一種mems麥克風(fēng)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種MEMS麥克風(fēng)，該麥克風(fēng)包括外部封裝結(jié)構(gòu)、MEMS芯片和ASIC芯片，外部封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有聲孔，外部封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)置MEMS芯片和ASIC芯片，外部封裝結(jié)構(gòu)包括：上蓋，形成中空腔體的中間殼體和下基板，中間殼體的內(nèi)壁上覆有銅箔，銅箔表面采用電金工藝或沉金工藝處理鍍上金屬保護(hù)層，銅箔沿所述中間殼體的上下兩面有一段距離的延伸。本方案通過將MEMS麥克風(fēng)中間殼體內(nèi)側(cè)壁上的銅箔沿中間殼體的上下兩面延伸一段距離，使得刻蝕后，金屬保護(hù)層下側(cè)留有大部分銅箔，對金屬保護(hù)層有支撐拉扯作用，在后續(xù)的加工處理中，金屬保護(hù)層不會斷裂產(chǎn)生金屬毛刺，不會產(chǎn)生短路的不良后果。
【專利說明】
一種MEMS麥克風(fēng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實用新型涉及電聲產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種MEMS麥克風(fēng)?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]如今，大多數(shù)便攜式電子產(chǎn)品上都安裝有麥克風(fēng)，為了適應(yīng)電子設(shè)備輕量化、小型化的特征，貼片麥克風(fēng)被廣泛使用。傳統(tǒng)MEMS麥克風(fēng)在封裝時，MEMS芯片和ASIC芯片置于外部封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)，與外部封裝的電性連接，外部封裝由多個部分構(gòu)成，包括形成中空腔體的中間殼體，圖4示出了一種MEMS麥克風(fēng)外部封裝結(jié)構(gòu)的中間殼體12 ’俯視圖，圖5示出了該中間殼體12’ A-A剖面圖，其中，形成中空腔體的中間殼體12’內(nèi)側(cè)壁上覆有銅箱12a’(圖4中箭頭所指位置)，銅箱12a’表面采用電金或沉金工藝處理，覆上鎳金層等金屬保護(hù)層12b’防止氧化、增加抗蝕性能，由于銅箱12a’表面的金屬保護(hù)層12b’很薄，只有l(wèi)wii以下，在蝕刻時，如圖5箭頭所指，金屬保護(hù)層12b’下側(cè)的銅箱12a’被蝕刻掉，留下很細(xì)的金屬保護(hù)層12b’，導(dǎo)致該金屬保護(hù)層12b’底部缺少支撐，在后續(xù)工序的加工處理中易斷裂產(chǎn)生金屬毛刺，金屬毛刺將焊盤與接地圈短路，造成很大比例的產(chǎn)品電流故障?！緦嵱眯滦蛢?nèi)容】
[0003]鑒于現(xiàn)有技術(shù)MEMS麥克風(fēng)外部封裝結(jié)構(gòu)的中間殼體內(nèi)側(cè)壁金屬保護(hù)層在加工過程中易產(chǎn)生毛刺的問題，提出了本實用新型的一種MEMS麥克風(fēng)，以便克服上述問題或者至少部分地解決上述問題。
[0004]依據(jù)本實用新型的一個方面，提供了一種MEMS麥克風(fēng)，所述麥克風(fēng)包括外部封裝結(jié)構(gòu)、MEMS芯片和ASIC芯片，所述外部封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有聲孔，所述外部封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)置所述MEMS芯片和所述ASIC芯片，所述外部封裝結(jié)構(gòu)包括:上蓋，形成中空腔體的中間殼體和下基板，所述中間殼體的內(nèi)壁上覆有銅箱，所述銅箱表面采用電金工藝或沉金工藝處理鍍有金屬金屬保護(hù)層，所述銅箱沿所述中間殼體的上下兩面有一段距離的延伸。
[0005]可選地，所述銅箱沿所述中間殼體的上下兩面延伸距離為30-70M1。
[0006]可選地，所述聲孔設(shè)置在所述上蓋或所述下基板上。
[0007]可選地，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片之間以及所述ASIC芯片與所述外部封裝結(jié)構(gòu)之間通過金屬導(dǎo)線進(jìn)行電連接。
[0008]可選地，所述ASIC芯片和所述MEMS芯片通過植錫球的方式與所述外部封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行電連接。
[0009]綜上所述，本實用新型的技術(shù)方案，通過將MEMS麥克風(fēng)中間殼體內(nèi)側(cè)壁上的銅箱沿中間殼體的上下兩面延伸一段距離，使得刻蝕后，金屬保護(hù)層下側(cè)留有一部分銅箱，對金屬保護(hù)層有支撐拉扯作用，在后續(xù)的加工處理中，金屬保護(hù)層不會斷裂產(chǎn)生金屬毛刺，不會產(chǎn)生短路的不良后果?！靖綀D說明】
[0010]圖1為本實用新型一個實施例提供的一種MEMS麥克風(fēng)剖面圖；
[0011]圖2為本實用新型一個實施例提供的一種MEMS麥克風(fēng)的中間殼體俯視圖；
[0012]圖3為本實用新型一個實施例提供的一種MEMS麥克風(fēng)的中間殼體A’-A’剖面圖； [0〇13]圖4為現(xiàn)有技術(shù)MEMS麥克風(fēng)的中間殼體俯視圖；
