專利名稱：制造布線電路板的方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及制造布線電路板的方法，尤其是，涉及制造用于電氣器件和電子器件的布線電路板的方法。
現(xiàn)有技術(shù)描述通常，布線電路板，像柔性布線電路板，廣泛地用于各種電氣器件和電子器件，其通過例如在銅箔等導(dǎo)電層的一側(cè)或兩側(cè)上層壓聚酰亞胺樹脂等而形成。
然而，當(dāng)元件安裝在這個布線電路板上時，元件有時被安裝過程中產(chǎn)生的靜電損壞。
為了解決這一靜電損壞問題，例如，日本特開(未審)專利公開平8(1996)-153940提出了一種方法，依據(jù)此法，通過氣相淀積、濺射或無電極電鍍在絕緣層上形成一金屬層，以靜電接地方式達(dá)到釋放靜電或減少靜電的目的。
該方法具有使絕緣層表面上形成的金屬層能顯著減小表面電阻值以保護(hù)元件防靜電損壞的優(yōu)點(diǎn)，同時另一方面，它具有因表面電阻值的顯著減小通?？赡芤鹌骷牟僮麇e誤的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明的目的是提供一種可以有效地防止安裝在布線電路板上的元件的靜電損壞，同時防止器件的操作錯誤的布線電路板的制造方法。
本發(fā)明提供了一種制造布線電路板的新方法，其包括制備一包含導(dǎo)電層和鄰接導(dǎo)電層設(shè)置一絕緣層的布線電路板的步驟，在絕緣層表面上形成一薄金屬膜的步驟，以及在薄金屬膜的表面上形成一金屬氧化物層的步驟。
在這一方法中，在絕緣層表面上形成薄金屬膜的步驟中，通過濺射形成薄金屬膜是優(yōu)選的。
在這一方法中，在薄金屬膜的表面上形成金屬氧化物層的步驟中，通過加熱氧化薄金屬膜表面形成金屬氧化物層是優(yōu)選的。
在這一方法中，在薄金屬膜的表面上形成金屬氧化物層的步驟中，通過濺射形成金屬氧化物層也是優(yōu)選的。
同樣地，本發(fā)明包括一種制造布線電路板的方法，包括制備一包含導(dǎo)電層、與導(dǎo)電層鄰接的絕緣層、以及通過剖開絕緣層暴露出的導(dǎo)電層而形成端接部分的布線電路板的步驟，在絕緣層表面和端接部分表面上形成薄金屬膜的步驟，在薄金屬膜的表面上形成金屬氧化物層的步驟，以及去除形成在端接部分表面上的薄金屬層和金屬氧化物層的步驟。
在這一方法中，在絕緣層表面上及端接部分表面上形成薄金屬膜的步驟中，通過濺射形成薄金屬膜是優(yōu)選的。
在這一方法中，在薄金屬膜的表面上形成金屬氧化物層的步驟中，通過加熱氧化金屬氧化物層表面形成金屬氧化物層是優(yōu)選的。
在這一方法中，在薄金屬膜的表面上形成金屬氧化物層的步驟中，通過濺射形成金屬氧化物層也是優(yōu)選的。
由于包括薄金屬膜和金屬氧化物層的半導(dǎo)體層形成在絕緣層表面上，按照本發(fā)明制造布線電路板的方法，可以有效地防止安裝在布線電路板上的元件的靜電損壞。此外，與只形成薄金屬膜的情況不同是，可以防止表面電阻值的過度減少以及相應(yīng)地也可以有效地防止器件的操作錯誤。
進(jìn)而，與通過反應(yīng)性濺射或使用金屬氧化物靶濺射而在在絕緣層表面上直接形成金屬氧化物層的構(gòu)造相比，能形成具有落入一個更好的范圍的均勻表面電阻值的半導(dǎo)體層。
附圖簡述在圖中作為本發(fā)明的一種制造布線電路板的方法的實施例，

圖1以截面示出了帶有電路的懸掛板的制造過程(a)示出了制備帶有電路的懸掛板的步驟；(b)示出了在絕緣覆蓋層的整個表面及帶有電路的懸掛板的端接部分的整個表面上形成薄金屬膜的步驟；(c)示出了在薄金屬膜前面的整個區(qū)域上形成金屬氧化物層的步驟；(d)示出了去除端接部分中及其相鄰部分形成的薄金屬膜和金屬氧化物層的步驟；以及(e)示出了端接部分中形成焊盤部分的步驟，
