專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示面板，其形成在基板上，并包括具有至少一個(gè)光發(fā)射層和沉積在所述光發(fā)射層之上或上面的至少一個(gè)電極層的多個(gè)顯示像素。
將包括電致發(fā)光材料的顯示像素用在基板之上或上面的顯示面板變得越來(lái)越普及。這些發(fā)光元件可以是發(fā)光二極管(LED)，結(jié)合在或形成按行和列矩陣排列的顯示像素。如果通過(guò)諸如特殊聚合的(PLED)或小分子有機(jī)(SMOLED)材料等這些材料傳送電流，那么用于這種LED中的材料適于生成光。由此，LED必須排列成使得可以通過(guò)這些電致發(fā)光材料驅(qū)動(dòng)電流的流動(dòng)。通常分為無(wú)源和有源驅(qū)動(dòng)式矩陣顯示。對(duì)于有源矩陣顯示來(lái)說(shuō)，顯示像素本身包括諸如一個(gè)或多個(gè)晶體管的有源電路。
由于PLED材料在水溶液或溶劑中固有的熱穩(wěn)定性、靈活性和可溶性特性，PLED材料提供了優(yōu)于SMOLED材料的優(yōu)點(diǎn)。因此，PLED材料可以應(yīng)用于諸如旋涂或噴墨式沉積等濕式化學(xué)技術(shù)中。
EP-A-0 892 028公開(kāi)一種有機(jī)EL元件，其中在透明基板上形成透明像素電極。在像素電極之間形成以光平版印刷術(shù)定義的光致抗蝕劑臺(tái)以防止包括電致發(fā)光材料的液體墨滴無(wú)意間流到相鄰的顯示像素。
對(duì)于例如那些具有頂部發(fā)射或半透明顯示面板的一些顯示面板來(lái)說(shuō)，用于將電流施加到電致發(fā)光材料的頂部電極層對(duì)于從顯示像素發(fā)射的光應(yīng)當(dāng)是透明的。這種透明電極層固有相對(duì)高的電阻。因此，對(duì)于這種顯示面板來(lái)說(shuō)，存在的矛盾是或者增大電極層的厚度以犧牲透明度而減小電阻率；或者減小頂部電極層的厚度以提高透明度，結(jié)果得到對(duì)采用這種顯示面板的裝置的功耗有不利影響的甚至更高的電阻率。
本發(fā)明的目的是提供一種具有低阻的光透明電極層的顯示面板。
此目的是通過(guò)提供還包括分路(shunt)所述電極層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的顯示面板來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在分路時(shí)，電極層通過(guò)一個(gè)或多個(gè)所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)交叉連接，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)能夠通過(guò)這些導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的電極層傳送部分電流。在這種顯示裝置中，由不影響電極層厚度的外部度量來(lái)減小電極層的電阻。由此，可合理地將電極層的厚度保持為薄，而不會(huì)導(dǎo)致電極層電阻的無(wú)法接受的增大。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，顯示像素由形成所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的阻擋結(jié)構(gòu)分隔，并且所述電極層與用于分路所述電極層的所述阻擋結(jié)構(gòu)相接觸。由于阻擋結(jié)構(gòu)本身通常已經(jīng)存在于顯示像素之間，所以使用這些用于分路的阻擋結(jié)構(gòu)避免了額外的制造步驟，并且這種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)沒(méi)有減小顯示像素的孔徑。阻擋結(jié)構(gòu)形成充滿(mǎn)發(fā)光聚合物的“小杯子”，其對(duì)應(yīng)于像素。與有機(jī)阻擋結(jié)構(gòu)相對(duì)比，金屬阻擋結(jié)構(gòu)形成用于從一個(gè)像素向另一個(gè)像素進(jìn)行水?dāng)U散的阻擋層。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，相鄰顯示像素的阻擋結(jié)構(gòu)是電接觸的。雖然不是必需的，但由于電極層本身已經(jīng)連接了阻擋結(jié)構(gòu)，因此阻擋結(jié)構(gòu)之間的電接觸還可減小電路徑的電阻，得到改進(jìn)的分路性能。