專利名稱：高頻等離子體射束源及噴射表面的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高頻等離子體射束源以及按照獨立權(quán)項的上位概念用等離子體射束方式噴射表面的方法。
在基片的真空鍍膜方法中經(jīng)常采用所謂高頻等離子體射束源。等離子體作為帶電微粒含有接近中性的原子和/或分子、電子和正離子。該帶電微粒通過電場和/或磁場被有目標地加速，并例如，剝蝕一個表面或給新形成的層帶來反應(yīng)性成分，例如氧等等。公知的還有離子支持方法，其中來自材料源(一般是蒸發(fā)源的材料)被蒸發(fā)并淀積在基片上。在基片上生長的材料與來自等離子體的反應(yīng)性成分，例如氧被吸入，于是形成氧化物層。這樣的方法一般是例如在制造光學(xué)用途的光透明層時使用。這里，等離子體射束的均勻程度對鍍層有重大的意義，因為這樣的鍍層的光學(xué)特性一般隨著氧含量發(fā)生重大變化。
在微電子技術(shù)中或光學(xué)應(yīng)用中，制造薄鍍層時力求制備盡可能均勻的鍍層厚度和鍍層性能，諸如淀積鍍層的折射率。但在工業(yè)應(yīng)用中要對大面積和/或同時對許多基片進行鍍層，這使鍍層厚度均勻性的問題顯得突出。特別是在光學(xué)鍍層的情況下，在一個表面或鍍料基片上最多百分之幾的層厚波動被看作是允許的。
從歐洲專利EP 349 556 B1已知一種高頻等離子體射束源，用來以高度平行的原子或分子噴射形成鍍層盡可能大面積均勻地轟擊表面。此外，為了不干擾等離子體，高頻等離子體射束源的開孔設(shè)置呈現(xiàn)小網(wǎng)孔寬度的引出網(wǎng)格。該引出網(wǎng)格作為高頻傳輸電極做成適當(dāng)形狀的金屬絲網(wǎng)的形式或平行走向的金屬絲形式。在等離子體和引出網(wǎng)格之間產(chǎn)生一個離子加速電位差，它使中性等離子體射束成為可能，在與噴射方向垂直的方向上是完全均勻的，而且絲毫不呈現(xiàn)調(diào)制結(jié)構(gòu)。為了使引出網(wǎng)格面總是保持完全平整，并避免引出網(wǎng)格的變形對等離子體射束不利的影響，已知的高頻等離子體射束源的引出網(wǎng)格的網(wǎng)格格保持設(shè)有調(diào)整張緊裝置。為了使大面積噴射成為可能，一般增大高頻等離子體射束源的寬度。然而這使成本上升，而且很快碰到結(jié)構(gòu)極限。
在蒸發(fā)過程中，均勻地對大量基片進行鍍層，其中基片安排在球形罩上。這里均勻地蒸鍍特別大的面積。
當(dāng)在基片上使用已知的高頻等離子體射束源來大面積淀積鍍層，而且基片安排在這樣一個球形罩上或者安排在其他曲面上時，還發(fā)現(xiàn)即使增大高頻等離子體射束源的寬度，也必須忍受淀積的鍍層厚度和鍍層性能的均勻性的損失。結(jié)果是，無法同時達到大面積噴射和希望的質(zhì)量要求。
本發(fā)明的任務(wù)是創(chuàng)造一種高頻等離子體射束源、一種帶有這種類型的高頻等離子體射束源的真空室，以及一種使大面積和高質(zhì)量的表面噴鍍成為可能的等離子體射束束的表面噴鍍方法。
本發(fā)明的這個任務(wù)用獨立權(quán)項的特征加以解決。
按照本發(fā)明的一個優(yōu)選優(yōu)選形態(tài)，與先有技術(shù)形成對比，產(chǎn)生一個發(fā)散的中性的等離子體射束束。
本發(fā)明的優(yōu)點是，通過按照本發(fā)明的高頻等離子體射束源的實施例，即使對安排在球形罩上的基片，也能淀積均勻的大面積的鍍層或者對較大的面積進行清潔。
