專利名稱：發(fā)光體用電路基板的制造方法、發(fā)光體用電路基板前體及發(fā)光體用電路基板以及發(fā)光體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于搭載發(fā)光元件而形成發(fā)光體的電路基板的制造方法、該電路基板的前體、該電路基板及發(fā)光體。而且，本說(shuō)明書中，所謂「發(fā)光體用電路基板」是指用于通過(guò)搭載發(fā)光元件而形成發(fā)光體的電路基板，所謂「發(fā)光體用電路基板前體」是指通過(guò)三維地形成搭載發(fā)光元件的凹部而成為發(fā)光體電路基板的物質(zhì)。所謂「發(fā)光元件」是指GaAlAs等發(fā)光物質(zhì)(半導(dǎo)體物質(zhì))本身，所謂「發(fā)光體」是指將該發(fā)光元件芯片焊接于電路基板的電極部上，用透明樹(shù)脂密封而得的物質(zhì)(發(fā)光二極管或LED)。另外，所謂芯片LED是指被作為芯片部件制作的LED。
背景技術(shù)：
作為搭載了發(fā)光元件的所謂芯片LED的制法，以往為如下所示的方法。(i)在連續(xù)的引線框的各位置上利用沖裁或蝕刻等方法開(kāi)設(shè)孔，在該處利用注射成形法(插入成形法)形成耐熱性的熱塑性樹(shù)脂制的外殼。(ii)在該外殼部使用芯片焊接糊劑等安裝發(fā)光元件，在通過(guò)利用引線鍵合法將發(fā)光元件與其他的電極連接而與外部電路連接后，使用透明的密封樹(shù)脂將該發(fā)光元件部分與環(huán)境絕緣。(iii)依照每個(gè)單獨(dú)的芯片LED進(jìn)行切離而形成產(chǎn)品。另外，為了使處理性良好，另外準(zhǔn)備進(jìn)行了壓花凹成形的塑料制的帶狀外殼，逐一插入芯片LED，用帶封入。此外，為了在其后的連續(xù)生產(chǎn)線中使用時(shí)的方便，還有將其以卷繞的形式制成產(chǎn)品的情況。
但是，所述制法中，引線框與熱塑性樹(shù)脂外殼的密接性并不良好，有密封樹(shù)脂從它們的界面中漏出的問(wèn)題。另外，由于要進(jìn)行插入成形，因此制造工序復(fù)雜，生產(chǎn)性也不良好。另外，在如上所述地以插入帶狀外殼中的形式產(chǎn)品化的情況下，由于該外殼被廢棄，因此有產(chǎn)生浪費(fèi)成本和廢棄物的問(wèn)題。
為了解決芯片LED的制造的所述問(wèn)題，提出了各種技術(shù)方案。例如，在特開(kāi)平1-283883號(hào)公報(bào)中，公布有如下的芯片LED，即，在具有凹面的反射外殼的該凹面部上設(shè)有鍍覆了立體圖案的電極部，在該電極部上搭載了發(fā)光元件。該公報(bào)中，根據(jù)該技術(shù)，與利用以往的插入成形法的芯片LED相比，可以減少制造成本，并且還可以解決引線框與反射外殼之間的密封樹(shù)脂泄漏等問(wèn)題。
另外，在特開(kāi)平6-350206號(hào)公報(bào)中，提出了如下的立體電路基板，即，在包括一次成形體與將其插入成形而一體化了的二次成形體的界面的一次成形體的表面，形成由導(dǎo)電材料制成的電路圖案，在不存在二次成形體的部分，該電路圖案的一部分露出。該特開(kāi)平6-350206號(hào)公報(bào)中，對(duì)于所述特開(kāi)平1-283883號(hào)公報(bào)的技術(shù)指出以下的問(wèn)題，即，由于是在電路基板的表面?zhèn)鹊拇笾氯嫔蠈?shí)施鍍覆，因此有成本與鍍覆面積成比例地升高的傾向，另外在搭載發(fā)光元件后的完成品中，由于未由密封樹(shù)脂覆蓋的部分的電極圖案露出，因此在處理時(shí)或發(fā)光元件安裝時(shí)會(huì)帶來(lái)?yè)p傷等而有可能產(chǎn)生電極圖案的斷線等。此外，根據(jù)特開(kāi)平6-350206號(hào)公報(bào)所公布的技術(shù)，由于利用二次成形體可以保護(hù)電路圖案的主要部分，因此可以避免電極圖案的斷線等問(wèn)題，另外，由鍍覆面積的增大造成的成本高的問(wèn)題也可以通過(guò)將二次成形體中所用的樹(shù)脂設(shè)為特定的構(gòu)成而解決。
另一方面，還提出了以金屬芯(金屬板)作為基體的LED用的電路基板(例如特開(kāi)平11-54863號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平11-204904號(hào)公報(bào)及特開(kāi)平11-298050號(hào)公報(bào))。這些電路基板是在設(shè)于金屬芯上的絕緣層(耐熱性的熱塑性樹(shù)脂層)表面形成了印刷電路后，利用陽(yáng)模與陰模的嵌模而形成了凹陷(所述凹部)的基板。這些公報(bào)中，為了防止該凹陷形成時(shí)的印刷電路的破損，公布了對(duì)成形角度等進(jìn)行了處理的技術(shù)。
此外，作為用于防止成形時(shí)的電路的破損的技術(shù)，有特開(kāi)平3-204979號(hào)公報(bào)中所記載的技術(shù)。根據(jù)該技術(shù)，通過(guò)將太陽(yáng)能電池元件之間利用內(nèi)部引線連接，來(lái)吸收在使太陽(yáng)能電池模塊變形時(shí)的太陽(yáng)能電池元件之間的應(yīng)力。
另外，特開(kāi)平5-283849號(hào)公報(bào)中，在立體成形電路板的制造方法中，公布有用于防止進(jìn)行凹凸賦形時(shí)的導(dǎo)電電路的切斷等的技術(shù)。具體來(lái)說(shuō)，在熱塑性樹(shù)脂上轉(zhuǎn)印電路而形成一次成形電路板后，在將變形部加熱后，或者在注射成形的一次成形體電路板冷卻之前，將凹凸賦形。
另外，在特開(kāi)平11-307904號(hào)公報(bào)中，記載有將預(yù)先形成了配線圖案的配線薄片在由樹(shù)脂制成的三維成形體的模具成形時(shí)一體化的方法。
但是，根據(jù)所述特開(kāi)平6-350206號(hào)公報(bào)的技術(shù)，由于需要利用插入成形法將一次成形體和二次成形體一體化，因此對(duì)于作為特開(kāi)平1-283883號(hào)公報(bào)的技術(shù)的問(wèn)題的生產(chǎn)性提高尚未解決。
另外，作為特開(kāi)平1-283883號(hào)公報(bào)的技術(shù)及特開(kāi)平6-350206號(hào)公報(bào)的技術(shù)所共有的問(wèn)題，有如下的事實(shí)，即，在安裝發(fā)光元件的基板上設(shè)置電路圖案的階段是在基板的成形后。其結(jié)果是，必須與成形后的復(fù)雜的形狀匹配地形成電路圖案，該作業(yè)非常困難。另外，雖然除了這些公報(bào)中所公布的鍍覆法(非電解鍍覆法)以外，還有利用轉(zhuǎn)印的電路圖案形成法，然而在成形后的基板上形成電路圖案仍然不容易，特別是在微細(xì)的電路中難以形成高精度的圖案。
另一方面，特開(kāi)平11-54863號(hào)公報(bào)等的技術(shù)中，由于采用了在預(yù)先形成了電路圖案后進(jìn)行凹部形成的方法，因此就能夠?qū)崿F(xiàn)精度比較高的圖案形成。但是，這些文獻(xiàn)中所公布的電路基板是實(shí)質(zhì)上設(shè)置了絕緣層的金屬基板，有如下的問(wèn)題。由于這些公報(bào)的技術(shù)中所用的金屬芯的厚度達(dá)到0.6～1.2mm，因此芯片LED的厚度或重量就會(huì)增大。另外，即使要在小型的芯片LED用途中形成凹部，由于金屬芯很厚，因此不可能形成小型而尖銳的形狀的凹部。
另外，特開(kāi)平5-283849號(hào)公報(bào)技術(shù)中，在向聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等熱塑性樹(shù)脂中預(yù)先轉(zhuǎn)印了電路后，進(jìn)行成形。但是，無(wú)法將該技術(shù)應(yīng)用于液晶聚合物薄膜中。該技術(shù)中，通過(guò)將變形部加熱，或在樹(shù)脂冷卻前進(jìn)行成形，來(lái)防止凹凸成形時(shí)的電路的切斷等。但是，不僅需要用于加熱機(jī)構(gòu)的成本，而且在液晶聚合物薄膜中，在以能夠在保持整體的形狀的同時(shí)實(shí)現(xiàn)變形的程度來(lái)成形時(shí)，時(shí)序極為困難。實(shí)際上，在該公報(bào)中，被作為電路板材料例示的僅為PBT，沒(méi)有任何液晶聚合物薄膜的記載。
