專利名稱：通信設(shè)備的測試裝置及使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域，具體而言，涉及ー種通信設(shè)備的測試裝置及使用方法。
背景技術(shù)：
伴隨著全業(yè)務(wù)運營的不斷深入，全網(wǎng)IP化已經(jīng)成為不爭的事實，由此，帶來了業(yè)務(wù)量的急劇增長，對運營商傳輸網(wǎng)的壓カ也越來越大，増加傳輸網(wǎng)的帶寬已是刻不容緩。目前,40G 密集型光波復(fù)用(Dense Wavelength Division Multiplexing,簡稱為 DWDM)技術(shù)已逐步成熟并已投入大規(guī)模商用，暫時緩解了當(dāng)前網(wǎng)絡(luò)對于容量的迫切需求。當(dāng)相關(guān)技術(shù)中將注意力都集中在40G的大規(guī)模商用吋，2010年6月又通過了 100GE標(biāo)準(zhǔn)。在數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的爆炸式增長下，40G/100G正在不斷發(fā)展和完善，而且40G/100G高速傳輸技術(shù)已經(jīng)成為業(yè)界關(guān)注的焦點。 40G/100G的正式商用，離不開光模塊的支持，F(xiàn)inisar、Opnext和住友電エ早在09年3月就成立了外形封裝可插拔(CFP)多源協(xié)議(MSA)，制定出關(guān)于40G/100G CFP光模塊的標(biāo)準(zhǔn)。2010年6月，Avago科技、Finisar、Opnext和住友電エ聯(lián)合發(fā)布了 CFP MSA新版關(guān)于光模塊軟硬件規(guī)格的文件。該文件的宗g在于為40G/100G應(yīng)用的熱插拔光模塊建立統(tǒng)ー的規(guī)范。圖I是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的CFP模塊的接ロ定義的示意圖。如圖I所示，目前，雖然很多廠家已經(jīng)推出了商用的40G/100G光模塊，但是由于光模塊成本太高，加上硬件單板本身又價格不菲，高昂的價格已經(jīng)成為40G/100G未來應(yīng)用的瓶頸。40G/100G設(shè)備開發(fā)的難度不光體現(xiàn)在硬件成本上，測試生產(chǎn)等各個開發(fā)環(huán)節(jié)也都面臨著巨大的挑戰(zhàn)。以測試環(huán)節(jié)為例，在通信設(shè)備生產(chǎn)測試過程中，設(shè)備的組成部分(各種板卡)在生產(chǎn)完畢后都要經(jīng)過各種測試以達到質(zhì)量要求，其中一個環(huán)節(jié)就是長時間的高溫老化測試。40G/100G由于采用的是光接ロ板，使得光模塊成為測試環(huán)節(jié)中不可缺少的部分。常規(guī)的高溫老化測試方法是將被測設(shè)備放置在高溫環(huán)境下進行，并且通過測試儀表監(jiān)控設(shè)備的運行情況，其中，該監(jiān)控包括數(shù)據(jù)誤碼率、告警等參數(shù)。由于設(shè)備中光接ロ板的光模塊通常承擔(dān)著業(yè)務(wù)接入、環(huán)回或者串接的功能，因此，光模塊必須配置在光接ロ板中才能進行正常的老化測試。光模塊在制作出廠前，按照相關(guān)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，必須要經(jīng)過老化測試流程。然而，由于光模塊在整機設(shè)備進入工程現(xiàn)場前，經(jīng)過了 2次老化過程，造成了光模塊的過度老化，從而導(dǎo)致光模塊壽命縮短，故障發(fā)生率增高。在CFP光模塊應(yīng)用時間較短，各方面成熟度都還不高的情況下，CFP光模塊發(fā)生故障的概率就更高。在目前CFP成本居高不下的背景下，每損壞ー個光模塊對生產(chǎn)環(huán)節(jié)而言都會產(chǎn)生額外的支出，再加上如果過度老化的光模塊在現(xiàn)場運行過程中出現(xiàn)故障的一般都是骨干接ロ，由此造成的損失非常大。因此，相關(guān)技術(shù)中存在如何避免光模塊過度老化，同時又可以確保設(shè)備的老化測試正常進行的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了ー種通信設(shè)備的測試裝置及使用方法，以至少解決相關(guān)技術(shù)中無法避免因通信設(shè)備的老化測試所造成的光模塊過度老化的問題。