本發(fā)明的另一形態(tài)是高頻等離子體射束源，特別是帶有較高的平行度的離子體噴射，為了改善對安排在球形罩上的基片的噴鍍，設(shè)置至少一個位于等離子體室之外的遮擋板，以避免在球形罩或基片上等離子體射束密度的不均勻范圍。為此，同樣可以用遮擋板在部分區(qū)域覆蓋等離子體室的出口。
下面參照附圖更詳細地描述本發(fā)明，由此可以看出除權(quán)利要求書中概括的內(nèi)容之外的本發(fā)明其他的特征、細節(jié)和優(yōu)點。
附圖中

圖1是一個帶有優(yōu)選的高頻等離子體射束源的鍍膜室；圖2是一個cosn噴射特性分布曲線；圖3是圖1的鍍膜室中的幾何比例，其中基片被安排在一個球形罩上；圖4是球形罩上TiO2鍍層折射率的分布；圖5是高頻等離子體射束源出口的大小和射束發(fā)散度對球形罩上等離子體射束密度分布的影響圖6是先有技術(shù)的高頻等離子體射束源；圖7是空間電荷區(qū)的厚度與施加的引出電壓的關(guān)系；圖8是在引出電壓固定的條件下空間電荷區(qū)厚度與電流密度的關(guān)系；圖9是優(yōu)選的引出網(wǎng)格布置；以及圖10是另一優(yōu)選的引出網(wǎng)格布置。
圖1示意地表示高頻等離子體射束源1，以下稱作Hf(高頻)等離子體射束源，帶有發(fā)散的中性等離子體射束I。高頻等離子體射束源1做成罐狀，設(shè)置在一個形成為鍍膜室7的真空室的范圍內(nèi)，被外殼2包圍。圖中沒有表示鍍膜室7的細節(jié)，諸如一般的真空泵、氣源、基片支架、分析儀等。高頻等離子體射束源1設(shè)有等離子體室3，其中例如，通過高頻輻射激發(fā)等離子體。為了激發(fā)和維持等離子體，設(shè)有電氣裝置8、9，即高頻發(fā)送器8和電連接9。此外，至少可以設(shè)置一個磁鐵5，一般用以將等離子體注入等離子體室3。為向高頻等離子體射束源1供氣，設(shè)置輸入口6。為了從等離子體室3中的等離子體引出中性等離子體射束，在出口一個范圍內(nèi)設(shè)置一個引出網(wǎng)格4，最好具有較高的透射率。供透射用的、特別是引出網(wǎng)格4表面未覆蓋的范圍，表示源的大小。一般源的大小由出口的大小確定。從歐洲專利EP 349 556 B1已知一個這樣的源，但是帶有平的引出網(wǎng)格，并帶有方向性強的等離子體射束。最好是按照ECWR原理工作的源，帶有密度相對較高的等離子體。
本發(fā)明的發(fā)散的等離子體射束I最好由等離子體和引出網(wǎng)格4之間目標明確的相互作用實現(xiàn)。引出網(wǎng)格4這樣形成，使得等離子體射束I基本上呈現(xiàn)發(fā)散的噴射特性。在圖9和10中，更詳細地表示了相應(yīng)的引出網(wǎng)格4的細節(jié)。
發(fā)散的等離子體射束應(yīng)該理解為這樣的等離子體射束，即在至少一個與主噴射方向，亦即，等離子體射束密度最高的方向垂直的方向上，仍有顯著的噴射。通常主噴射方向表示為源的法線。射束發(fā)散度可以近似地用余弦分布的n次冪描述。余弦分布的冪次n是射束發(fā)散度的一個量度。n越大，等離子體射束方向性越強；n越小，等離子體射束越發(fā)散。關(guān)于這樣的分布函數(shù)更詳細的討論可在G.Deppisch所著的“理論和實踐中的蒸鍍層層厚均勻性”中找到(″Schichtdickengleichmaessigkeit von aufgedampften Schichten inTheorie und Praxis)″，Vakuum Technik 30.Jahrgang，Heft3，1981)。