圖2是圖1所示的帶有電路的懸掛板的端接部分的平面圖，圖3是本發(fā)明實施例中示出的濺射裝置結(jié)構(gòu)的示意圖，以及作為本發(fā)明的制造布線電路板的方法的實施例，圖4以截面示出了柔性布線電路板的制造過程(a)示出了制備柔性布線電路板的步驟；(b)示出了在絕緣基層的表面及柔性布線電路板的絕緣覆蓋層的表面上形成薄金屬膜的步驟；(c)示出了在薄金屬膜的整個表面上形成金屬氧化物層的步驟；(d)示出了去除端接部分中及其相鄰部分形成的薄金屬膜和金屬氧化物層的步驟；以及(e)示出了端接部分中形成焊盤部分的步驟。
優(yōu)選實施例的詳細(xì)描述在按照本發(fā)明布線電路板的制造方法中，首先，制備一布線電路板。制備好的布線電路板可以是任何已知形式，像單面柔性布線電路板，雙面柔性布線電路板，多層柔性布線電路板，以及帶有電路的懸掛板，在形式上沒有任何特殊限定，只要它在其最外面有一絕緣層及鄰接絕緣層設(shè)置的一導(dǎo)電層就可以。在布線電路板中，導(dǎo)電層有一通過公知構(gòu)圖工藝如去雜工藝，加添工藝，或半加添工藝而形成的預(yù)定布線電路圖形。
通常，這個布線電路板有一與外部電路或電子元件電連接的端接部分。通過公知工藝，如，通過蝕刻，構(gòu)圖，或穿孔剖開在最外層形成的絕緣層的規(guī)定區(qū)域，從形成的開口部暴露出導(dǎo)電層而以導(dǎo)電層形式形成端接部分。
作為本發(fā)明的制造布線電路板的方法的實施例，參照圖1，圖1以截面示出了帶有電路的懸掛板的制造過程，下面將描述制造帶有電路的懸掛板的方法。
在這一方法中，首先，如圖1(a)所示，制備一帶有電路的懸掛板。
帶有電路1的懸掛板包括一金屬支撐層2，一形成在金屬支撐層2上的絕緣基層3，一形成在絕緣基層3上的導(dǎo)電層4，以及作為絕緣層形成在導(dǎo)電層4上的一絕緣覆蓋層5。
例如，帶有電路1的懸掛板以下列方式制造。首先，包含光敏聚酰胺酸樹脂的液體溶液施加至由不銹薄金屬片等形成的金屬支撐層2的表面。接著，液體溶液被曝光及顯影，形成一預(yù)定圖案并隨后被加熱和固化，在金屬支撐層2上形成包含聚酰亞胺樹脂的絕緣基層3。隨后，通過半加添工藝在絕緣基層3上以預(yù)定布線電路圖案的形式形成導(dǎo)電層4。其后，包含光敏聚酰胺酸樹脂的液體溶液施加至包括導(dǎo)電層4的表面的絕緣基層3的表面。然后，液體溶液被曝光及顯影，形成一預(yù)定圖案并隨后被加熱和固化，在包括導(dǎo)電層4的絕緣基層3上形成包含聚酰亞胺樹脂的絕緣覆蓋層5。
在這個帶有電路1的懸掛板中，絕緣覆蓋層5被剖開以形成端接部分6(見圖2)。端接部分6可以以下方式形成，例如，當(dāng)形成絕緣覆蓋層5時，光敏聚酰胺酸樹脂形成一特定圖形，以便對應(yīng)于端接部分6的導(dǎo)電層4的區(qū)域暴露出來。
然后，薄金屬膜7在絕緣覆蓋層5的整個表面和端接部分6的整個表面上形成，如圖1(b)所示。
可以用來形成薄金屬膜7的金屬包括，例如鉻、鎳、鋁、鈦、鉭、錫、鋅、鋯、硅、鎵、銦、以及它們的合金，然而沒有強(qiáng)加特別的限制。鉻是優(yōu)選用作薄金屬膜7的材料。鉻的氧化物層可以提供一穩(wěn)定的表面電阻值，該穩(wěn)定的表面電阻值即使在高溫和高濕度環(huán)境下基本不變化。
薄金屬膜7的厚度在例如3-1000nm或優(yōu)選5-500nm范圍內(nèi)設(shè)置，即使在薄金屬膜7的表面上形成一金屬氧化物層8時，具有較大厚度的薄金屬膜7有時產(chǎn)生不利的結(jié)果，它阻礙了表面電阻值的增加。另一方面，具有較小厚度的薄金屬膜7有時產(chǎn)生不利的結(jié)果，當(dāng)在后續(xù)工藝通過加熱氧化時，使得薄金屬膜7在厚度方向上完全被氧化并轉(zhuǎn)化為絕緣體。
