專利名稱：壓電振動(dòng)裝置及其制造方法、陶瓷封裝體及實(shí)時(shí)時(shí)鐘的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及壓電振動(dòng)裝置、其制造方法、陶瓷封裝體以及實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
現(xiàn)有技術(shù)陶瓷封裝型水晶振蕩器一般通過在形成于陶瓷封裝體的凹部?jī)?nèi)實(shí)裝IC芯片和水晶振子形成。具有收容這種實(shí)裝部件的凹部構(gòu)造的陶瓷封裝體，通常用于實(shí)裝AT截割振動(dòng)片的裝置，根據(jù)部件個(gè)數(shù)以3～5層層疊構(gòu)造被構(gòu)成。
然而，在裝備音叉型壓電振動(dòng)片的裝置中，由于有必要在真空中收容振動(dòng)片，因而采用在通常使內(nèi)部呈真空狀態(tài)的圓筒內(nèi)部固定了振動(dòng)片的筒型振子。這樣，作為與驅(qū)動(dòng)該振子的IC芯片一同，將整體用樹脂模塑后的壓電振動(dòng)裝置被構(gòu)成。它如圖6所示。即在呈真空狀態(tài)后的圓筒1內(nèi)實(shí)裝收容音叉型振動(dòng)片2，對(duì)其按與IC芯片3鄰接的原則配設(shè)，在從外側(cè)部將電極端子5引出的狀態(tài)下，用樹脂模塑材料4將整體包圍成型，制造成一個(gè)封裝體。
作為與本申請(qǐng)發(fā)明相關(guān)的現(xiàn)有的技術(shù)文獻(xiàn)，列舉出專利文獻(xiàn)1。
(專利文獻(xiàn)1)實(shí)開昭54-35870號(hào)公報(bào)不過，比如，如果要使裝備音叉型壓電振動(dòng)片的音叉型振動(dòng)裝置小型化，不能低于圓筒容器的厚度，此外，如果與IC芯片并列設(shè)置，由于圓筒尺寸的關(guān)系，平面上的面積仍然較大。因此與AT截割振子的場(chǎng)合同樣，如果在形成于陶瓷封裝體的中央的凹部與IC芯片一同實(shí)裝音叉型振動(dòng)片，將發(fā)生以下問題。
即，如果在陶瓷封裝體內(nèi)將音叉型振動(dòng)片與IC芯片作為一體真空密封，被封閉在封裝體內(nèi)的氣體將流入實(shí)裝了振動(dòng)片的真空腔內(nèi)，真空度將降低。這樣一來，音叉型振動(dòng)片的特性將惡化。
此外，由于在音叉型振動(dòng)片與IC芯片實(shí)裝后進(jìn)行真空密封，所以如果音叉型振動(dòng)片不良，良好的IC芯片也將被廢棄。這是因?yàn)樵谝舨嫘驼駝?dòng)片實(shí)裝之后真空密封之前，不實(shí)施音叉型振動(dòng)片自身的良否判定。此外，還有一個(gè)由于IC芯片的影響，不能實(shí)施音叉型振動(dòng)片的CI值等測(cè)定的問題。
此外，為進(jìn)行后續(xù)的頻率調(diào)整，如果采用透明玻璃作蓋片，由于透明玻璃的原因，有必要按照使IC芯片表面不受光照的原則進(jìn)行遮光處理。
此外，由于在IC芯片表面?zhèn)刃纬煽臻g，因而散熱性惡化，只有IC芯片背面發(fā)揮散熱作用，因而散熱效果下降，這也是一個(gè)問題。另外，從IC芯片背面，向?yàn)闈M足小型薄型化要求而具有位置靠近關(guān)系的壓電振動(dòng)片實(shí)裝部傳導(dǎo)的熱量較多。