圖2表示對應(yīng)于不同的n值的等離子體射束的相對離子電流與相對于源法線的射出角度的cosn分布曲線的函數(shù)關(guān)系。這種分布涉及一個數(shù)學(xué)計算的量值，它給出離子束密度在多大程度上取決于該角度。在強發(fā)散的射束(n＝1)時，在相對于源法線例如40度的角度仍達到在源法線方向發(fā)射值的78％的值，與此相反在n＝8時，在該角度只發(fā)射13％。在n＝16或n＝36時，在40度處實際上沒有等離子射束存在。
圖3表示作為鍍膜室形成的真空室7的幾何比例。在該鍍膜室7中，多個基片10.1、10.2、10.3、10.4、10.5、10.6布置在基本上呈球形的球形罩11上。球形罩11形成球殼斷面形式。基片10.1、10.2、10.3、10.4、10.5、10.6常常呈環(huán)形放置在球形罩11上，圖上代表多個基片的每個附圖標記指示球形罩上各自的環(huán)。垂直的虛線對應(yīng)于源法線方向，或與此平行的方向。有基片10.1的最內(nèi)的環(huán)對應(yīng)于一個球形罩角度α例如9°，下一個有基片10.2的環(huán)對應(yīng)于α＝14°的角度，有基片10.3的下一個環(huán)對應(yīng)于α＝21°的角度，有基片10.4的下一個環(huán)對應(yīng)于α＝27°的角度，下一個對應(yīng)于α＝33°角度，而最外的環(huán)對應(yīng)于α＝39°的角度。為了獲得更好的鍍層厚度均勻性，鍍膜時球形罩11可旋轉(zhuǎn)。在當(dāng)前情況下高頻等離子體射束源1設(shè)置得適當(dāng)?shù)仄x球形罩11的對稱中心，其中RQ表示源對于對稱軸Ks的徑向距離。為了有目標地影響等離子體射束I在基片10.1、10.2、10.3、10.4、10.5、10.6的強度，除了RQ以外，特別是還可以改變源法線方向和/或距離YQ。最好還可以在鍍膜室7內(nèi)設(shè)置另一個材料源，特別是一個蒸發(fā)源。為此，可以相對于對稱軸的方向以Beta角度傾斜。在本發(fā)明的其他實施例中，其上布置基片的表面主要呈另一種彎曲形式。
為了達到盡可能均勻的大面積噴射球形罩11，通常選擇出口盡可能大的定向等離子體射束的高頻等離子體射束源1。誠然，鍍膜研究以及模擬計算的實際結(jié)果表明，對于這樣一個的裝置，通過增大出口，只能有條件地達到基片上淀積的鍍層的鍍層厚度的充分均勻性。然而，按照本發(fā)明通過采用發(fā)散的等離子體射束I可以改善鍍層質(zhì)量，特別是鍍層厚度均勻性。
圖4表示在基本上呈球形的球形罩上TiO2鍍層的折射率分布。這里如圖1和圖2所示，采用16≤n≤32的高頻等離子體射束源和鍍膜室7的較大出口來淀積二氧化鈦TiO2。TiO2是透明的并呈現(xiàn)取決于所用的等離子體射束強度的折射率。高頻等離子體射束源的出口面積為18.750mm2。在均勻噴射球形罩11時，在球形罩11上光折射率就一定會均勻。沒有等離子體噴射時，折射率約為2.2，而在非常高的等離子體射束噴射密度下該值高達2.4。圖4中的測量結(jié)果表明，根據(jù)等離子體射束密度的改變，在位置1和6上覆層的折射率約比位置2至5上的小30％，其中這些位置對應(yīng)于圖2中球形罩11上的所述環(huán)10.1.....和球形罩11上分配的角度。