特開(kāi)平3-204979號(hào)公報(bào)的技術(shù)中，雖然通過(guò)將元件之間用內(nèi)部引線連接來(lái)防止變形時(shí)的斷線等，然而由于其中需要將元件逐一連接的工序，因此該方法并不適于大量合成。如果仍然希望大量合成，則電路應(yīng)當(dāng)印刷在平面板上。
而且，特開(kāi)平11-307904號(hào)公報(bào)的技術(shù)中，雖然在液晶聚合物薄膜上形成了配線圖案后進(jìn)行成形，然而完全沒(méi)有認(rèn)識(shí)到在以包括該配線圖案的范圍變形時(shí)產(chǎn)生的斷線等問(wèn)題。如果看該公報(bào)中的附圖，則可知配線圖案僅存在于不伴隨變形的位置。
另外，近年來(lái)的使用了LED的發(fā)光體中，有小型化的要求(攜帶電話的液晶顯示器的背光燈等)。但是，在作為金屬基板(金屬芯基板)的特開(kāi)平11-54863號(hào)公報(bào)等的電路基板中，因芯片LED的重量或厚度增大以及凹部的成形性(向尖銳的形狀的成形性)的方面，無(wú)法充分地適應(yīng)小型化的要求。另外，無(wú)法形成為了提高處理性而制成了卷軸之類的柔性的帶狀產(chǎn)品等，與以薄膜樹(shù)脂作為基板的情況相比極為不利。
另外，從電路基板的生產(chǎn)的高效化的觀點(diǎn)考慮，最好將具備了多個(gè)應(yīng)當(dāng)搭載發(fā)光元件的部位的長(zhǎng)尺寸的電路基板連續(xù)地制造。這是因?yàn)?，可以適用于電路圖案長(zhǎng)的基板，另外在制造電路圖案短的基板的情況下，也可以在連續(xù)地制造后裁斷而使用。在以長(zhǎng)尺寸制造發(fā)光體的情況下，可以通過(guò)再在電路基板上的設(shè)計(jì)位置上連續(xù)地搭載發(fā)光元件而提高生產(chǎn)性。但是，此時(shí)長(zhǎng)尺寸的電路基板被要求卷繞成卷狀而處理，然而特開(kāi)平11-54863號(hào)公報(bào)等中所公布的電路基板由于具有接近1mm的厚度的金屬板芯，因此在柔性方面不佳，不可能以通常程度的曲率卷繞成卷狀。特開(kāi)平5-283849號(hào)的技術(shù)中，不得不使電路板達(dá)到一定程度的厚度，此外在注射成形的同時(shí)形成凹凸部的方法中，難以連續(xù)地制造。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于所述情況而完成的，其目的在于，可以實(shí)現(xiàn)具有包括搭載發(fā)光元件的部位的底面的凹部形成，并且提供還可以實(shí)現(xiàn)輕量化、薄壁化的發(fā)光體用電路基板前體、及形成了凹部的發(fā)光體用電路基板及其制造方法以及具有形成了凹部的基板的發(fā)光體。
能夠達(dá)成所述目的的本發(fā)明的發(fā)光體用電路基板的制造方法的特征是，包括在液晶聚合物薄膜表面，形成如下的金屬制電路圖案的工序(以下稱作「電路圖案形成工序」)，即，至少具有1對(duì)發(fā)光元件的電極預(yù)定部，該電極預(yù)定部各自經(jīng)由導(dǎo)電電路與基板內(nèi)的其他的電路連接；在包括該電極預(yù)定部的部位，形成如下的凹部的工序(以下稱作「凹部形成工序」)，即，具有應(yīng)當(dāng)存在該電極預(yù)定部及該導(dǎo)電電路的底部、應(yīng)當(dāng)存在該導(dǎo)電電路的壁面。這里，在「與基板內(nèi)的其他的電路連接」中，包括與基板中能夠與外部電路連接的部分連接的方式。
另外，本發(fā)明的發(fā)光體用電路基板前體的特征是，是在液晶聚合物薄膜表面形成有金屬制的電路圖案的物質(zhì)，在該電路圖案中存在應(yīng)當(dāng)搭載發(fā)光元件的至少1對(duì)電極預(yù)定部，該電極預(yù)定部各自經(jīng)由導(dǎo)電電路與基板內(nèi)的其他的電路連接，并且是為了在包括該電極預(yù)定部的部位，形成具有應(yīng)當(dāng)存在該電極預(yù)定部及該導(dǎo)電電路的底部、應(yīng)當(dāng)存在該導(dǎo)電電路的壁面的凹部而使用的基板?！概c基板內(nèi)的其他的電路連接」的定義與所述的內(nèi)容相同。
本發(fā)明的發(fā)光體用電路基板的特征是，是在所述發(fā)光體用電路基板前體的包括所述電極預(yù)定部的部位，形成有應(yīng)當(dāng)搭載發(fā)光元件的凹部，并且所述導(dǎo)電電路存在于該凹部的底面及壁面上的基板。
本發(fā)明的發(fā)光體的特征是，具有所述發(fā)光體用電路基板。
而且，本發(fā)明中所說(shuō)的「薄膜」也包括所謂薄片的概念。


圖1是表示本發(fā)明的發(fā)光體用電路基板前體(平板狀)的一個(gè)例子的俯視圖。
圖2是表示對(duì)導(dǎo)電電路賦予了特定形狀的本發(fā)明的發(fā)光體用電路基板前體(平板狀)的一個(gè)例子的俯視圖。
圖3是表示在圖2的基板中進(jìn)行了凹部形成的發(fā)光體用電路基板的俯視圖。
圖4是圖2的I-I線剖面圖。
圖5是圖3的II-II線剖面圖。
圖6是表示對(duì)導(dǎo)電電路賦予了特定形狀的本發(fā)明的發(fā)光體用電路基板前體(平板狀)的其他的例子的俯視圖。
圖7是表示面狀發(fā)光體中所用的本發(fā)明的發(fā)光體用電路基板前體的一個(gè)例子的俯視圖。
圖8是表示本發(fā)明的發(fā)光體的一個(gè)例子的剖面圖。
圖9是表示具備了散熱機(jī)構(gòu)的本發(fā)明的發(fā)光體的一個(gè)例子的剖面圖。
圖10是表示實(shí)施例中所制作的基板的蝕刻圖案的俯視圖。
圖11是圖10的凹部形成預(yù)定部的放大圖。
圖12是表示實(shí)施例中所制作的基板的凹部形狀的剖面圖，是圖11的II-II線的剖面圖。
圖13是表示實(shí)驗(yàn)3中所制作的基板前體的蝕刻圖案的俯視圖。
圖14是實(shí)驗(yàn)3中所制作的基板前體(在導(dǎo)電電路中有狹縫)的凹部形成預(yù)定部的放大圖。
圖15是實(shí)驗(yàn)3中所制作的基板前體(在導(dǎo)電電路中沒(méi)有狹縫)的凹部形成預(yù)定部的放大圖。
圖16是實(shí)施例6中所制作的基板前體，(a)是俯視為曲折的形狀并且以中心角180°具有實(shí)質(zhì)上為放射狀對(duì)稱的延伸量的凹部形成預(yù)定部的放大圖。斜線部是應(yīng)當(dāng)搭載發(fā)光元件的電極部(電極預(yù)定部)。(b)是在該基板前體上形成了凹部時(shí)的圖16(a)的A-A’方向的剖面圖。(c)是該凹部的鳥瞰圖。但是，為了方便，省略了眼前側(cè)的電路圖案，實(shí)線部表示在凹部成形時(shí)變形的部分，虛線部表示不變形的部分。
圖17是具有俯視為曲折的形狀并且以中心角90°具有實(shí)質(zhì)上放射狀對(duì)稱的延伸量的電路，可以搭載多個(gè)(2或3個(gè))發(fā)光元件的凹部形成預(yù)定部的放大圖。
圖18是具有俯視為曲折的形狀并且以中心角120°具有實(shí)質(zhì)上放射狀對(duì)稱的延伸量的電路，可以搭載多個(gè)(2或3個(gè))發(fā)光元件的凹部形成預(yù)定部的放大圖。
圖19是表示用于顯示「8」字的電路圖的一個(gè)例子的圖。
圖20是圖19的放大圖。
圖21是利用了圖16的凹部形成預(yù)定部的部件，是表示可以用于點(diǎn)矩陣中的面狀發(fā)光體用的發(fā)光體用電路基板前體的圖。
圖22是表示使用圖21的發(fā)光體用電路基板前體制作的面狀發(fā)光體的圖。
圖23是表示本發(fā)明的發(fā)光體用電路基板前體的一個(gè)例子的圖。像這樣，在以長(zhǎng)尺寸制造了基板前體后，可以在區(qū)塊單位的任意的位置上適當(dāng)?shù)厍懈钍褂谩?br> 圖24是從背面看實(shí)際上使用圖22的面狀發(fā)光體時(shí)的狀態(tài)的圖。
其中，1發(fā)光體用電路基板前體，2電極預(yù)定部，3導(dǎo)電電路，4基板內(nèi)的其他的電路，5液晶聚合物薄膜，6鏈齒，7狹縫，8凹部底面，9凹部壁面，10發(fā)光元件，11引線鍵合，12密封樹(shù)脂，3發(fā)光體，14散熱板，15制冷劑穿過(guò)孔，16導(dǎo)引孔具體實(shí)施方式