薄金屬膜7可以由公知的物理氣相淀積(PVD)法形成，如濺射、真空淀積、或離子鍍，然而不是必須的限制于此。就高度粘附至絕緣覆蓋層5而論，優(yōu)選使用濺射法。
例如，使用圖3所示濺射裝置來濺射。在濺射裝置中，靶22(用來形成薄金屬膜7的金屬)和接地電極23以預(yù)定間距彼此相對配置在真空室21中，如圖3所示。電源24連接至靶22，以及設(shè)置等離子體放射監(jiān)視器25以放射等離子體至靶22。脈沖電源、DC電源、AC電源等可以作為電源24，然而對電源上沒有強(qiáng)加特別的限制。
接地電極23電接地，板26置于接地電極23上。值得注意的是，板26是圖1(a)制程中制備好的帶有電路1的懸掛板。在其上設(shè)置有包括端接部分6的絕緣覆蓋層5的面上的板26部分相對于靶22配置。
然后，惰性氣體，如氬氣，引入真空室21之后，從電源24施加至靶22的電功率，在由等離子體放射監(jiān)視器25以一固定值維持等離子體放射強(qiáng)度的同時，使靶22濺射一預(yù)定時間。在此濺射中，薄金屬膜7形成在絕緣覆蓋層5的整個表面及端接部分6的整個表面上。
下面給出形成薄金屬膜7的濺射條件的例子。
最終真空1.33×10-5Pa至1.33×10-2Pa引入氣體(氬)流速1.2×10-3m3/h至2.4×10-3m3/h運(yùn)行壓力(引入氣體后的真空度)1.33×10-2Pa至1.33Pa接地電極溫度10℃-100℃電功率100W-400W濺射時間15秒至15分鐘在濺射中，必須控制不同的要素，如真空度、靶22的純度、從電源24施加至靶22的電功率、膜的厚度、引入氣體的流速、以及等離子體放射強(qiáng)度?？刂颇ず窦暗入x子體放射強(qiáng)度是特別重要的。例如，依據(jù)用于靶22的金屬種類，等離子體放射強(qiáng)度有一特定放射頻譜(結(jié)構(gòu)頻譜)來區(qū)分，如列表1所示。相應(yīng)地，以維持等離子體放射強(qiáng)度為一固定值的方式，通過控制引入氣體的流速，就可以制造出作為具有高再生性膜的薄金屬層7。
表1

等離子體放射強(qiáng)度由等離子體放射監(jiān)視器25的一設(shè)定值控制。此控制以下列方式形成。把氣體引入之前的等離子體放射強(qiáng)度看作90％以及相應(yīng)值設(shè)定為設(shè)定值。
在此濺射中，從已知的濺射方法中選擇出適當(dāng)?shù)臑R射法，如DC濺射、RF濺射、磁孔濺射、或其結(jié)合。
在真空淀積中，例如，淀積的材料(金屬)和板(帶有電路1的懸掛板)以一個給出的間距彼此相對放置在真空室中。淀積的材料在真空中用加熱的方法淀積在絕緣覆蓋層5的整個表面和端接部分6的整個表面上以形成薄金屬膜7，加熱方法例如，電阻加熱、坩鍋外部加熱、電子束加熱、高頻加熱或激光加熱。
在離子鍍中，例如，淀積的材料(金屬)和板(帶有電路1的懸掛板)以一個給出的間距彼此相對放置在真空室中。然后，惰性氣體作為等離子體氣體，如氬氣，引入真空室，通過電放電方法在真空中產(chǎn)生等離子體放電，如DC放電激勵法，高頻放電激勵法，中空陰極放電法或弧光放電法，在絕緣覆蓋層5的整個表面和端接部分6的整個表面上形成薄金屬膜7。
接著，在薄金屬膜7的整個表面上形成金屬氧化物層8，如圖1(c)所示。
金屬氧化物層8是通過如加熱氧化法或濺射形成的，然而對方法沒有特別的限定。
在加熱氧化法中，通過加熱氧化薄金屬膜7的表面，使得在薄金屬膜7上形成金屬氧化物層8。對加熱方式?jīng)]有特別的限定。例如，薄金屬膜7可以在加熱爐氣氛中加熱。加熱溫度最好在如50℃-400℃的范圍內(nèi)，或最好100℃-250℃，并且加熱時間最好在如1分鐘至12小時范圍內(nèi)。在此方法中，薄金屬膜7表面上形成非常薄的金屬氧化物層8。