根據(jù)本發(fā)明的ー個方面，提供了ー種通信設(shè)備的測試裝置。根據(jù)本發(fā)明的通信設(shè)備的測試裝置包括PCB，其中，該PCB包括一組或多組環(huán)回電路；各組環(huán)回電路均包括第一輸入管腳和第二輸入管腳，分別與待測試的通信設(shè)備的兩個輸出端相連接；第一輸出管腳和第二輸出管腳，分別與待測試的通信設(shè)備的兩個輸入端相連接；第一電容，連接在第一輸入管腳和第一輸出管腳之間；第二電容，連接在第二輸入管腳和第二輸出管腳之間 ；電阻，其一端連接在第一輸入管腳和第一電容之間，其另一端連接在第二輸入管腳和第二電容之間。優(yōu)選地，上述測試裝置還包括外殼；外売，設(shè)置在PCB的外部。優(yōu)選地，上述PCB還包括微控制器単元MCU ;MCU，與外部電源相連接，用于存儲測試裝置的標(biāo)識信息以及該測試裝置的性能參數(shù)。優(yōu)選地，上述MCU支持SMI接ロ。優(yōu)選地，上述電阻為差分信號阻抗匹配電阻，第一電容和第二電容為交流耦合電容。優(yōu)選地，當(dāng)測試裝置安裝在通信設(shè)備的n G接ロ板中時，環(huán)回電路的組數(shù)為η/10，其中，η為10的整數(shù)倍。優(yōu)選地，當(dāng)測試裝置安裝在通信設(shè)備的40G接ロ板中時，環(huán)回電路的組數(shù)為4 ;當(dāng)測試裝置安裝在通信設(shè)備的100G接ロ板中時，環(huán)回電路的組數(shù)為10。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種測試裝置的使用方法。根據(jù)本發(fā)明的測試裝置的使用方法包括對于每ー組環(huán)回電路，環(huán)回電路的第一輸入管腳接收來自于待測試的通信設(shè)備的第一差分信號，同時環(huán)回電路的第二輸入管腳接收來自于待測試的通信設(shè)備的第二差分信號；環(huán)回電路的電阻分別對第一差分信號和第二差分信號進行阻抗匹配處理；環(huán)回電路的第一電容對經(jīng)過阻抗匹配處理后的第一差分信號進行耦合處理，同時環(huán)回電路的第二電容對經(jīng)過阻抗匹配處理后的第二差分信號進行耦合處理；環(huán)回電路的第一輸出管腳將經(jīng)過耦合處理后的第一差分信號輸出至待測試的通信設(shè)備，同時環(huán)回電路的第二輸出管腳將經(jīng)過耦合處理后的第二差分信號輸出至待測試的通信設(shè)備。優(yōu)選地，上述方法還包括PCB中的MCU獲取測試裝置的標(biāo)識信息以及該測試裝置的性能參數(shù)并保存。優(yōu)選地，上述方法還包括MCU將保存的測試裝置的標(biāo)識信息以及該測試裝置的性能參數(shù)發(fā)送至待測試的通信設(shè)備。通過本發(fā)明，采用ー組或多組由ー個電阻加兩個電容組成的交流耦合環(huán)回電路替代相關(guān)技術(shù)中進行老化測試所采用的CFP光模塊，實現(xiàn)待測試設(shè)備輸出的差分信號的環(huán)回，以完成對待測試設(shè)備的老化測試，解決了相關(guān)技術(shù)中無法避免因通信設(shè)備的老化測試所造成的光模塊過度老化的問題，進而降低了通信設(shè)備老化測試的成本、提高了老化測試的安全性與可靠性、測試方法簡單。


此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進ー步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中