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光體用電路基板的制造方法，可以實(shí)現(xiàn)微細(xì)并且精度高的電路圖案的形成、具有應(yīng)當(dāng)搭載發(fā)光元件的部位的凹部的形成以及發(fā)光體用電路基板的輕量化、薄壁化。另外，發(fā)光體用電路基板前體作為本發(fā)明的制造方法和發(fā)光體用電路基板的制造中間體十分有用。另外，本發(fā)明的發(fā)光體用電路基板由于可以制成帶狀的基板，因此能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光體的連續(xù)制造，可以提高發(fā)光體的生產(chǎn)性，另外還能夠簡(jiǎn)易地進(jìn)行各個(gè)發(fā)光體的發(fā)光檢查，此外面狀發(fā)光體或顯示裝置的制造也變得容易。
此外，本發(fā)明的發(fā)光體如上所述，可以容易地采取作為面狀發(fā)光體或顯示裝置的方式，并且具有由厚度薄的液晶聚合物薄膜構(gòu)成的本發(fā)明的電路基板，因此通過(guò)在電路圖案形成面的相反面?zhèn)仍O(shè)置散熱機(jī)構(gòu)，就可以經(jīng)由該聚合物薄膜將由發(fā)光體產(chǎn)生的熱有效地排出。
本發(fā)明中，在獲得形成了具有包括應(yīng)當(dāng)搭載發(fā)光元件的部位(以下有時(shí)稱作「發(fā)光元件搭載部」)的底面的凹部的發(fā)光體用電路基板時(shí)，使用由液晶聚合物薄膜構(gòu)成，并且預(yù)先形成了金屬制的電路圖案的平板狀的發(fā)光體用電路基板前體，在其上進(jìn)行凹部形成，在這一點(diǎn)上具有最大的特征。
對(duì)于所述特開(kāi)平1-283883號(hào)公報(bào)，如上所述，在具有凹部的基板上形成電路圖案的方法中，很難以高精度形成微細(xì)的電路圖案。因此，本發(fā)明中，通過(guò)在平板狀的基板上預(yù)先形成電路圖案，將其成形，而能夠?qū)崿F(xiàn)微細(xì)并且精度高的電路圖案形成。
另外，通過(guò)用液晶聚合物薄膜構(gòu)成基板，則可以不使用與電路圖案形成用的金屬層不同的加強(qiáng)用金屬板(特開(kāi)平11-54863號(hào)公報(bào)等中所公布的電路基板那樣的金屬芯，特別是厚度為0.6～數(shù)mm左右的金屬板)，而實(shí)現(xiàn)電路圖案形成后的成形(凹部形成)。如上所述，特開(kāi)平11-54863號(hào)公報(bào)等中那樣的使用了厚壁的金屬芯的電路基板中，在重量的增大和成形性差的方面，另外在因厚度的增大而不可能形成長(zhǎng)尺寸的材料以卷繞成卷狀來(lái)處理的方面是不利的。另一方面，在特開(kāi)平1-283883號(hào)公報(bào)中的電路的以往的樹(shù)脂基板中，樹(shù)脂部分的厚度大，不利于電路圖案形成后的成形。此外，在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，作為薄膜基板[例如TAB(Tape AutomatedBonding)基板]，已知聚酰亞胺基板，然而它由于是由熱硬化性聚酰亞胺的硬化體構(gòu)成的，因此實(shí)質(zhì)上不可能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的基板的凹部形成那樣的伴隨著延伸的變形加工，即塑性變形。
另外，在用熱塑性樹(shù)脂薄膜構(gòu)成基板的情況下，因搭載發(fā)光元件時(shí)的釬焊等的熱量，還有基板變形的問(wèn)題，而本發(fā)明中，通過(guò)選擇耐熱性優(yōu)良的液晶聚合物，就可以消除此種問(wèn)題。
另外，聚醚醚酮樹(shù)脂(PEEK樹(shù)脂)等其他的耐熱性熱塑性樹(shù)脂中，樹(shù)脂單體的線膨脹率大，在與金屬貼合的情況下容易產(chǎn)生翹曲。為了防止該情況，嘗試了填充劑的填充或聚合物合金化等。但是，這些改良樹(shù)脂中，也有微細(xì)成形性差的不利方面。另一方面，本發(fā)明中所用的液晶聚合物不僅線膨脹率低，而且微細(xì)成形性也優(yōu)良。
以下，將對(duì)本發(fā)明的基板的各構(gòu)成及本發(fā)明的發(fā)光體進(jìn)行詳細(xì)敘述。
<液晶聚合物薄膜>
構(gòu)成液晶聚合物薄膜的液晶聚合物是耐熱性的熱塑性樹(shù)脂，例如有在熔融狀態(tài)下顯示液晶性的熱致液晶聚合物。本發(fā)明中優(yōu)選熱致液晶聚合物，更具體來(lái)說(shuō)，優(yōu)選熱致液晶聚酯或熱致液晶聚酯酰胺。
所謂熱致液晶聚酯(以下簡(jiǎn)稱為「液晶聚酯」)是指，例如以芳香族二羧酸和芳香族二醇或芳香族羥基羧酸等單體為主體而被合成的芳香族聚酯，是在熔融時(shí)顯示液晶性的物質(zhì)。
作為其代表性的物質(zhì)，可以舉出由對(duì)羥基苯甲酸(PHB)、對(duì)苯二甲酸、4，4’-聯(lián)苯酚合成的I型[下式(1)]、和由PHB與2，6-羥基萘甲酸合成的II型[下式(2)]、由PHB與對(duì)苯二甲酸、乙二醇合成的III型[下式(3)]。
作為液晶聚酯，雖然I型～I(xiàn)II型的任意一種都可以，然而從耐熱性、尺寸穩(wěn)定性的方面考慮，優(yōu)選全芳香族聚酯(I型及II型)，考慮到能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)鉛的釬焊(例如在260℃下實(shí)施的)，并且凹部成形性也良好的方面，特別優(yōu)選I型的液晶聚酯。
另外，作為本發(fā)明的液晶聚合物，只要是顯示液晶性(特別是熱致液晶性)的物質(zhì)，則例如也可以是以所述(1)～(3)式所示的單元為主體(例如在液晶聚合物的全部構(gòu)成單元中，占50摩爾％以上)，還具有其他的單元的共聚型的聚合物。作為其他的單元，例如可以舉出具有醚鍵的單元、具有酰亞胺鍵的單元、具有酰胺鍵的單元等。
為了獲得液晶聚合物薄膜，只要采用與構(gòu)成它的樹(shù)脂對(duì)應(yīng)的公知的各種方法即可。另外，本發(fā)明方法中，作為使用了特別優(yōu)選的所述例示的液晶聚酯的薄膜，例如可以使用JAPNA GORE TEX株式會(huì)社制的「BIAC(注冊(cè)商標(biāo))」等市售品。
另外，液晶聚酯酰胺相當(dāng)于作為其他的單元具有酰胺鍵的所述液晶聚酯，例如可以舉出具有下式(4)的構(gòu)造的物質(zhì)。例如，式(4)中，已知s單元、t單元及u單元的摩爾比為70/15/15的物質(zhì)。
另外，在液晶聚合物薄膜中，也可以使用含有所述的液晶聚合物的聚合物合金。該情況下，作為與液晶聚合物混合或化學(xué)結(jié)合的合金用聚合物，可以舉出熔點(diǎn)為220℃以上，優(yōu)選280～360℃的聚合物，例如聚醚醚酮、聚醚砜、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、聚芳酸酯等，然而當(dāng)然并不限定于它們。液晶聚合物與所述合金用聚合物的混合比例沒(méi)有特別限制，然而例如以質(zhì)量比表示優(yōu)選10∶90～90∶10，更優(yōu)選30∶70～70∶30。含有液晶聚合物的聚合物合金能夠保持液晶聚合物的優(yōu)良的特性。
所述液晶聚合物薄膜中，與薄膜平面平行的方向的線膨脹系數(shù)最好被調(diào)整為25ppm/℃以下。更優(yōu)選21ppm/℃以下。另外，液晶聚合物薄膜的所述線膨脹系數(shù)的下限優(yōu)選8ppm/℃。液晶聚合物薄膜的線膨脹系數(shù)是利用儀器分析(TMA)法，試驗(yàn)片寬度設(shè)為4.5mm，夾頭間距離設(shè)為15mm，載荷設(shè)為1g，在從室溫升溫到200℃后(升溫速度5℃/分鐘)，以降溫速度5℃/分鐘冷卻時(shí)，根據(jù)從160℃到25℃期間測(cè)定的試驗(yàn)片的尺寸變化求得的值，例如薄膜的MD方向(薄膜制造時(shí)的行進(jìn)方向)及TD方向(與MD方向正交的方向)的線膨脹系數(shù)的任意一個(gè)只要滿足所述范圍即可。
本發(fā)明的電路基板中，在設(shè)置了電路圖案的平板狀的基板上形成凹部。在將熱塑性薄膜、貼合在其上的金屬電路一起進(jìn)行三維成形時(shí)，如果組合了線膨脹系數(shù)的差大的材料，則在薄膜上的金屬電路部分就容易產(chǎn)生翹曲或扭曲、凹面等問(wèn)題。另外，該情況下，雖然根據(jù)薄膜與金屬的厚度或彈性模量等而決定，然而在將薄膜與金屬貼合的階段也有可能引起卷曲或翹曲。
