復(fù)合層結(jié)構(gòu)及其制造方法
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種復(fù)合層結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤其涉及應(yīng)用于聲電器件中的復(fù)合層結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]目前，在一些聲學(xué)元件中，復(fù)合層結(jié)構(gòu)中氧化物與氧化物絕緣層之間結(jié)合通常需要在超過1000°c的溫度中進(jìn)行退火處理，才能形成良好的固定。然而，在市場中，比較傾向于使用較低的溫度進(jìn)行退火處理，但是直接在較低的溫度中進(jìn)行退火處理，氧化物與氧化物之間的結(jié)合效果并不理想，現(xiàn)有技術(shù)中，為了能夠?qū)崿F(xiàn)在較低的溫度中進(jìn)行退火處理，會在需要結(jié)合的氧化物表面進(jìn)行等離子處理，如此，制作工藝便較為繁瑣。
[0003]因此，有必要提供一種新的復(fù)合層結(jié)構(gòu)來克服上述缺點。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種具有良好結(jié)合效果的復(fù)合層結(jié)構(gòu)。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明可采用如下技術(shù)方案:一種復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其可用于聲電器件中，所述復(fù)合層結(jié)構(gòu)包括上基層及與所述上基層相對的下基層，從所述上基層至所述下基層，依次包括第一絕緣層、結(jié)構(gòu)層、四乙氧基硅烷層及第二絕緣層。
[0006]優(yōu)選的，所述第一絕緣層及第二絕緣層由氧化硅材料制成。
[0007]優(yōu)選的，所述結(jié)構(gòu)層由多晶硅材料制成。
[0008]優(yōu)選的，所述四乙氧基硅烷層是以四乙氧基硅烷為原料的氧化層。
[0009]優(yōu)選的，所述第一絕緣層及第二絕緣層的厚度均大于所述四乙氧基硅烷層的厚度。
[0010]同時，本發(fā)明還提供了一種制造復(fù)合層結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括如下步驟:
[0011]步驟S1，提供上基層及與所述上基層相對的下基層，在所述上基層的下方沉積第一絕緣層，在所述下基層的上方沉積第二絕緣層；
[0012]步驟S2，在所述第一絕緣層的下方沉積結(jié)構(gòu)層；
[0013]步驟S3，在所述結(jié)構(gòu)層的下方沉積四乙氧基硅烷層；
[0014]步驟S4，將上基層下方的四乙氧基硅烷層與下基層上方的第二絕緣層壓合形成復(fù)合層結(jié)構(gòu)；
[0015]步驟S5，將上述復(fù)合層結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理。
[0016]優(yōu)選的，退火處理的溫度為700?900 °C。
[0017]優(yōu)選的，所述第一絕緣層及第二絕緣層由氧化硅材料制成。
[0018]優(yōu)選的，所述結(jié)構(gòu)層由多晶硅材料制成。
[0019]優(yōu)選的，所述四乙氧基硅烷層是以四乙氧基硅烷為原料的氧化層。
[0020]與相關(guān)技術(shù)的復(fù)合層結(jié)構(gòu)相比較，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:本發(fā)明的復(fù)合層結(jié)構(gòu)由于增加了四乙氧基硅烷層，使得該復(fù)合層結(jié)構(gòu)可在較低的溫度的范圍內(nèi)進(jìn)行退火處理以實現(xiàn)良好的結(jié)合，且結(jié)構(gòu)層上的內(nèi)應(yīng)力可以保持在較為均衡的范圍內(nèi)，同時可以根據(jù)不同的退火溫度調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)層上的內(nèi)應(yīng)力。
【【附圖說明】】
[0021]圖1為本發(fā)明復(fù)合層結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實施方式】】
[0022]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明復(fù)合層結(jié)構(gòu)作詳細(xì)說明。
[0023]本發(fā)明復(fù)合層結(jié)構(gòu)100可以用于聲電器件上，例如，MEMS麥克風(fēng)、揚聲器或其他設(shè)備。如圖1所示，本發(fā)明的復(fù)合層結(jié)構(gòu)100，其包括上基層11及與所述上基層11相對的下基層12，從所述上基層11至所述下基層12，依次包括第一絕緣層21、結(jié)構(gòu)層3、四乙氧基硅烷層4及第二絕緣層22。
[0024]所述第一絕緣層21及第二絕緣層22由氧化硅材料制成，所述結(jié)構(gòu)層3由多晶硅材料制成，所述四乙氧基娃燒層4是以四乙氧基娃燒(TEOS:Tetraethyl Orthosilicate,化學(xué)式:Si (0C2H5)4)為原料的氧化層，所述第一絕緣層21及第二絕緣層33的厚度均大于所述四乙氧基硅烷層4的厚度。由于四乙氧基硅烷層4中含有較多的懸掛鍵，只需要較少的能量便可輕易使懸掛鍵解離，因此，無需增加其他工藝步驟或者設(shè)備，本發(fā)明便可在較低的溫度下實現(xiàn)氧化物與氧化物之間的良好結(jié)合。
