專利名稱：平面顯示器的施體薄膜及利用其制造oled的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平面顯示器的施體薄膜及利用其制造有機(jī)發(fā)光器件(OLED)的方法，更為具體地，本發(fā)明涉及一種平面顯示器的施體薄膜，其與轉(zhuǎn)移層間具有改善的粘結(jié)力，以及利用該施體薄膜制造OLED的方法。
背景技術(shù)：
通常，作為平面顯示器的有機(jī)發(fā)光器件(下文稱為“OLED”)包括陽(yáng)極、陰極和置于陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)層。有機(jī)層必須包括一發(fā)射層并可n能還包括空穴注入層、空穴轉(zhuǎn)移層、電子轉(zhuǎn)移層以及電子注入層。根據(jù)組成有機(jī)層的材料，特別是組成有機(jī)層的發(fā)射層的材料，可將OLED分為聚合物OLED和小分子OLED。
在為OLED實(shí)現(xiàn)全部色彩中，必須將發(fā)射層圖案化。存在多種圖案化OLED的發(fā)射層的方法。小分子OLED是用遮光板進(jìn)行圖案化的，而聚合物OLED是通過(guò)噴墨印刷或者激光熱成像(下文稱為“LITI”)來(lái)圖案化的。在干法處理中，LITI方法具有精細(xì)圖案化有機(jī)層的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，噴墨印刷方法在濕法處理中圖案化有機(jī)層。
用于利用LITI圖案化聚合物有機(jī)層的方法需要至少一個(gè)光源、一個(gè)OLED基板(即受體基板)和一個(gè)施體薄膜。在此，施體薄膜包括基膜、光熱轉(zhuǎn)化層(下文稱為“LTHC”)和包含有機(jī)層的轉(zhuǎn)移層。位于受體基板上的有機(jī)層是按以下方式圖案化的當(dāng)光源向施體薄膜發(fā)射光線時(shí)，LTHC層吸收入射光，隨后將該光線轉(zhuǎn)化為熱能。然后該熱能將轉(zhuǎn)移層的有機(jī)層轉(zhuǎn)移至受體基板上。該過(guò)程已在韓國(guó)專利申請(qǐng)NO.10-1998-0051844、美國(guó)專利NO.5998085、NO.6214520和NO.6114088中公開(kāi)了，在此引作參考。
圖1A和1B是用于解釋通過(guò)LITI方法在常規(guī)有機(jī)層的轉(zhuǎn)移過(guò)程中轉(zhuǎn)移機(jī)制的剖視圖。
參照?qǐng)D1A，利用施主基板S1和有機(jī)層S2之間的粘結(jié)力W12，將有機(jī)層S2附著在施主基板S1上，其中S1包括基膜S1a和LTHC層S1。將受體基板S3置于施主基板S1之下。
參照?qǐng)D1B，除第二區(qū)域R2之外，激光照射到基膜S1a的第一區(qū)域R1上。穿過(guò)基膜S1a的激光被轉(zhuǎn)化為L(zhǎng)THC層中的熱能，然后該熱量導(dǎo)致在第一區(qū)域R1的第一粘結(jié)力W12發(fā)生變化以使得有機(jī)層S2轉(zhuǎn)移到受體基板S3上。在該轉(zhuǎn)移過(guò)程中，有機(jī)層S2的轉(zhuǎn)移特性依賴于第二區(qū)域R2的施主基板S1于有機(jī)層S2間的第一粘結(jié)力W12、有機(jī)層S2內(nèi)的粘結(jié)力W22以及有機(jī)層S2和受體基板S3間的第二粘結(jié)力W23。
然而，如果第一粘結(jié)力W12相對(duì)較少，有機(jī)層S2就可能容易從施主基板S1上分離。從而，沒(méi)有經(jīng)過(guò)激光照射的第二區(qū)域R2的有機(jī)層S2會(huì)發(fā)生轉(zhuǎn)移，即使不希望這樣。這個(gè)問(wèn)題在包括小分子材料的有機(jī)層S2中更為嚴(yán)重。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為平面顯示器提供了一種利用轉(zhuǎn)移層改善粘結(jié)特性的施體薄膜。