例如，在除了取代滿足所述線膨脹系數(shù)的液晶聚合物薄膜，使用線膨脹系數(shù)為56ppm/℃的聚醚酰亞胺薄膜以外，具有與本發(fā)明相同的構(gòu)成的電路基板中，本發(fā)明人確認(rèn)，當(dāng)在340℃左右的溫度下進(jìn)行凹部形成時(shí)，則在聚醚酰亞胺薄膜上的金屬電路部分，產(chǎn)生所述的局部的翹曲、扭曲、凹面等。
對(duì)于電路圖案的形成中所用的金屬層來(lái)說(shuō)理想的金屬的線膨脹系數(shù)通常為3～30ppm/℃左右(例如對(duì)于銅為16.2ppm/℃)。這樣，如果是具有所述上限值以下的線膨脹系數(shù)的液晶聚合物薄膜，則由于與金屬層的線膨脹系數(shù)的差小，因此在凹部形成之時(shí)，在液晶聚合物薄膜的露出部，如上所述的問(wèn)題的產(chǎn)生被高效地抑制。但是，本發(fā)明中所用的金屬優(yōu)選線膨脹系數(shù)盡可能接近液晶聚合物薄膜的材料。
在液晶聚合物薄膜中，在將線膨脹系數(shù)如上所述地調(diào)整時(shí)，只要將該薄膜中的聚合物分子鏈沿薄膜平面方向隨機(jī)地取向即可。具體來(lái)說(shuō)，可以采用如下的方法，即，暫時(shí)利用熔融擠出法制作高單向取向性的薄膜，將其沿TD方向單軸延伸，或沿MD方向及TD方向雙向延伸的方法。被如此調(diào)整了線膨脹系數(shù)的液晶聚合物薄膜的制法被詳細(xì)地公布于特開(kāi)平10-294335號(hào)公報(bào)中。
而且，本發(fā)明的液晶聚合物薄膜由于還擔(dān)負(fù)作為發(fā)光體的外殼的作用，因此最好具備能夠提高光的反射率，將發(fā)出的光有效地向外部輸出的構(gòu)成。具體來(lái)說(shuō)，推薦將液晶聚合物薄膜設(shè)為白色或銀色等光的反射率提高的顏色。在對(duì)液晶聚合物薄膜賦予此種顏色時(shí)，例如可以采用在液晶聚合物中混勻了著色顏料(氧化鈦粉末等)等后，進(jìn)行薄膜化的方法。
液晶聚合物薄膜的厚度雖然只要根據(jù)對(duì)發(fā)光體所要求的尺寸適當(dāng)?shù)剡x擇即可，然而例如優(yōu)選10μm以上，更優(yōu)選50μm以上，優(yōu)選3mm以下，更優(yōu)選1mm以下。當(dāng)厚度過(guò)薄時(shí)，則在凹部形成之時(shí)在電路基板中容易產(chǎn)生破裂或褶皺，實(shí)用性降低。另一方面，當(dāng)厚度過(guò)厚時(shí)，則在形成了發(fā)光體后設(shè)置散熱機(jī)構(gòu)(在后面詳述)，經(jīng)由液晶聚合物薄膜將從發(fā)光元件發(fā)出的熱排出時(shí)的排熱效率降低，此外由于通過(guò)加厚薄膜而得的效果(機(jī)械強(qiáng)度的提高等)飽和，因此反而會(huì)使用多余的材料，在成本或輕量化方面不利。例如，對(duì)于以往被廣泛使用的芯片LED那樣的小型的發(fā)光體用途，即使是所述的厚度當(dāng)中的薄的液晶聚合物薄膜(例如200μm以下程度)也可以適應(yīng)。另一方面，在應(yīng)用于發(fā)光元件搭載部為直徑5mm以上的比較大的LED中的情況下，即使在所述范圍中，也推薦使用略厚的液晶聚合物薄膜。
<電路圖案>
本發(fā)明的電路基板前體或電路基板的電路圖案在成為發(fā)光元件搭載部的凹部形成預(yù)定部中，至少具有1對(duì)電極預(yù)定部，具有與該電極預(yù)定部連接的其他的電路。這里的「基板內(nèi)的其他的電路」包括基板中能夠與外部電路連接的部分。在所述其他的電路中，也可以設(shè)置搭載發(fā)光元件以外的電子部件的部位。本發(fā)明中，由于在平面狀的液晶聚合物薄膜上形成了電路圖案后進(jìn)行三維形成，因此與在進(jìn)行三維形成后形成電路圖案的先行技術(shù)相比，能夠更為容易地進(jìn)行復(fù)雜并且微細(xì)的電路圖案的形成。
電路圖案為金屬制，例如在液晶聚合物薄膜表面設(shè)置金屬層，通過(guò)對(duì)該金屬層實(shí)施蝕刻等而形成。作為金屬層的形成方法，除了將液晶聚合物薄膜與金屬板(包括金屬箔、金屬薄膜等)貼合的方法以外，還可以采用在液晶聚合物薄膜表面利用真空蒸鍍法或?yàn)R射法、離子注入法、鍍覆法、CVD法等來(lái)形成的方法。
作為將液晶聚合物薄膜與金屬板貼合的方法，優(yōu)選熱熔接法。作為熱熔接法，可以采用利用液晶聚合物的熱塑性，將該薄膜疊層面加熱軟化，在該面上層疊了金屬板后冷卻的方法，或?qū)⒁壕Ь酆衔锉∧づc金屬板重疊，將其穿過(guò)加熱了的1對(duì)輥之間而使之熱熔接，其后進(jìn)行冷卻的方法等。
另外，如果使用將金屬箔等金屬板的至少與所述液晶聚合物薄膜接觸一側(cè)的表面粗化后的材料，則可以進(jìn)一步提高液晶聚合物薄膜與電路圖案的密接性。即，如果在將表面被粗化了的金屬箔等壓接在液晶聚合物薄膜上后利用蝕刻等形成電路，則金屬箔等被除去了的部分的表面也會(huì)被粗化。其結(jié)果是，與密封樹(shù)脂的密接性提高，可以減少產(chǎn)品不良。用于形成電路的金屬板或液晶聚合物薄膜表面的粗化的程度雖然沒(méi)有特別限制，然而例如可以設(shè)為以Rz表示為1～15μm左右。這是因?yàn)?，如果Rz在1μm以上，則可以期待有效果，特別是如果為8μm以上，則如后述的實(shí)施例8所示，證實(shí)可以發(fā)揮超過(guò)銅箔表面的粘接力。
作為構(gòu)成金屬層的金屬，沒(méi)有特別限制，可以舉出銅、鋁、錫、銀、金、鉑、鋅、鐵以及含有這些金屬的合金[不銹鋼(SUS)、引線框用銅類合金、42合金(42％Ni-Fe合金)等]等。金屬層既可以是單層構(gòu)造，也可以層疊了不同的2種以上的金屬的疊層構(gòu)造。層疊的方法也沒(méi)有特別限制，例如可以采用如下的方法等，即，在將液晶聚合物薄膜與金屬板貼合后，在該金屬板表面利用真空蒸鍍法或?yàn)R射法、離子注入法、鍍膜法、CVD法等設(shè)置由與金屬板的構(gòu)成金屬不同種類構(gòu)成的金屬層。構(gòu)成金屬層的金屬雖然只要根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇即可，然而例如從提高成形性的觀點(diǎn)考慮，最好選擇線膨脹系數(shù)與液晶聚合物薄膜的線膨脹系數(shù)接近的金屬。
用于形成本發(fā)明的電子電路的金屬層的厚度例如優(yōu)選1μm以上，更優(yōu)選5μm以上，優(yōu)選500μm以下，更優(yōu)選50μm以下。當(dāng)金屬層的厚度過(guò)薄時(shí)，則作為電路的可靠性不佳，此外在基板上進(jìn)行凹部形成時(shí)，會(huì)有因受到輕微的張力而破裂的情況。另一方面，當(dāng)金屬層的厚度過(guò)厚時(shí)，則利用蝕刻等進(jìn)行的電路圖案的形成就會(huì)變得困難，此外還有在基板上形成凹部時(shí)的成形性受損的傾向。
將該金屬層的一部分除去，形成電路圖案。作為其方法，優(yōu)選公知的蝕刻法。作為蝕刻法，例如可以舉出如下的方法，即，利用公知的光刻法在金屬層表面設(shè)置按照使金屬層的除去的部分露出的方式形成了圖案的光刻膠膜，在使用可以溶解金屬層的液體(例如如果是銅類的合金層，則為氯化鐵水溶液等)，將金屬層的該露出部溶解除去后，將該光刻膠膜除去。蝕刻中所用的光刻膠樹(shù)脂、金屬層的溶解液、光刻膠膜的除去液、光刻膠膜的形成條件或金屬層的溶解條件等沒(méi)有特別限制，可以根據(jù)金屬層的原材料或要形成的電路圖案適當(dāng)?shù)剡x擇。
電路圖案設(shè)為如下構(gòu)造，即，在發(fā)光元件搭載部設(shè)置至少1對(duì)電極預(yù)定部，該電極預(yù)定部分別經(jīng)由導(dǎo)電電路與基板內(nèi)的其他的電路(包括用于與外部電路連接的連接端子等)連接。在形成具有該連接端子的電路的情況下，為了提高本發(fā)明基板的該連接端子部的機(jī)械強(qiáng)度，根據(jù)需要，也可以在電路背面的一部分貼附加強(qiáng)條以進(jìn)行加強(qiáng)。作為該加強(qiáng)條的材料，可以使用液晶聚合物或聚酰亞胺等。圖1中表示了本發(fā)明的發(fā)光體用電路基板前體的一個(gè)例子。1為發(fā)光體用電路基板前體，2為電極預(yù)定部，3為導(dǎo)電電路，4為基板內(nèi)的其他的電路，5為液晶聚合物薄膜。圖1的發(fā)光體用電路基板前體1是具有多個(gè)1對(duì)電極預(yù)定部2、2(即發(fā)光元件搭載部)的方式。電極預(yù)定部2、2分別經(jīng)由導(dǎo)電電路3、3與基板內(nèi)的其他的電路4、4連接。而且，電極預(yù)定部2與導(dǎo)電電路3的交界雖然不一定清晰，然而可以將應(yīng)當(dāng)在導(dǎo)電電路3的端部搭載發(fā)光元件的場(chǎng)所稱作電極預(yù)定部。