盡管通過加熱形成的這個金屬氧化物層8非常薄，金屬氧化物層8的形成可以通過ESCA，AES(俄歇電子頻譜)，SIMS(二次離子質(zhì)譜測定法)等得到確認(rèn)。
如此形成的金屬氧化物層8有一很大的電阻值，同時另一方面，薄金屬膜7有一非常小的電阻值。相應(yīng)地，由薄金屬膜7與金屬氧化物層8結(jié)合形成半導(dǎo)體層9。
在濺射中，最好采用反應(yīng)性濺射。在反應(yīng)性濺射中，除了包含氧的引入氣體引入圖3所示的濺射裝置的真空室21中之外，可以采取像上面提及的那些濺射的同樣工藝。
更具體的，與上面提及的用于形成薄金屬膜7的金屬一樣的金屬(靶22)設(shè)置在適當(dāng)位置并且包含薄金屬膜7的帶有電路1的懸掛板(板26)也設(shè)置在適當(dāng)位置，使得其生成了薄金屬膜7的一面上的帶有電路1的懸掛板部分面對靶22。
于是，其中氬氣或氮?dú)?、與比不可少的氣體氧氣以給定比例(例如Ar/O2混合氣體，N2/O2混合氣體)混合后的反應(yīng)性氣體引入真空室21之后，從電源24施加電功率至靶22，在由等離子體放射監(jiān)視器25以一固定值維持等離子體放射強(qiáng)度的同時，濺射靶22一預(yù)定時間。在此反應(yīng)性濺射中，金屬氧化物層8形成在薄金屬膜7的整個表面上。
下面給出形成金屬氧化物層8的反應(yīng)性濺射條件的例子。
最終真空1.33×10-5Pa至1.33×10-2Pa引入氣體流速(對Ar/O2混合氣體)Ar1.2×10-3m3/h至2.4×10-3m3/hO26×10-5m3/h至30×10-5m3/h(對N2/O2混合氣體)N21.2×10-3m3/h至2.4×10-3m3/hO26×10-5m3/h至30×10-5m3/h運(yùn)行壓力(引入氣體后的真空度)1.33×10-2Pa至1.33Pa接地電極溫度10℃-100℃電功率100W-400W濺射時間15秒至3分鐘在此反應(yīng)性濺射中，控制氧氣引入氣體的流速及濺射時間是特別重要的。通過對這些要素的適當(dāng)控制可以均勻地形成具有大電阻值的金屬氧化物層8。當(dāng)用此反應(yīng)性濺射生成時，金屬氧化物層8具有如2-30nm的厚度。
此外，當(dāng)用上面提到的反應(yīng)性濺射的條件形成時，金屬氧化物層8可以具有一均勻厚度及非常大的表面電阻值(具體為，1010Ω/□-1013Ω/□)。這些已經(jīng)由實驗研究所證實。另一方面，當(dāng)金屬氧化物層8在薄金屬膜7的上面形成之前，薄金屬膜7具有小的表面電阻值(具體為，102Ω/□-103Ω/□的量級)。因此，如上述提到的情況那樣，半導(dǎo)體層9是由薄金屬膜7和金屬氧化物層8結(jié)合而形成的。
如果不用反應(yīng)性濺射，使用金屬氧化物作為靶的普通濺射可以用來形成金屬氧化物層8。
在使用金屬氧化物作為靶的濺射中，如CrO2，ZrO2，SiO2，SnO2，TiO2，Al2O3及MgO用作金屬氧化物靶。優(yōu)先使用CrO2。在這一濺射中，除了用在圖3所示的濺射裝置中的電源限于AC電源(RF)的之外，可以用像上面提及的那些濺射的同樣工藝。
更加具體來說，作為用于形成上面提及的薄金屬膜7的金屬靶的替代，用作靶22的金屬氧化物靶設(shè)置在適當(dāng)?shù)奈恢貌⑶野〗饘倌?的帶有電路1的懸掛板(板26)也設(shè)置在適當(dāng)位置，使得其上生成了薄金屬膜7的一面上的帶有電路1的懸掛板部分面對靶22。
于是，在氬氣或氮?dú)庖胝婵帐?1之后，從電源24施加電功率至靶22，在由等離子體放射監(jiān)視器25以一固定值維持等離子體放射強(qiáng)度的同時，濺射靶22一預(yù)定時間。同樣在此濺射中，金屬氧化物層8形成在薄金屬膜7的整個表面上。
下面給出形成此金屬氧化物層8的濺射條件的例子。