本發(fā)明單獨(dú)為平面顯示器提供了一種利用該施體薄膜制造OLED的方法。
在本發(fā)明中，施體薄膜包括基膜、位于基膜上的LTHC層、位于LTHC層上的轉(zhuǎn)移層、以及置于LTHC層和轉(zhuǎn)移層之間的緩沖層，其中緩沖層包括一種其玻璃轉(zhuǎn)換溫度(Tg)低于25℃材料。
具有低于25℃的玻璃轉(zhuǎn)換溫度的材料可以是硅聚合物。在此情況下，通過(guò)在LTHC層上形成液態(tài)硅聚合物，然后利用UV固化、室溫固化、低溫固化和催化劑固化中的任意一種對(duì)液態(tài)硅聚合物進(jìn)行固化，來(lái)形成緩沖層。緩沖層厚度優(yōu)選為小于20μm。更為優(yōu)選地，緩沖層厚度小于5μm。
轉(zhuǎn)移層至少包括發(fā)射有機(jī)層、空穴注入有機(jī)層、空穴轉(zhuǎn)移有機(jī)層、電子轉(zhuǎn)移有機(jī)層和電子注入有機(jī)層之一。更為優(yōu)選地，轉(zhuǎn)移層是一發(fā)射有機(jī)層。優(yōu)選地、每個(gè)有機(jī)層包括小分子材料。更為優(yōu)選地，施體薄膜還包括置于LTHC層和緩沖層之間的中間層。
本發(fā)明也公開(kāi)了利用施體薄膜制造OLED的方法。


通過(guò)參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，本發(fā)明的上述及其他特性和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯。
圖1A和1B是用于解釋通過(guò)LITI在常規(guī)有機(jī)層的轉(zhuǎn)移過(guò)程中轉(zhuǎn)移機(jī)制的剖視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的平面顯示器的施體薄膜的剖視圖。
圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明利用平面顯示器的施體薄膜制造OLED的一個(gè)步驟的剖視圖。
圖4A和4B是顯示利用分別通過(guò)實(shí)驗(yàn)性示例1和2制造的施體薄膜在受體基板上形成發(fā)射層圖案的視圖。
圖5A和5B是顯示利用分別通過(guò)對(duì)比示例1和2制造的施體薄膜在受體基板上發(fā)射層的視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行全面說(shuō)明，其中顯示了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以用不同形式來(lái)具體化，而不應(yīng)當(dāng)理解為局限于在此列舉的實(shí)施例。更合理的是，提供這些實(shí)施例以使本公開(kāi)透徹、完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面地傳遞本發(fā)明的范圍。附圖中，為了清晰的目的夸大了層和區(qū)域的厚度。整個(gè)說(shuō)明書中相同標(biāo)記表示相同元件。
圖2是平面顯示器的施體薄膜的剖視圖。參照?qǐng)D2，提供了基膜50并且在基膜50上形成LTHC層55。
在此，基膜50由透明的聚合物組成。對(duì)于基膜，采用聚丙烯、聚環(huán)氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯以及諸如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯的聚合物。這些聚合物中，主要利用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜作基膜50?；?0作為支撐材料。從而，它應(yīng)當(dāng)具有適宜的光學(xué)特性和足夠的機(jī)械穩(wěn)定性。優(yōu)選地，基膜50的厚度在10-500μm范圍內(nèi)。