圖1中，虛線為將發(fā)光體單獨(dú)使用時(shí)的切除預(yù)定線，在搭載發(fā)光元件等而形成最終產(chǎn)品時(shí)，以該虛線部為基準(zhǔn)在必需的部位被切除。另外，6為基板輸送用的鏈齒(在后面詳述)。
另外，圖1的發(fā)光體用電路基板前體在每一個(gè)凹部中具有1對(duì)應(yīng)當(dāng)搭載發(fā)光元件的電極預(yù)定部，在連續(xù)的電路基板中具有多個(gè)凹部的形成預(yù)定部。在像這樣形成多個(gè)發(fā)光元件搭載部位的情況下，通過(guò)在各部位形成凹部就可以連續(xù)地制造長(zhǎng)尺寸的發(fā)光體用電路基板以及發(fā)光體，可以將其裁斷使用(參照?qǐng)D19及圖23)。
例如在凹部中所搭載的發(fā)光元件為1個(gè)的情況下，電極預(yù)定部為1對(duì)即可，然而例如在將2個(gè)以上的發(fā)光元件搭載于1個(gè)凹部中的情況下(例如為了能夠發(fā)出光的全部三原色，在1個(gè)凹部中搭載紅、藍(lán)、綠3個(gè)發(fā)光元件的情況等)，在凹部中，就需要有與所搭載的發(fā)光元件的個(gè)數(shù)對(duì)應(yīng)了的數(shù)目的電極預(yù)定部(例如在搭載2個(gè)發(fā)光元件的情況下，為2對(duì)電極預(yù)定部，在搭載3個(gè)發(fā)光元件的情況下，為3對(duì)電極預(yù)定部等)。
而且，例如在1對(duì)電極預(yù)定部中，在一方的電極預(yù)定部中配置發(fā)光元件，另一方的電極預(yù)定部和發(fā)光元件用引線鍵合等電連接。這樣，在1個(gè)凹部中搭載多個(gè)發(fā)光元件的情況下，雖然用于直接配置發(fā)光元件的電極預(yù)定部需要與搭載的發(fā)光元件的數(shù)目對(duì)應(yīng)，然而被用引線鍵合等與發(fā)光元件連接的電極預(yù)定部有時(shí)也可以在多個(gè)發(fā)光元件中共用。這樣，該情況下，在1個(gè)凹部中，被用引線鍵合等與發(fā)光元件連接的電極預(yù)定部也可以少于該凹部所應(yīng)當(dāng)搭載的發(fā)光元件的個(gè)數(shù)。即，「1對(duì)」電極預(yù)定部是指可以搭載1個(gè)發(fā)光元件的電極預(yù)定部的組，不一定要規(guī)定電極預(yù)定部的數(shù)目。例如，在1個(gè)凹部中搭載2個(gè)發(fā)光元件的情況下，也可以設(shè)置4個(gè)電極預(yù)定部，而對(duì)于多個(gè)的情況，由于可以由2個(gè)發(fā)光元件共有1個(gè)電極預(yù)定部，因此只要在每一個(gè)凹部形成預(yù)定部位設(shè)置3個(gè)電極預(yù)定部即可。同樣地，在1個(gè)凹部中搭載3個(gè)發(fā)光元件的情況下，只要在每一個(gè)凹部形成預(yù)定部位設(shè)置4個(gè)電極預(yù)定部即可。
對(duì)于電路圖案，最好設(shè)計(jì)為金屬層的殘存面積盡可能大。由于金屬層的殘存面積越大，則基板的加強(qiáng)效果就越高，因此就會(huì)成為強(qiáng)度高的基板。另外，如后所述，由于發(fā)光元件發(fā)光時(shí)即放射出熱，因此最好將其排出，金屬層的殘存面積越大，則該金屬層(電路)對(duì)熱的發(fā)散效果就會(huì)越高。另外，從提高強(qiáng)度、實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的連續(xù)生產(chǎn)的觀點(diǎn)考慮，最好在連續(xù)生產(chǎn)時(shí)所用的鏈齒部中也殘留有金屬層。由于這樣的電路以外的部分的加工可以利用蝕刻法與電路圖案同時(shí)地形成，因此極為有利。
另外，當(dāng)發(fā)光體用電路基板的凹部中液晶聚合物的露出部分少，即金屬層的殘存面積大時(shí)，則可以獲得光反射率高而亮度優(yōu)良的發(fā)光體。另一方面，當(dāng)電路部分在伴隨著凹部的形成而變形的部分中所占的比例大時(shí)，則有可能使電路破裂的可能性變高。所以，在形成凹部前的電路基板前體中，最好按照使應(yīng)當(dāng)成為凹部的壁面的部分的金屬制電路圖案所占的面積比例達(dá)到20～90％(更優(yōu)選45％以上，65％以下)的方式來(lái)形成電路圖案。這是因?yàn)?，如果在該范圍?nèi)，則可以在利用金屬電路面的高反射率部分地補(bǔ)充發(fā)光體的亮度的同時(shí)，抑制不良品的產(chǎn)生。
另外，用于將電極預(yù)定部與基板內(nèi)的其他的電路連接的導(dǎo)電電路，最好以平面狀具有考慮了在液晶聚合物薄膜進(jìn)行伴隨著延伸的變形時(shí)的變形的延伸量。電路圖案的形成中所用的金屬在凹部形成條件下，由于與液晶聚合物薄膜相比延伸性非常差，因此在位于在凹部形成之時(shí)被要求伴隨著延伸的變形的部位的電路部分(即所述導(dǎo)電電路)中，容易產(chǎn)生破裂。即使在不產(chǎn)生破裂的情況下，也有可能在金屬層中殘留內(nèi)部應(yīng)力，產(chǎn)品的可靠性降低。另外，例如當(dāng)在銅箔上實(shí)施了鍍覆后將其三維成形時(shí)，則還有可能發(fā)生鍍層的剝離。與之不同，對(duì)于所述導(dǎo)電電路，如果賦予所述的形狀，則可以高效地抑制凹部形成時(shí)的電路的破裂，可以獲得具有可靠性更為優(yōu)良的凹部的發(fā)光體用電路基板。特別是在發(fā)光元件或發(fā)光體大型化，設(shè)有更大的凹部的情況下，或在要求曲率更小的彎曲變形的情況下，使導(dǎo)電電路具有所述形狀在確保凹部形成的穩(wěn)定性方面極為有效。
以「平面狀」具有該延伸量的做法是因?yàn)?，平面狀的電路圖案可以利用對(duì)銅箔的緊密連續(xù)的蝕刻這樣的通常的電路圖案形成方法來(lái)容易地形成。此外，也不需要像以引線等形成該延伸量的情況那樣增加工序。
作為所述導(dǎo)電電路中的「考慮了液晶聚合物薄膜進(jìn)行伴隨著延伸的變形時(shí)的變形的延伸量」的形狀，例如可以舉出俯視曲折的形狀。在導(dǎo)電電路具有此種形狀的情況下，在液晶聚合物薄膜進(jìn)行伴隨著延伸的變形時(shí)，由于通過(guò)拉開(kāi)曲折的間隔，外觀上的長(zhǎng)度即延長(zhǎng)，因此就可以高效地抑制導(dǎo)電電路的破裂。這樣，在凹部形成時(shí)聚合物薄膜受到伴隨著延伸的變形的部位(具體來(lái)說(shuō)，主要是凹部壁面)，如果按照形成此種形狀的導(dǎo)電電路的方式設(shè)計(jì)，則可以更為高效地防止凹部形成時(shí)的電路圖案的破裂。
作為所述的「曲折的形狀」，例如包括所謂起伏形狀或波紋形狀、鋸齒形狀等(這些形狀全都是俯視的形狀。以下相同)。更具體來(lái)說(shuō)，可以舉出U字形；S字形；V字形；U字形、S字形、V字形等任意一種連續(xù)的形狀；U字形、S字形、V字形等任意一種形狀與其反轉(zhuǎn)形狀交互地連續(xù)的形狀；包含這些的2個(gè)以上的形狀的連續(xù)形狀等。而且，在連續(xù)形狀的情況下，各形狀(U字形、S字形、V字形等)的大小或曲折的程度并不一定。另外，在U字形或S字形等情況下，曲折部既可以具有直角等角度，也可以以曲線彎曲。
另外，在所述的「曲折的形狀」中，也包含如下的形狀(以下簡(jiǎn)稱為「狹縫形狀」)，即，在與從所述電極預(yù)定部朝向所述基板內(nèi)的其他的電路的方向大致正交的方向上，從一端朝向另一端并且并未到達(dá)該另一端的2個(gè)以上的狹縫被按照使該狹縫的開(kāi)始端部交錯(cuò)排列的方式設(shè)置。
