專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法以及多碳薄膜的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光元件(Organic Electro-LuminesenceDevice，OLED)的制造方法，且特別涉及一種具有高導(dǎo)電性的多碳薄膜(carbon-enriched films)的制造方法及利用此多碳薄膜作為有機(jī)電致發(fā)光元件中的緩沖層(buffer layer)的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法。
背景技術(shù)：
顯示器為人與信息的溝通界面，目前主要以平面顯示器為發(fā)展趨勢。其中，有機(jī)電致發(fā)光顯示器(Organic Electroluminescence Display，OELD)因其自發(fā)光、無視角依存、省電、工藝簡易、低成本、低溫度運行范圍、高應(yīng)答速度以及全彩化等優(yōu)點而具有極大的應(yīng)用潛力，可望成為下一代的平面顯示器的主流。
有機(jī)電致發(fā)光顯示器主要是利用有機(jī)電致發(fā)光元件(OrganicElectro-Luminesence Device，OLED)自發(fā)光的特性來達(dá)到顯示效果。其中，有機(jī)電致發(fā)光元件主要是由一對電極以及有機(jī)官能層(organic functionalgroup layer)所構(gòu)成。當(dāng)電流通過陽極與陰極間，使電子和空穴在有機(jī)官能層內(nèi)結(jié)合而產(chǎn)生激子(exciton)時，進(jìn)而使有機(jī)官能層依照材料的特性而產(chǎn)生不同顏色的放光機(jī)制，進(jìn)而達(dá)到發(fā)光顯示的效果。
圖1為公知的一種有機(jī)電致發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示意圖。請參照圖1，公知有機(jī)電致發(fā)光元件100是由基板110、陽極層120、空穴傳輸層130、有機(jī)發(fā)光層140、電子傳輸層150以及陰極層160所組成。當(dāng)施加偏壓跨過陽極層120與陰極層160時，電子會由陰極層160注入電子傳輸層150，并且傳輸至有機(jī)發(fā)光層140。另一方面，空穴會由陽極層120注入空穴傳輸層130，并且傳輸至有機(jī)發(fā)光層140。此時，電子與空穴會在有機(jī)發(fā)光層140中發(fā)生再結(jié)合(Recombination)現(xiàn)象，進(jìn)而產(chǎn)生激子以達(dá)到發(fā)光的效果。
承上所述，由于陽極層120所使用的材質(zhì)通常是銦錫氧化物(IndiumTin Oxide，ITO)等無機(jī)材料，所以銦錫氧化物與空穴傳輸層130(有機(jī)材料)之間的接觸界面，其電接觸的性質(zhì)不佳。部分學(xué)者針對上述問題，提出了利用紫外光/臭氧(UV-ozone)以及等離子體處理(plasma treatment)等方法對于銦錫氧化物的表面進(jìn)行處理，以提高有機(jī)電致發(fā)光顯示元件100的操作穩(wěn)定性與降低開關(guān)電流。但是，陽極層120的表面將因此受到損傷，進(jìn)而將影響元件的操作性質(zhì)。
另外，也有學(xué)者提出在陽極層120與空穴傳輸層130之間設(shè)置緩沖層(buffer layer) (圖中未表示)，以改善陽極層120與空穴傳輸層130之間的接觸界面的性質(zhì)。但是，由于緩沖層的導(dǎo)電性通常不佳，也同樣使得有機(jī)電致發(fā)光元件100的發(fā)光效率低下。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況，本發(fā)明的目的就是提供一種有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其可以制造具有良好發(fā)光效率的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件。
本發(fā)明的再一目的是提供一種多碳薄膜的制造方法，其可以制造高導(dǎo)電性的多碳薄膜，并且此多碳薄膜可以作為有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的空穴注入層及空穴傳輸層，進(jìn)而提高有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光效率。
