本發(fā)明涉及一種揚(yáng)聲器振膜,還涉及一種揚(yáng)聲器,具體涉及一種動(dòng)圈式揚(yáng)聲器。
背景技術(shù):
動(dòng)圈式揚(yáng)聲器是常見(jiàn)的揚(yáng)聲器類型,通常設(shè)置有振膜,振膜下部固定有音圈,音圈在磁隙中上下振動(dòng)從而帶動(dòng)振膜發(fā)聲,振膜包括中心部和邊緣部,中心部和邊緣部連接處為環(huán)形凹陷部,該凹陷部下方連接音圈,該凹陷部也可以稱作音圈位。
例如在中國(guó)發(fā)明專利“動(dòng)圈式電聲轉(zhuǎn)換器”(CN101227766A)中公開(kāi)了一種動(dòng)圈式揚(yáng)聲器,所設(shè)置的振膜就是前述結(jié)構(gòu)。在中國(guó)發(fā)明專利“多功能揚(yáng)聲器”(CN103209377A)中公開(kāi)了一種動(dòng)圈式揚(yáng)聲器,所設(shè)置的振膜也是前述結(jié)構(gòu)。
這樣結(jié)構(gòu)的振膜在發(fā)出高頻信號(hào)時(shí),因?yàn)橐羧ξ坏膹?qiáng)度不夠,在此處容易出現(xiàn)分割振動(dòng)(膜片不同位置的振動(dòng)方向相反,能量相互抵消)。最終在頻響曲線上表現(xiàn)掉谷,以及高頻音質(zhì)解析度較差。
音圈將揚(yáng)聲器后腔分割為V1和V2兩個(gè)部分,如圖2、圖4所示,磁路與音圈的間隙非常小(常規(guī)為0.15mm-0.4mm),這種后腔結(jié)構(gòu),磁路的窄縫,與后腔會(huì)產(chǎn)生諧振,類似于帶阻濾波器結(jié)構(gòu),損耗固定頻帶的能力,因此容易造成頻響曲線不平滑,出現(xiàn)峰谷。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
鑒于上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種揚(yáng)聲器振膜,通過(guò)在音圈位設(shè)置加強(qiáng)筋,加強(qiáng)了音圈位處的強(qiáng)度,抑制了此處的分割振動(dòng)。同時(shí)顯著增加了后腔體V1和V2直接的透氣性,接近于一個(gè)完整的后腔,抑制了聲學(xué)上的帶阻濾波,使得曲線更加平直。
本發(fā)明同時(shí)還提供了一種揚(yáng)聲器,采用了上述揚(yáng)聲器振膜。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
一種揚(yáng)聲器振膜,包括中心部和邊緣部,所述中心部和邊緣部連接處為環(huán)形凹陷部,該凹陷部下方連接音圈,所述環(huán)形凹陷部均布有若干個(gè)加強(qiáng)筋,所述加強(qiáng)筋向上凸起,加強(qiáng)筋內(nèi)部形成通道連通中心部和邊緣部覆蓋區(qū)域,所述加強(qiáng)筋、中心部和邊緣部一體制成。
進(jìn)一步,所述揚(yáng)聲器振膜為圓形或長(zhǎng)圓形,所述加強(qiáng)筋中部的橫截面為弧形。
進(jìn)一步,所述加強(qiáng)筋位于中心部和邊緣部的部分等長(zhǎng),或者位于邊緣部的長(zhǎng)度大于位于中心部的長(zhǎng)度。
進(jìn)一步,所述加強(qiáng)筋頂部為向上凸起的弧形,或者為向下凹陷的弧形。
一種揚(yáng)聲器,設(shè)置有上述的揚(yáng)聲器振膜,所述揚(yáng)聲器振膜的凹陷部與音圈間斷連接。
進(jìn)一步,所述振膜的中心部和邊緣部覆蓋形成內(nèi)外兩個(gè)腔室,所述加強(qiáng)筋連通兩個(gè)腔室。
進(jìn)一步,所述揚(yáng)聲器包括環(huán)形支架,所述振膜的邊緣部固定在所述支架上,在固定處設(shè)置有壓圈。
進(jìn)一步,所述環(huán)形支架中部設(shè)置有磁罩,所述磁罩中設(shè)置有磁鐵,磁鐵上方設(shè)置有華司板,所述磁罩、磁鐵和華司板位于所述振膜下方。
進(jìn)一步,所述華司板,磁鐵和磁罩均設(shè)置有中心孔,三個(gè)中心孔上下貫通。
進(jìn)一步,所述華司板、磁鐵的外側(cè)壁,與所述磁罩的內(nèi)側(cè)壁之間的縫隙為磁隙,所述音圈在磁隙中上下往復(fù)振動(dòng)。
綜上所述,本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明在振膜的音圈位處增加了陣列的凸起筋位,對(duì)抑制高頻振動(dòng)時(shí)的分割振動(dòng),提高高頻解析度有很大益處,同時(shí)提升后腔(V1和V2)之間的透氣性,抑制腔體之間的諧振,提升頻響曲線的平滑度。