LTHC層55吸收電磁波頻譜的紅外-可視區(qū)域內(nèi)的光線并且將部分光線轉(zhuǎn)化為熱。LTHC層55具有適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)密度并且包括光吸收材料。LTHC層55可以包括金屬層或有機(jī)聚合物層。金屬層可包括作為光吸收材料的氧化鋁或者硫酸鋁。有機(jī)聚合物層可包括作為光吸收材料的碳黑、石墨或者紅外染料。在此，金屬層是通過(guò)真空蒸發(fā)、電子束沉積或者濺鍍形成的。在該示例性實(shí)施例中，金屬層厚度約為100-5000。同樣，有機(jī)層形成于常規(guī)層涂敷方法中的一種，例如輥涂、照相凹板式涂敷、擠壓涂敷、旋轉(zhuǎn)涂敷和刮涂方法。在該示例性實(shí)施例中，有機(jī)層厚度約為0.1-10μm。
然后，可在LTHC層55上形成中間層60。中間層60可防止在后續(xù)過(guò)程中形成的轉(zhuǎn)移層受到光吸收材料的污染，其中的光吸收材料，例如包含在LTHC層55中的碳黑。中間層60可形成為丙烯酸樹脂或者醇酸樹脂。中間層60可以通過(guò)諸如溶劑涂敷等公知的涂敷過(guò)程和諸如紫外固化過(guò)程的固化過(guò)程形成的。優(yōu)選地，在1-2μm的厚度范圍內(nèi)形成中間層60。
然后，在LTHC層55或中間層60上形成緩沖層65。也就是，施主基板70可以是包括LTHC層55和緩沖層65的部分，其中LTHC層55和緩沖層65是按其次序堆疊在基膜50上的；或者可以是包括LTHC層55、中間層60和緩沖層65的部分，其中LTHC層55、中間層60和緩沖層65是按其次序堆疊在基膜50上的。隨后，在施主基板70上，也就是緩沖層65上，形成轉(zhuǎn)移層75。這就完成的施體薄膜80。
緩沖層65改善了施主基板70和轉(zhuǎn)移層75之間的粘結(jié)力，也就是圖1的第一粘結(jié)力W12。也就是說(shuō)，參照?qǐng)D1，改善的粘結(jié)力防止在轉(zhuǎn)移過(guò)程中轉(zhuǎn)移層75輕易地從施主基板70上分離。這就降低了不希望向受體基板上轉(zhuǎn)移部分的圖案缺陷。從而，在本發(fā)明中，緩沖層65的導(dǎo)入改善了轉(zhuǎn)移層75的轉(zhuǎn)移特性。同樣，緩沖層65在轉(zhuǎn)移過(guò)程中對(duì)受體基板進(jìn)行緩沖，從而最小化圖案缺陷。
優(yōu)選地，緩沖層65包括一種材料，該材料的玻璃轉(zhuǎn)換溫度(Tg)低于25℃。通常，在該玻璃轉(zhuǎn)換溫度(Tg)下，由于凍結(jié)了分子的微量布朗運(yùn)動(dòng)，所以聚合物材料處于玻璃狀態(tài)。但是，超過(guò)玻璃轉(zhuǎn)換溫度(Tg)，由于聚合物材料的塑性或彈性更高，其具有高的粘結(jié)強(qiáng)度。因此，通常在25℃以上執(zhí)行的LITI的轉(zhuǎn)移過(guò)程中，具有玻璃轉(zhuǎn)換溫度低于25℃的材料的緩沖層65可改善施主基板70和轉(zhuǎn)移層75之間的粘結(jié)力，即圖1的第一粘結(jié)力W12。
更為優(yōu)選地，利用硅聚合物形成緩沖層65。硅聚合物中具有硅氧鏈(Si-O)，高耐熱性和化學(xué)穩(wěn)定性，以及低于25℃的玻璃轉(zhuǎn)換溫度。通過(guò)在LTHC層55或者中間層60上涂敷液態(tài)硅聚合物，然后對(duì)其進(jìn)行固化，來(lái)形成采用硅聚合物的緩沖層65。在此，通過(guò)紫外固化、室溫固化、低溫固化或者催化劑固化來(lái)進(jìn)行固化過(guò)程。