本發(fā)明提出一種有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其包括下列步驟。首先，提供基板。接著，于基板上形成陽極層。再來，于陽極層上形成緩沖層，其中形成此緩沖層的步驟是先形成碳氟薄膜在陽極層上，而此碳氟薄膜中具有多個碳-氟鍵結(jié)分子，接著，對碳氟薄膜進(jìn)行改質(zhì)處理，使碳-氟鍵結(jié)分子轉(zhuǎn)變成碳-碳鍵結(jié)分子。接著，形成多個有機(jī)層于緩沖層上。繼之，形成陰極層于有機(jī)層上。
在本發(fā)明的一實施例中，上述改質(zhì)處理包括紫外光照射工藝與等離子體處理工藝中的至少一種。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的紫外光照射工藝所使用的紫外光波長介于大約180nm～260nm之間，較佳的波長是使用大約185nm及254nm中的一種。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的紫外光照射工藝照射在碳氟薄膜上的紫外光能量介于大約270mJ/cm2～810mJ/cm2之間，較佳的照射在碳氟薄膜上的紫外光能量是大約270mJ/cm2及810mJ/cm2中的一種。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的等離子體處理工藝所使用的氣體包括氬氣及氮氣中的一種。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的碳-氟鍵結(jié)分子包括CF1、CF2、CF3、C-CFn及其組合中的一種。
在本發(fā)明的一實施例中，上述形成碳氟薄膜的方法包括等離子體化學(xué)氣相沉積法。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的緩沖層可以作為空穴注入層及空穴傳輸層。
在本發(fā)明的一實施例中，上述于緩沖層上形成有機(jī)層的方法包括依次形成空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層與電子注入層于緩沖層上。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的空穴傳輸層的材質(zhì)包括N，N’-二(1-奈基)-N，N’-二-(苯基)-對二氨基聯(lián)苯(NPB)(α-naphylhenyldiamine)。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的有機(jī)發(fā)光層的材質(zhì)包括經(jīng)摻雜鋁三(8-羥基喹啉)(AlQ3)的混合發(fā)光材質(zhì)。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的電子傳輸層的材質(zhì)包括鋁三(8-羥基喹啉)(AlQ3)(aluminum tris(8-hydroxyquinoline))。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的電子注入層的材質(zhì)包括氟化鋰(LiF)(lithium fluoride)。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的陽極層的材質(zhì)包括金屬及透明導(dǎo)電材質(zhì)中的一種。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的陰極層的材質(zhì)包括金屬及透明導(dǎo)電材質(zhì)中的一種。
本發(fā)明再提出一種多碳薄膜的制造方法，其包括下列步驟。首先，提供基板。繼之，形成碳氟薄膜在基板上，而碳氟薄膜中具有多個碳-氟鍵結(jié)分子。之后，對碳氟薄膜進(jìn)行改質(zhì)處理，使碳-氟鍵結(jié)分子轉(zhuǎn)變成碳-碳鍵結(jié)分子。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的改質(zhì)處理包括紫外光照射工藝與等離子體處理工藝中的至少一種。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的紫外光照射工藝所使用的紫外光波長介于大約180nm～260nm之間，較佳的波長是大約185nm及254nm中的一種。