另外，在低融點(diǎn)玻璃密封中，由于IC芯片的溫度達(dá)到比如350口以上，因而IC芯片的鋁PAD與Au球的接觸可靠性可能下降。因此，在采用Au線的場(chǎng)合下，要求在盡可能短的時(shí)間內(nèi)而且在低溫下進(jìn)行低融點(diǎn)玻璃密封。在高溫或長(zhǎng)時(shí)間的低融點(diǎn)玻璃密封的場(chǎng)合下，采用鋁線焊接。
本發(fā)明考慮到了上述現(xiàn)有的問題點(diǎn)，其目的是提供在尤其采用了音叉型振動(dòng)片的裝置的場(chǎng)合下，不降低振動(dòng)片實(shí)裝部的真空度，具有優(yōu)異的頻率精度及時(shí)效特性的壓電振動(dòng)裝置、其制造方法、陶瓷封裝體以及實(shí)時(shí)時(shí)鐘。此外，另一個(gè)目的是可只在振動(dòng)片實(shí)裝后的良品上實(shí)裝IC芯片，提高加工成品率。還有一個(gè)目的是提高散熱效果，不使振子特性劣化。

發(fā)明內(nèi)容
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明涉及的壓電振動(dòng)裝置的制造方法的特征在于在IC芯片實(shí)裝前，在形成于封裝體的專用凹部?jī)?nèi)實(shí)裝壓電振動(dòng)片，在使該凹部與外部氣氛連通狀態(tài)下在凹部開口處實(shí)裝蓋片后，在真空下遮斷外部聯(lián)系，使該振動(dòng)片實(shí)裝凹部密閉，在上述壓電振動(dòng)片的適當(dāng)性判別處理后，實(shí)裝IC芯片。
此外本發(fā)明可采用以下構(gòu)成，在形成于封裝體的第1凹部?jī)?nèi)實(shí)裝壓電振動(dòng)片，同時(shí)在使上述第1凹部與外部氣氛連通狀態(tài)下安裝蓋片后，使被設(shè)置在上述第1凹部的至外部氣氛的連通在真空下遮蔽密閉，在上述壓電振動(dòng)片的適當(dāng)性判別處理后，在形成于封裝體的第2凹部?jī)?nèi)實(shí)裝驅(qū)動(dòng)用IC芯片。此外，上述壓電振動(dòng)片可以是音叉型振動(dòng)片。
上述蓋片可以是玻璃。
另外，如果利用金基材料將通向上述外部氣氛的連通孔封埋遮蔽，使之可以通過上述壓電振動(dòng)片的頻率調(diào)整捕捉飛散材料則更好。
本發(fā)明可構(gòu)成為經(jīng)過下列工序制造在單面上形成了凹部的封裝體實(shí)裝了壓電振動(dòng)片后，在使凹部與外部連通的狀態(tài)下，在開口處實(shí)裝蓋片封閉凹部，在真空下將外部連通孔封閉，實(shí)施上述壓電振動(dòng)片的特性檢查，其后，在另外形成的不同于上述凹部的凹部?jī)?nèi)實(shí)裝壓電振動(dòng)片驅(qū)動(dòng)用IC芯片，在將該IC芯片用樹脂封閉之前或用樹脂封閉之后，實(shí)施產(chǎn)品特性檢查。
本發(fā)明涉及的壓電振動(dòng)裝置的特征是，在封裝體本體形成各自單獨(dú)形成的壓電振動(dòng)片實(shí)裝用凹部和驅(qū)動(dòng)用IC芯片實(shí)裝用凹部，在上述壓電振動(dòng)片實(shí)裝用凹部形成用于真空下的后期封埋的外部連通孔，在各凹部?jī)?nèi)單獨(dú)實(shí)裝壓電振動(dòng)片和驅(qū)動(dòng)用IC芯片。
上述振動(dòng)片實(shí)裝用凹部的開口部和IC芯片實(shí)裝用凹部的開口部可以在封裝體的正反面上被單獨(dú)形成，上述封裝體本體通過將形成了壓電振動(dòng)片實(shí)裝用空間的板片和形成了振動(dòng)片驅(qū)動(dòng)用IC芯片實(shí)裝用空間的板片層疊而形成，在兩個(gè)板片上形成實(shí)裝用凹部。