圖I是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的CFP光ネ旲塊的接ロ定義的不意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的通信設(shè)備的測試裝置的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的通信設(shè)備的測試裝置的示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的測試裝置安裝于通信設(shè)備的100G接ロ板的結(jié)構(gòu)框圖； 圖5是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實例的PCB內(nèi)部包括10組環(huán)回電路的連接示意圖；以及圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的測試裝置的使用方法的流程圖。
具體實施例方式下文中將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的通信設(shè)備的測試裝置的示意圖。如圖2所示，該測試裝置可以包括PCB I，其中，該PCB可以包括ー組或多組環(huán)回電路10 ;各組環(huán)回電路10均可以包括第一輸入管腳100和第二輸入管腳102，分別與待測試的通信設(shè)備的兩個輸出端相連接；第一輸出管腳104和第二輸出管腳106,分別與待測試的通信設(shè)備的兩個輸入端相連接；第ー電容108，連接在第一輸入管腳和第一輸出管腳之間；第ニ電容110，連接在第二輸入管腳和第二輸出管腳之間；電阻112,其一端連接在第一輸入管腳和第一電容之間,其另一端連接在第二輸入管腳和第二電容之間。相關(guān)技術(shù)中，無法避免因通信設(shè)備的老化測試所造成的光模塊過度老化。采用如圖2所示的測試裝置，第一輸入管腳接收來自于待測試設(shè)備的第一差分信號，第二輸入管腳接收來自于待測試設(shè)備的第二差分信號；電阻分別對第一差分信號和第二差分信號進行阻抗匹配處理；第一電容對經(jīng)過阻抗匹配處理后的第一差分信號進行耦合處理，第二電容對經(jīng)過阻抗匹配處理后的第二差分信號進行耦合處理；第一輸出管腳將經(jīng)過耦合處理后的第一差分信號輸出至待測試設(shè)備，第二輸出管腳將經(jīng)過耦合處理后的第二差分信號輸出至待測試設(shè)備。該測試裝置可以用來替代相關(guān)技術(shù)中實際使用的CFP光模塊，實現(xiàn)通信業(yè)務(wù)在光模塊內(nèi)部環(huán)回，可以在設(shè)備的測試和老化過程中廣泛使用。由此，解決了相關(guān)技術(shù)中無法避免因通信設(shè)備的老化測試所造成的光模塊過度老化的問題，該測試裝置由于其內(nèi)部不需要安裝價格昂貴的光接收機和光發(fā)送激光器，所以生產(chǎn)成本大大降低；另外光模塊內(nèi)部已經(jīng)對數(shù)據(jù)信號進行了環(huán)回，測試時無須再増加光纖和光衰減器，結(jié)構(gòu)簡單、操作方便，適合在各種測試場合特別是高溫老化中使用。優(yōu)選地，如圖3所示，上述測試裝置還可以包括外殼2 ;該外殼2，設(shè)置在印制電路板(Printed Circuit Board，簡稱為PCB)的外部，用于對PCB進行封裝，防止PCB上的各個器件或者管腳意外損壞。在優(yōu)選實施例中，該外殼的外形和結(jié)構(gòu)需要滿足CFPMSA規(guī)范的要求，并且內(nèi)部沒有光接收機，也沒有光發(fā)送激光器。另外，該測試裝置的電接口外形規(guī)格、結(jié)構(gòu)、管腳定義均需符合CFP MSA多源協(xié)議的要求。優(yōu)選地，如圖3所示，PCB I還可以包括微控制器單元MCU 20 ;該MCU 20與外部電源相連接，用于存儲測試裝置的標(biāo)識信息(如類型標(biāo)識信息)以及該測試裝置的性能參數(shù)(如接收光功率、發(fā)送光功率)。