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的紫外光照射工藝照射在碳氟薄膜上的紫外光能量介于大約270mJ/cm2～810mJ/cm2之間，較佳的照射在碳氟薄膜上紫外光能量是大約270mJ/cm2及810mJ/cm2中的一種。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的等離子體處理工藝所使用的氣體包括氬氣及氮氣中的一種。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的碳-氟鍵結(jié)分子包括CF1、CF2、CF3、C-CFn及其組合中的一種。
在本發(fā)明的一實施例中，上述形成碳氟薄膜的方法包括等離子體化學(xué)氣相沉積法。
本發(fā)明因采用改質(zhì)處理，將碳氟薄膜中原本所具有的碳-氟鍵結(jié)分子轉(zhuǎn)變成碳-碳鍵結(jié)分子，而制造出多碳薄膜。此多碳薄膜具有良好的導(dǎo)電性與熱穩(wěn)定性，并且不易變質(zhì)。此外，將多碳薄膜設(shè)置在有機(jī)電致發(fā)光元件中的陽極層與空穴傳輸層之間，將可以改善兩者之間接觸界面的性質(zhì)。因此，具有多碳薄膜的有機(jī)電致發(fā)光元件將具有良好的發(fā)光效率以及較佳的輝度(brightness)。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為公知的一種有機(jī)電致發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2A～圖2F為本發(fā)明的較佳實施例中一種有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法的步驟流程剖面示意圖。
圖3為不同的有機(jī)電致發(fā)光元件的相對發(fā)光效率的示意圖。
圖4A～圖4C為本發(fā)明的較佳實施例中一種多碳薄膜的制造方法的步驟流程剖面示意圖。
圖5A為改質(zhì)處理前的碳氟薄膜的X射線光電子光譜圖。
圖5B為改質(zhì)處理后的碳氟薄膜的X射線光電子光譜圖。
主要元件標(biāo)記說明100、200有機(jī)電致發(fā)光元件110、210、400基板120、220陽極層130、252空穴傳輸層140、254有機(jī)發(fā)光層150、256電子傳輸層160、260陰極層230、410碳氟薄膜230’緩沖層240、420改質(zhì)處理250有機(jī)層258電子注入層310、320曲線410’多碳薄膜
具體實施例方式
圖2A～圖2F為本發(fā)明的較佳實施例中一種有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法的步驟流程剖面示意圖。
首先，提供基板210，如圖2A所示。在一實施例中，基板210可以是玻璃基板、塑料基板或可撓式基板(flexible substrate)。
接著，于基板210上形成陽極層220，如圖2B所示。在一實施例中，形成此陽極層220的方法可以是濺鍍法(sputtering)或是蒸鍍法(evaporation)，另外，陽極層220的材質(zhì)包括金屬或透明導(dǎo)電材質(zhì)，其中，陽極層220的材質(zhì)例如是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化錫、金、銀、白金或銅等。
再來，于陽極層220上形成緩沖層230’，如圖2C～圖2D所示，其中形成此緩沖層230’的步驟是先形成碳氟薄膜230在陽極層220上，而此碳氟薄膜230中具有多個碳-氟鍵結(jié)分子(圖中未表示)，接著，對碳氟薄膜230進(jìn)行改質(zhì)處理240，使碳-氟鍵結(jié)分子轉(zhuǎn)變成碳-碳鍵結(jié)分子(圖中未表示)，而形成多碳薄膜(carbon-enriched film)。
請參照圖2C，在一實施例中，形成碳氟薄膜230的方法可以是等離子體化學(xué)氣相沉積法，其例如為將基板210設(shè)置在真空室(vacuumchamber)(圖中未表示)中，接著，再通入CHF3氣體并施加電壓于電極組(圖中未表示)之間，而形成具有多個碳原子與氟原子的等離子體氣體。之后，等離子體氣體再擴(kuò)散到陽極層220上，并且碳原子以及氟原子以各種比例進(jìn)行聚合，而形成具有多種碳-氟鍵結(jié)分子的碳氟薄膜230。