或者，可構(gòu)成為上述封裝體本體由形成了壓電振動(dòng)片實(shí)裝用凹部和振動(dòng)片驅(qū)動(dòng)用IC芯片實(shí)裝用貫通空間的板片和在該板片上被層疊、堵塞上述壓電振動(dòng)片實(shí)裝用凹部的開口形成上述壓電振動(dòng)片收容用密閉空間的蓋片組成，由堵塞該實(shí)裝凹部的開口的蓋片堵塞上述振動(dòng)片驅(qū)動(dòng)用IC芯片實(shí)裝用空間的一方，以此形成IC芯片實(shí)裝用凹部，在上述蓋片內(nèi)面實(shí)裝IC芯片。
此外，上述外部聯(lián)系通孔可以在緊靠上述壓電振動(dòng)片的頻率調(diào)整部位的下方被形成。
本發(fā)明涉及的陶瓷封裝體是一種壓電振動(dòng)裝置用的陶瓷封裝體，其特征是，具有在封裝體本體的正反面各自獨(dú)立形成的凹部，在一方的凹部?jī)?nèi)，與被由蓋片密閉的開口同時(shí)形成真空下的后期封埋用的外部聯(lián)系通孔。
此外本發(fā)明涉及的實(shí)時(shí)時(shí)鐘的特征在于配有在封裝體本體形成各自單獨(dú)形成的音叉型振動(dòng)片實(shí)裝用凹部和驅(qū)動(dòng)用IC芯片實(shí)裝用凹部，在上述音叉型振動(dòng)片實(shí)裝用凹部?jī)?nèi)實(shí)裝振動(dòng)片，然后將開口部封閉的玻璃蓋片，具有在上述音叉型振動(dòng)片實(shí)裝用凹部?jī)?nèi)預(yù)先形成、在真空下埋入遮蔽的后期封埋用的外部連通孔，搭載有實(shí)裝了在其它凹部?jī)?nèi)被單獨(dú)實(shí)裝的音叉型振動(dòng)片驅(qū)動(dòng)用IC芯片的壓電振動(dòng)裝置。


圖1是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的壓電振動(dòng)裝置的制造工序圖。
圖2是表示本發(fā)明涉及的壓電振動(dòng)裝置的第1實(shí)施方式，(1)是斷面圖，(2)是平面圖，(3)是底面圖。
圖3是表示本發(fā)明涉及的壓電振動(dòng)裝置的第2實(shí)施方式，(1)是斷面圖，(2)是平面圖，(3)是底面圖。
圖4是本發(fā)明涉及的壓電振動(dòng)裝置的第3實(shí)施方式斷面圖。
圖5是相同實(shí)時(shí)時(shí)鐘的電路構(gòu)成圖。
圖6是現(xiàn)有音叉型壓電振動(dòng)裝置的斷面圖。
符號(hào)說明10壓電振動(dòng)裝置12封裝體本體14音叉型振動(dòng)片16第1凹部18IC芯片20第2凹部22通孔24蓋片26密封材料28模塑樹脂30外部電極實(shí)施方式以下參照附圖，對(duì)本發(fā)明涉及的壓電振動(dòng)裝置制造方法、壓電振動(dòng)裝置和陶瓷封裝體、以及實(shí)時(shí)時(shí)鐘的具體實(shí)施方式
作以詳細(xì)說明。