在優(yōu)選實施例中，微控制器單元(Microcontroller Unit,簡稱為MCU)和外部電源相連，內(nèi)部還包括多個接地管腳，接電源管腳，和不連接管腳。MCU主要存儲測試裝置的標(biāo)識信息和性能參數(shù)，供待測試設(shè)備在有需要時讀取。如果待測試設(shè)備不需要讀取信息，那么可以將MCU從PCB上拆除。在優(yōu)選實施過程中，上述MCU可以支持SMI接ロ。在優(yōu)選實施例中，由于本發(fā)明的測試裝置內(nèi)部沒有光收發(fā)器件，所以與相關(guān)技術(shù)中實際應(yīng)用的CFP光模塊不同，如果待測試設(shè)備需要讀取測試裝置內(nèi)部的信息，例如，接收光功率，發(fā)送光功率、類型標(biāo)識等信息，可以在MCU中預(yù)先保存相關(guān)數(shù)據(jù)，以免測試裝置在使用過程中發(fā)出告警，影響正常的測試工作。優(yōu)選地，上述電阻112為差分信號阻抗匹配電阻，第一電容108和第二電容110為交流耦合電容。在優(yōu)選實施例中，電阻與電容的取值可以根據(jù)實際應(yīng)用的環(huán)境以及待測試設(shè)備的不同而做出適應(yīng)性調(diào)整。優(yōu)選地，當(dāng)測試裝置安裝在通信設(shè)備的n G接ロ板中時，環(huán)回電路的組數(shù)為η/10，其中，η為10的整數(shù)倍。在優(yōu)選實施過程中，當(dāng)測試裝置安裝在通信設(shè)備的40G接ロ板中時，環(huán)回電路的組數(shù)為4 ;當(dāng)測試裝置安裝在通信設(shè)備的100G接ロ板中時，環(huán)回電路的組數(shù)為10。在優(yōu)選實施例中，該測試裝置可以適用于相關(guān)技術(shù)中廣泛使用的40G和100G的CFP光接ロ，其中，40G接ロ使用了 4組環(huán)回回路，100G接ロ使用了 10組環(huán)回電路。下面結(jié)合圖4和圖5以測試裝置安裝在通信設(shè)備的100G接ロ板中，采用10組環(huán)回電路為例對上述優(yōu)選實施方式做進ー步的描述。圖4是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的測試裝置安裝于通信設(shè)備的100G接ロ板的結(jié)構(gòu)框圖。如圖4所示，該測試裝置可以包括PCB，其中，該PCB可以包括ー組或多組環(huán)回電路；各組環(huán)回電路均可以包括第一電阻201，其一端連接至第一電容212和第一輸出管腳TXO+,另一端連接至第二電容213和第二輸出管腳TXO-;第ー電容212，與第一差分信號輸入管腳RXO+相連接，第二電容213，與第二差分信號輸入管腳RXO-相連接。上述環(huán)回電路 共有10組，接收來自于待測試設(shè)備的10組差分信號，此外還可以包括微處理模塊211，連接外部地址和SMI通信接ロ，用于存儲可用于進行外部讀寫操作的相關(guān)信息，其中，第一輸出管腳TXO+是正極輸出端，第二輸出管腳TXO-是負(fù)極輸出端，第一差分信號輸入管腳RXO+是正極輸入端，以及第二差分信號輸入管腳RXO-是負(fù)極輸入端。后面1-9組差分信號極性和第O組完全相同。此處不再贅述。在該優(yōu)選實施例中，201-210電阻是差分信號阻抗匹配電阻，212-231電容是交流耦合電容。圖5是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實例的PCB內(nèi)部包括10組環(huán)回電路的連接示意圖。如圖5所示，該PCB內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡單，僅使用幾個電阻和電容器件即可實現(xiàn)業(yè)務(wù)電信號的環(huán)回，降低生產(chǎn)成本。同時，MCU本身對業(yè)務(wù)環(huán)回沒有直接影響，SMI接ロ MDC和MDI0，地址線PRTADR0-PRTADR4分別和內(nèi)部MCU的對應(yīng)端ロ相連，地線(GND)和電源電壓(VCC)與外部接地和電源管腳相連，電接ロ的電源和接地管腳很多。在該優(yōu)選實施例中，采用了全部連接的方式，當(dāng)然，在實際應(yīng)用過程中，可以根據(jù)實際情況，采用部分連接的方式。另外，電接口中管腳 35 (PRG_ALRM3)，管腳 38 (M0D_ABS)，管腳 40 (RX_L0S)，管腳 41 (GLB_ALRMn)直接連接エ作地(GND)，管腳33 (PRG_ARM1)，管腳34 (PRG_ARM2)，直接和VCC相連。