最終真空1.33×10-5Pa至1.33×10-2Pa引入氣體流速(對Ar氣)Ar1.2×10-3m3/h至2.4×10-3m3/h(對N2氣)N21.2×10-3m3/h至2.4×10-3m3/h運(yùn)行壓力(引入氣體后的真空度)1.33×10-2Pa至1.33Pa接地電極溫度10℃-100℃電功率RF100W-1000W濺射時間15秒至3分鐘在此濺射中，控制濺射時間是特別重要的。通過適當(dāng)控制濺射時間可以形成具有大電阻值的金屬氧化物層8。當(dāng)通過采用金屬氧化物靶的這種濺射生成時，金屬氧化物層8具有如2-30nm的厚度。
此外，當(dāng)用上面引用的采用金屬氧化物靶的濺射條件形成時，金屬氧化物層8可以具有一均勻厚度及非常大的表面電阻值(具體為，1010Ω/□-1013Ω/□)。這些已經(jīng)由實驗研究所證實。另一方面，當(dāng)金屬氧化物層8在薄金屬膜7的上面形成之前，薄金屬膜7具有小的電阻值(具體為，102Ω/□-103Ω/□量級)。因此，如上述提到的情況那樣，半導(dǎo)體層9是由薄金屬膜7和金屬氧化物層8結(jié)合而形成的。
通過加熱氧化法或濺射形成的半導(dǎo)體層9的表面電阻值可以看作是小電阻值的薄金屬膜7和大電阻值的金屬氧化物層8的平均值。平均值最好在104Ω/□-1010Ω/□的范圍內(nèi)。當(dāng)半導(dǎo)體層9的表面電阻值小于104Ω/□時，有一種可能性是，當(dāng)焊盤部分10通過電鍍形成在端接部分6內(nèi)時，作為提及的層，金屬氧化物層8的表面也被電鍍而引起安裝元件的操作錯誤。
需要注意的是，表面電阻的單位通常表達(dá)為Ω/□。
在此方法中，為了端接部分6和端接部分6上安裝的元件之間的導(dǎo)電或連續(xù)性，如圖1(d)所示，去除形成在端接部分6表面上的薄金屬膜7和金屬氧化物層8。
例如，優(yōu)選蝕刻方法用來去除薄金屬膜7和金屬氧化物層8，然而不必限定用此方法。
在蝕刻方法中，首先，除端接部分6和其鄰近部分之外，蝕刻抗蝕劑形成在帶有電路1的懸掛板的所有區(qū)域上。然后，通過使用蝕刻劑(蝕刻溶液)去除對應(yīng)于端接部分6和其鄰近部分(包括端接部分6和周邊區(qū)域之間地帶部分的絕緣覆蓋層5的表面，如圖2虛線畫的X區(qū)域)的金屬氧化物層8和薄金屬膜7。
根據(jù)金屬氧化物層8和薄金屬膜7的金屬種類可以選擇適合的蝕刻劑。例如，氰鐵酸鉀基蝕刻劑、高錳酸鉀基蝕刻劑、硅酸鈉基蝕刻劑、硝酸銨鈰基蝕刻劑、氯化氫基蝕刻劑、硫酸鹽基蝕刻劑以及硝酸鹽基蝕刻劑可以用于金屬氧化物層8和薄金屬膜7的鉻。
并且，當(dāng)形成薄金屬膜7時，蝕刻抗蝕劑可以預(yù)先形成在端接部分6和其鄰近部分，當(dāng)通過濺射形成薄金屬膜7時，蝕刻抗蝕劑的出現(xiàn)產(chǎn)生一潛在的問題是，從蝕刻抗蝕劑中產(chǎn)生的氣體引起真空室21的真空度的減小。由于此原因，在形成薄金屬膜7和金屬氧化物層8之后，最好去除它們對應(yīng)于端接部分6和其鄰近部分的部分。
對于帶有電路1的懸掛板其中對應(yīng)于端接部分6的導(dǎo)電層4包括銅，形成在其上的薄金屬膜7包括鉻，以及薄金屬膜7的薄鉻膜具有通過其暴露出導(dǎo)電層4的接地銅薄片的微孔，溶解銅但不溶解鉻的蝕刻劑(例如硫酸鹽基蝕刻劑、過氧化氫基蝕刻劑、或氯化氫基蝕刻劑)通過微孔可以用來溶解導(dǎo)電層4表面的銅，沒有溶解薄金屬膜7的鉻。不用使用任何蝕刻抗蝕劑，這能夠從溶解了銅的那些部分中去除薄金屬膜7和金屬氧化物層8部分的鉻。
盡管上面已經(jīng)描述了在形成金屬氧化物層8之后去除薄金屬膜7和金屬氧化物層8的方法，在形成金屬氧化物層8之前，通過蝕刻可以去除薄金屬膜7。后面的方法具有薄金屬膜7在各種各樣的蝕刻劑中比金屬氧化物層8溶解的更快的優(yōu)點(diǎn)。