優(yōu)選地，通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂敷、輥涂、浸漬涂敷、照相凹板式涂敷、沉積等之一來(lái)形成緩沖層65。優(yōu)選地，緩沖層65厚度小于20μm。更為優(yōu)選地，其厚度小于5μm。優(yōu)選地，如果將要轉(zhuǎn)移的部分在受體基板上是均勻的，則緩沖層65厚度形成為小于20μm，其中從施主基板70將轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移至受體基板上。但是如果將要轉(zhuǎn)移的部分不是均勻的而是凹陷的，則即使是將要轉(zhuǎn)移的凹陷部分的邊緣也必須緊密粘結(jié)在施體薄膜上以防止圖案缺陷。因此，優(yōu)選地，緩沖層65厚度必須小于5μm。
轉(zhuǎn)移層75可以至少是發(fā)射有機(jī)層、空穴注入有機(jī)層、空穴轉(zhuǎn)移有機(jī)層、電子轉(zhuǎn)移有機(jī)層和電子注入有機(jī)層中之一。優(yōu)選地，每個(gè)有機(jī)層是包括小分子材料的有機(jī)層。小分子材料可以是單分子材料或者低聚物。優(yōu)選地，低聚物具有低于1000的分子量。通常，因?yàn)榘ㄐ》肿硬牧系挠袡C(jī)層顯示出差的粘結(jié)特性(圖1中W12)，緩沖層65的導(dǎo)入極大地改善了該轉(zhuǎn)移特性。同時(shí)，存在一些具有相對(duì)較低熱穩(wěn)定性的小分子材料。如果轉(zhuǎn)移層75包括具有相對(duì)較低熱穩(wěn)定性的小分子材料，在LTHC層55中產(chǎn)生的熱量將會(huì)破壞它們。但是該緩沖層65可以控制熱量，從而保護(hù)轉(zhuǎn)移層以免受熱破壞。
用于有機(jī)層的通常材料可適用于制造發(fā)射有機(jī)層、空穴注入有機(jī)層、空穴轉(zhuǎn)移有機(jī)層、電子轉(zhuǎn)移有機(jī)層和電子注入有機(jī)層。優(yōu)選地，利用以下小分子材料或者聚合物制造發(fā)射有機(jī)層，其中的小分子材料為，例如Alq3(主體)/DCJTB(熒光摻雜物)、Alq3(主體)/DCM(熒光摻雜物)和CBP(主體)/PtOEP(熒光金屬有機(jī)配合物)；聚合物為，例如作為紅光發(fā)射材料的PFO基聚合物和PPV基聚合物。也可用以下小分子材料或者聚合物制造該發(fā)射有機(jī)層，其中的小分子聚合物為，例如Alq3、Alq3(主體)/C545t(摻雜物)和CBP(主體)/IrPPy(熒光金屬有機(jī)配合物)；聚合物為，例如作為綠光發(fā)射材料的PFO基聚合物和PPV基聚合物。還可利用以下小分子材料或者聚合物制造該發(fā)射有機(jī)層，其中小分子材料為，例如DPVBi、spiro-DPVBi、spiro-6P、雙苯類(DSB)和雙芪類(DSA)；聚合物為，例如作為藍(lán)發(fā)光材料的PFO基聚合物和PPV基聚合物?？昭ㄗ⑷胗袡C(jī)層可利用以下小分子材料或者聚合物，其中小分子材料為，例如CuPc、TNATA、TCTA和TDAPB；聚合物為，例如PANI和PEDOT。該空穴轉(zhuǎn)移有機(jī)層可利用以下小分子材料或者聚合物，其中小分子材料為，例如胺基小分子材料、腙基小分子材料、芪基小分子材料和星爆基小分子材料，如，NPD、TPD、sTAD、MTADATA等；聚合物為，例如咔唑基聚合物、胺基聚合物、芘基聚合物和吡咯基聚合物的聚合物，如PVK等。可利用以下聚合物和小分子材料制造電子轉(zhuǎn)移有機(jī)層，其中聚合物為，例如PBD、TAZ和spiro-PBD；小分子材料為，例如Alq3、BAlq和SAlq。同樣，利用以下小分子材料或者聚合物制造電子注入有機(jī)層，其中小分子材料為，例如Alq3、Ga絡(luò)合物和PBD；聚合物為，例如二惡唑基聚合物。
利用諸如擠壓涂敷、旋轉(zhuǎn)涂敷、刮涂、真空沉積、CVD等通常涂敷過(guò)程來(lái)形成厚度在100-50000范圍內(nèi)的轉(zhuǎn)移層75。
