成型，當(dāng)要求較寬的音域時(shí)，需要保證 電磁揚(yáng)聲器的振動(dòng)系統(tǒng)具較大的振幅。請(qǐng)同時(shí)參閱圖1及圖2，其中圖1是與本實(shí)用新型相關(guān)的電磁揚(yáng)聲器的立體分解 示意圖，圖2是圖1所示電磁揚(yáng)聲器組裝后的側(cè)面剖視圖。所述電磁揚(yáng)聲器1包括一盆骨 10、一磁路系統(tǒng)11及一振動(dòng)系統(tǒng)12。所述磁路系統(tǒng)11包括一磁隙111。所述振動(dòng)系統(tǒng)12 包括一振膜13及一音圈14。所述振膜13設(shè)置于所述磁路系統(tǒng)11上方，其邊緣固定在一盆骨10邊緣。所述音 圈14 一端懸置于所述磁隙111中，其另一端與所述振膜13連接。所述振膜13包括一軟折環(huán)131及一疊設(shè)于所述軟折環(huán)131上的球頂135。所述軟 折環(huán)131包括一折環(huán)部132及位于其中心的平面，所述球頂135下表面與所述平面134緊 密貼合。從電磁揚(yáng)聲器1的薄型化實(shí)際要求出發(fā)，希望球頂135的厚度越薄越好，在所述電 磁揚(yáng)聲器1中，在所述球頂135滿足性能的要求下，所述球頂135的厚度越薄對(duì)電磁揚(yáng)聲器 1的聲學(xué)性能也越有利。然而，在上述電磁揚(yáng)聲器1的結(jié)構(gòu)中，由于所述振膜13的中心區(qū)平 面134與所述折環(huán)部132直接平滑過(guò)渡，所以當(dāng)所述振膜13的球頂135過(guò)薄，則會(huì)降低振 膜13的強(qiáng)度，進(jìn)而影響電磁揚(yáng)聲器1的聲學(xué)性能。另，位于所述磁隙111內(nèi)的音圈有較大的振幅，則所述電磁揚(yáng)聲器1的音域更廣， 高音不容易失真，聲學(xué)性能更佳。然而，因?yàn)樗鲆羧?4增加振幅的同時(shí)，往往會(huì)導(dǎo)致所述 振動(dòng)系統(tǒng)12的振膜13的強(qiáng)度對(duì)應(yīng)降低，所以為保證所述振動(dòng)系統(tǒng)12強(qiáng)度，又不增加整體 厚度，需要改善所述振膜13的結(jié)構(gòu)。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決電磁揚(yáng)聲器薄化而其結(jié)構(gòu)強(qiáng)度降低、聲學(xué)性能變差的問(wèn)題，提供一種薄化 而其結(jié)構(gòu)強(qiáng)度增強(qiáng)、聲學(xué)性能佳的振膜結(jié)構(gòu)實(shí)為必要。同時(shí)還有必要提供一種采用所述振膜的電磁揚(yáng)聲器。一種振膜結(jié)構(gòu)，其包括一第一折環(huán)部、一連接部及一第二折環(huán)部，所述連接部連接 所述第一折環(huán)部與所述第二折環(huán)部，所述連接部與所述第一折環(huán)部之間設(shè)置有多個(gè)補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述振膜結(jié)構(gòu)的補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)包括位于第一折環(huán)部邊緣的多個(gè)第一突起部及 位于連接部邊緣的多個(gè)第二突起部，所述第一突起部與所述第二突起部嚙合設(shè)置。優(yōu)選地，所述振膜結(jié)構(gòu)的多個(gè)第一突起部均勻間隔設(shè)置，所述第二突起部同樣均 勻間隔設(shè)置，且每一所述第一突起部收容于二相鄰第二突起部之間的收容槽內(nèi)。優(yōu)選地，所述振膜結(jié)構(gòu)的補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)是多個(gè)凹凸圖案構(gòu)成的凹凸結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述振膜結(jié)構(gòu)的凹凸結(jié)構(gòu)是弧形、環(huán)形及多邊形中的任意一種。優(yōu)選地，所述振膜結(jié)構(gòu)的第一折環(huán)部、所述連接部及所述第二折環(huán)部是一體結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述振膜結(jié)構(gòu)的第一折環(huán)部與連接部位于不同平面，且通過(guò)一延伸壁連 接。優(yōu)選地，所述振膜結(jié)構(gòu)的連接部與第二折環(huán)部之間同樣設(shè)置多個(gè)補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)。一種電磁揚(yáng)聲器，其包括一具磁隙的磁路系統(tǒng)及一振動(dòng)系統(tǒng)，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括 一振膜及一音圈，所述音圈的一端固定至所述振膜，所述音圈的另一端懸置在所述磁路系 統(tǒng)的磁隙內(nèi)，所述振膜包括一第一折環(huán)部、及一連接部，所述連接部與所述第一折環(huán)部之間 設(shè)置有多個(gè)補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述電磁揚(yáng)聲器還包括一前蓋，所述前蓋靠近所述第一球頂設(shè)置。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的電磁揚(yáng)聲器的振膜包括設(shè)置連接所述第一折環(huán)部 及第二折環(huán)部的連接部，并在連接部處設(shè)置補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)，通過(guò)該補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)提高振膜的抗振強(qiáng) 度，保證所述第一折環(huán)部與所述連接部之間的連接強(qiáng)度，使得所述電磁揚(yáng)聲器在高頻不失 真，保證電磁揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能較佳。