特別是，進(jìn)行碳氟薄膜230的沉積速率可為高沉積速率(highdeposition rate，HDR)或是低沉積速率(low deposition rate，HDR)，沉積速率的高低并不影響薄膜的組成。并且，在一實施例中，上述的碳-氟鍵結(jié)分子可以是CF1、CF2、CF3、C-CFn及其組合中的一種。
請再參照圖2D，在一實施例中，上述的對碳氟薄膜230所進(jìn)行的改質(zhì)處理240包括紫外光照射工藝與等離子體處理工藝中的至少一種。
當(dāng)改質(zhì)處理240為紫外光照射工藝時，紫外光照射工藝所使用的紫外光波長可以是介于大約180nm～260nm之間，并且，較佳的波長是使用大約185nm及254nm中的一種。若以累積在碳氟薄膜230上的照射能量的觀點來說明，更詳細(xì)而言，紫外光照射工藝照射在碳氟薄膜上的紫外光能量可以是介于大約270mJ/cm2～810mJ/cm2之間，并且，較佳的照射在碳氟薄膜230上的紫外光能量是大約270mJ/cm2及810mJ/cm2中的一種。如此一來，紫外光的能量將可以使碳氟薄膜230中的碳-氟鍵結(jié)分子的鍵結(jié)斷裂，而使得碳原子重新鍵結(jié)成為碳-碳鍵結(jié)分子。并且，如圖2D所示的緩沖層230’中的成分將幾乎全為碳-碳鍵結(jié)分子。
由于碳原子具有Sp2的電子軌道(electric orbital)，所以電子更容易傳遞，進(jìn)而使緩沖層230’具有良好的導(dǎo)電性質(zhì)。因此，在一實施例中，緩沖層230’將可以作為空穴注入層(Hole Injection Layer，HIL)及空穴傳輸層(Hole Transporting Layer，HTL)使用。
在另一實施例中，當(dāng)改質(zhì)處理240為等離子體處理工藝時，其所使用的氣體包括氬氣或氮氣。利用等離子體處理工藝，通過氬氣等離子體或氮氣等離子體的離子轟擊(ion bombardment)，也可使得碳氟薄膜230中的碳-氟鍵結(jié)分子斷裂，進(jìn)而使碳原子重新組合碳-碳鍵結(jié)分子。
接著，形成多個有機(jī)層250于緩沖層230’上，如圖2E所示。在一實施例中，于緩沖層230’上形成有機(jī)層250的方法包括依次形成空穴傳輸層252、有機(jī)發(fā)光層254、電子傳輸層256與電子注入層258于緩沖層230’上，而形成有機(jī)層250的方法可以是涂布法、蒸鍍法、濺鍍法等。
另外，在一實施例中，空穴傳輸層252的材質(zhì)可以是NPB(α-naphylhenyldiamine)、有機(jī)發(fā)光層254的材質(zhì)可以是經(jīng)摻雜AlQ3的混合發(fā)光材質(zhì)、電子傳輸層256的材質(zhì)可以是AlQ3(aluminumtris(8-hydroxyquinoline))，而電子注入層258的材質(zhì)可以是LiF(lithiumfluoride)，當(dāng)然，上述各層的材料僅用以舉例，并非用以限定各層的材料。也就是各層也可以使用另外適當(dāng)?shù)牟牧稀?br> 繼之，形成陰極層260于有機(jī)層250上，如圖2F所示。在一實施例中，形成此陰極層260的方法可以是濺鍍法(sputtering)或是蒸鍍法(evaporation)，而陰極層260的材質(zhì)包括金屬或透明導(dǎo)電材質(zhì)，其中，陰極層260的材質(zhì)例如是鋁、銀或銦錫氧化物等。
在經(jīng)過上述的制造步驟后，將可以得到本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件200，如圖2F所示。在一實施例中，有機(jī)電致發(fā)光元件200中的疊層(stackedlayer)，即緩沖層230’/空穴傳輸層252/有機(jī)發(fā)光層254/電子傳輸層256/電子注入層258/陰極層260的組成材料可以是C-Cn/NPB/C545T+AlQ3/AlQ3/LiF/Al，而各層的厚度分別是3nm/60nm/35nm/15nm/1nm/1000nm。
為證明使用本發(fā)明的緩沖層230’能夠提高有機(jī)電致發(fā)光元件200的發(fā)光效率，本發(fā)明分別使用未經(jīng)過改質(zhì)處理240的碳氟薄膜230以及經(jīng)過不同改質(zhì)處理240的多碳薄膜制造成有機(jī)電致發(fā)光元件，并在相同的電壓施加條件下，測試其相對發(fā)光效率(relative luminance)，而得到如圖3所示的結(jié)果。