對(duì)于所述狹縫形狀的情況，設(shè)于導(dǎo)電電路中的狹縫的條數(shù)、狹縫間距離、各個(gè)狹縫的長(zhǎng)度只要可以在凹部形成時(shí)，充分地發(fā)揮防止導(dǎo)電電路的破裂的作用，就沒(méi)有特別限制。例如不一定被限制為等間隔，可以根據(jù)要成形的凹部形狀，適當(dāng)?shù)剡x擇能夠充分地緩解在該成形之時(shí)導(dǎo)電電路所受到的應(yīng)力的間隔、位置、長(zhǎng)度、角度等。
對(duì)于俯視為曲折的形狀(所述的起伏形狀、波紋形狀、鋸齒形狀等或狹縫)的具體的形狀或尺寸，基于流過(guò)導(dǎo)電電路的電流值和金屬層的厚度，例如按照在通電時(shí)不會(huì)將導(dǎo)電電路燒斷的方式，計(jì)算導(dǎo)電電路的寬度[對(duì)于狹縫形狀的情況，為狹縫的長(zhǎng)度(作為導(dǎo)電電路殘留的長(zhǎng)度)]、起伏的數(shù)目(對(duì)于狹縫的情況為狹縫的數(shù)目)，可以基于該計(jì)算值，另外按照使導(dǎo)電電路可以維持能夠經(jīng)受成形加工的強(qiáng)度的方式，經(jīng)過(guò)利用實(shí)機(jī)的生產(chǎn)確認(rèn)而決定。對(duì)于狹縫形狀的情況，通常來(lái)說(shuō)，狹縫的長(zhǎng)度在導(dǎo)電電路的寬度窄時(shí)為50％以下程度，在該寬度寬時(shí)，也可以超過(guò)90％。
圖2中，表示了具備了具有所述狹縫形狀的導(dǎo)電電路的基板(平板狀)的一個(gè)例子，圖3中，表示了在圖2的基板中形成了凹部后的基板。另外，圖4為圖2的I-I線剖面圖，圖5為圖3的II-II線剖面圖。圖2及圖3中，7為狹縫，圖3中，8為凹部底面，9為凹部壁面。另外，圖2～圖5中，對(duì)于與圖1相同的符號(hào)，將避免重復(fù)說(shuō)明(以下對(duì)于各圖都相同)。
在平板狀的基板(圖2)中，設(shè)于導(dǎo)電電路3、3中的所述狹縫7在形成了凹部時(shí)，其間隔展寬(圖3)。這樣，導(dǎo)電電路3、3的外觀的長(zhǎng)度延長(zhǎng)(而且，由于圖3為俯視圖，因此未顯示導(dǎo)電電路的長(zhǎng)度延長(zhǎng)，然而狹縫的間隔展寬，向圖的里側(cè)方向延伸)。這樣，與液晶聚合物薄膜相比，即使是由延伸性差的金屬構(gòu)成的導(dǎo)電電路，也可以高效地抑制其破裂。由這樣的曲折的程度變小帶來(lái)的導(dǎo)電電路的破裂防止效果，對(duì)于「曲折的形狀」來(lái)說(shuō)，在上面所例示的其他的形狀(U字形等)中，也可以被同樣地發(fā)揮。圖6中，表示了具備了具有這樣的其他的形狀當(dāng)中的S字形的連續(xù)形狀的導(dǎo)電電路3、3的基板(平板狀)的一個(gè)例子。
另外，「俯視為曲折的形狀」優(yōu)選實(shí)質(zhì)上放射狀對(duì)稱的形狀。這里所謂「放射狀對(duì)稱」是指，從三維成形時(shí)的中心點(diǎn)起處于等距離的圖案被以一定的中心角，例如中心角180°、120°或90°重復(fù)的形狀。圖16是此種放射狀對(duì)稱的電路圖案當(dāng)中的中心角為180°的，圖17為中心角為90°的，圖18為中心角為120°的例子。如果形成此種放射狀對(duì)稱的形狀，則在凹部形成之時(shí)變形的部分中的力就會(huì)作為整體均一地施加在電路圖案上。其結(jié)果是，不會(huì)有力集中地僅施加在電路圖案的一部分上的情況，可以減少破裂的可能性。將此種方式的具體例的一種表示于圖16中。另外，將在1個(gè)凹部中設(shè)置4個(gè)電極部的情況表示于圖17中，將設(shè)置3個(gè)電極的情況的放射狀對(duì)稱電路圖案表示于圖18中。而且，這里所謂「實(shí)質(zhì)上」是指，如果是可以將在凹部形成之時(shí)向電路圖案施加的力分散的程度的放射狀對(duì)稱形狀，則例如在一端存在多于1個(gè)狹縫等時(shí)，也可以不是嚴(yán)格的放射狀對(duì)稱形狀。
電路圖案雖然是在液晶聚合物薄膜的至少單面上形成，然而也可以根據(jù)需要在雙面上形成。在雙面上形成了電路圖案的情況下，可以獨(dú)立地使用各電路，或者在形成了通孔后，利用嵌入通孔鍍膜或嵌入導(dǎo)電材料之類的公知方法，將兩電路連結(jié)使用。
<凹部的形成>
在液晶聚合物薄膜表面設(shè)置了電路圖案的平板狀的基板前體中，形成凹部，其具有應(yīng)當(dāng)存在發(fā)光元件搭載部(電極預(yù)定部)及導(dǎo)電電路的一部分的底部、應(yīng)當(dāng)存在導(dǎo)電電路的一部分的壁面。凹部的形成方法沒(méi)有特別限定，例如可以采用使用了模具的通常的成形法(沖壓成形法等)、真空成形法、擠壓成形法、真空擠壓成形法等。其中，真空成形法或擠壓成形法、真空擠壓成形法由于可以不使模具與圖案形成面密接地進(jìn)行凹部形成，因此可以防止凹部形成之時(shí)的電路圖案的損傷等，在這一點(diǎn)上是有利的。另一方面，如果是沖壓成形法等通常的成形法，則有成形位置更為準(zhǔn)確的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明中，只要根據(jù)實(shí)際的電路圖案或其使用目的等，采用更為適當(dāng)?shù)姆椒纯伞?br> 每一個(gè)基板的凹部的數(shù)目沒(méi)有特別限制，然而最好形成多個(gè)。這是因?yàn)?，在形成了多個(gè)后，在所需的位置上將電路基板裁斷即可，從而可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的制造。
凹部的形狀、尺寸也沒(méi)有特別限制，只要設(shè)為與所需對(duì)應(yīng)的形狀、尺寸即可。例如一般設(shè)為如下的形狀、尺寸，即，將凹部的開(kāi)口部設(shè)為直徑0.5mm～30mm的圓形，將凹部底面的直徑設(shè)為0.45mm～27mm的圓形，并且使開(kāi)口部比底面更寬，另外將凹部深度(從開(kāi)口部到底面的垂直深度)設(shè)為0.1mm～20mm。但是，開(kāi)口部或底面部的形狀并不限于圓形，可以適當(dāng)?shù)剡x擇。
作為形成這樣的形狀、尺寸的凹部的條件，例如在液晶聚合物薄膜由I型液晶聚酯構(gòu)成的情況下，可以采用如下的條件，即，在通常的模具成形中，將薄膜溫度設(shè)為300～350℃，以1～5MPa進(jìn)行3～10分鐘成形，在冷卻到200℃以下后取出；在真空成形法中，將薄膜溫度設(shè)為300～350℃，減壓到0.1012MPa以下；在真空擠壓成形法中，將薄膜溫度設(shè)為300～350℃，將加壓側(cè)設(shè)為0.29～0.59MPa，將減壓側(cè)設(shè)為0.1012MPa以下，進(jìn)行0.1～15分鐘成形，冷卻到200℃以下而取出。
而且，在凹部的成形之時(shí)，為了防止金屬層的氧化，最好在惰性氣體氣氛下、含有還原性氣體的氣氛中成形。在空氣中進(jìn)行成形等而在金屬層表面形成了氧化被膜的情況下，例如浸漬于4當(dāng)量程度的硝酸水溶液等中，其后通過(guò)進(jìn)行充分地水洗，就可以容易地將該氧化被膜除去。
在利用所述溫度條件、壓力條件等形成了凹部時(shí)，在受到了伴隨著延伸的變形的部位(特別是凹部的壁面的一部分及其附近)，由于液晶聚合物的分子鏈沿延伸方向再次取向，因此彈性模量提高，凹部的形狀保持性，即作為低粘度樹(shù)脂(硬化前的密封樹(shù)脂)的澆注用外殼的形狀保持上的物性提高。這樣，在確保與未進(jìn)行利用液晶聚合物分子鏈的再次取向得到的彈性模量提高的電路基板同等的凹部形狀保持性時(shí)，可以應(yīng)用更薄的液晶聚合物薄膜，可以實(shí)現(xiàn)程度更高的電路基板的輕量化、低成本化、薄壁化。
例如，在厚度為100μm的I型熱致液晶聚酯薄膜中，MD方向及TD方向的線膨脹系數(shù)被調(diào)整為16ppm/℃左右的材料中，其拉伸彈性模量為6300N/mm2左右，而當(dāng)將其沿一個(gè)方向再次延伸2倍時(shí)，則延伸方向的拉伸彈性模量就變?yōu)榧s1.5倍。此種現(xiàn)象在可以利用延伸容易地進(jìn)行分子的取向控制的液晶聚合物薄膜中十分明顯。
本發(fā)明的基板中，在進(jìn)行凹部形成時(shí)，在凹部壁面的局部及其附近，特別是在凹部開(kāi)口部的曲折部分、凹部底面-壁面的交界處，由于產(chǎn)生伴隨著延伸的變形，因此此種彈性模量提高現(xiàn)象十分明顯。這樣，雖然在液晶聚合物薄膜的露出部，作為整體富于柔性，然而特別是在凹部壁面的局部及其附近，因所述彈性模量的增大而變硬，因此凹部的形狀保持性提高。