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，絕緣層將光發(fā)射層與所述阻擋結(jié)構(gòu)分隔。由于光發(fā)射層是導(dǎo)電的，所以該絕緣層避免了經(jīng)由阻擋結(jié)構(gòu)在光發(fā)射層下面的電極和電極層之間的漏電流的流動(dòng)。此外，諸如PEDOT電洞(hole)注入層等特殊物質(zhì)的化學(xué)活性可以腐蝕或氧化阻擋結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致在該區(qū)域與電極層的不良電接觸。阻擋結(jié)構(gòu)最好包括由作為絕緣隔離層的諸如光致抗蝕劑層或非晶硅層等疏水絕緣層覆蓋的側(cè)壁。備選地，阻擋結(jié)構(gòu)可包括相對(duì)于所述基板具有基本傾斜方向的側(cè)壁，所述側(cè)壁由陽(yáng)極化的絕緣隔離層覆蓋。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，顯示面板還包括局部分隔所述電極層的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)可以是內(nèi)置蔭罩，其可用于以通常用在無(wú)源矩陣顯示面板中的多個(gè)條帶分隔電極層。這些條帶還由特定條帶的顯示像素的阻擋結(jié)構(gòu)進(jìn)行分路。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，在顯示面板的至少一個(gè)邊緣處或附近可得到阻擋結(jié)構(gòu)，例如以與外部電路接觸。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，阻擋結(jié)構(gòu)至少部分由至少一個(gè)吸光導(dǎo)電層覆蓋。這種吸光層有利于頂部發(fā)射顯示面板減少金屬阻擋結(jié)構(gòu)的光散射，以提高例如日光對(duì)比度。吸光層最好包括氧化物材料或金屬氧化物材料組合。這種層可固有地是吸光料，或者可與顯示面板的其它層反應(yīng)，諸如隨后要沉積的電極層，以在沉積后變?yōu)榛虮３治饬稀?br> 在本發(fā)明的實(shí)施例中，阻擋結(jié)構(gòu)是全反射的，或由反射層覆蓋，并且顯示面板還包括阻光層，例如圓偏振器。任何進(jìn)入的光都完全由阻擋結(jié)構(gòu)反射，并且隨后被全部阻斷，以便減少或消除光散射。
應(yīng)當(dāng)理解，上述顯示面板可構(gòu)成電子裝置的部分，或同樣的電子裝置。這種電子裝置例如可涉及諸如移動(dòng)電話(huà)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)或便攜式計(jì)算機(jī)等手持式裝置，以及諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、電視機(jī)或例如車(chē)載儀表板上的顯示器等裝置。
本發(fā)明還涉及用于在基板上制造顯示面板的方法，該方法包括以下步驟-通過(guò)在所述基板之上或上面沉積導(dǎo)電阻擋結(jié)構(gòu)來(lái)限定多個(gè)顯示像素區(qū)域；-用至少一種形成光發(fā)射層的物質(zhì)填充由所述阻擋結(jié)構(gòu)所界定的所述分隔的顯示像素區(qū)域；-在所述光發(fā)射層之上或上面沉積電極層，并與所述阻擋結(jié)構(gòu)相接觸。
該方法產(chǎn)生一種顯示面板，其中電極層的厚度可以合理地保持為薄，而不會(huì)導(dǎo)致電極層電阻的無(wú)法接受的增大。由于阻擋結(jié)構(gòu)本身已經(jīng)存在于顯示像素之間，所以使用這些用于分路的阻擋結(jié)構(gòu)避免了額外的制造步驟，并且附加的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)沒(méi)有減小顯示像素的孔徑。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，該方法還包括在所述聚合物物質(zhì)和所述阻擋結(jié)構(gòu)之間形成絕緣隔離層的步驟。這種絕緣層可以減少或消除漏電流，并避免阻擋結(jié)構(gòu)的化學(xué)降解。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，該方法還包括以下步驟-在所述阻擋結(jié)構(gòu)之上或上面提供掩膜層；-底蝕(underetching)所述掩膜層，以形成所述阻擋結(jié)構(gòu)的基本傾斜的側(cè)壁；-在陽(yáng)極化槽(bath)中，通過(guò)利用反電極并將所述導(dǎo)電阻擋結(jié)構(gòu)連接為第二電極而執(zhí)行陽(yáng)極化處理，來(lái)沉積氧化物絕緣隔離層。