圖5表示高頻等離子體射束源出口大小以及噴射發(fā)散性對球形罩上等離子體射束密度分布的影響的模擬計算結(jié)果。在n＝16和相對小的出口(只有如圖4中的面積的1/10)的高頻等離子體射束源下，等離子體射束密度強烈地取決于球形罩角度(最上的曲線)。在n＝16但是出口較大的高頻等離子體射束源下，角度依賴性略小。n＝8和n＝4的曲線同樣用小的出口計算?？梢郧宄刂溃l(fā)散性增大，亦即，冪次n減小，等離子體射束密度較小地隨著球形罩角度改變。這樣便增大了球形罩上等離子體射束的均勻性。
發(fā)散的等離子體射束I簡單地使得對球形罩11的大面積均勻噴射成為可能。與較大出口和較高平行度的等離子體射束的高頻等離子體射束源的傳統(tǒng)的解決方案相比，在基片上淀積材料和/或用等離子體射束噴射基片時，例如，用以改變基片而進行發(fā)散的等離子體噴射，導(dǎo)致均勻得多的結(jié)果。在平面表面的場合，可以預(yù)期發(fā)散的等離子體射束下噴射的均勻性較低，然而對于許多應(yīng)用，諸如清潔表面仍舊是足夠的。
采用本發(fā)明的噴射表面的方法，射束發(fā)散度高的高頻等離子體射束源的等離子體射束I最好使用具有高達n＝16，特別是n＝4和n＝10的發(fā)散度，其中n是描述其噴射發(fā)散性的余弦分布函數(shù)cosn的冪次。帶有這種噴射特性的等離子體射束I使例如在球形罩11上的基片10.1.....上均勻性較高的等離子體射束密度成為可能，并改變覆層和/或供給例如氧等的成分。
可以理解，本發(fā)明不限于其發(fā)散的噴射特性可以用余弦分布函數(shù)表征的高頻等離子體射束源，而是包括每一個適當(dāng)?shù)暮虾跄繕说陌l(fā)散的噴射特性。
所希望的發(fā)散的噴射發(fā)散性可以按照目的通過高頻等離子體射束源1的結(jié)構(gòu)配置來達到。這里，與先有技術(shù)已知的實施形式不同，最好在高頻等離子體射束源1出口的范圍改變引出網(wǎng)格4。優(yōu)選三種可能的方式。引出網(wǎng)格4具有大網(wǎng)孔寬度的網(wǎng)孔，或者它不是平面的，而是向著等離子體做成凹的或者凸的。引出網(wǎng)格4還可以呈現(xiàn)凹的或凸的形式，以及網(wǎng)孔寬度較大的網(wǎng)孔。引出網(wǎng)格4最好由線徑約0.02-3mm，特別是最好0.1-1mm的鎢網(wǎng)組成。最好引出網(wǎng)格表面的至少一部分區(qū)域是圓柱類(特別是圓柱形立體)的外殼表面的片段。例如引出網(wǎng)格4可以具有矩形的基面，它對應(yīng)于高頻等離子體射束源1相應(yīng)地形成的出口。在圓柱形立體的場合，圓柱體的縱軸可以布置得平行于矩形的一邊。常常通過使圓柱形外殼呈弧形，做成面向等離子體的凹的或凸的形式。
為了進行比較，圖6示意地表示按照先有技術(shù)的在出口范圍內(nèi)帶有平的引出網(wǎng)格4和平行度較高的等離子體射束I的高頻等離子體射束源1。引出網(wǎng)格4上的等離子體邊沿層基本上是平的。按照一般準則，諸如從EP 349 556 B1獲知，引出網(wǎng)格4形成細網(wǎng)孔的，使之不受其影響。因此，將網(wǎng)孔寬度選擇得小于引出網(wǎng)格4和等離子體之間的空間電荷區(qū)的厚度。
空間電荷區(qū)的厚度d可以從教科書查到。據(jù)此厚度d取決于電流密度j和等離子體邊沿和引出網(wǎng)格4之間的電壓降Ud=4ϵ09·j·2·emion·U34]]>式中ε0真空的介質(zhì)常數(shù)，e單位電荷mion有關(guān)離子的質(zhì)量U等離子體邊沿和引出網(wǎng)格4之間的電壓降(對應(yīng)于引出電壓)為了確定引出網(wǎng)格4按照本發(fā)明增大的網(wǎng)孔寬度，采取以下步驟。