<基板的構(gòu)造>
本發(fā)明的基板中，除了僅為1個(gè)發(fā)光元件搭載部(即，電極部?jī)H為1對(duì))的方式以外，如圖1所示，還優(yōu)選存在多個(gè)發(fā)光元件搭載部的方式。而且，圖1中所示的基板具有輸送用的鏈齒6，作為所謂TAB基板，能夠?qū)崿F(xiàn)凹部形成、發(fā)光元件的搭載、利用密封樹(shù)脂的密封等的連續(xù)作業(yè)。
當(dāng)考慮采用TAB基板實(shí)施連續(xù)作業(yè)的情況等時(shí)，本發(fā)明的電路基板優(yōu)選長(zhǎng)尺寸的基板(例如帶狀)。例如其長(zhǎng)度推薦為0.5m以上，更優(yōu)選50m以上。在這樣的長(zhǎng)尺寸的電路基板的情況下，從處理性良好的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選卷繞成卷狀。但是，當(dāng)然也可以用批次式來(lái)制造。
另外，圖1中所示的基板中，除了在搭載發(fā)光元件，用密封樹(shù)脂密封后，依切除預(yù)定線(圖1中虛線部)切除，以獲得多個(gè)具有1個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光體(LED)而使用以外，也可以以切除預(yù)定線僅切斷圖1中上下鏈齒6、6，作為搭載了多個(gè)發(fā)光元件的帶狀的發(fā)光體利用。而且，雖然在圖1的電路基板中，電路遍及圖示的基板全長(zhǎng)地連續(xù)，然而例如在長(zhǎng)尺寸的電路基板中，也可以不形成遍及長(zhǎng)邊方向的全長(zhǎng)地連續(xù)的電路。例如，為了獲得多個(gè)特定長(zhǎng)度的電路，可以在每個(gè)特定長(zhǎng)度(例如1m等)上重復(fù)形成特定形狀的電路圖案，制成圖案的重復(fù)單位間斷開(kāi)了的圖案，或在每個(gè)特定長(zhǎng)度上設(shè)置不同的圖案的電路，不同的圖案間斷開(kāi)。圖19中表示在后者中附加了插口的圖案的一個(gè)例子。圖20是圖19的1個(gè)圖案的放大圖。另外，如圖23所示，在制造了還可以應(yīng)用于顯示裝置(點(diǎn)矩陣)中的圖案的電路的重復(fù)單元后，可以在所需的位置上切斷而使用。
由圖1的基板得到的帶狀的發(fā)光體中形成并聯(lián)電路，通過(guò)在發(fā)光體兩端部(圖1中為左右端部)，與包括電源地裝入了電阻等的外部電路連接，就可以對(duì)搭載于發(fā)光體上的全部的發(fā)光元件有效地確認(rèn)發(fā)光。這樣，通過(guò)連接外部電路，制造階段的發(fā)光元件的發(fā)光確認(rèn)檢查就變得更為容易。另外，還可以作為面狀發(fā)光體的制造手段來(lái)利用。
以往的面狀發(fā)光體中，在面板狀的基板上，排列有多個(gè)具有1個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光體，需要對(duì)各個(gè)發(fā)光體進(jìn)行配線·釬焊等，其制造極為煩雜。但是，如果是由圖1的基板得到的帶狀的發(fā)光體，則由于只要平行地排列多條，將各帶狀發(fā)光體的端部與包括電源的外部電路連接即可，不需要對(duì)每個(gè)發(fā)光元件的配線·釬焊，因此可以通過(guò)將表面用半透明狀的板等覆蓋，就可以簡(jiǎn)易地制造面狀發(fā)光體，還能夠?qū)崿F(xiàn)面狀發(fā)光體的薄型化·小型化·輕量化。當(dāng)然，也可以形成線狀發(fā)光體或多點(diǎn)狀發(fā)光體。另外，電路可以是串聯(lián)、并聯(lián)及它們的組合等，可以很容易地自由設(shè)計(jì)。
另外，本發(fā)明的基板中，由于可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)自由度高的電路圖案形成、凹部形成兩方面，因此還可以作為面狀發(fā)光體的基板利用。圖7是面狀發(fā)光體用電路基板的前體的一個(gè)例子。圖7的基板中，由于可以直接搭載多個(gè)發(fā)光元件(圖7中為24個(gè))，因此與以往的面狀發(fā)光體相比，可以使其制造工序非常簡(jiǎn)略。另外，圖7的基板中，由于在每個(gè)發(fā)光元件搭載部中都具有獨(dú)立的電路，因此還可以將各個(gè)發(fā)光元件與獨(dú)立的外部電路連接。這樣，由于對(duì)每個(gè)發(fā)光元件都可以實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮·熄滅的調(diào)節(jié)，因此不僅可以作為簡(jiǎn)單的面狀發(fā)光體，而且還可以實(shí)現(xiàn)作為顯示裝置(點(diǎn)矩陣)利用。另外，通過(guò)使用本發(fā)明的基板，這樣的顯示裝置的連續(xù)制造也變得更為容易，不僅可以實(shí)現(xiàn)顯示裝置的薄型化·小型化·輕量化·節(jié)省資源化，而且可以獲得柔性的顯示裝置。
即，以往的顯示裝置(點(diǎn)矩陣)例如將獨(dú)立地具備1個(gè)至多個(gè)發(fā)光元件的多個(gè)單位區(qū)塊組合，將整體用外殼保持，將來(lái)自各區(qū)塊的配線連結(jié)。該單位區(qū)塊是如下的構(gòu)件，即，將搭載了發(fā)光元件的板狀的電路基板裝入深度為10mm左右的熱塑性樹(shù)脂的成形外殼中，用環(huán)氧樹(shù)脂等透明樹(shù)脂澆注密封，與環(huán)境絕緣。而且，在成形外殼內(nèi)的發(fā)光元件上，為了提高對(duì)電路基板的遮蔽和光的輸出效率，覆蓋有傘狀的成形體。另外，單位區(qū)塊的成形外殼的底設(shè)有從發(fā)光元件中產(chǎn)生的光的輸出孔。這樣，在單位區(qū)塊的成形外殼的底部，在澆注透明樹(shù)脂時(shí)，為了防止從該孔中的泄漏，貼附有具有粘接性的薄膜，在利用透明樹(shù)脂的密封之后，該粘接薄膜即被剝離。
此種以往的顯示裝置中，在所述單位區(qū)塊中，由于需要大量的透明樹(shù)脂，因此重量大，熱發(fā)散也差。另外除了這樣的透明樹(shù)脂以外，還需要使用成形外殼、其他的輔助材料(保持傘狀的成形體或單位區(qū)塊的外殼等)很多的材料。此外，在將電路基板固定于成形外殼上而用透明樹(shù)脂密封時(shí)，由于是在發(fā)光元件或所述傘狀的成形體等復(fù)雜的形狀的立體構(gòu)造物存在的狀況下流入透明樹(shù)脂，因此在該透明樹(shù)脂中容易殘留氣泡，有操作性差的問(wèn)題。另外，在利用透明樹(shù)脂的密封后，還需要將所述粘結(jié)薄膜剝離的操作，另外剝離了的粘接薄膜成為廢棄物，在這一點(diǎn)上也是不利的。
與之不同，本發(fā)明的基板中，由于在形成具備了多個(gè)發(fā)光元件的顯示裝置時(shí)，另外需要的樹(shù)脂可以僅進(jìn)行發(fā)光元件部分的密封，因此可以將其使用量劇減為以往的數(shù)十分之一以下，不需要另外使用成形外殼，從而可以實(shí)現(xiàn)大幅度的輕量化或原料成本的降低。另外，也不需要使用所述粘接薄膜，因而操作性也良好。另外，在廢棄時(shí)，由于可以大幅度削減其量(特別是樹(shù)脂量)，因此也是改善環(huán)境的對(duì)策。
現(xiàn)在，作為使用了LED的顯示器，大型的顯示器被作為設(shè)于建筑物的壁面等的屋外用途已經(jīng)實(shí)用化。這里，是將亮度高的炮彈型LED大量地集成而構(gòu)成的。另一方面，對(duì)于屋內(nèi)用途，作為薄形的大型顯示器，雖然液晶顯示器或等離子體顯示器已經(jīng)被實(shí)用化，然而為了實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的大型化，在技術(shù)上難度增大，因此會(huì)導(dǎo)致與尺寸成比例地相乘的成本升高。
本發(fā)明的基板中，如圖7或圖23中所示，在帶狀或面狀的發(fā)光體中，還可以采用能夠?qū)崿F(xiàn)每個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光·熄滅的構(gòu)成。這樣，通過(guò)搭載多個(gè)高密度地配置紅、綠、藍(lán)三種發(fā)光元件而構(gòu)成的點(diǎn)(dot)，就可以容易地提供極為輕量、薄形的大型顯示器。該顯示器與由炮彈型LED構(gòu)成的顯示器相比，適用于使用低亮度的顯示器的領(lǐng)域，例如屋內(nèi)用途。