圖1是一種與本實(shí)用新型相關(guān)的電磁揚(yáng)聲器的立體分解示意圖。圖2是圖1所示電磁揚(yáng)聲器的側(cè)面剖視圖。圖3是本實(shí)用新型的電磁揚(yáng)聲器的立體分解示意圖。圖4是圖3所示振膜的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是圖4所示振膜的局部剖面放大示意圖。圖6是圖3所示電磁揚(yáng)聲器的組裝示意圖。圖7是圖6所示電磁揚(yáng)聲器沿IV-IV線的側(cè)面剖視圖。圖8是本實(shí)用新型電磁揚(yáng)聲器的振膜的變形結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型電磁揚(yáng)聲器的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖3，是本實(shí)用新型電磁揚(yáng)聲器的立體分解示意圖。所述的電磁揚(yáng)聲器2包 括依次設(shè)置的一盆架20、一磁路系統(tǒng)3及一振動(dòng)系統(tǒng)4。所述盆架20構(gòu)成一收容空間用以 收容疊合設(shè)置的所述的磁路系統(tǒng)3及振動(dòng)系統(tǒng)4。所述磁路系統(tǒng)3包括一磁碗31、一磁鋼33及一極芯35。所述磁碗31具另一收容 空間，用以同時(shí)收容所述磁鋼33及所述極芯35。所述磁鋼33及所述極芯35依次疊設(shè)于所 述磁碗31的收容空間內(nèi)，且所述磁鋼33夾設(shè)于所述極芯35與所述磁碗31之間。所述磁鋼33的外徑尺寸小于所述磁碗31的收容空間尺寸。所述磁碗31的內(nèi)表面與所述磁鋼33 及所述極芯35的外表面之間保持一磁隙310 (請(qǐng)參閱圖7)。所述振動(dòng)系統(tǒng)4包括一振膜41、一音圈43及一球頂45。所述音圈41及所述球頂 45分別設(shè)置在所述振膜41的二相對(duì)側(cè)。取所述振膜41的二相對(duì)側(cè)表面分別為上表面411 和下表面412，則所述音圈43設(shè)于所述振膜41的下表面412，所述球頂45設(shè)于所述振膜41 的上表面411。再請(qǐng)同時(shí)參閱圖4及圖5，其中圖4是圖3所示振膜41的立體結(jié)構(gòu)示意圖，圖5 是圖4所示振膜41的局部剖面放大示意圖。所述振膜41包括一中心為平面的第一折環(huán)部 413、一連接部415及一環(huán)繞所述第一折環(huán)部413的第二折環(huán)部416。所述第一折環(huán)413用來(lái)支持和保持所述振膜41的順性振動(dòng)。所述第一折環(huán)部413 中心區(qū)域是一表面平整的平板，其邊緣區(qū)域設(shè)置有多個(gè)第一突起部4131，每一第一突起部 4131的厚度與中心區(qū)域的厚度一致，且位于同一平面內(nèi)。所述多個(gè)第一突起部4131均勻間 隔設(shè)置，每二相鄰第一突起部4131之間形成一收容槽(未標(biāo)示)。所述連接部415是一環(huán)形區(qū)域，其邊緣設(shè)置有多個(gè)第二突起部4151，所述多個(gè)第 二突起部4151間隔均勻設(shè)置，且每二相鄰第二突起部4151之間同樣形成另一收容槽(未 標(biāo)示)。所述連接部415的內(nèi)側(cè)邊緣與所述第一折環(huán)部413的外側(cè)邊緣通過(guò)一延伸壁414 連接。所述第一突起部4131對(duì)應(yīng)收容于所述連接部415的二相鄰第二突起部4151之間的 收容槽內(nèi)，同時(shí)所述連接部415的第二突起部4151同時(shí)收容于所述第一折環(huán)部413的二相 鄰第一突起部4131之間的收容槽內(nèi)，使得所述第一折環(huán)部413與所述連接部415通過(guò)多個(gè) 相互嚙合設(shè)置的第一突起部4131、第二突起部4151固接在一起。所述連接部415的外側(cè)邊緣同時(shí)連接于所述第二折環(huán)部416的內(nèi)側(cè)邊緣，使得所 述第二折環(huán)部415、所述延伸壁414、所述連接部415及所述第一折環(huán)部415共同形成一自 第一折環(huán)部413及第二折環(huán)部415向音圈43所在方向延伸的臺(tái)階，在該臺(tái)階上設(shè)置有多個(gè) 突起部，所述連接部415與所述第一折環(huán)部413位于不同水平面上，沿豎直方向，所述連接 部415相較于所述第一折環(huán)部413，更加靠近所述音圈43。所述振膜41的第一折環(huán)部413、 連接部415及所述第二折環(huán)部416是一體結(jié)構(gòu)，可以是通過(guò)熱壓工藝，在所述第一折環(huán)部 413的外圍沖壓出凹陷下沉臺(tái)階獲得。