發(fā)現(xiàn)這些步驟是有利的，因?yàn)閷?dǎo)電阻擋結(jié)構(gòu)可用于外部連接，以使在陽(yáng)極化槽中阻擋結(jié)構(gòu)可構(gòu)成電極。意外的是，發(fā)現(xiàn)水作為理想液體來(lái)將TiW和Al的堆疊用于阻擋結(jié)構(gòu)且Al用作第一電極而執(zhí)行陽(yáng)極化處理。
本發(fā)明還將參考附圖進(jìn)行說(shuō)明，附圖示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。要理解到，本發(fā)明不以任何方式限制于這些具體和優(yōu)選實(shí)施例。
在附圖中

圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例具有顯示面板的電子裝置示意圖；圖2示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的部分顯示面板；圖3示出沿圖2的I-I的剖面圖；圖4示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的部分顯示面板的剖面圖；圖5示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的部分顯示面板的剖面圖；圖6示出在制造圖5顯示面板的過(guò)程中部分顯示面板的剖面圖；圖7示意性說(shuō)明對(duì)圖6所示顯示面板所執(zhí)行的陽(yáng)極化處理；圖8示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的部分顯示面板的剖面圖；以及圖9示出根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的部分顯示面板的剖面圖。
圖1示意性地示出電子裝置2的顯示面板1，該顯示面板1具有多個(gè)以行和列矩陣排列的顯示像素3。顯示面板2可以是包括聚合物發(fā)光二極管(PLED)或小分子發(fā)光二極管(SMOLED)的有源矩陣顯示面板或無(wú)源矩陣顯示面板1。
圖2示意性地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例具有三個(gè)顯示像素3的部分顯示面板1。圖3示出沿圖2所示的部分顯示面板1的線(xiàn)I-I的剖面圖。
例如通過(guò)真空蒸發(fā)或噴涂，將通常稱(chēng)為陽(yáng)極的第一電極層4沉積在基板5之上或上面。隨后可用光刻法對(duì)陽(yáng)極4進(jìn)行圖案化，如圖2中由虛線(xiàn)界定的區(qū)域所示。根據(jù)顯示面板1所需的發(fā)射類(lèi)型，陽(yáng)極4可以是透明的、吸收的或反射的。對(duì)于顯示面板1的底部發(fā)射類(lèi)型，陽(yáng)極4通常是透明的，其中光通過(guò)基板5發(fā)射，或?qū)τ诎胪该黠@示面板1，其中顯示面板1是全透明的。例如，可以使用諸如氧化銦錫(ITO)等透明電洞注入電極材料。對(duì)于顯示面板1的頂部發(fā)射類(lèi)型，陽(yáng)極4通常是反射的，其中光從顯示面板1遠(yuǎn)離基板5發(fā)射。在這種情況下，陽(yáng)極4可以是金屬，或覆蓋有ITO的金屬。
在陽(yáng)極4圖案化之后，沉積例如二氧化硅的絕緣層6以及例如鋁和鉬層的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層。隨后對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化，以定義導(dǎo)電結(jié)構(gòu)7。在該實(shí)施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)7用作限定或分隔相鄰顯示像素3的阻擋結(jié)構(gòu)7。如有需要，還定義SiO2層6，以在部分顯示像素區(qū)域A處露出陽(yáng)極4，并可為交叉電連接定義電洞。