圖3是用于解釋根據(jù)本發(fā)明利用施體薄膜制造OLED的方法的剖視圖。
參照?qǐng)D3，受體基板100具有在其上形成的象素電極200。同時(shí)，通過(guò)在按次序在基膜50上沉積LTHC層55、緩沖層65和轉(zhuǎn)移層75來(lái)制造施體薄膜80。在形成緩沖層65之前，還可在LTHC層55上進(jìn)一步沉積中間層60。如上所述就制成了施體薄膜80。
然后，將施體薄膜80布置為距受體基板100預(yù)定距離，以使施體薄膜80的轉(zhuǎn)移層75面向受體基板100，并且在施體薄膜80的預(yù)定區(qū)域照射激光300。然后受激光300照射的轉(zhuǎn)移層75被轉(zhuǎn)移至象素電極200上，從而在象素電極上形成有機(jī)層圖案250。
有機(jī)層圖案250可包括從一組發(fā)射有機(jī)層、空穴注入有機(jī)層、空穴轉(zhuǎn)移有機(jī)層、電子轉(zhuǎn)移有機(jī)層和電子注入有機(jī)層中選擇出來(lái)的至少一層。優(yōu)選地，每個(gè)有機(jī)層包括小分子材料。
象素電極200可以是陽(yáng)極。通過(guò)LITI過(guò)程、旋轉(zhuǎn)涂敷或者真空沉積在象素電極200上形成空穴諸如有機(jī)層和/或空穴轉(zhuǎn)移有機(jī)層。然后通過(guò)利用施體薄膜80在空穴轉(zhuǎn)移有機(jī)層上形成有機(jī)層圖案250，即發(fā)射層。在形成該發(fā)射層之后，利用LITI過(guò)程、真空沉積或旋轉(zhuǎn)涂敷在該發(fā)射層上形成電子轉(zhuǎn)移有機(jī)層和/或電子注入有機(jī)層。隨后，在電子轉(zhuǎn)移層上形成作為陰極的公共電極(未顯示)，從而制成了OLED。
下面將給出優(yōu)選示例以更好地理解本發(fā)明。然而，下列示例并沒(méi)有限制本發(fā)明的范圍。
準(zhǔn)備由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯組成的厚100μm的基膜。在該基膜上形成厚4μm的包括作為光吸收材料的碳黑的LTHC層。隨后，作為中間層，在該LTHC層上形成厚1μm的丙烯酸樹脂。通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂敷在中間層涂敷厚1μm的液態(tài)硅聚合物2577(康道寧公司，Dow Corning Corporation)。對(duì)所涂敷的2577(康道寧公司)在25℃下干燥10分鐘，在80℃下加熱處理10分鐘，并在25℃下放置6小時(shí)，從而形成緩沖層。在此，液態(tài)硅聚合物2577(康道寧公司)是通過(guò)與濕氣左右在25℃下固化的聚合物。而且，如果將其在80℃下進(jìn)行熱處理，其固化時(shí)間將進(jìn)一步縮短。利用真空沉積在緩沖層的整個(gè)表面沉積包括7％重量IrPPy的CBP(Sigma Aldrich公司)以形成轉(zhuǎn)移層，從而制成了施體薄膜。在此，摻雜IrPPy的CBP是作為電致發(fā)光小分子材料之一的綠色光發(fā)射材料。
通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂敷在中間層上涂敷厚1μm的液態(tài)硅聚合物UVHC3000(通用電氣公司，General Electric Corporation)。對(duì)所涂敷的UVHC3000(通用電氣公司)在25℃下干燥10分鐘，在80℃下加熱處理10分鐘，并利用紫外燈(最長(zhǎng)波長(zhǎng)為254nm)固化15分鐘，從而形成緩沖層。除了形成緩沖層的步驟外，用于制造施體薄膜的其他過(guò)程與實(shí)驗(yàn)性示例1相同。