首先，本發(fā)明的第1實(shí)施方式涉及的壓電振動(dòng)裝置如圖2所示，同圖(1)是裝置的斷面圖，同圖(2)是蓋片側(cè)平面圖，同圖(3)表示底面圖。如上述附圖所示，第1實(shí)施方式涉及的壓電振動(dòng)裝置10，具有將在陶瓷絕緣基片上形成的3層板片層疊而成的封裝體本體12，設(shè)有在其各前后面的左右位置錯(cuò)開形成的音叉型振動(dòng)片14的實(shí)裝用第1凹部16、配有振蕩電路的IC芯片18的實(shí)裝用第2凹部20。由于形成了上述凹部16、20，因而封裝體本體12通過將形成了壓電振動(dòng)片實(shí)裝用空間的第1板片12a、形成了振動(dòng)片驅(qū)動(dòng)用IC芯片實(shí)裝用空間的第2板片12b層疊的同時(shí)，將在第2板片12b側(cè)形成樹脂模塑空間的第3板片12c層疊而形成。通過該層疊構(gòu)造，在封裝體本體12的兩面各自形成實(shí)裝用凹部16、20。
在上述封裝體本體12上，如后所述，在IC芯片18實(shí)裝前，在形成于該封裝體本體12內(nèi)的專用第1凹部16內(nèi)實(shí)裝音叉型振動(dòng)片14，在保持通過通孔22使該第1凹部16與外部氣氛連通的狀態(tài)下，按照覆蓋第1凹部16開口的原則實(shí)裝蓋片24后，通過由Au-Sn合金或Au-Ge合金等組成的密封材料26后期埋置在真空下密封遮斷用于與外部聯(lián)系的通孔22，使該振動(dòng)片實(shí)裝用第1凹部16真空密閉。這樣，在上述音叉型振動(dòng)片14的適當(dāng)性判別處理后，把IC芯片18實(shí)裝到第2凹部20上，在第2凹部20內(nèi)充填模塑樹脂28。
蓋片24由在封裝體本體12的整個(gè)上面被層疊粘接的玻璃組成，如圖2(2)所示，邊角部分按照無棱角的原則被全部倒角，以防止裂紋。音叉型振動(dòng)片14由于是較小的小片，因而被實(shí)裝在形成于橫向較長(zhǎng)的封裝體本體12的單側(cè)上的第1凹部16的內(nèi)部，玻璃蓋片24按照在與大于第1凹部16的面積的封裝體本體12的結(jié)合面部分上被層疊粘接的原則形成。這樣，即使在蓋片24中采用極薄的玻璃也可防止產(chǎn)生裂紋。另一方面，在封裝體本體12的對(duì)面?zhèn)缺恍纬傻牡?凹部20上，雖然實(shí)裝IC芯片18，但在實(shí)裝IC芯片18后，實(shí)施絲焊。在第2板片12b上，通過W(鎢)或Mo(鉬)等金屬形成金屬層，形成鍍有Ni+Au的輸入輸出用電極(圖中未示出)，該電極與上述IC芯片18的絲焊焊磐通過Au焊絲29被實(shí)施電連接。
此外，在上述裝置10中，在封裝體本體12的側(cè)緣部分設(shè)有通過通孔形成的外部端子30。這尤其指從在第2板片12b上形成的電路引出的端子，通過該外部端子實(shí)施各種信號(hào)的輸入輸出。
以下參照?qǐng)D1，對(duì)制造這種壓電振動(dòng)裝置10的工序作以說明。首先在陶瓷封裝體本體12中形成的第1凹部16的內(nèi)部利用銀膏實(shí)裝音叉型振動(dòng)片14后，使其干燥(同圖(1))。在粘接部干燥后，把由玻璃組成的蓋片24層疊到封裝體本體12的表面上，按照封閉第1凹部14的開口的原則進(jìn)行覆蓋(同圖(2))。在實(shí)裝該蓋片24時(shí)，粘接溫度為320口左右，通過該加熱處理，雖有氣體從封裝體本體12和粘接劑內(nèi)逸出，但由于第1凹部16內(nèi)通過通孔22與外部連通，因而逸出的氣體將排向外部。這樣，氣體便不會(huì)滯留在第1凹部16內(nèi)，可防止對(duì)音叉型振動(dòng)片14的氣體附著而引起的特性變化。
