一種微型揚(yáng)聲器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種微型揚(yáng)聲器，包括框架、振膜、音圈和華司；所述振膜固定設(shè)置在所述框架內(nèi)，所述音圈貼合設(shè)置在所述振膜的底端面上；所述華司設(shè)置在所述振膜的下方，并與所述振膜間隔預(yù)設(shè)距離；所述華司相對(duì)所述振膜的一面設(shè)有走線凹陷部，所述音圈的引線設(shè)置在所述走線凹陷部?jī)?nèi)。通過(guò)在華司外側(cè)邊緣設(shè)有走線凹陷部，音圈引線在走線凹陷部?jī)?nèi)走線；不僅保證了包括振膜和音圈的振動(dòng)系統(tǒng)整體尺寸不變，而且加大了振膜和音圈的引線之間的距離，實(shí)現(xiàn)了既保證揚(yáng)聲器性能，又能消除音圈引線和振膜接觸造成雜音的技術(shù)效果。
【專利說(shuō)明】
一種微型揚(yáng)聲器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及音響領(lǐng)域，具體說(shuō)的是一種微型揚(yáng)聲器。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)微型揚(yáng)聲器的剖視圖，微型揚(yáng)聲器一般包括振動(dòng)系統(tǒng)、磁路系統(tǒng)以及支撐系統(tǒng);所述振動(dòng)系統(tǒng)由振膜、中貼和音圈組成;所述磁路系統(tǒng)由磁鐵、華司和軛鐵組成;所述支撐系統(tǒng)由支架和前蓋組成。傳統(tǒng)揚(yáng)聲器中的華司大多采用模內(nèi)注塑的方案，音圈引線貼合在注塑華司上進(jìn)行走線，振膜在振動(dòng)過(guò)程中有可能接觸到音圈引線，從而造成雜音不良。
[0003]為了避免此類雜音不良的發(fā)生，本領(lǐng)域技術(shù)人員一般將音圈引線避讓振膜，避讓方式通常為加大振膜和音圈引線之間的距離，而距離的加大勢(shì)必會(huì)造成磁路系統(tǒng)整體尺寸的減小，從而造成揚(yáng)聲器性能的降低。因此，有必要提供一種能夠解決上述問(wèn)題的微型揚(yáng)聲器。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是:本實(shí)用新型提供一種微型揚(yáng)聲器，既能保證揚(yáng)聲器性能，又能消除音圈引線和揚(yáng)聲器接觸造成的雜音。
[0005]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:
[0006]—種微型揚(yáng)聲器，包括框架、振膜、音圈和華司；所述振膜固定設(shè)置在所述框架內(nèi)，所述音圈貼合設(shè)置在所述振膜的底端面上;所述華司設(shè)置在所述振膜的下方，并與所述振膜間隔預(yù)設(shè)距離；
[0007]所述華司相對(duì)所述振膜的一面設(shè)有走線凹陷部，所述音圈的引線設(shè)置在所述走線凹陷部?jī)?nèi)。
[0008]其中，所述振膜包括中心位置的球頂部和環(huán)繞所述球頂部邊緣位置的折環(huán)部;所述走線凹陷部對(duì)應(yīng)所述折環(huán)部設(shè)置。
[0009]其中，所述環(huán)折部設(shè)有一相應(yīng)的環(huán)形凹槽，所述環(huán)形凹槽臨近所述球頂部設(shè)置;所述音圈為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述音圈的外邊緣對(duì)應(yīng)所述球頂部的外邊緣。
[0010]其中，所述框架還包括頂蓋和側(cè)壁，所述頂蓋蓋設(shè)于所述側(cè)壁上;所述頂蓋包括中貼和前蓋，所述中貼與所述振膜的球頂部相適配，所述前蓋的正投影區(qū)域與所述側(cè)壁的正投影區(qū)域重疊。