在中間層涂敷厚5μm的具有高于25℃(約為100℃)的玻璃轉(zhuǎn)換溫度的紫外固化密封膠68(Norland公司)。對(duì)該紫外固化68在80℃下加熱處理10分鐘，并利用紫外燈(最長(zhǎng)波長(zhǎng)為254nm)固化15分鐘，從而形成緩沖層。除了形成緩沖層的步驟外，用于制造施體薄膜的其他過(guò)程與實(shí)驗(yàn)性示例1相同。
準(zhǔn)備由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯組成的厚100μm的基膜。在該基膜上形成厚4μm的包括作為光吸收材料的碳黑的LTHC層。隨后，作為中間層，在該LTHC層上形成厚1μm的丙烯酸樹脂。利用真空沉積在緩沖層的整個(gè)表面沉積包括7％重量IrPPy的CBP(Sigma Aldrich公司)以形成轉(zhuǎn)移層，從而制成了施體薄膜。
同時(shí)，分別準(zhǔn)備在其上形成象素電極的受體基板。隨后，將通過(guò)實(shí)驗(yàn)性示例1和2以及對(duì)比示例1和2制造的每個(gè)施體薄膜置于每個(gè)受體基板上。然后通過(guò)LITI步驟將轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移到該受體基板上，從而在每個(gè)受體基板上形成發(fā)射層圖案。
圖4A和4B是顯示利用分別通過(guò)實(shí)驗(yàn)性示例1和2制造的施體薄膜在受體基板上形成的發(fā)射層圖案的視圖。圖5A和5B是顯示利用分別通過(guò)對(duì)比示例1和2制造的施體薄膜在受體基板上形成的發(fā)射層圖案的視圖。
參照?qǐng)D5A和5B，存在一發(fā)射層圖案P和缺陷圖案Q，其中缺陷圖案Q具有將不會(huì)從轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移到基板的一個(gè)部分。然而，圖4A和4B顯示一發(fā)射層圖案P，但是沒(méi)有缺陷圖案，這是由在施體薄膜內(nèi)采用緩沖層以改進(jìn)了轉(zhuǎn)移層和施體薄膜之間粘結(jié)力而產(chǎn)生的。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明平面顯示器的施體薄膜在施主基板的LTHC層和轉(zhuǎn)移層之間插入緩沖層，從而改進(jìn)了轉(zhuǎn)移層和施主基板之間的粘結(jié)力。因此，通過(guò)利用根據(jù)本發(fā)明的施體薄膜對(duì)轉(zhuǎn)移層進(jìn)行轉(zhuǎn)移而在基板上形成的有機(jī)層圖案不包含任何缺陷。
本發(fā)明可以用不同形式來(lái)具體化，而不應(yīng)當(dāng)理解為局限于在此列舉的實(shí)施例。更合理的是，提供這些實(shí)施例以使本公開(kāi)透徹、完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面地傳遞本發(fā)明的范圍。附圖中，為了清晰的目的夸大了層和區(qū)域的厚度。整個(gè)說(shuō)明書中相同標(biāo)記表示相同元件。
權(quán)利要求
1.一種平面顯示器的施體薄膜，包括一基膜；一置于該基膜上的光-熱轉(zhuǎn)化層；一置于該光-熱轉(zhuǎn)化層上的轉(zhuǎn)移層；以及一置于該光-熱轉(zhuǎn)化層和該轉(zhuǎn)移層之間的緩沖層，其中該緩沖層包括其玻璃轉(zhuǎn)換溫度Tg低于25℃的材料。
2.如權(quán)利要求1所述施體薄膜，其中具有低于25℃的玻璃轉(zhuǎn)換溫度的該材料為硅聚合物。
3.如權(quán)利要求2所述施體薄膜，其中該緩沖層這樣形成在該光-熱轉(zhuǎn)化層上形成液態(tài)硅聚合物，然后通過(guò)一組UV固化、室溫固化、低溫固化和催化劑固化中選擇的一個(gè)過(guò)程來(lái)固化所形成的該液態(tài)硅聚合物。