圖3為不同的有機(jī)電致發(fā)光元件的相對發(fā)光效率的示意圖。請參照圖3，曲線310代表利用高沉積速率(HDR)沉積的碳氟薄膜，而曲線320代表利用低沉積速率(LDR)沉積的碳氟薄膜。圖3中并顯示出有機(jī)電致發(fā)光元件的緩沖層，其未經(jīng)過改質(zhì)處理、以及經(jīng)過不同的改質(zhì)處理后，所得到的相對發(fā)光效率的比較結(jié)果。
由曲線310與曲線320可知，具有未經(jīng)改質(zhì)處理的碳氟薄膜的有機(jī)電致發(fā)光元件，其相對發(fā)光效率約在4000cd/m2左右。然而，如圖3所示，利用經(jīng)過改質(zhì)處理后的碳氟薄膜，將可以提高有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光效率。特別是，從曲線310與曲線320的結(jié)果可知，當(dāng)改質(zhì)處理240利用紫外線照射工藝，并使照射在碳氟薄膜上的紫外光能量是810mJ/cm2時，改質(zhì)處理240的效果最佳，也就是有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光效率大約可以提高50％。
綜上所述，如圖2F所示的有機(jī)電致發(fā)光元件200中在陽極層220與有機(jī)層250之間設(shè)置了緩沖層230’，所以陽極層220與有機(jī)層250之間的接觸界面的性質(zhì)可藉以改善。并且，緩沖層230’是經(jīng)過改質(zhì)處理240的，其中的成分是以碳-碳鍵結(jié)分子為主。并且，由于碳原子具有Sp2的電子軌道，所以電子更容易傳遞，進(jìn)而使緩沖層230’具有高導(dǎo)電性。如此一來，有機(jī)電致發(fā)光元件200的發(fā)光效率將可大幅提高。
圖4A～圖4C為本發(fā)明的較佳實施例中一種多碳薄膜的制造方法的步驟流程剖面示意圖。
首先，提供基板400，如圖4A所示。在一實施例中，基板400可以是玻璃基板、塑料基板或可撓式基板。
繼之，形成碳氟薄膜410在基板400上，如圖4B所示。碳氟薄膜410中具有多個碳-氟鍵結(jié)分子(圖中未表示)。在一實施例中，形成碳氟薄膜410的方法可以是等離子體化學(xué)氣相沉積法，其詳細(xì)的描述已敘述如上，在此不予以重述。特別是，在一實施例中，上述的碳-氟鍵結(jié)分子可以是CF1、CF2、CF3、C-CFn及其組合中的一種。
之后，對碳氟薄膜410進(jìn)行改質(zhì)處理420，如圖4C所示，使碳-氟鍵結(jié)分子轉(zhuǎn)變成碳-碳鍵結(jié)分子(圖中未表示)，而形成多碳薄膜410’。在一實施例中，改質(zhì)處理420包括紫外光照射工藝與等離子體處理工藝中的至少一種。
當(dāng)改質(zhì)處理420為紫外光照射工藝時，在一實施例中，紫外光照射工藝所使用的紫外光波長介于大約180nm～260nm之間，較佳的波長是使用大約185nm及254nm中的一種。更詳細(xì)而言，紫外光照射工藝照射在碳氟薄膜上的紫外光能量可以是介于大約270mJ/cm2～810mJ/cm2之間，而較佳的照射在碳氟薄膜上的紫外光能量是大約270mJ/cm2及810mJ/cm2中的一種。如此一來，將可以有效地使以碳-氟鍵結(jié)分子為主成分的碳氟薄膜410轉(zhuǎn)變?yōu)橥耆蕴?碳鍵結(jié)分子為主成分的多碳薄膜410’。
請繼續(xù)參照圖4C，改質(zhì)處理420也可以是等離子體處理工藝所為，而其所使用的氣體包括氬氣或氮氣。利用等離子體處理工藝也可讓碳氟薄膜410中的碳-氟鍵結(jié)分子轉(zhuǎn)變成具有碳-碳鍵結(jié)分子的多碳薄膜410’。
在本發(fā)明中，利用紫外光照射工藝進(jìn)行改質(zhì)處理420的效果較佳，為證明利用紫外光照射工藝進(jìn)行改質(zhì)處理可充分地將碳-氟鍵結(jié)分子轉(zhuǎn)變成碳-碳鍵結(jié)分子，本發(fā)明利用X射線光電子光譜儀(X-ray photoelectronspectrometry，XPS)分別對于改質(zhì)處理420前的碳氟薄膜410以及改質(zhì)處理420后的多碳薄膜410’的分子組成進(jìn)行測量，其結(jié)果如圖5A與圖5B所示。
圖5A為改質(zhì)處理前的碳氟薄膜的X射線光電子光譜圖。圖5B為改質(zhì)處理后的碳氟薄膜的X射線光電子光譜圖。請先參照圖5A，由于XPS光譜上出現(xiàn)有CF1、CF2、CF3與C-CFn的信號，可知在改質(zhì)處理420前，碳氟薄膜410中的組成成分是以CF1、CF2、CF3與C-CFn為主。請再參照圖5B，當(dāng)經(jīng)過改質(zhì)處理420后，特別是經(jīng)過上述的紫外光照射工藝后，XPS光譜上的碳-氟鍵結(jié)分子的信號幾乎消失，取而代之的是十分明顯的碳-碳鍵結(jié)分子的信號。由此可知，在改質(zhì)處理420后，將形成以碳-碳鍵結(jié)分子為主的多碳薄膜410’。