對于10A/m2的離子電流，對于運行這種鍍膜裝置的一般值表明，在出口為0.1m2的高頻等離子體射束源的情況下，算出空間電荷區(qū)的厚度d，如圖7所示。據(jù)此，空間電荷層的厚度d隨著電壓降增大，并在0.5mm至2.5mm之間改變，電壓降在約50和約370伏之間改變。在50和200伏之間優(yōu)選的電壓范圍，厚度d明顯地小于2mm。
經(jīng)觀察，在例如150伏引出電壓下，空間電荷區(qū)的厚度d與離子電流密度的關(guān)系由圖8所示曲線給出?？臻g電荷層厚度d在固定的引出電壓下隨著電流密度上升而下降，在4A/m2和25A/m2之間優(yōu)選范圍內(nèi)，空間電荷區(qū)的厚度d小于2mm。
圖9示意地表示本發(fā)明的等離子體射束源1，具有增大的網(wǎng)孔寬度的網(wǎng)孔的引出網(wǎng)格4的優(yōu)選配置。若網(wǎng)孔寬度大于空間電荷區(qū)的厚度d，則在這個范圍內(nèi)等離子體邊沿層變形，正如引出網(wǎng)格4以下的波形曲線所示。這導(dǎo)致等離子體射束I發(fā)散性增大。合用的網(wǎng)孔寬度還應(yīng)該足夠小，這樣等離子體不會顯著地通過出口漏出。當(dāng)空間電荷區(qū)的厚度在在0.5和2.5mm之間的范圍內(nèi)時，網(wǎng)孔寬度適當(dāng)?shù)貎?yōu)選最大為30mm，特別優(yōu)選最大為20mm，。
圖10示意地表示引出網(wǎng)格4另一個推薦優(yōu)選配置，它不是平的，而是從等離子體室3看去做成凹的。這樣做成彎曲等離子體邊沿層，和突出的等離子體射束I，呈現(xiàn)發(fā)散的噴射特性。這里引出網(wǎng)格4的網(wǎng)孔寬度還可以選擇得相對小，特別是小于空間電荷區(qū)的厚度。引出網(wǎng)格4也可以做成凸的。
在另一個實施例中，引出網(wǎng)格4可以在它的面積至少一部分區(qū)域內(nèi)做成不均勻。為此可以例如改變網(wǎng)孔寬度，使得向邊沿設(shè)置較小的網(wǎng)孔寬度。為了在等離子體室3之外調(diào)制等離子體射束，還可以設(shè)置一個或者多個遮擋板。同樣，可以用遮擋板覆蓋出口部分區(qū)域，這樣通常有的表面不均勻的噴射范圍就會漸漸消失。為了另外調(diào)制等離子體射束，遮擋板可以另外被施加電勢。
在本發(fā)明的一個可選實施例中，采用從EP 349 556 B1獲知的帶有平面引出網(wǎng)格的、用以噴射布置在球形罩上的基片的高頻等離子體射束源，然而其中在射束源的等離子體室之外的空間范圍內(nèi)布置至少一個遮擋板。該遮擋板對等離子體射束加以調(diào)制，以在噴射中消除球形罩上不然就不均勻噴射的區(qū)域。這同樣可以通過覆蓋出口的部分區(qū)域來實現(xiàn)。特別是，所用的遮擋板的形狀最好根據(jù)所達到的噴射結(jié)果憑經(jīng)驗確定。此外，預(yù)先設(shè)有為調(diào)制等離子體射束而加有電勢的遮擋板。
附圖標記說明1高頻等離子體射束源2外殼3等離子體室4引出網(wǎng)格5磁鐵6氣體入口7鍍膜室8高頻發(fā)送器9電氣連接10 基片11 球形罩I等離子體射束Ks 球形罩對稱軸α球形罩角度Rs 源對稱軸的徑向距離RQ源對稱中心的垂直距離