而且此種振膜結(jié)構(gòu)不會(huì)增加揚(yáng)聲器零部件制造的成本。
本發(fā)明顯著增加了后腔體V1和V2直接的透氣性,接近于一個(gè)完整的后腔,抑制了聲學(xué)上的帶阻濾波,使得頻響曲線更加平直。
附圖說(shuō)明
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中揚(yáng)聲器的立體圖;
圖2是現(xiàn)有技術(shù)中揚(yáng)聲器的剖視圖;
圖3是圖2的局部放大視圖;
圖4是本發(fā)明實(shí)施例1的立體圖;
圖5是本發(fā)明實(shí)施例1的剖視圖;
圖6是本發(fā)明實(shí)施例1的剖視圖;
圖7是本發(fā)明實(shí)施例2的立體圖;
圖8是本發(fā)明實(shí)施例2的剖視圖。
圖中:1.揚(yáng)聲器振膜;1-1.凹陷部;1-2.加強(qiáng)筋;2.支架;3.壓圈;4.磁罩;5.磁鐵;6.華司板;7.音圈。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
實(shí)施例1
如圖4、圖5、圖6所示為本發(fā)明的實(shí)施例之一,在該實(shí)施例中,一種揚(yáng)聲器振膜1,包括中心部和邊緣部,中心部和邊緣部連接處為環(huán)形凹陷部1-1,該凹陷部1-1下方連接音圈7,環(huán)形凹陷部1-1均布有若干個(gè)加強(qiáng)筋1-2,加強(qiáng)筋1-2向上凸起,加強(qiáng)筋1-2內(nèi)部形成通道連通中心部和邊緣部覆蓋區(qū)域,加強(qiáng)筋1-2、中心部和邊緣部一體制成。
由于加強(qiáng)筋1-2頂部向上凸起,所以內(nèi)部可以形成一個(gè)通道,中心部和邊緣部覆蓋區(qū)域分別為圖2、圖4中的V1和V2所示。通過(guò)加強(qiáng)了音圈位處的強(qiáng)度,抑制了此處的分割振動(dòng)。
揚(yáng)聲器振膜1為圓形,也可以設(shè)計(jì)為長(zhǎng)圓形,相應(yīng)地凹陷部1-1是一個(gè)圓形的環(huán)或者是長(zhǎng)圓形的環(huán)。
加強(qiáng)筋1-2更具體的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)如下:
加強(qiáng)筋1-2中部的橫截面為弧形。
加強(qiáng)筋1-2位于中心部和邊緣部的部分等長(zhǎng)。
加強(qiáng)筋1-2頂部為向上凸起的弧形。
實(shí)施例2
在該實(shí)施例中,與實(shí)施例1不同的是,如圖7、圖8所示,加強(qiáng)筋1-2位于邊緣部的長(zhǎng)度大于位于中心部的長(zhǎng)度。
加強(qiáng)筋1-2頂部為向下凹陷的弧形。
該類型的加強(qiáng)筋1-2,在結(jié)構(gòu)強(qiáng)度方面明顯優(yōu)于實(shí)施例1中的結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例3
在該實(shí)施例中,一種揚(yáng)聲器,設(shè)置有實(shí)施例1或?qū)嵤├?中所述的揚(yáng)聲器振膜1,揚(yáng)聲器振膜1的凹陷部1-1與音圈7間斷連接。
除了揚(yáng)聲器振膜1,揚(yáng)聲器的其他結(jié)構(gòu)可以參考圖2、圖3中所示。
揚(yáng)聲器振膜1的中心部和邊緣部覆蓋形成內(nèi)外兩個(gè)腔室,加強(qiáng)筋1-2連通兩個(gè)腔室。
由于凹陷部1-1的連通作用,顯著增加了后腔體V1和V2直接的透氣性,接近于一個(gè)完整的后腔,抑制了聲學(xué)上的帶阻濾波,使得頻響曲線更加平直。
如圖5、圖6所示,揚(yáng)聲器包括環(huán)形支架2,揚(yáng)聲器振膜1的邊緣部固定在支架2上,在固定處設(shè)置有壓圈3。
環(huán)形支架2中部設(shè)置有磁罩4,磁罩4中設(shè)置有磁鐵5,磁鐵5上方設(shè)置有華司板6,磁罩4、磁鐵5和華司板6位于揚(yáng)聲器振膜1下方。
華司板6,磁鐵5和磁罩4均設(shè)置有中心孔,三個(gè)中心孔上下貫通。
華司板6、磁鐵5的外側(cè)壁,與磁罩4的內(nèi)側(cè)壁之間的縫隙為磁隙,音圈7在磁隙中上下往復(fù)振動(dòng)。
以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。