4.如權(quán)利要求1所述施體薄膜，其中該緩沖層厚度小于20μm。
5.如權(quán)利要求4所述施體薄膜，其中該緩沖層厚度小于5μm。
6.如權(quán)利要求1所述施體薄膜，該緩沖層包括從一組發(fā)射有機(jī)層、空穴注入有機(jī)層、空穴轉(zhuǎn)移有機(jī)層、電子轉(zhuǎn)移有機(jī)層和電子注入有機(jī)層中選擇的至少一層。
7.如權(quán)利要求6所述施體薄膜，其中該轉(zhuǎn)移層為一發(fā)射有機(jī)層。
8.如權(quán)利要求6所述施體薄膜，其中每個(gè)發(fā)射有機(jī)層包括小分子材料。
9.如權(quán)利要求1所述施體薄膜，還包括一插入該光-熱轉(zhuǎn)化層和該緩沖層之間的中間層。
10.一種用于制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括形成一具有象素電極的受體基板；在受體基板上布置施體薄膜，其中該施體薄膜包括位于基膜上的光-熱轉(zhuǎn)化層、緩沖層和轉(zhuǎn)移層；以及利用激光束照射該基膜上的預(yù)定區(qū)域以進(jìn)行轉(zhuǎn)移。
11.如權(quán)利要求10所述方法，其中該緩沖層包括其玻璃轉(zhuǎn)換溫度Tg低于25℃的材料。
12.如權(quán)利要求11所述方法，其中該緩沖層包括硅聚合物。
13.如權(quán)利要求10所述方法，其中該轉(zhuǎn)移層包括從一組發(fā)射有機(jī)層、空穴注入有機(jī)層、空穴轉(zhuǎn)移有機(jī)層、電子轉(zhuǎn)移有機(jī)層和電子注入有機(jī)層中選擇的至少一層。
14.一種制造施體薄膜的方法，包括在基膜上形成光-熱轉(zhuǎn)化(LTHC)層；在LTHC層上形成緩沖層；以及在LTHC層上形成轉(zhuǎn)移層。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該LTHC層包括金屬層或有機(jī)聚合物層，以及其中通過(guò)真空蒸發(fā)、電子束沉積或者濺鍍來(lái)形成該金屬層，通過(guò)輥涂方法、照相凹板式涂敷方法、擠壓涂敷方法、旋轉(zhuǎn)涂敷方法和刮涂方法來(lái)形成該有機(jī)層。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該緩沖層包括其玻璃轉(zhuǎn)換溫度Tg低于25℃的材料。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括在該LTHC層和該緩沖層之間形成中間層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種平面顯示器的施體薄膜及利用其制造有機(jī)發(fā)光器件的方法。為平面顯示器提供的該施體薄膜具有基膜、置于基膜上的光－熱轉(zhuǎn)化層、置于光－熱轉(zhuǎn)化層上的緩沖層以及置于該光－熱轉(zhuǎn)化層和轉(zhuǎn)移層之間的緩沖層，其中緩沖層包括其玻璃轉(zhuǎn)換溫度(Tg)低于25℃的材料。為平面顯示器提供的該施體薄膜在施主基板的光－熱轉(zhuǎn)化層和轉(zhuǎn)移層之間插入該緩沖層，從而改善該轉(zhuǎn)移層和施主基板之間的粘結(jié)力。因此，通過(guò)利用施體薄膜對(duì)轉(zhuǎn)移層進(jìn)行轉(zhuǎn)移而在受體基板上形成的有機(jī)層圖案不包含任何缺陷。
文檔編號(hào)H05B33/12GK1592524SQ20041005874
公開(kāi)日2005年3月9日 申請(qǐng)日期2004年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月28日
發(fā)明者金茂顯, 陳炳斗, 徐旼撤, 楊南喆, 李城宅 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社