請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D3及圖4所述音圈43是由環(huán)形金屬導(dǎo)線環(huán)繞而成，其一端固定于所 述振膜41的連接部415，其另一端懸置在所述磁路系統(tǒng)3的磁隙310內(nèi)。所述球頂45為平板型結(jié)構(gòu)，其形狀為柱形。所述球頂45疊設(shè)于所述振膜41的上 表面411，且緊貼所述第一折環(huán)部413表面。再請(qǐng)同時(shí)參閱圖6及圖7，其中圖6是圖3所示電磁揚(yáng)聲器2的組裝后示意圖，圖 7是圖6所示電磁揚(yáng)聲器2沿IV-IV線的剖面示意圖。在組裝時(shí)，首先將所述磁鋼33的其中一表面與所述磁碗31的內(nèi)側(cè)底面緊密貼合 在一起，再將其另一表面與極芯35 —表面緊密結(jié)合在一起。由于磁鋼33的外徑尺寸小于 所述磁碗31的外徑尺寸，故其側(cè)壁與所述磁碗31內(nèi)側(cè)壁之間存在一間隙，形成磁隙310。然后，將所述磁路系統(tǒng)3固定于所述盆架20的收容空間內(nèi)，其包括所述磁碗31、磁 鋼33與極芯35。接著，將所述球頂45粘接在所述振膜41的上表面411。將所述音圈43 —端與位
5于所述連接部415粘接固定，其另一端懸置于所述磁隙310內(nèi)。將所述振動(dòng)系統(tǒng)4設(shè)置于 所述磁路系統(tǒng)3上方，所述振動(dòng)系統(tǒng)4的振膜41邊緣與所述盆架20邊緣粘接在一起。當(dāng)所述音圈43接收外接電流信號(hào)時(shí)，所述音圈43在磁隙310的磁場(chǎng)中受到洛侖 茲力的作用會(huì)產(chǎn)生位移。隨著所述音圈43接收的電流信號(hào)不斷變換方向，使得所述線圈43 受到的洛侖茲力也對(duì)應(yīng)變換方向，如此使得所述線圈43在所述磁隙310內(nèi)往復(fù)運(yùn)動(dòng)，從而 帶動(dòng)振膜41振動(dòng)發(fā)出聲音。本實(shí)施方式中，所述振膜41的連接部415設(shè)置成下沉臺(tái)階狀， 保證所述音圈43的懸置端位于所述磁隙310的較佳位置，當(dāng)所述音圈43帶動(dòng)所述振膜41 振動(dòng)時(shí)，有較大的振動(dòng)幅度，但又不會(huì)增加整個(gè)電磁揚(yáng)聲器2的整體厚度。相較于現(xiàn)有技術(shù)，在本實(shí)施方式的電磁揚(yáng)聲器2中，設(shè)置該下沉臺(tái)階，保證所述振 動(dòng)系統(tǒng)在工作時(shí)有較大的振動(dòng)空間，增大振幅提供較寬的音域。同時(shí)，所述電磁揚(yáng)聲器2的聲學(xué)性能與振膜41強(qiáng)度關(guān)系密切，特別在高頻時(shí)，高強(qiáng) 度的振膜41會(huì)保證所述所述電磁揚(yáng)聲器2在高頻不失真。所述實(shí)施方式的電磁揚(yáng)聲器2 的振膜41的連接部415與所述第一折環(huán)部413之間的接觸區(qū)域設(shè)置多個(gè)彼此嚙合設(shè)置的 第一突起部4131、多個(gè)第二突起部4151，作為補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)加強(qiáng)所述第一折環(huán)部413與所述連 接部415之間的連接強(qiáng)度。因此，當(dāng)所述音圈43帶動(dòng)所述振膜41往復(fù)振動(dòng)時(shí)，所述連接部 415通過(guò)所述多個(gè)第一突起部4131與所述第二突起部4151的補(bǔ)強(qiáng)作用，大大提高整個(gè)振膜 41的強(qiáng)度，保證電磁揚(yáng)聲器2的聲學(xué)性能較佳。本實(shí)施方式中所述臺(tái)階是由所述振膜41直接熱壓形成，因此所述電磁揚(yáng)聲器2的 厚度并未增加，而其振膜41強(qiáng)度及聲學(xué)性能得到較好的改善。在上述實(shí)施方式中，所述連接部415與所述第一折環(huán)部413之間的補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)不僅 限于采用嚙合設(shè)置的第一突起部4131及第二突起部4151，還可以是其它具加強(qiáng)連接區(qū)域 強(qiáng)度的凹凸圖案構(gòu)成的凹凸結(jié)構(gòu)，如圖8所示，該加強(qiáng)結(jié)構(gòu)可以是弧形凹凸圖案、環(huán)形及多 邊形等加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)，凡是增加所述連接部415與所述第一折環(huán)部415之間的結(jié)合強(qiáng)度，及提 高整個(gè)振膜41整體抗振能力的微結(jié)構(gòu)皆在本實(shí)用性新型的構(gòu)思范圍之內(nèi)。當(dāng)然，上述補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)不僅限于設(shè)置在所述第一折環(huán)部413與所述連接部415之間， 還可以是設(shè)置在所述第二折環(huán)部416與所述連接部415之間。