由于碳原子具有Sp2的電子軌道(electric orbital)，所以經(jīng)過改質(zhì)處理420而形成的多碳薄膜410’將具有良好的導(dǎo)電性質(zhì)，其并可作為有機(jī)電致發(fā)光元件中的空穴注入層及空穴傳輸層，進(jìn)而提高有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光效率。另外，上述的多碳薄膜的制造方法的工藝十分簡單，且所形成的多碳薄膜410’具有良好的熱穩(wěn)定性。
綜上所述，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法以及多碳薄膜的制造方法具有下列優(yōu)點(1)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，利用具有高導(dǎo)電性的多碳薄膜作為緩沖層，進(jìn)而可以提高有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光效率。
(2)多碳薄膜的制造方法簡單，其在形成碳氟薄膜之后，利用紫外光照射工藝即可使碳氟薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗵急∧?，并且，多碳薄膜中幾乎全為?碳鍵結(jié)分子。
(3)多碳薄膜是以碳-碳鍵結(jié)分子為主成分，因此，其具有良好的導(dǎo)電性與熱穩(wěn)定性。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與改進(jìn)，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是包括提供基板；于該基板上形成陽極層；于該陽極層上形成緩沖層，其中形成該緩沖層的步驟包括形成碳氟薄膜在該陽極層上，而該碳氟薄膜中具有多個碳-氟鍵結(jié)分子；對該碳氟薄膜進(jìn)行改質(zhì)處理，使上述這些碳-氟鍵結(jié)分子轉(zhuǎn)變成多個碳-碳鍵結(jié)分子；形成多個有機(jī)層于該緩沖層上；以及形成陰極層于上述這些有機(jī)層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該改質(zhì)處理包括紫外光照射工藝與等離子體處理工藝中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該紫外光照射工藝所使用的紫外光波長介于大約180nm～260nm之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該紫外光照射工藝所使用的波長包括大約185nm及254nm中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該紫外光照射工藝照射在該碳氟薄膜上的紫外光能量介于大約270mJ/cm2～810mJ/cm2之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該紫外光照射工藝照射在該碳氟薄膜上的紫外光能量包括大約270mJ/cm2及810mJ/cm2中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該等離子體處理工藝所使用的氣體包括氬氣及氮氣中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是上述這些碳-氟鍵結(jié)分子包括CF1、CF2、CF3、C-CFn及其組合中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是形成該碳氟薄膜之方法包括等離子體化學(xué)氣相沉積法。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該緩沖層包括空穴注入層與空穴傳輸層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是于該緩沖層上形成上述這些有機(jī)層之方法包括依次形成空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層與電子注入層于該緩沖層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該空穴傳輸層的材質(zhì)包括N，N’-二(1-奈基)-N，N’-二-(苯基)-對二氨基聯(lián)苯。