除圖上標(biāo)示外，其余管腳不連接。需要說明的是，在測試過程中如果不需要讀取MCU中保存的信息，可以將MCU從PCB上拆除。整個測試裝置生產(chǎn)成本低廉，安全性與可靠性高，使用方法簡單。圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的測試裝置的使用方法的流程圖。如圖6所示，對于每ー組環(huán)回電路，該方法可以包括以下處理步驟步驟S602 :環(huán)回電路的第一輸入管腳接收來自于待測試的通信設(shè)備的第一差分信號，同時環(huán)回電路的第二輸入管腳接收來自于待測試的通信設(shè)備的第二差分信號；步驟S604 :環(huán)回電路的電阻分別對第一差分信號和第二差分信號進行阻抗匹配處理；
步驟S606 :環(huán)回電路的第一電容對經(jīng)過阻抗匹配處理后的第一差分信號進行耦合處理，同時環(huán)回電路的第二電容對經(jīng)過阻抗匹配處理后的第二差分信號進行耦合處理；步驟S608 :環(huán)回電路的第一輸出管腳將經(jīng)過耦合處理后的第一差分信號輸出至待測試的通信設(shè)備，同時環(huán)回電路的第二輸出管腳將經(jīng)過耦合處理后的第二差分信號輸出至待測試的通信設(shè)備。采用如圖6所示的方法，解決了相關(guān)技術(shù)中無法避免因通信設(shè)備的老化測試所造成的光模塊過度老化的問題，該測試裝置由于其內(nèi)部不需要安裝價格昂貴的光接收機和光發(fā)送激光器，所以生產(chǎn)成本大大降低；另外光模塊內(nèi)部已經(jīng)對數(shù)據(jù)信號進行了環(huán)回，測試時無須再増加光纖和光衰減器，結(jié)構(gòu)簡單、操作方便，適合在各種測試場合特別是高溫老化中使用。優(yōu)選地，上述方法還可以包括以下操作步驟SI :上述測試裝置中的MCU獲取測試裝置的標(biāo)識信息以及該測試裝置的性能參數(shù)并保存；步驟S2 =MCU將保存的測試裝置的標(biāo)識信息以及該測試裝置的性能參數(shù)發(fā)送至待測試的通信設(shè)備。從以上的描述中，可以看出，上述實施例實現(xiàn)了如下技術(shù)效果(需要說明的是這些效果是某些優(yōu)選實施例可以達到的效果)本發(fā)明的測試裝置可以替代CFP模塊對40G/100G接ロ板進行測試和老化試驗，避免了直接使用CFP光模塊做老化試驗，從而降低了通信設(shè)備老化測試的成本、提高了老化測試的安全性與可靠性、測試方法簡單。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，上述的本發(fā)明的各模塊或各步驟可以用通用的計算裝置來實現(xiàn)，它們可以集中在單個的計算裝置上，或者分布在多個計算裝置所組成的網(wǎng)絡(luò)上，可選地，它們可以用計算裝置可執(zhí)行的程序代碼來實現(xiàn)，從而，可以將它們存儲在存儲裝置中由計算裝置來執(zhí)行，并且在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟，或者將它們分別制作成各個集成電路模塊，或者將它們中的多個模塊或步驟制作成單個集成電路模塊來實現(xiàn)。這樣，本發(fā)明不限制于任何特定的硬件和軟件結(jié)合。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種通信設(shè)備的測試裝置，其特征在于，包括印制電路板PCB，其中，所述PCB包括一組或多組環(huán)回電路； 各組所述環(huán)回電路均包括 第一輸入管腳和第二輸入管腳，分別與待測試的通信設(shè)備的兩個輸出端相連接； 第一輸出管腳和第二輸出管腳，分別與待測試的通信設(shè)備的兩個輸入端相連接； 第一電容，連接在所述第一輸入管腳和所述第一輸出管腳之間； 第二電容，連接在所述第二輸入管腳和所述第二輸出管腳之間； 電阻，其一端連接在所述第一輸入管腳和所述第一電容之間，其另一端連接在所述第二輸入管腳和所述第二電容之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的測試裝置，其特征在于，所述測試裝置還包括外殼； 所述外殼，設(shè)置在所述PCB的外部。