[0011]其中，所述華司為對(duì)應(yīng)所述折環(huán)部的中空環(huán)形結(jié)構(gòu);所述走線凹陷部環(huán)繞設(shè)置在所述中空環(huán)形結(jié)構(gòu)的外側(cè)邊緣。
[0012]其中，所述框架包括側(cè)壁;所述振膜和華司架設(shè)在所述側(cè)壁上;所述走線凹陷部為開口朝向所述側(cè)壁的L型缺口，所述L型缺口與所述側(cè)壁構(gòu)成環(huán)形走線凹槽。
[0013]其中，還包括磁鐵;所述磁鐵為對(duì)應(yīng)所述華司的中空環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述磁鐵設(shè)置在所述華司的下方，所述磁鐵的中空部分的正投影區(qū)域與所述華司的中空部分的正投影區(qū)域重置。
[0014]其中，還包括軛鐵，所述軛鐵設(shè)置在所述磁鐵下方。
[0015]本實(shí)用新型的有益效果在于:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的微型揚(yáng)聲器，音圈引線貼合在華司上走線，振膜振動(dòng)過(guò)程中可能接觸到音圈引線，從而造成雜音不良的問(wèn)題。本實(shí)用新型提供一種微型揚(yáng)聲器，通過(guò)在華司上對(duì)應(yīng)振膜環(huán)折部的外邊緣位置設(shè)有走線凹陷部，供音圈引線走線，加大了音圈引線和振膜之間的距離，避免音圈引線和振膜的接觸，使揚(yáng)聲器的音質(zhì)得到保障；同時(shí)，由于本實(shí)用新型是在不改變揚(yáng)聲器元件之間距離設(shè)置的前提下，實(shí)現(xiàn)了音圈引線和振膜之間距離的擴(kuò)寬，能夠很好的解決現(xiàn)有技術(shù)單純通過(guò)增大與振膜之間的布局距離，導(dǎo)致?lián)P聲器系統(tǒng)的磁路系統(tǒng)整體尺寸減小，導(dǎo)致?lián)P聲器性能減低的問(wèn)題;本實(shí)用新型的揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)既保證了揚(yáng)聲器的性能，又能很好的消除音圈引線和振膜接觸造成的雜音問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的微型揚(yáng)聲器的部分剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為本實(shí)用新型一種微型揚(yáng)聲器的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]標(biāo)號(hào)說(shuō)明:
[0019]1、框架;2、振膜;3、音圈;4、華司；5、底端面;6、走線凹陷部；
[0020]7、球頂部;8、折環(huán)部;9、環(huán)形凹槽;10、頂蓋;11、側(cè)壁;12、中貼；
[0021]13、前蓋;14、L型缺口；15、磁鐵;16、軛鐵;17、音圈的引線。
【具體實(shí)施方式】
[0022]為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖予以說(shuō)明。
[0023]本實(shí)用新型最關(guān)鍵的構(gòu)思在于:華司上對(duì)應(yīng)振膜環(huán)折部的外邊緣位置設(shè)有走線凹陷部，供音圈引線走線，加大了音圈引線和振膜之間的距離，避免音圈引線和振膜的接觸，使揚(yáng)聲器的音質(zhì)得到保障。
[0024]請(qǐng)參照?qǐng)D1以及圖2，本實(shí)用新型提供一種微型揚(yáng)聲器，包括框架1、振膜2、音圈3和華司4;所述振膜2固定設(shè)置在所述框架I內(nèi)，所述音圈3貼合設(shè)置在所述振膜2的底端面5上；所述華司4設(shè)置在所述振膜2的下方，并與所述振膜2間隔預(yù)設(shè)距離；