[0025]本發(fā)明還提供了一種制造復(fù)合層結(jié)構(gòu)100的方法，所述方法包括如下步驟:首先，提供上基層11及與所述上基層11相對的下基層12，在所述上基層11的下方沉積第一絕緣層21，在所述下基層12的上方沉積第二絕緣層22 ;其次，在所述第一絕緣層21的下方沉積結(jié)構(gòu)層3 ;然后，在所述結(jié)構(gòu)層3的下方沉積四乙氧基硅烷層4 ;然后，將上基層11下方的四乙氧基硅烷層4與下基層12上方的第二絕緣層22的表面進(jìn)行一些預(yù)處理，包括清洗等步驟，再將四乙氧基硅烷層4與第二絕緣層22壓合形成復(fù)合層結(jié)構(gòu)100 ;最后，將上述復(fù)合層結(jié)構(gòu)100進(jìn)行退火處理以實現(xiàn)整個復(fù)合層結(jié)構(gòu)100的固定，其中，退火處理的溫度為700?900。。。
[0026]本發(fā)明的復(fù)合層結(jié)構(gòu)100可在較低的溫度的范圍內(nèi)進(jìn)行退火處理以實現(xiàn)氧化物與氧化物之間良好的結(jié)合，使得結(jié)構(gòu)層3上的內(nèi)應(yīng)力可以保持在較為均衡的范圍內(nèi)，同時可以根據(jù)不同產(chǎn)品的需求選擇不同的退火溫度來調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)層3上的內(nèi)應(yīng)力。
[0027]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施方式，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不以上述實施方式為限，但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應(yīng)納入權(quán)利要求書中記載的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其可用于聲電器件中，所述復(fù)合層結(jié)構(gòu)包括上基層及與所述上基層相對的下基層，其特征在于:從所述上基層至所述下基層，依次包括第一絕緣層、結(jié)構(gòu)層、四乙氧基硅烷層及第二絕緣層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一絕緣層及第二絕緣層由氧化娃材料制成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述結(jié)構(gòu)層由多晶硅材料制成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述四乙氧基硅烷層是以四乙氧基硅烷為原料的氧化層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一絕緣層及第二絕緣層的厚度均大于所述四乙氧基硅烷層的厚度。6.一種制造復(fù)合層結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟: 步驟S1，提供上基層及與所述上基層相對的下基層，在所述上基層的下方沉積第一絕緣層，在所述下基層的上方沉積第二絕緣層； 步驟S2，在所述第一絕緣層的下方沉積結(jié)構(gòu)層； 步驟S3，在所述結(jié)構(gòu)層的下方沉積四乙氧基硅烷層； 步驟S4，將上基層下方的四乙氧基硅烷層與下基層上方的第二絕緣層壓合形成復(fù)合層結(jié)構(gòu)； 步驟S5，將上述復(fù)合層結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造復(fù)合層結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于:退火處理的溫度為700 ?900。。。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造復(fù)合層結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于:所述第一絕緣層及第二絕緣層由氧化硅材料制成。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造復(fù)合層結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于:所述結(jié)構(gòu)層由多晶硅材料制成。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造復(fù)合層結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于:所述四乙氧基硅烷層是以四乙氧基硅烷為原料的氧化層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種復(fù)合層結(jié)構(gòu)及其制造方法，其可用于聲電器件中，所述復(fù)合層結(jié)構(gòu)包括上基層及與所述上基層相對的下基層，從所述上基層至所述下基層，依次包括第一絕緣層、結(jié)構(gòu)層、四乙氧基硅烷層及第二絕緣層。本發(fā)明復(fù)合層結(jié)構(gòu)可在較低的溫度下進(jìn)行退火處理，且能達(dá)到良好的結(jié)合效果。
【IPC分類】H04R7/12, H04R7/10, H04R31/00
【公開號】CN105392089
【申請?zhí)枴緾N201510884292
【發(fā)明人】吳偉昌, 吳宛玲, 呂麗英, 鐘曉輝, 林義雄, 黎家健
【申請人】瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年12月3日