以上僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施案例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對(duì)于本領(lǐng) 域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之 內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求一種振膜結(jié)構(gòu)，其包括一第一折環(huán)部、一連接部及一第二折環(huán)部，所述連接部連接所述第一折環(huán)部與所述第二折環(huán)部，其特征在于所述連接部與所述第一折環(huán)部之間設(shè)置有多個(gè)補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振膜結(jié)構(gòu)，其特征在于所述補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)包括位于第一折環(huán)部 邊緣的多個(gè)第一突起部及位于連接部邊緣的多個(gè)第二突起部，所述第一突起部與所述第二 突起部嚙合設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的振膜結(jié)構(gòu)，其特征在于所述多個(gè)第一突起部均勻間隔設(shè)置， 所述第二突起部同樣均勻間隔設(shè)置，且每一所述第一突起部收容于二相鄰第二突起部之間 的收容槽內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振膜結(jié)構(gòu)，其特征在于所述補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)是多個(gè)凹凸圖案構(gòu)成 的凹凸結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的振膜結(jié)構(gòu)，其特征在于所述凹凸結(jié)構(gòu)是弧形、環(huán)形及多邊形 中的任意一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振膜結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一折環(huán)部、所述連接部及所述 第二折環(huán)部是一體結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振膜結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一折環(huán)部與連接部位于不同 平面，且通過(guò)一延伸壁連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的振膜結(jié)構(gòu)，其特征在于所述連接部與第二折環(huán)部之間同樣 設(shè)置多個(gè)補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)。
9.一種電磁揚(yáng)聲器，其包括一具磁隙的磁路系統(tǒng)及一振動(dòng)系統(tǒng)，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括一 振膜及一音圈，所述音圈的一端固定至所述振膜，所述音圈的另一端懸置在所述磁路系統(tǒng) 的磁隙內(nèi)，其特征在于所述振膜包括一第一折環(huán)部、及一連接部，所述連接部與所述第一 折環(huán)部之間設(shè)置有多個(gè)補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電磁揚(yáng)聲器，其特征在于所述電磁揚(yáng)聲器還包括一球頂， 所述球頂貼設(shè)在所述振膜的其中一表面，所述音圈與所述球頂分居所述振膜的二相對(duì)側(cè)表
專利摘要本實(shí)用新型提供一種振膜結(jié)構(gòu)及采用該振膜結(jié)構(gòu)的電磁揚(yáng)聲器。所述電磁揚(yáng)聲器包括一具磁隙的磁路系統(tǒng)及一振動(dòng)系統(tǒng)，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括一振膜及一音圈，所述音圈的一端固定至所述振膜，所述音圈的另一端懸置在所述磁路系統(tǒng)的磁隙內(nèi)，所述振膜包括一第一折環(huán)部、及一連接部，所述連接部與所述第一折環(huán)部之間設(shè)置有多個(gè)補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)。在所述電磁揚(yáng)聲器的連接部處設(shè)置補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)，提高振膜的抗振強(qiáng)度，保證所述第一折環(huán)部與所述連接部之間的連接強(qiáng)度，使得所述電磁揚(yáng)聲器在高頻不失真，保證電磁揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能較佳。
文檔編號(hào)H04R7/02GK201742543SQ201020256019
公開(kāi)日2011年2月9日 申請(qǐng)日期2010年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月9日
發(fā)明者盧繼亮, 江文濤 申請(qǐng)人:瑞聲光電科技(常州)有限公司;瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司