1.AIS發(fā)射機高效低功耗調(diào)制電路，其特征在于：它包括調(diào)制單元、微處理器和濾波單元，微處理器的控制信號輸出端與調(diào)制單元的控制信號輸入端連接，調(diào)制單元的反饋信號輸出端與控制信號的反饋輸入端連接，調(diào)制單元的射頻信號輸出端與濾波單元的輸入端連接，濾波單元的輸出端輸出GMSK信號；微處理器控制調(diào)制單元產(chǎn)生射頻信號，經(jīng)濾波直接通過天線進行發(fā)射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AIS發(fā)射機高效低功耗調(diào)制電路，其特征在于：所述的調(diào)制單元為ADF7012調(diào)制芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AIS發(fā)射機高效低功耗調(diào)制電路，其特征在于：所述的調(diào)制電路還包括放大單元，濾波單元的輸出端與放大單元的輸入端連接，放大單元的輸出端輸出GMSK信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的AIS發(fā)射機高效低功耗調(diào)制電路，其特征在于：所述的ADF7012調(diào)制芯片包括五種調(diào)制方案：二進制頻移鍵控，高斯頻移鍵控，二進制開關(guān)鍵控，高斯開關(guān)鍵控以及幅移鍵控。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的AIS發(fā)射機高效低功耗調(diào)制電路，其特征在于：所述的ADF7012調(diào)制芯片的電流只有30mA/5V,其輸出功率最大到14dBm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的AIS發(fā)射機高效低功耗調(diào)制電路，其特征在于：所述的ADF7012調(diào)制芯片的典型靜態(tài)電流低于0.1μA。