阻擋結(jié)構(gòu)7形成“小杯子”，其對(duì)應(yīng)于像素，在稍后階段充滿(mǎn)發(fā)光聚合物。與有機(jī)阻擋結(jié)構(gòu)相對(duì)比，金屬阻擋結(jié)構(gòu)7形成用于從一個(gè)像素向另一個(gè)像素進(jìn)行水?dāng)U散的阻擋層。該水例如可存在于沉積在由阻擋結(jié)構(gòu)7形成的杯子中的導(dǎo)電聚合物中。阻擋結(jié)構(gòu)7最好是電接觸的，如圖2所示。阻擋結(jié)構(gòu)的厚度或高度通常在0.1-5μm范圍內(nèi)變化，更為適宜的是在0.5-3μm范圍內(nèi)，諸如1.5μm。阻擋結(jié)構(gòu)7的極小寬度可在1-10μm范圍內(nèi)，例如5μm。接近顯示面板1的邊緣，阻擋結(jié)構(gòu)7的寬度可以更大，例如幾厘米。
對(duì)于無(wú)源矩陣顯示面板1，以及偶爾也對(duì)于有源矩陣顯示面板1，可以采用另外的結(jié)構(gòu)8。
隨后，例如通過(guò)噴墨印刷沉積聚合物9。注意，顯示像素3可包括幾個(gè)導(dǎo)電聚合物層，諸如聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)層和聚苯撐亞乙烯基(PPV)層，后者是發(fā)光聚合物(LEP)。對(duì)于彩色發(fā)光顯示，可使用不同的發(fā)光材料。金屬阻擋結(jié)構(gòu)7通常是疏水的，而SiO2層6是親水的。因此，發(fā)光材料適當(dāng)遍布在顯示像素區(qū)域A上。
最后，通常稱(chēng)為陰極的電極層10沉積在顯示面板上。為了清晰起見(jiàn)，在圖2中未示出這個(gè)陰極10。通常對(duì)于有源矩陣顯示面板1，陰極是非斷續(xù)板層(slab)，即，對(duì)于所有顯示像素3使用公共陰極，而對(duì)于無(wú)源矩陣顯示面板1，由另外的結(jié)構(gòu)8為每行或每列分隔陰極。陰極10可以是透明的或反射的。特別對(duì)于透明的陰極10，存在高電阻率。通過(guò)導(dǎo)電阻擋結(jié)構(gòu)7對(duì)陰極10進(jìn)行分路，以便可相當(dāng)大地縮減陰極10的厚度。陰極10的厚度最好在10-100nm范圍內(nèi)，并且更好的情況是在10-80nm范圍內(nèi)，諸如30nm。這個(gè)大大縮減的厚度極大提高了陰極的透明度。阻擋結(jié)構(gòu)7可以是金屬的，或者包括使陰極10能夠?qū)щ姷慕饘俨糠?。注意，由于陰極10至少與阻擋結(jié)構(gòu)7的頂部表面電接觸，所以阻擋結(jié)構(gòu)7的壁可以是陡峭的。但是，阻擋結(jié)構(gòu)7的壁最好相對(duì)基板5具有傾斜的方向，例如圖5所示，以得到允許由陰極層10以良好步驟進(jìn)行覆蓋的淺阻擋結(jié)構(gòu)。
在無(wú)源矩陣顯示面板1的情況下，由另外的結(jié)構(gòu)8沿線(xiàn)構(gòu)造陰極10，而對(duì)于每條特定線(xiàn)，都存在由阻擋結(jié)構(gòu)7進(jìn)行分路。
在顯示像素區(qū)域A中聚合物物質(zhì)的沉積常常導(dǎo)致PEDOT和金屬阻擋結(jié)構(gòu)7之間的接觸。由于PEDOT是導(dǎo)電的，因此漏電流可能通過(guò)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)7在陽(yáng)極4和陰極10之間流動(dòng)。此外，由于PEDOT溶液是酸性的，所以可能對(duì)阻擋結(jié)構(gòu)7的鋁造成不利影響，導(dǎo)致局部腐蝕。這最終可導(dǎo)致阻擋結(jié)構(gòu)7和陰極10之間接觸不良。
圖4和5所示的實(shí)施例通過(guò)提供將聚合物9與阻擋結(jié)構(gòu)7分隔開(kāi)的絕緣層11而將這些影響考慮進(jìn)去了。
在圖4中，阻擋結(jié)構(gòu)7包括由作為絕緣隔離層11的諸如非晶硅或光致抗蝕劑等疏水絕緣層覆蓋的側(cè)壁。在聚合物加工之前，隔離層11最好是疏水的，或制成疏水的，以使隔離層11不會(huì)被聚合物9弄濕。
在該實(shí)施例中，光致抗蝕劑例如通過(guò)旋涂沉積在顯示面板上。在應(yīng)當(dāng)采用另外結(jié)構(gòu)8的情況下，最好在定義這些另外結(jié)構(gòu)8之前進(jìn)行該步驟。光致抗蝕劑層沉積厚度最好不比阻擋結(jié)構(gòu)7的高度大得太多，以避免顯示面板1上光致抗蝕劑的平面化。在沉積抗蝕劑之后，用O2等離子體執(zhí)行各向異性RIE蝕刻，以便在阻擋結(jié)構(gòu)7的側(cè)壁上形成絕緣隔離層11。隔離層11是光滑的，以使陰極10(圖4中未示出)可以不間斷地沉積在結(jié)構(gòu)上。隔離層11保護(hù)金屬阻擋結(jié)構(gòu)7不碰到聚合物9，尤其是PEDOT，以使上述不利影響不會(huì)發(fā)生或可能很少發(fā)生。