在該蓋片24實(shí)裝后，預(yù)先對(duì)封裝體本體12加熱處理，使內(nèi)部含有的水分等散發(fā)，然后，將封裝體本體12置于真空下，如圖1(3)所示，把由Au-Ge球構(gòu)成的孔密封材料26安裝到通孔22內(nèi)，通過激光照射遮蔽密封。這樣，可在安裝音叉型振動(dòng)片14的第1凹部16內(nèi)保持真空。在將該音叉型振動(dòng)片14實(shí)裝并完全密封后，進(jìn)行振動(dòng)片的特性檢查(同圖(4))，實(shí)施振動(dòng)片是否處于頻率可調(diào)整范圍內(nèi)的適當(dāng)性判別處理，判定振動(dòng)片是良品，還是不良品。通過該處理，在IC芯片18實(shí)裝前剔除廢品，可防止對(duì)IC芯片18的無謂的廢棄處理。
只有實(shí)裝了通過特性檢查判定為適當(dāng)?shù)囊舨嫘驼駝?dòng)片14的封裝體本體12才能進(jìn)入下一工序，把封裝體本體12翻轉(zhuǎn)過來，在第2凹部20的內(nèi)部利用銀膏使IC芯片18密接附著，進(jìn)行粘接固定，在規(guī)定溫度下干燥后，利用Au線進(jìn)行絲焊，固定實(shí)裝(圖1(6))。
然后，在IC實(shí)裝空間內(nèi)澆注環(huán)氧樹脂等模塑樹脂28(同圖(7))，結(jié)束干燥固化下的樹脂密封(同圖(8))。對(duì)結(jié)束該樹脂密封后的產(chǎn)品進(jìn)行頻率調(diào)整(同圖(9))。其方法是，探測(cè)利用IC芯片18驅(qū)動(dòng)音叉型振動(dòng)片14所得到的輸出頻率，通過玻璃蓋片24照射激光，從音叉上除去相當(dāng)于頻率調(diào)整部分的配重。此時(shí)，最好把通往上述外部氣氛的連通孔22配置到緊靠除去區(qū)域的下方，與埋入的Au-Ge球等金基材料的表面相對(duì)，在此捕捉由于上述音叉型振動(dòng)片14的頻率調(diào)整而飛散的金屬制配重材料。在產(chǎn)品狀態(tài)實(shí)施上述頻率調(diào)整后，打上標(biāo)記便成為成品(同圖(10))。
根據(jù)有關(guān)上述構(gòu)成下的壓電振動(dòng)裝置10及其制造方法的實(shí)施方式，在陶瓷封裝體本體12中，實(shí)施音叉型振動(dòng)片14的實(shí)裝的第1凹部16的開口部被設(shè)置在封裝體表面的橫向位置上，此外，用于真空密封的與外部貫通的連通孔22被設(shè)置在開口部上。這樣，由于用于實(shí)施IC芯片18的實(shí)裝的第2凹部20的開口部被設(shè)置在封裝體本體12中的背面的音叉型振動(dòng)片實(shí)裝部的的橫向上，因而實(shí)裝厚度極薄，同時(shí)體積也可以較小，因而可實(shí)現(xiàn)小容積小面積的壓電振動(dòng)裝置。通過在壓電振動(dòng)片的振動(dòng)腕部設(shè)置溝槽和長(zhǎng)孔，形成激勵(lì)電極，可構(gòu)成極有效率的壓電振動(dòng)片。通過采用這種壓電振動(dòng)片，平面實(shí)裝面積也可以極小。
振動(dòng)片的實(shí)裝結(jié)構(gòu)的構(gòu)造是，用Ag膏(硅系列)粘接音叉，此外，開口部上的蓋片由透明玻璃片形成，縮小空間接合面積，避免破損的危險(xiǎn)性。此外，雖然用低融點(diǎn)玻璃粘接封裝體與玻璃，但由粘合劑發(fā)生的氣體的影響極小波及到振動(dòng)片14上。同時(shí)使真空度下降的影響也較小。由于蓋片24的尺寸幾乎可覆蓋整個(gè)封裝體本體12，固體接合面積大于第1凹部16的覆蓋面積，因而強(qiáng)度較高。