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該有機(jī)發(fā)光層的材質(zhì)包括經(jīng)摻雜AlQ3的混合發(fā)光材質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該電子傳輸層的材質(zhì)包括鋁三(8-羥基喹啉)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該電子注入層的材質(zhì)包括氟化鋰。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該陽極層的材質(zhì)包括金屬及透明導(dǎo)電材質(zhì)中的一種。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征是該陰極層的材質(zhì)包括金屬及透明導(dǎo)電材質(zhì)中的一種。
18.一種多碳薄膜的制造方法，其特征是包括提供基板；形成碳氟薄膜在該基板上，而該碳氟薄膜中具有多個碳-氟鍵結(jié)分子；以及對該碳氟薄膜進(jìn)行改質(zhì)處理，使上述這些碳-氟鍵結(jié)分子轉(zhuǎn)變成多個碳-碳鍵結(jié)分子。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的多碳薄膜的制造方法，其特征是該改質(zhì)處理包括紫外光照射工藝與等離子體處理工藝中的至少一種。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的多碳薄膜的制造方法，其特征是該紫外光照射工藝所使用的紫外光波長介于大約180nm～260nm之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的多碳薄膜的制造方法，其特征是該紫外光照射工藝所使用的波長包括大約185nm及254nm中的一種。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的多碳薄膜的制造方法，其特征是該紫外光照射工藝照射在該碳氟薄膜上的紫外光能量介于大約270mJ/cm2～810mJ/cm2之間。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的多碳薄膜的制造方法，其特征是該紫外光照射工藝照射在該碳氟薄膜上的紫外光能量包括大約270mJ/cm2及810mJ/cm2中的一種。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的多碳薄膜的制造方法，其特征是該等離子體處理工藝所使用的氣體包括氬氣及氮氣中的一種。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的多碳薄膜的制造方法，其特征是上述這些碳-氟鍵結(jié)分子包括CF1、CF2、CF3、C-CFn及其組合中的一種。
26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的多碳薄膜的制造方法，其特征是形成該碳氟薄膜的方法包括等離子體化學(xué)氣相沉積法。
全文摘要
一種有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其包括下列步驟。首先，提供基板。接著，于基板上形成陽極層。再來，于陽極層上形成緩沖層，其中形成此緩沖層的步驟是先形成碳氟薄膜在陽極層上，而此碳氟薄膜中具有多個碳－氟鍵結(jié)分子，接著，對碳氟薄膜進(jìn)行改質(zhì)處理，使碳－氟鍵結(jié)分子轉(zhuǎn)變成碳－碳鍵結(jié)分子。接著，形成多個有機(jī)層于緩沖層上。繼之，形成陰極層于有機(jī)層上。由于使用了導(dǎo)電性良好的緩沖層，所以有機(jī)電致發(fā)光元件將具有良好的發(fā)光效率。
文檔編號H05B33/10GK1979918SQ20051012751
公開日2007年6月13日 申請日期2005年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月5日
發(fā)明者沈汶鍵, 高一龍, 湯舜鈞, 曾啟光 申請人:中華映管股份有限公司