[0025]所述華司4相對(duì)所述振膜2的一面設(shè)有走線凹陷部6，所述音圈3的引線設(shè)置在所述走線凹陷部6內(nèi)。
[0026]從上述描述可知，本實(shí)用新型的有益效果在于:通過(guò)在華司4外側(cè)邊緣設(shè)有走線凹陷部6，音圈的引線17在走線凹陷部6內(nèi)走線；不僅保證了包括振膜2和音圈3的振動(dòng)系統(tǒng)整體尺寸不變，而且加大了振膜2和音圈的引線17之間的距離，實(shí)現(xiàn)了既保證揚(yáng)聲器性能，又能消除音圈的引線17和振膜2接觸造成雜音的技術(shù)效果。
[0027]進(jìn)一步的，所述振膜2包括中心位置的球頂部7和環(huán)繞所述球頂部7邊緣位置的折環(huán)部8;所述走線凹陷部6對(duì)應(yīng)所述折環(huán)部8設(shè)置。
[0028]由上述描述可知，華司4上開設(shè)的走線凹陷部6環(huán)繞振膜2的折環(huán)部設(shè)置，避開了振動(dòng)高頻段的球頂部7，再次降低音圈的引線17和振膜2接觸的可能性。
[0029]進(jìn)一步的，所述環(huán)折部8設(shè)有一相應(yīng)的環(huán)形凹槽9，所述環(huán)形凹槽9臨近所述球頂部7設(shè)置;所述音圈3為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述音圈3的外邊緣對(duì)應(yīng)所述球頂部7的外邊緣。
[0030]進(jìn)一步的，所述框架I還包括頂蓋10和側(cè)壁11，所述頂蓋10蓋設(shè)于所述側(cè)壁11上；所述頂蓋10包括中貼12和前蓋13，所述中貼12與所述振膜2的球頂部7相適配，所述前蓋13的正投影區(qū)域與所述側(cè)壁11的正投影區(qū)域重疊。
[0031 ]進(jìn)一步的，所述華司4為對(duì)應(yīng)所述折環(huán)部8的中空環(huán)形結(jié)構(gòu);所述走線凹陷部6環(huán)繞設(shè)置在所述中空環(huán)形結(jié)構(gòu)的外側(cè)邊緣。
[0032]由上述描述可知，走線凹陷部6設(shè)置在外側(cè)邊緣，能夠盡可能的避開音圈3，同時(shí)又能優(yōu)化布局設(shè)置，不影響華司4的防松作用。
[0033]進(jìn)一步的，所述框架I包括側(cè)壁11;所述振膜2和華司4架設(shè)在所述側(cè)壁11上;所述走線凹陷部6為開口朝向所述側(cè)壁11的L型缺口 14，所述L型缺口 14與所述側(cè)壁11構(gòu)成環(huán)形走線凹槽。
[0034]由上述描述可知，本實(shí)用新型的華司上只需開設(shè)一缺口，缺口與側(cè)壁構(gòu)成環(huán)形走線凹槽，更好的安置音圈的引線。
[0035]進(jìn)一步的，還包括磁鐵15;所述磁鐵15為對(duì)應(yīng)所述華司4的中空環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述磁鐵15設(shè)置在所述華司4的下方，所述磁鐵15的中空部分的正投影區(qū)域與所述華4司的中空部分的正投影區(qū)域重疊。
[0036]進(jìn)一步的，還包括軛鐵16，所述軛鐵16設(shè)置在所述磁鐵15下方。
[0037]請(qǐng)參照?qǐng)D1和圖2，本實(shí)用新型的實(shí)施例為:
[0038]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的微型揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)大多將音圈的引線直接貼合在華司上走線的方式，采用這種走線方式，在揚(yáng)聲器的聽(tīng)音過(guò)程中，振膜發(fā)生振動(dòng)，變很容易與音圈的引線接觸，從而出現(xiàn)雜音等性能不良的現(xiàn)象?，F(xiàn)有技術(shù)為了避免音圈的引線和振膜接觸，通常會(huì)加大振膜和音圈引線之間的距離，即，設(shè)置華司與振膜的間隔距離進(jìn)一步增大，由于揚(yáng)聲器的整體機(jī)構(gòu)大小不可輕易改變，因此勢(shì)必會(huì)造成華司低下的磁路系統(tǒng)的尺寸減小，從而造成揚(yáng)聲器性能的降低。