尤其在本實(shí)施方式下，由于用于使振動(dòng)片實(shí)裝內(nèi)部達(dá)到真空的密封是在真空中通過使Au-Sn及Au-Ge球等密封材料26在激光下溶化密封，因而把由振動(dòng)片14的粘接劑及玻璃蓋片24的粘接劑產(chǎn)生的氣體向外部放出后可進(jìn)行真空處理。因此，對(duì)振動(dòng)片14的氣體附著所引起的劣化的防止效果較高。
此外，由于在IC芯片18實(shí)裝前進(jìn)行振動(dòng)片14的特性檢查，因而可在此探測(cè)出不良的水晶振動(dòng)片，在搭載IC芯片18后，沒有必要對(duì)振動(dòng)片14及IC芯片18等進(jìn)行無謂的廢棄處理。有關(guān)IC芯片18的實(shí)裝，IC芯片18可利用Au線線焊、Al線側(cè)邊焊及FCB等，具有不選擇IC實(shí)裝方法的優(yōu)點(diǎn)。此外，由于用樹脂進(jìn)行IC芯片18的密封，因而光遮蔽較可靠，此外，通過玻璃蓋片24由激光消除音叉前端的配重可容易地進(jìn)行頻率調(diào)整。由于該頻率調(diào)整可在產(chǎn)品裝配后在監(jiān)視振蕩頻率的同時(shí)實(shí)施，因而可實(shí)現(xiàn)具有與IC電容偏差無關(guān)的高精度振蕩頻率的產(chǎn)品。此外，由于幾乎沒有來自頻率調(diào)整加工的熱及沖擊的影響，因而可以把頻率變化抑制到可以忽略的程度。
圖3表示第2實(shí)施方式涉及的壓電振動(dòng)裝置。該第2實(shí)施方式與圖2所示的第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)是，IC芯片18的實(shí)裝面處于蓋片24的內(nèi)面。其它構(gòu)成與第1實(shí)施方式相同。
此外，圖4表示第3實(shí)施方式涉及的裝置，它的第1凹部16的開孔部分由玻璃蓋片24覆蓋，第2凹部20的底部不利用蓋片24，而通過陶瓷板片12d形成，按與玻璃蓋片24處于同一平面上的原則設(shè)定。
利用上述第2、第3實(shí)施方式涉及的裝置也可以得到與第1實(shí)施方式相同的作用效果。尤其是在上述第2、第3實(shí)施方式的場(chǎng)合下，其可制成薄型結(jié)構(gòu)的效果具有更大的優(yōu)點(diǎn)。
此外，可以搭載上述壓電振動(dòng)裝置，構(gòu)成實(shí)時(shí)時(shí)鐘。電路構(gòu)成如圖5所示。在實(shí)時(shí)時(shí)鐘場(chǎng)合下，如從圖2(3)、圖3(3)及圖5可理解的那樣，它與一般的振蕩器不同，外部連接端子較多。通過把這種裝置作為實(shí)時(shí)時(shí)鐘32使用，可以實(shí)現(xiàn)小型薄體結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)盡管是小型薄體結(jié)構(gòu)，但也是可以設(shè)置多個(gè)外部端子的構(gòu)造。因此，雖然發(fā)明的實(shí)施方式通過實(shí)時(shí)時(shí)鐘作說明，但本申請(qǐng)也適用于多輸出壓電振動(dòng)裝置及各種高功能壓電振動(dòng)裝置。
此外，在上述實(shí)施方式下，雖然用音叉型振動(dòng)片作為壓電振動(dòng)片示例進(jìn)行說明，但也可以采用AT截割振動(dòng)片。在該場(chǎng)合下，第1凹部16內(nèi)雖沒有必要成為真空，但可以采用在抽成真空后，利用通口22把氮?dú)夥馊肜锩娴慕Y(jié)構(gòu)。此外，蓋片24也可以不是玻璃，而采用金屬蓋片。