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的測試裝置，其特征在于，所述PCB還包括微控制器單元MCU； 所述MCU，與外部電源相連接，用于存儲所述測試裝置的標(biāo)識信息以及該測試裝置的性能參數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測試裝置，其特征在于，所述MCU支持SMI接口。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項所述的測試裝置，其特征在于，所述電阻為差分信號阻抗匹配電阻，所述第一電容和所述第二電容為交流耦合電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項所述的測試裝置，其特征在于，當(dāng)所述測試裝置安裝在所述通信設(shè)備的n G接口板中時，所述環(huán)回電路的組數(shù)為η/10，其中，η為10的整數(shù)倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測試裝置，其特征在于，當(dāng)所述測試裝置安裝在所述通信設(shè)備的40G接口板中時，所述環(huán)回電路的組數(shù)為4 ;當(dāng)所述測試裝置安裝在所述通信設(shè)備的100G接口板中時，所述環(huán)回電路的組數(shù)為10。
8.—種如權(quán)利要求I至7中任一項所述的測試裝置的使用方法，其特征在于，對于每一組環(huán)回電路，包括 所述環(huán)回電路的第一輸入管腳接收來自于待測試的通信設(shè)備的第一差分信號，同時所述環(huán)回電路的第二輸入管腳接收來自于所述待測試的通信設(shè)備的第二差分信號； 所述環(huán)回電路的電阻分別對所述第一差分信號和所述第二差分信號進行阻抗匹配處理； 所述環(huán)回電路的第一電容對經(jīng)過所述阻抗匹配處理后的第一差分信號進行耦合處理，同時所述環(huán)回電路的第二電容對經(jīng)過所述阻抗匹配處理后的第二差分信號進行耦合處理； 所述環(huán)回電路的第一輸出管腳將經(jīng)過所述耦合處理后的第一差分信號輸出至所述待測試的通信設(shè)備，同時所述環(huán)回電路的第二輸出管腳將經(jīng)過所述耦合處理后的第二差分信號輸出至所述待測試的通信設(shè)備。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 所述PCB中的MCU獲取所述測試裝置的標(biāo)識信息以及該測試裝置的性能參數(shù)并保存。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 所述MCU將保存的所述測試裝置的標(biāo)識信息以及該測試裝置的性能參數(shù)發(fā)送至所述待測試的通信設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種通信設(shè)備的測試裝置及使用方法，該通信設(shè)備的測試裝置包括PCB，其中，該PCB包括一組或多組環(huán)回電路；各組環(huán)回電路均包括第一輸入管腳和第二輸入管腳，分別與待測試的通信設(shè)備的兩個輸出端相連接；第一輸出管腳和第二輸出管腳，分別與待測試的通信設(shè)備的兩個輸入端相連接；第一電容，連接在第一輸入管腳和第一輸出管腳之間；第二電容，連接在第二輸入管腳和第二輸出管腳之間；電阻，其一端連接在第一輸入管腳和第一電容之間，其另一端連接在第二輸入管腳和第二電容之間。根據(jù)本發(fā)明提供的技術(shù)方案，降低了通信設(shè)備老化測試的成本、提高了老化測試的安全性與可靠性、測試方法簡單。
文檔編號H04B10/08GK102664674SQ201210102160
公開日2012年9月12日 申請日期2012年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月1日
發(fā)明者朱躍, 杜兆峰, 董超 申請人:中興通訊股份有限公司南京分公司