權(quán)利要求
1.一種高頻等離子體射束源，帶有等離子體用的等離子體室(3)；電氣裝置(8、9)，用以激發(fā)和維持等離子體；處于高頻電位的引出網(wǎng)格(4)，用以從等離子體室(3)引出等離子體射束(I)；以及出口，尤其是對著真空室(7)的出口，其中所述引出網(wǎng)格(4)布置在該出口的范圍內(nèi)，其特征在于，所述等離子體射束(I)基本上為發(fā)散的。
2.按照權(quán)利要求1的高頻等離子體射束源，其特征在于，所述等離子體射束(I)的發(fā)散性通過等離子體和引出網(wǎng)格(4)之間有目的的相互作用而實現(xiàn)。
3.按照上述權(quán)利要求中至少一項的高頻等離子體射束源，其特征在于，為了達到等離子體電流密度的高均勻性，在要噴射的彎曲的表面至少一部分區(qū)域，等離子體射束(I)適應(yīng)該表面至少一部分區(qū)域的形狀。
4.按照上述權(quán)利要求中至少一項的高頻等離子體射束源，其特征在于，從等離子體室(3)看，引出網(wǎng)格(4)做成凹形或凸形，其中尤其是引出網(wǎng)格面的至少一部分區(qū)域是一個圓柱形立體外殼面的片段。
5.按照上述權(quán)利要求中至少一項的高頻等離子體射束源，其特征在于，在引出網(wǎng)格(4)面的至少一部分區(qū)域上引出網(wǎng)格(4)不均勻地形成。
6.按照上述權(quán)利要求中至少一項的高頻等離子體射束源，其特征在于，設(shè)有至少一個位于等離子體室(3)外的遮擋板。
7.按照上述權(quán)利要求中至少一項的高頻等離子體射束源，其特征在于，在部分區(qū)域內(nèi)出口用遮擋板覆蓋。
8.按照上述權(quán)利要求中至少一項的高頻等離子體射束源，其特征在于，所述引出網(wǎng)格(4)呈現(xiàn)具有這樣一種網(wǎng)孔寬度的網(wǎng)孔，它比引出網(wǎng)格(4)和等離子體室(3)中的等離子體之間的空間電荷區(qū)的厚度小。
9.按照上述權(quán)利要求1至7中至少一項的高頻等離子體射束源，其特征在于，引出網(wǎng)格(4)呈現(xiàn)具有這樣一種網(wǎng)孔寬度的網(wǎng)孔，它至少與在引出網(wǎng)格(4)和等離子體室(3)中的等離子體之間的空間電荷區(qū)的厚度一樣大。
10.按照權(quán)利9要求的高頻等離子體射束源，其特征在于，引出網(wǎng)格(4)呈現(xiàn)具有這樣一種網(wǎng)孔寬度的網(wǎng)孔，它至多大到讓等離子體仍基本上留在等離子體室(3)中。
11.一種高頻等離子體射束源，帶有等離子體用的等離子體室(3)；電氣裝置(8、9)，用以激發(fā)和維持等離子體；處于高頻電位的平面的引出網(wǎng)格(4)，用以從等離子體室(3)引出等離子體射束(I)；以及出口，尤其是對著真空室(7)的出口，其中所述引出網(wǎng)格(4)布置在該出口的范圍內(nèi)，其特征在于，所述等離子體射束呈現(xiàn)平行性，且設(shè)有至少一個位于等離子體室(3)外的遮擋板，用它對所述等離子體射束(I)進行調(diào)制，以達到在球形罩(11)的表面至少一部分區(qū)域上等離子體射束密度的高均勻性。
12.按照上述權(quán)利要求中至少一項的高頻等離子體射束源，其特征在于，為調(diào)制等離子體射束(I)，用至少一個遮擋板施加電勢。