然后，從去除薄金屬膜7和金屬氧化物層8的地方，例如，依次用鎳和金，如圖1(e)所示，通過電解電鍍端接部分6，形成焊盤部分10。結(jié)果，金屬支撐層2蝕刻成一預(yù)定形狀(未示出)，由此生成其上具有形成了薄金屬膜7和金屬氧化物層8的帶有電路1的懸掛板。
按照此方法，由于在絕緣覆蓋層5上形成包括薄金屬膜7和金屬氧化物層8的半導(dǎo)體層9，可以有效地防止安裝在帶有電路1的懸掛板上的元件的靜電損壞。此外，與只形成薄金屬膜7的情況不同是，可以防止表面電阻值的過度減少以及相應(yīng)地也可以有效地防止器件的操作錯誤。
與此同時，例如當(dāng)通過反應(yīng)性濺射直接在絕緣覆蓋層5上形成金屬氧化物層8時，真空室21中的氧氣濃度不必均勻。由于這個原因，甚至氧氣引入氣體的流速最小的變化引起了表面電阻大的變化，結(jié)果引起所形成的金屬氧化物層8表面電阻的變化。另一方面，當(dāng)氧氣引入氣體的流速增加并且濺射時間也縮短時，減小了表面電阻的變化，而表面電阻本身顯著地增加超過了半導(dǎo)體層9期望范圍的上限(1010Ω/□)。另外，當(dāng)使用金屬氧化物靶通過濺射直接在絕緣覆蓋層5上形成金屬氧化物層8時，表面電阻本身顯著地增加超過了半導(dǎo)體層9期望范圍的上限(1010Ω/□)。
然而，當(dāng)薄金屬膜7和金屬氧化物層8依次形成在絕緣覆蓋層5上時，像上面提及的，可以形成具有落入104Ω/□-1010Ω/□的較好范圍內(nèi)的均勻表面電阻的半導(dǎo)體層9。
盡管已經(jīng)采用了制造本發(fā)明布線電路板的方法作為制造帶有電路1的懸掛板方法的例子，本發(fā)明不對說明的實施例進(jìn)行限定。例如，本發(fā)明適用于制造柔性布線電路板11的方法，如圖4所示。
在圖4中，首先，如圖4(a)所示，制備包括以預(yù)定布線電路圖形形成在絕緣基層12上的導(dǎo)電層13以及形成在包括導(dǎo)電層13的絕緣基層12上的絕緣覆蓋層14的柔性布線電路板11。例如，以通過去雜工藝以預(yù)定布線電路圖形形成由絕緣基層12和形成在其上的導(dǎo)電層13組成的兩層基板的導(dǎo)電層13之后的方式，形成這個柔性布線電路板11，絕緣覆蓋層14層壓在兩層基板上。在這個柔性布線電路板11中，剖開絕緣覆蓋層14，使得導(dǎo)電層13從那里暴露出來。結(jié)果暴露出的導(dǎo)電層13作為端接部分15。
接下來，薄金屬膜16分別以像上面提及的情形中同樣的方式，如圖4(b)所示，形成在絕緣基層12和包括端接部分15的絕緣覆蓋層14上。然后，分別以像上面提及的情形中同樣的方式，如圖4(c)所示，在薄金屬膜16上形成金屬氧化物層17之后，以像上面提及的情形中同樣的方式，如圖4(d)所示，去除形成在端接部分15及其鄰近部分的薄金屬膜16和金屬氧化物層17。最后，以像上面提及的情形中同樣的方式，如圖4(e)所示，在端接部分15形成焊盤部分18，從而制造出柔性布線電路板11。
同樣按照此方法，由于每層包括薄金屬膜16和金屬氧化物層17的半導(dǎo)體層19分別形成在絕緣基層12及絕緣覆蓋層5上，可以有效地防止安裝在柔性布線電路板11上的元件的靜電損壞。此外，與只形成薄金屬膜16的情況不同是，可以防止表面電阻值的過度減少以及相應(yīng)地也可以有效地防止器件的操作錯誤。
進(jìn)而，與通過反應(yīng)性濺射或使用金屬氧化物靶濺射而直接在絕緣基層12和絕緣覆蓋層14上形成金屬氧化物層17的構(gòu)造相比，能形成具有落入一個更好的范圍的均勻表面電阻值的半導(dǎo)體層19。
在圖4所示的過程中，薄金屬膜16和金屬氧化物層17可以形成在絕緣基層12及絕緣覆蓋層14兩者中的任何一個上，而不是在絕緣基層12和絕緣覆蓋層14兩者上。