[0039]如圖2所示，本實(shí)用新型提供一種微型揚(yáng)聲器，包括振動(dòng)系統(tǒng)、磁路系統(tǒng)和支撐系統(tǒng);所述振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)收容與所述支撐系統(tǒng)內(nèi)。
[0040]所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜2和音圈3，振膜2包括中心位置的球頂部7和環(huán)繞所述球頂部7邊緣位置的折環(huán)部8;沿著所述環(huán)折部8設(shè)有一與之相對(duì)應(yīng)的環(huán)形凹槽9，所述環(huán)形凹槽9臨近所述球頂部7設(shè)置;所述音圈3為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，貼合設(shè)置在所述振膜2的底端面5上，所述音圈3的外邊緣與所述球頂部7的外邊緣重合;優(yōu)選的，所述球頂部7為剛性的復(fù)合層，質(zhì)地較硬且輕，能夠防止高頻段出現(xiàn)分割振動(dòng);所述環(huán)折部8為柔性材料，可隨著振膜2上下振動(dòng)；
[0041]所述磁路系統(tǒng)包括華司4、磁鐵15和軛鐵16;所述華司4、磁鐵15和軛鐵16為由上到下依次疊設(shè)的層級(jí)結(jié)構(gòu);所述華司4為對(duì)應(yīng)所述環(huán)折部8的中空環(huán)形結(jié)構(gòu)，與振膜2間隔預(yù)設(shè)距離的設(shè)置在折環(huán)部8的正下方位置，華司4上相對(duì)振膜2的一面，位于外側(cè)的邊緣位置設(shè)有一環(huán)形的走線凹陷部6，振動(dòng)系統(tǒng)的音圈的引線17設(shè)置在所述走線凹陷部6內(nèi)。通過(guò)下沉的凹陷部來(lái)加大音圈的引線17與振膜2之間的相對(duì)距離，避免音圈的引線17與振膜2接觸，同時(shí)，通過(guò)凹陷部又能實(shí)現(xiàn)對(duì)引線的良好限位，避免出現(xiàn)引線脫落分離，影響揚(yáng)聲器性能的事故發(fā)生。所述磁鐵15為對(duì)應(yīng)所述華司4的中空環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述磁鐵15設(shè)置在所述華司4的正下方，所述磁鐵15的中空部分的正投影區(qū)域與所述華司4的中空部分的正投影區(qū)域重疊。所述軛鐵16設(shè)置在所述磁鐵15正下方，優(yōu)選與底座大小相適配。
[0042]所述支撐系統(tǒng)包括框架I;所述框架I包括頂蓋10和側(cè)壁11，所述側(cè)壁11為環(huán)形側(cè)壁，所述頂蓋10蓋設(shè)于所述側(cè)壁11上;所述頂蓋10包括中貼12和前蓋13，所述中貼12與振動(dòng)系統(tǒng)的所述振膜2的球頂部7面積大小相適配，能夠正好覆蓋所述球頂部7;所述前蓋13的正投影區(qū)域與所述側(cè)壁11的正投影區(qū)域重疊。
[0043]優(yōu)選的，所述華司4上的走線凹陷部6為開口朝向所述側(cè)壁的L型缺口14，所述L型缺口 14與所述側(cè)壁11構(gòu)成環(huán)形走線凹槽，通過(guò)環(huán)形走線凹槽，不僅加大了音圈的引線17與振膜2之間的距離，還能對(duì)音圈的引線17起到限位作用，一舉兩得。