此外，在上述實(shí)施方式下，雖然用音叉型振動(dòng)片作為壓電振動(dòng)片示例進(jìn)行說明，但對(duì)于具有需要真空氣氛下的振動(dòng)的支腕的壓電振動(dòng)片也是十分適用的。
發(fā)明效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以獲得不能產(chǎn)生振動(dòng)片實(shí)裝部的真空度下降及振動(dòng)片特性劣化，頻率精度及時(shí)效特性優(yōu)異的壓電振動(dòng)裝置、其制造方法、陶瓷封裝體、以及實(shí)時(shí)時(shí)鐘。此外，可以只在振動(dòng)片實(shí)裝后的良品上實(shí)裝IC芯片，因而還可以提高加工成品率，提高散熱效果，使振子精度不劣化。
權(quán)利要求
1.一種壓電振動(dòng)裝置制造方法，其特征在于在IC芯片實(shí)裝前，在形成于封裝體的專用凹部?jī)?nèi)實(shí)裝壓電振動(dòng)片，在使該凹部與外部氣氛連通狀態(tài)下在凹部開口處實(shí)裝蓋片后，在真空下遮斷外部聯(lián)系，使該振動(dòng)片實(shí)裝凹部密閉，在上述壓電振動(dòng)片的適當(dāng)性判別處理后，實(shí)裝IC芯片。
2.一種壓電振動(dòng)裝置制造方法，其特征在于在形成于封裝體的第1凹部?jī)?nèi)實(shí)裝壓電振動(dòng)片，同時(shí)在使上述第1凹部與外部氣氛連通狀態(tài)下安裝蓋片后，使被設(shè)置在上述第1凹部的至外部氣氛的連通在真空下遮蔽密閉，在上述壓電振動(dòng)片的適當(dāng)性判別處理后，在形成于封裝體的第2凹部?jī)?nèi)實(shí)裝驅(qū)動(dòng)用IC芯片。
3.權(quán)利要求1或2中記載的壓電振動(dòng)裝置制造方法，其特征在于上述壓電振動(dòng)片是音叉型振動(dòng)片。
4.權(quán)利要求1至3之一中記載的壓電振動(dòng)裝置制造方法，其特征在于上述蓋片是玻璃。
5.權(quán)利要求1至4之一中記載的壓電振動(dòng)裝置制造方法，其特征在于利用金基材料將通向上述外部氣氛的連通孔封埋遮蔽，使之可以通過上述壓電振動(dòng)片的頻率調(diào)整捕捉飛散材料。
6.一種壓電振動(dòng)裝置制造方法，其特征在于經(jīng)過下列工序進(jìn)行制造在單面上形成了凹部的封裝體實(shí)裝了壓電振動(dòng)片后，在使凹部與外部連通的狀態(tài)下，在開口處實(shí)裝蓋片封閉凹部，在真空下將外部連通孔封閉，實(shí)施上述壓電振動(dòng)片的特性檢查，其后，在另外形成的不同于上述凹部的凹部?jī)?nèi)實(shí)裝壓電振動(dòng)片驅(qū)動(dòng)用IC芯片，在將該IC芯片用樹脂封閉之前或用樹脂封閉之后，實(shí)施產(chǎn)品特性檢查。
7.一種壓電振動(dòng)裝置，其特征在于在封裝體本體形成各自單獨(dú)形成的壓電振動(dòng)片實(shí)裝用凹部和驅(qū)動(dòng)用IC芯片實(shí)裝用凹部，在上述壓電振動(dòng)片實(shí)裝用凹部形成用于真空下的后期封埋的外部連通孔，在各凹部?jī)?nèi)單獨(dú)實(shí)裝壓電振動(dòng)片和驅(qū)動(dòng)用IC芯片。