例子在下面，參照例子和比較例將進(jìn)行更詳細(xì)描述本發(fā)明，本發(fā)明不限定任何例子和比較例。
例1包含光敏聚酰胺酸樹脂的液體溶液施加至具有長250mm、厚20μm的加長的不銹薄金屬片的金屬支撐層。接著，液體溶液被曝光及顯影，在金屬支撐層上形成一預(yù)定圖案并隨后被加熱和固化，在金屬支撐層上形成包含聚酰亞胺樹脂的絕緣基層(厚10μm)。隨后，通過半加添工藝在絕緣基層上以預(yù)定布線電路圖案的形式形成導(dǎo)電層(厚15μm)。其后，包含光敏聚酰胺酸樹脂的液體溶液施加至絕緣基層。然后，液體溶液被曝光及顯影，在包括導(dǎo)電層的絕緣基層上形成一預(yù)定圖案并隨后被加熱和固化，在包括導(dǎo)電層的絕緣基層上形成包含聚酰亞胺樹脂的絕緣覆蓋層(厚3μm)，由此生成帶有電路的懸掛板(見圖1(a))。在絕緣覆蓋層剖開的部分，帶有電路的懸掛板帶有導(dǎo)電層暴露出的端接部分。
然后，通過濺射由薄鉻膜形成的薄金屬膜形成在絕緣覆蓋層整個表面及端接部分整個表面之上(見圖1(b))。
以如上面提及的情形中同樣的方法產(chǎn)生濺射，并通過下列條件測量。
靶Cr最終真空8×10-3Pa引入氣體(氬)流速1.8×10-3m3/h運(yùn)行壓力0.27Pa接地電極溫度20℃電功率(脈沖電源)125W(電壓227V，電流0.55A)濺射時間1分鐘薄金屬膜厚度7nm接著，在125℃加熱12小時的氣氛中氧化薄鉻膜形成的薄金屬膜表面，由此在薄金屬膜上形成了金屬氧化物層(見圖1(c))。通過ESCA確定金屬氧化物層的存在。
然后，除端接部分和其鄰近部分之外，通過光刻法，蝕刻抗蝕劑形成在帶有電路的懸掛板的所有區(qū)域上。然后，通過使用硝酸銨鈰及硝酸鹽的混合水溶液作為蝕刻劑去除對應(yīng)于端接部分和其鄰近部分的金屬氧化物層和薄金屬膜(見圖1(d))。
結(jié)果，依次用鎳和金，通過電解電鍍在端接部分的導(dǎo)電層表面，形成焊盤部分(見圖1(e))。結(jié)果，金屬支撐層蝕刻成一預(yù)定形狀，由此生成其上具有形成了金屬氧化物層和薄金屬膜的帶有電路的懸掛板。
例2只是反應(yīng)性濺射用作替代加熱氧化法，以下列條件形成金屬氧化物層，實施如例1中的同樣的操作，生成其上具有形成了金屬氧化物層和薄金屬膜的帶有電路的懸掛板。
靶Cr最終真空8×10-3Pa引入氣體流速Ar/O2混合氣體Ar1.2×10-3m3/hO21.2×10-4m3/h運(yùn)行壓力0.27Pa接地電極溫度20℃電功率(脈沖電源)125W(電壓227V，電流0.55A)濺射時間1分鐘薄金屬膜厚度7nm比較例通過以下列條件的反應(yīng)性濺射，只是金屬氧化物層直接形成在絕緣覆蓋層上，沒形成薄金屬膜，實施如例1中的同樣的操作，生成其上具有形成了金屬氧化物層和薄金屬膜的帶有電路的懸掛板。
靶Cr最終真空8×10-3Pa引入氣體流速Ar/O2混合氣體Ar1.8×10-3m3/hO27.2×10-5m3/h運(yùn)行壓力0.27Pa接地電極溫度20℃電功率(脈沖電源)125W(電壓227V，電流0.55A)濺射時間3分鐘薄金屬膜厚度20nm評述在金屬支撐層的橫向方向上的五個地點(diǎn)測量金屬支撐層(不銹鋼)的表面電阻。用表面電阻測量裝置(可用三菱化學(xué)有限公司獲得的Hiresta-upMCP-HT450)在溫度為25℃及濕度為15％的環(huán)境下測量表面電阻。結(jié)果在表2示出。
表2

從表2可以看出，當(dāng)與比較例中那些數(shù)據(jù)比較時，例1和2中的表面電阻變化狹窄。也可以發(fā)現(xiàn)比較例1中的一些表面電阻超過1010Ω/□。
例3只是利用金屬氧化物靶濺射用作替代加熱氧化法，以下列條件形成金屬氧化物層，實施如例1中的同樣的操作，生成其上具有形成了金屬氧化物層和薄金屬膜的帶有電路的懸掛板。