在圖5中，阻擋結(jié)構(gòu)7包括相對(duì)于基板5具有基本傾斜方向的側(cè)壁12。側(cè)壁12由陽(yáng)極化的絕緣隔離層11覆蓋。絕緣隔離層11又保護(hù)金屬阻擋結(jié)構(gòu)7不受PEDOT材料的不利影響。
圖6和圖7示意性地示出圖5所示實(shí)施例的優(yōu)選制造工藝。在限定金屬阻擋結(jié)構(gòu)7之后，通過(guò)底蝕光致抗蝕掩膜13形成傾斜的側(cè)壁12，光致抗蝕掩膜13用于通過(guò)濕蝕刻或等離子蝕刻來(lái)限定阻擋結(jié)構(gòu)7。保留光致抗蝕掩膜13，以用在將絕緣隔離層11涂到傾斜側(cè)壁12上的后續(xù)陽(yáng)極化處理中。在顯示面板1上，金屬阻擋結(jié)構(gòu)7可用于與接觸元件14電連接。如果阻擋結(jié)構(gòu)包括TiW和Al，則觀察到水15可用作氧化劑，以將絕緣隔離層11涂到傾斜側(cè)壁12上。發(fā)現(xiàn)電壓源16在接觸元件14和Al反電極17之間施加30V的電壓，產(chǎn)生AlO隔離層11。在陽(yáng)極化處理之后，去除光致抗蝕掩膜13。如果需要，隨后可在顯示面板1上定義另外的結(jié)構(gòu)8。由于接觸元件14造成各個(gè)阻擋結(jié)構(gòu)7之間的短路，因此可以從顯示面板1去除接觸元件14。然而，對(duì)于具有公共陰極10的有源矩陣顯示面板1，可保留元件14以與陰極10接觸。
注意，所描述的實(shí)施例可全都包括另外的層或結(jié)構(gòu)，并且通常由蓋保護(hù)。
總之，本發(fā)明通過(guò)陰極10的電分路，最好通過(guò)使用顯示像素3之間的阻擋結(jié)構(gòu)7，允許陰極10將適當(dāng)?shù)耐该鞫群秃侠淼牡碗娮杪氏嘟Y(jié)合。阻擋結(jié)構(gòu)7實(shí)現(xiàn)了通過(guò)形成液體發(fā)光聚合物的屏障來(lái)限定像素和分路陰極10的雙重功能。
圖8示意性示出頂部發(fā)射顯示面板1的本發(fā)明實(shí)施例，其中阻擋結(jié)構(gòu)7由至少一個(gè)吸光導(dǎo)電層18覆蓋，下文也稱(chēng)為黑層18。在構(gòu)建導(dǎo)電層之前，可將黑層18沉積在導(dǎo)電層頂部，以得到阻擋結(jié)構(gòu)7。黑層18可包括具有一定電導(dǎo)的氧化材料，諸如RuO2、IrO2、Pb2Ru2O7、Bi2Ru2O7或Pb3Rh7O15。這種層18不與陰極10的材料發(fā)生反應(yīng)，并固有地具有吸收性和傳導(dǎo)性。另一類(lèi)材料可以是將與陰極10發(fā)生反應(yīng)，但具有一定電阻，以進(jìn)一步處理這種發(fā)光聚合物的印刷、陰極10的沉積以及密封。在與陰極10反應(yīng)之后，這些材料應(yīng)當(dāng)變成能吸收的，或保持吸收性和傳導(dǎo)性。材料可包括SiO與Al、SiO與Ag或其它金屬氧化物組合的混合物。黑層18最好具有有限的厚度，諸如在20-500nm的范圍內(nèi)，比如100nm。
圖9示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施例，其中阻擋結(jié)構(gòu)7是全反射的，或由反射層19覆蓋，并且顯示面板1還包括對(duì)比度增強(qiáng)層20，例如圓偏振器。可添加反射層19以增加反射率。反射層19最好是薄的，諸如在20-100nm的范圍內(nèi)，以獲得高反射層。在顯示面板1的頂部上提供對(duì)比度增強(qiáng)層20，該層位于保護(hù)結(jié)構(gòu)21的上面。任何進(jìn)入的光全部由阻擋結(jié)構(gòu)7或反射層19反射，并且隨后完全由阻光層20阻斷，以便減少或消除來(lái)自入射日光的光散射。
權(quán)利要求
1.顯示面板(1)，其形成在基板(5)上，并包括具有至少一個(gè)光發(fā)射層(9)和沉積在所述光發(fā)射層(9)之上或上面的至少一個(gè)電極層(10)的多個(gè)顯示像素(3)，其中所述顯示面板(1)還包括分路所述電極層(10)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(7)。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板(1)，其中所述顯示像素(3)由形成所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(7)的阻擋結(jié)構(gòu)分隔，并且所述電極層(10)與用于分路所述電極層(10)的所述阻擋結(jié)構(gòu)接觸。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板(1)，其中相鄰顯示像素(3)的所述阻擋結(jié)構(gòu)(7)電接觸。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示面板(1)，其中至少一個(gè)絕緣層(11)將所述光發(fā)射層(9)與所述阻擋結(jié)構(gòu)(7)分隔。