[0014]圖5為現(xiàn)有技術(shù)MEMS麥克風(fēng)的中間殼體A-A剖面圖?！揪唧w實施方式】
[0015]為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本實用新型實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0016]圖1為本實用新型一個實施例提供的一種MEMS麥克風(fēng)剖面圖，圖2為本實用新型一個實施例提供的一種MEMS麥克風(fēng)的中間殼體俯視圖，圖3為本實用新型一個實施例提供的一種MEMS麥克風(fēng)的中間殼體A’ -A’剖面圖。如圖1所示，該MEMS麥克風(fēng)包括外部封裝結(jié)構(gòu)1、 MEMS芯片2和ASIC芯片3，外部封裝結(jié)構(gòu)1上設(shè)置有聲孔5，外部封裝結(jié)構(gòu)1內(nèi)部設(shè)置MEMS芯片 2和ASIC芯片3。如圖1所示，MEMS芯片2和ASIC芯片3之間以及ASIC芯片3與外部封裝結(jié)構(gòu)1之間通過金屬導(dǎo)線4進(jìn)行電連接。如圖1-3所示，該實施例中，MEMS麥克風(fēng)的外部封裝結(jié)構(gòu)1包括:上蓋11，形成中空腔體的中間殼體12和下基板13，中間殼體12的內(nèi)壁上覆有銅箱12a，銅箱12a表面采用電金工藝或沉金工藝處理，使其表面具有一層金屬保護(hù)層12b，如鎳金層等， 銅箱12a沿中間殼體12的上下兩面有一段距離的延伸(如圖1所示黑圈部分)，延伸距離為L。 通過將MEMS麥克風(fēng)中間殼體12內(nèi)側(cè)壁上的銅箱12a沿中間殼體12的上下兩面延伸一段距離，使得被刻蝕后，金屬保護(hù)層12b下側(cè)留有大部分銅箱12a，對金屬保護(hù)層12b有支撐拉扯作用，在后續(xù)的加工處理中，金屬保護(hù)層12b不會斷裂產(chǎn)生金屬毛刺，不會產(chǎn)生短路的不良后果，保證了后續(xù)加工中產(chǎn)品的質(zhì)量。[0〇17] 設(shè)計中，銅箱12a沿中間殼體12的上下兩面延伸距離L設(shè)置為30-70M1，優(yōu)選地，L設(shè)置在50mi以上，以防止金屬拉絲，產(chǎn)生短路的不良后果。[〇〇18]圖1中，MEMS麥克風(fēng)外部封裝結(jié)構(gòu)1上的聲孔5設(shè)置在上蓋11上，當(dāng)然，在其他結(jié)構(gòu)設(shè)計中，該聲孔5也可以設(shè)置下基板上13上，具體根據(jù)麥克風(fēng)內(nèi)芯片結(jié)構(gòu)靈活調(diào)整，以適應(yīng)不同結(jié)構(gòu)對傳聲聲腔的需求。
[0019]此外，ASIC芯片3和MEMS芯片2也可以通過植錫球的方式與外部封裝結(jié)構(gòu)1進(jìn)行電連接。
[0020]綜上所述，本實用新型的技術(shù)方案，通過將MEMS麥克風(fēng)中間殼體內(nèi)側(cè)壁上的銅箱沿中間殼體的上下兩面延伸一段距離，使得刻蝕后，金屬保護(hù)層下側(cè)留有大部分銅箱，對金屬保護(hù)層有支撐拉扯作用，在后續(xù)的加工處理中，金屬保護(hù)層不會斷裂產(chǎn)生金屬毛刺，不會產(chǎn)生短路的不良后果。
[0021]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并非用于限定本實用新型的保護(hù)范圍。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均包含在本實用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種MEMS麥克風(fēng)，所述麥克風(fēng)包括外部封裝結(jié)構(gòu)、MEMS芯片和ASIC芯片，所述外部封 裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有聲孔，所述外部封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)置所述MEMS芯片和所述ASIC芯片，所述外 部封裝結(jié)構(gòu)包括:上蓋，形成中空腔體的中間殼體和下基板，所述中間殼體的內(nèi)壁上覆有銅 箱，所述銅箱表面采用電金工藝或沉金工藝處理鍍有金屬保護(hù)層，其特征在于，所述銅箱沿所述中間殼體的上下兩面有一段距離的延伸。2.如權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述銅箱沿所述中間殼體的上下兩面 延伸距離為30-70iim。3.如權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述聲孔設(shè)置在所述上蓋或所述下基 板上。4.如權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片之間以 及所述ASIC芯片與所述外部封裝結(jié)構(gòu)之間通過金屬導(dǎo)線進(jìn)行電連接。5.如權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述ASIC芯片和所述MEMS芯片通過植 錫球的方式與所述外部封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行電連接。
【文檔編號】H04R19/04GK205596342SQ201521081989
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2015年12月22日
【發(fā)明人】張慶斌, 王順, 王會軍, 劉詩婧
【申請人】歌爾股份有限公司