靶CrO2最終真空8×10-5Pa引入氣體流速1.2×10-3m3/h運(yùn)行壓力0.27Pa接地電極溫度20℃電功率(RF電源)400W濺射時間1分鐘薄金屬膜厚度7nm盡管以上描述中提供了本發(fā)明說明性的實施例，這些僅是為了說明宗旨并且不應(yīng)被限定性地解釋。所附權(quán)利要求覆蓋對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的本發(fā)明的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種制造布線電路板的方法，包括制備一包含導(dǎo)電層和鄰接導(dǎo)電層設(shè)置一絕緣層的布線電路板的步驟，在絕緣層表面上形成一薄金屬膜的步驟，以及在薄金屬膜的表面上形成一金屬氧化物層的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的制造布線電路板的方法，其中在絕緣層表面上形成薄金屬膜的步驟中，薄金屬膜通過濺射形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的制造布線電路板的方法，其中在薄金屬膜的表面上形成金屬氧化物層的步驟中，金屬氧化物層通過加熱氧化薄金屬膜表面形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的制造布線電路板的方法，其中在薄金屬膜表面上形成金屬氧化物層的步驟中，金屬氧化物層通過濺射形成。
5.一種制造布線電路板的方法，包括制備一包含導(dǎo)電層、鄰接導(dǎo)電層設(shè)置的的絕緣層以及通過剖開絕緣層暴露出導(dǎo)電層而形成端接部分的布線電路板的步驟，在絕緣層表面和端接部分表面上形成薄金屬膜的步驟，在薄金屬膜表面上形成金屬氧化物層的步驟，以及去除形成在端接部分表面上的薄金屬層和金屬氧化物層的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的制造布線電路板的方法，其中在絕緣層表面上及端接部分表面上形成薄金屬膜的步驟中，薄金屬層通過濺射形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的制造布線電路板的方法，其中在薄金屬膜表面上形成金屬氧化物層的步驟中，金屬氧化物層通過加熱氧化金屬氧化物層表面形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的制造布線電路板的方法，其中在薄金屬膜表面上形成金屬氧化物層的步驟中，金屬氧化物層通過濺射形成。
全文摘要
制造一布線電路板的方法，其能夠有效地防止安裝在布線電路板上的元件的靜電損壞，同時防止由靜電引起的器件的操作錯誤。通過濺射，在絕緣覆蓋層前面的的整個區(qū)域和其端接部分的導(dǎo)電層的整個表面上形成薄金屬膜之后，通過加熱氧化法或濺射在薄金屬膜上形成金屬氧化物層。由于包括薄金屬膜和金屬氧化物層的半導(dǎo)體層形成在絕緣覆蓋層表面上，根據(jù)此方法，可以有效地防止安裝在布線電路板上的元件的靜電損壞。同樣地，也可以有效地防止因其中僅形成了薄金屬膜結(jié)構(gòu)引起的器件的操作錯誤。進(jìn)而，與通過反應(yīng)性濺射或使用金屬氧化物靶濺射使金屬氧化物層直接形成在絕緣覆蓋層上的構(gòu)造相比，能形成具有落入一個更好的范圍的均勻表面電阻值的半導(dǎo)體層。
文檔編號H05K1/09GK1610486SQ200410038770
公開日2005年4月27日 申請日期2004年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月7日
發(fā)明者石井淳, 吉見武 申請人:日東電工株式會社