5.如權(quán)利要求2所述的顯示面板(1)，其中所述阻擋結(jié)構(gòu)(7)包括由作為絕緣隔離層(11)的諸如非晶硅層或光致抗蝕劑層的疏水絕緣層(11)覆蓋的所述壁。
6.如權(quán)利要求2所述的顯示面板(1)，其中所述阻擋結(jié)構(gòu)(7)包括相對(duì)于所述基板(5)具有基本傾斜方向的側(cè)壁(12)，所述側(cè)壁(12)由陽(yáng)極化的絕緣隔離層(11)覆蓋。
7.如權(quán)利要求2所述的顯示面板(1)，其中所述顯示面板(1)還包括局部分隔所述電極層(10)的結(jié)構(gòu)(8)。
8.如權(quán)利要求2所述的顯示面板(1)，其中所述阻擋結(jié)構(gòu)(7)在所述顯示面板(1)的至少一個(gè)邊緣處或附近可得到。
9.如權(quán)利要求2所述的顯示面板(1)，其中所述阻擋結(jié)構(gòu)(7)至少部分由至少一個(gè)吸光導(dǎo)電層(18)覆蓋。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示面板(1)，其中所述吸光導(dǎo)電層(18)包括氧化物材料或金屬氧化物材料組合。
11.如權(quán)利要求2所述的顯示面板(1)，其中所述阻擋結(jié)構(gòu)(7)是全反射的，或者由反射層(19)覆蓋，并且所述顯示面板(1)還包括偏振層(20)。
12.在基板(5)上制造顯示面板(1)的方法，包括如下步驟-通過(guò)在所述基板(5)之上或上面沉積導(dǎo)電阻擋結(jié)構(gòu)(7)來(lái)限定多個(gè)顯示像素區(qū)域(A)；-用至少一種形成光發(fā)射層(9)的物質(zhì)填充由所述阻擋結(jié)構(gòu)(7)界定的所述分隔的顯示像素區(qū)域(A)；-在所述光發(fā)射層(9)之上或上面沉積電極層(10)，并與所述阻擋結(jié)構(gòu)(7)相接觸。
13.如權(quán)利要求12所述的制造顯示面板(1)的方法，還包括在所述聚合物物質(zhì)(9)和所述阻擋結(jié)構(gòu)(7)之間形成絕緣隔離層(11)的步驟。
14.如權(quán)利要求12所述的制造顯示面板(1)的方法，還包括如下步驟-在所述阻擋結(jié)構(gòu)(7)之上或上面提供掩膜層(13)；-底蝕所述掩膜層(13)，以形成所述阻擋結(jié)構(gòu)(7)的基本傾斜的側(cè)壁(12)；-在陽(yáng)極化槽中，通過(guò)利用反電極(17)并將所述導(dǎo)電阻擋結(jié)構(gòu)(7)連接為第二電極而執(zhí)行陽(yáng)極化處理，來(lái)沉積氧化物絕緣隔離層(11)。
15.如權(quán)利要求14所述的制造顯示面板(1)的方法，其中所述陽(yáng)極化槽含有用于氧化所述側(cè)壁(12)的水(15)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種顯示面板(1)，其形成在基板(5)上并包括具有至少一個(gè)光發(fā)射層(9)和沉積在所述光發(fā)射層(9)之上或上面的至少一個(gè)電極層(10)或陰極的多個(gè)顯示像素(3)。顯示面板(1)還包括分路所述電極層(10)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(7)。分隔顯示像素(3)的阻擋結(jié)構(gòu)最好用作導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(7)。本發(fā)明允許陰極(10)將適當(dāng)?shù)耐该鞫群秃侠淼牡碗娮杪氏嘟Y(jié)合。
文檔編號(hào)H05B33/28GK1883234SQ200480033783
公開(kāi)日2006年12月20日 申請(qǐng)日期2004年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月21日
發(fā)明者H·利弗卡, C·A·H·A·穆特薩爾斯, N·C·范德瓦爾特 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司