8.權(quán)利要求7中記載的壓電振動(dòng)裝置，其特征在于上述振動(dòng)片實(shí)裝用凹部的開口部和IC芯片實(shí)裝用凹部的開口部在封裝體的正反面上被單獨(dú)形成。
9.權(quán)利要求8中記載的壓電振動(dòng)裝置，其特征在于上述封裝體本體通過將形成了壓電振動(dòng)片實(shí)裝用空間的板片和形成了振動(dòng)片驅(qū)動(dòng)用IC芯片實(shí)裝用空間的板片層疊而形成，在兩個(gè)板片上形成實(shí)裝用凹部。
10.權(quán)利要求8中記載的壓電振動(dòng)裝置，其特征在于上述封裝體本體由形成了壓電振動(dòng)片實(shí)裝用凹部和振動(dòng)片驅(qū)動(dòng)用IC芯片實(shí)裝用貫通空間的板片和在該板片上被層疊、堵塞上述壓電振動(dòng)片實(shí)裝用凹部的開口形成上述壓電振動(dòng)片收容用密閉空間的蓋片組成，由堵塞該實(shí)裝凹部的開口的蓋片堵塞上述振動(dòng)片驅(qū)動(dòng)用IC芯片實(shí)裝用空間的一方，以此形成IC芯片實(shí)裝用凹部，在上述蓋片內(nèi)面實(shí)裝IC芯片。
11.權(quán)利要求8中記載的壓電振動(dòng)裝置，其特征在于上述外部聯(lián)系通孔在緊靠上述壓電振動(dòng)片的頻率調(diào)整部位的下方被形成。
12.一種壓電振動(dòng)裝置用陶瓷封裝體，其特征在于具有在封裝體本體的正反面各自獨(dú)立形成的凹部，在一方的凹部?jī)?nèi)，形成由蓋片密閉的開口和在真空下后期封埋用的外部聯(lián)系通孔。
13.一種實(shí)時(shí)時(shí)鐘，其特征在于配有在封裝體本體形成各自單獨(dú)形成的音叉型振動(dòng)片實(shí)裝用凹部和驅(qū)動(dòng)用IC芯片實(shí)裝用凹部，在上述音叉型振動(dòng)片實(shí)裝用凹部?jī)?nèi)實(shí)裝振動(dòng)片，然后將開口部封閉的玻璃蓋片，具有在上述音叉型振動(dòng)片實(shí)裝用凹部?jī)?nèi)預(yù)先形成、在真空下埋入遮蔽的后期封埋用的外部連通孔，搭載有實(shí)裝了在其它凹部?jī)?nèi)被單獨(dú)實(shí)裝的音叉型振動(dòng)片驅(qū)動(dòng)用IC芯片的壓電振動(dòng)裝置。
全文摘要
在IC芯片實(shí)裝前，在形成于封裝體的專用凹部?jī)?nèi)實(shí)裝壓電振動(dòng)片，在使該凹部與外部氣氛連通的狀態(tài)下在凹部開口處實(shí)裝蓋片后，在真空下遮斷外部聯(lián)系，使該振動(dòng)片實(shí)裝凹部密閉，在上述壓電振動(dòng)片的適當(dāng)性判別處理后，實(shí)裝IC芯片。上述壓電振動(dòng)片設(shè)為音叉型振動(dòng)片，上述蓋片可以由玻璃構(gòu)成。此外可以利用金基材料將通向上述外部氣氛的連通孔封埋遮蔽，使之可捕捉由于上述壓電振動(dòng)片的頻率調(diào)整而飛散的材料。由此獲得不降低振動(dòng)片實(shí)裝部的真空度，具有優(yōu)異的頻率精度及時(shí)效特性的壓電振動(dòng)裝置。
文檔編號(hào)B06B1/06GK1415431SQ0214813
公開日2003年5月7日 申請(qǐng)日期2002年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月31日
發(fā)明者下平和彥 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社