13.按照上述權(quán)利要求中至少一項的高頻等離子體射束源，其特征在于，在所述鍍膜室(7)中，與出口基本上相對地布置一個彎曲的表面，尤其是球形罩(11)，其上有基片(10.1、10.2、10.3、10.4、10.5、10.6)。
14.按照上述權(quán)利要求中至少一項的高頻等離子體射束源，其特征在于，除高頻等離子體射束源(1)外還設(shè)有一個蒸發(fā)源。
15.按照上述權(quán)利要求中至少一項的高頻等離子體射束源，其特征在于，所述引出網(wǎng)格(4)由線徑約0.02-3mm，優(yōu)選0.1-1mm的鎢網(wǎng)形成。
16.按照上述權(quán)利要求中至少一項的高頻等離子體射束源，其特征在于，至少設(shè)有一個磁鐵(5)，用以將等離子體封閉在等離子體室(3)的范圍內(nèi)。
17.一種真空室，帶有外殼(2)、高頻等離子體射束源和要噴鍍的表面，其特征在于，所述高頻等離子體射束源(1)是按照上述權(quán)利要求中至少一項形成的。
18.按照權(quán)利要求17的真空室，其特征在于，要噴鍍的表面是彎曲的，尤其為球形罩(11)，其上容納一個或者多個基片(10.1、10.2、10.3、10.4、10.5、10.6)。
19.一種用高頻等離子體射束源的等離子體射束噴鍍表面的方法，其特征在于，使用一個發(fā)散的等離子體射束(I)，而所述高頻等離子體射束源按照權(quán)項1-16中的至少一項形成。
20.按照權(quán)利要求19的方法，其特征在于，所述等離子體射束(I)具有發(fā)散度最多n＝16、優(yōu)選n＝4的噴射特性，其中n是余弦分布函數(shù)的冪次。
21.按照權(quán)項19和20中至少一項的方法，其特征在于，所述等離子體射束(I)的噴射特性是等離子體和引出網(wǎng)格(4)之間有目的的相互作用導(dǎo)致的。
22.按照權(quán)項19至21中至少一項的方法，其特征在于，在引出的等離子體和布置在等離子體室(3)之外的至少一個遮擋板之間施加有目的的相互作用。
23.按照權(quán)項19至22中至少一項的方法，其特征在于，為了達到在表面的至少一部分區(qū)域上等離子體射束密度的高均勻性，等離子體射束(I)的噴射特性與要噴鍍表面的至少一部分區(qū)域相適應(yīng)。
24.按照權(quán)項19至23中至少一項的方法，其特征在于，設(shè)置一個彎曲表面，尤其是球形罩(11)。
25.按照權(quán)項19至24中至少一項的方法，其特征在于，通過對表面的噴射來實現(xiàn)表面的鍍層。
26.按照權(quán)項19至25中至少一項的方法，其特征在于，通過對表面的噴射來實現(xiàn)表面的改變和/或清潔。
全文摘要
本發(fā)明涉及高頻等離子體射束源(1)，帶有等離子體室(3)；電氣裝置(8、9)，將電壓施加在該高頻等離子體射束源(1)上，以激發(fā)和維持該等離子體；從等離子體空間(3)引出等離子體射束(I)的裝置(4)；以及用引出網(wǎng)格(4)與真空室(7)分隔的出口。等離子體射束(I)從高頻等離子體射束源(1)產(chǎn)生，基本上呈發(fā)散的噴射特性。本發(fā)明還涉及用高頻等離子體射束源的等離子體射束(I)噴射一個表面的方法，其中所述等離子體射束(I)是發(fā)散的。
文檔編號H05H1/54GK1802724SQ200480015920
公開日2006年7月12日 申請日期2004年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月11日
發(fā)明者R·貝克曼 申請人:萊博德光學(xué)有限責(zé)任公司