[0044]綜上所述，本實(shí)用新型的微型揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)，通過(guò)在華司外側(cè)邊緣設(shè)置走線凹陷部，設(shè)置音圈引線在走線凹陷部?jī)?nèi)進(jìn)行走線，不僅加大了音圈引線和振膜之間的距離，避免音圈引線和振膜的接觸，使揚(yáng)聲器的音質(zhì)得到保障;而且不改變揚(yáng)聲器元件之間距離設(shè)置;本實(shí)用新型的不僅保證了包括振膜和音圈的振動(dòng)系統(tǒng)整體尺寸不變，而且加大了振膜和音圈的引線之間的距離，實(shí)現(xiàn)了既保證揚(yáng)聲器性能，又能消除音圈引線和振膜接觸造成雜音的技術(shù)效果;進(jìn)一步的，還實(shí)現(xiàn)了對(duì)音圈的引線的良好限位，有效延長(zhǎng)揚(yáng)聲器的使用壽命。
[0045]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等同變換，或直接或間接運(yùn)用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種微型揚(yáng)聲器，其特征在于，包括框架、振膜、音圈和華司；所述振膜固定設(shè)置在所述框架內(nèi)，所述音圈貼合設(shè)置在所述振膜的底端面上;所述華司設(shè)置在所述振膜的下方，并與所述振膜間隔預(yù)設(shè)距離； 所述華司相對(duì)所述振膜的一面設(shè)有走線凹陷部，所述音圈的引線設(shè)置在所述走線凹陷部?jī)?nèi)。2.如權(quán)利要求1所述的一種微型揚(yáng)聲器，其特征在于，所述振膜包括中心位置的球頂部和環(huán)繞所述球頂部邊緣位置的折環(huán)部;所述走線凹陷部對(duì)應(yīng)所述折環(huán)部設(shè)置。3.如權(quán)利要求2所述的一種微型揚(yáng)聲器，其特征在于，所述折環(huán)部設(shè)有一相應(yīng)的環(huán)形凹槽，所述環(huán)形凹槽臨近所述球頂部設(shè)置;所述音圈為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述音圈的外邊緣對(duì)應(yīng)所述球頂部的外邊緣。4.如權(quán)利要求2所述的一種微型揚(yáng)聲器，其特征在于，所述框架還包括頂蓋和側(cè)壁，所述頂蓋蓋設(shè)于所述側(cè)壁上;所述頂蓋包括中貼和前蓋，所述中貼與所述振膜的球頂部相適配，所述前蓋的正投影區(qū)域與所述側(cè)壁的正投影區(qū)域重疊。5.如權(quán)利要求2所述的一種微型揚(yáng)聲器，其特征在于，所述華司為對(duì)應(yīng)所述折環(huán)部的中空環(huán)形結(jié)構(gòu);所述走線凹陷部環(huán)繞所述中空環(huán)形結(jié)構(gòu)的外側(cè)邊緣位置。6.如權(quán)利要求5所述的一種微型揚(yáng)聲器，其特征在于，所述框架包括側(cè)壁;所述振膜和華司架設(shè)在所述側(cè)壁上;所述走線凹陷部為開口朝向所述側(cè)壁的L型缺口，所述L型缺口與所述側(cè)壁構(gòu)成環(huán)形走線凹槽。7.如權(quán)利要求5所述的一種微型揚(yáng)聲器，其特征在于，還包括磁鐵;所述磁鐵為對(duì)應(yīng)所述華司的中空環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述磁鐵設(shè)置在所述華司的下方，所述磁鐵的中空部分的正投影區(qū)域與所述華司的中空部分的正投影區(qū)域重疊。8.如權(quán)利要求7所述的一種微型揚(yáng)聲器，其特征在于，還包括軛鐵，所述軛鐵設(shè)置在所述磁鐵下方，所述軛鐵的正投影區(qū)域與所述音圈的正投影區(qū)域重疊。
【文檔編號(hào)】H04R9/02GK205545920SQ201620159967
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年3月1日
【發(fā)明人】王武超, 李軍
【申請(qǐng)人】深圳市音沃仕科技有限公司