另外，圖21是具有圖16的放射狀對(duì)稱電路圖案的裝置的應(yīng)用電路的一個(gè)例子，是顯示裝置(點(diǎn)矩陣)發(fā)光體用電路基板前體的一個(gè)例子。圖22是表示由該前體制造的點(diǎn)矩陣產(chǎn)品的外觀的圖。在下部能夠看到的配線部和插口部是柔性的，在實(shí)際的使用時(shí)，如圖24所示地繞到背面而使用。另外，圖23是表示將圖21所示的發(fā)光體用電路基板前體作為單元，以帶狀連續(xù)地制造時(shí)的模式的例子。
而且，如后所述，雖然在基板上搭載了發(fā)光元件后，將該發(fā)光元件覆蓋地用密封樹(shù)脂密封，然而從提高與該密封樹(shù)脂的密接性的觀點(diǎn)考慮，最好對(duì)凹部形成前或凹部形成后的基板的液晶聚合物薄膜露出部實(shí)施表面處理。作為此種表面處理，例如可以舉出紫外線照射處理、等離子體照射處理、噴丸處理、堿處理等。也可以將這些處理組合2種以上使用。另外，將粗化金屬熱壓接而得的液晶聚合物電路基板中，僅利用除去了金屬后的液晶聚合物表面，就可以獲得優(yōu)良的粘接力。
<發(fā)光體的構(gòu)成>
本發(fā)明的發(fā)光體是具有凹部形成后的本發(fā)明的發(fā)光體用電路基板的發(fā)光體，對(duì)于其他的構(gòu)成沒(méi)有特別限制，可以采用以往公知的發(fā)光體中所用的各種構(gòu)成。
圖8中表示本發(fā)明的發(fā)光體的一個(gè)例子。與發(fā)光體用電路基板1的1對(duì)電極部2、2的任意一方電連接地搭載發(fā)光元件10，另外，利用引線鍵合11將另一方的電極部2與發(fā)光元件10電連接。其后用密封樹(shù)脂12將凹部覆蓋，通過(guò)使該樹(shù)脂硬化而密封，就可以得到發(fā)光體13。
對(duì)于發(fā)光元件10例如可以提供以GaAlAs類為代表的多個(gè)種類的元件，然而本發(fā)明的發(fā)光體中沒(méi)有特別限制，可以采用能夠確保必需的發(fā)光顏色的種類的發(fā)光元件。發(fā)光元件10的搭載例如只要應(yīng)用使用了公知的銀糊劑等的芯片焊接即可。
對(duì)于引線鍵合11也沒(méi)有特別限制，可以使用在發(fā)光體領(lǐng)域中所通常使用的原材料的物質(zhì)(通常為金)。
對(duì)于密封樹(shù)脂12，只要是具有由發(fā)光元件10放射的光能夠良好地透過(guò)的程度的透明性的材料，就沒(méi)有特別限制，可以利用以往所公知的材料(環(huán)氧樹(shù)脂等)。
而且，對(duì)于由圖1的基板得到的發(fā)光體的情況，由于是帶狀，因此也可以卷繞成卷狀而出售等。
另外，本發(fā)明的發(fā)光體中，在基板的電路圖案形成面的相反面?zhèn)染哂猩釞C(jī)構(gòu)的設(shè)置也是優(yōu)選的方式。圖9中表示具有散熱機(jī)構(gòu)的發(fā)光體的例子。圖9的發(fā)光體13作為散熱機(jī)構(gòu)具有散熱板14。
發(fā)光體中，希望有將發(fā)光時(shí)產(chǎn)生的熱排出的對(duì)策，然而以往是將引線框大型化，穿過(guò)它而排熱。但是，當(dāng)發(fā)光體的尺寸變大時(shí)，就會(huì)有排熱效率降低的問(wèn)題。
本發(fā)明的發(fā)光體中，與以往的利用注射成形的樹(shù)脂基板不同，可以在減薄基板中所用的液晶聚合物薄膜的厚度的同時(shí)，確保良好的耐熱變形性(防止釬焊等時(shí)的基板的熱變形的作用)，并且與利用涂料形成的涂膜相比，可以保持可靠性高的絕緣性。這樣，通過(guò)在液晶聚合物薄膜表面(電路圖案形成面的相反面)上，設(shè)有由熱傳導(dǎo)性優(yōu)良的原材料構(gòu)成的散熱板等散熱機(jī)構(gòu)，就可以與以往的利用引線框的排熱不同，實(shí)現(xiàn)從基板的大面積的排熱，可以不用擔(dān)心產(chǎn)生漏電地實(shí)現(xiàn)有效的排熱。
作為散熱板，可以舉出鋁板、鎂板等金屬板、含有大量熱傳導(dǎo)優(yōu)良的無(wú)機(jī)材料的樹(shù)脂板、玻璃板等。散熱板的設(shè)置可以是與基板的形狀匹配地在散熱板中設(shè)置凹部，將基板嵌入其中即可，然而更優(yōu)選再將基板與散熱板焊接，或使用粘接劑等粘接而使用。
另外，作為散熱機(jī)構(gòu)，如圖9所示，更優(yōu)選使用具有制冷劑穿過(guò)孔15的散熱板14，該情況下，可以實(shí)現(xiàn)更為有效的排熱。作為制冷劑，可以使用水、其他的公知的制冷劑。
而且，所述的說(shuō)明雖然全都是總結(jié)了針對(duì)發(fā)光體研究得到結(jié)果的內(nèi)容，然而很明顯本發(fā)明也可以作為發(fā)光體以外的液狀密封型的半導(dǎo)體用使用。
實(shí)施例以下，將基于實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)敘述。但是，下述實(shí)施例并不是限制本發(fā)明的例子，在不脫離前·后述的主旨的范圍中實(shí)施變更的方案全都包含于本發(fā)明的技術(shù)范圍中。而且，本實(shí)施例中所用的「％」只要沒(méi)有特別指出，則都為質(zhì)量基準(zhǔn)。
而且，后述的薄膜的線膨脹系數(shù)是如下求得的值，即，利用TMA法，針對(duì)薄膜的MD方向及TD方向，將試驗(yàn)片寬度設(shè)為4.5mm，將夾頭間距離設(shè)為15mm，將載荷設(shè)為1g，在從室溫升溫到200℃后(升溫速度5℃/分鐘)，以5℃/分鐘的降溫速度冷卻時(shí)，將根據(jù)從160℃到25℃期間測(cè)定的試驗(yàn)片的尺寸變化求得的值平均后的值。
實(shí)驗(yàn)1<發(fā)光體用電路基板及發(fā)光體的制作>
實(shí)施例1在I型熱致液晶聚酯薄膜(耐熱性熱塑性樹(shù)脂薄膜，JAPAN GORE TEX公司制「BIAC BA」，液晶轉(zhuǎn)化溫度335℃，厚度100μm，線膨脹系數(shù)MD方向、TD方向都為16ppm/℃)的單面上，將Cu合金箔(日礦materials公司制「NK120」，含有0.2％Cr-0.1％Zr-0.2％Zn的高傳導(dǎo)引線框用Cu合金單面粗面化處理品，厚度18μm，線膨脹系數(shù)17.4ppm/℃)在溫度340℃、壓力3.9MPa、時(shí)間5分鐘的條件下貼附，設(shè)置如圖10所示的鏈齒，得到了具有金屬層的樹(shù)脂薄膜。
然后，使用蝕刻法，在所述樹(shù)脂薄膜上，設(shè)置圖10及圖11所示的構(gòu)造的電路圖案。圖10及圖11中，除去符號(hào)以外的數(shù)值表示長(zhǎng)度，單位為mm。圖10中，16為5mmφ的導(dǎo)引孔，鏈齒6的直徑為1.3mm。導(dǎo)引孔是用于模具成形之時(shí)的孔，鏈齒是用于連續(xù)使用時(shí)的帶輸送的設(shè)置。
在金屬層表面，將厚度為50μm的堿性水溶液顯影型干式薄膜光刻膠(日立化成公司制「HF450」)，使用加熱了的輥層壓機(jī)(輥表面溫度105℃)，在速度0.5m/分鐘、線壓力0.2～0.4MPa的條件下進(jìn)行層壓，在室溫下放置15分鐘。其后，將規(guī)定的掩模重疊于光刻膠涂布面上，使用真空密接曝光機(jī)，在100mJ/cm2的條件下照射紫外線。繼而在室溫下放置15分鐘，其后使用Na2CO3的1％水溶液，在溫度30℃、噴霧壓力0.2MPa、時(shí)間60秒的條件下，將干式薄膜光刻膠顯影，形成了光刻膠圖案。
將形成光刻膠圖案后的樹(shù)脂薄膜的金屬層使用氯化鐵水溶液(在HCl的3％水溶液1L中溶解了500g氯化鐵的溶液)進(jìn)行了蝕刻，其后，使用NaOH的3％水溶液，在溫度50℃、噴霧壓力0.1MPa的條件下將干式薄膜光刻膠剝離，得到了平板狀的發(fā)光體電路基板前體。
在所述發(fā)光體電路基板前體上，利用模具成形法進(jìn)行了凹部形成。凹部的形狀為底面是直徑1.7mm的圓形，開(kāi)口部是直徑2.3mm的圓形，從凹部開(kāi)口部到底面的垂直深度為0.85mm。圖12中，表示凹部形成部分的剖面圖(在圖11的基板中形成了凹部后的II-II剖面圖)。圖12中，附加了符號(hào)及「R」的數(shù)值(曲率半徑)的單位為mm。成形條件設(shè)為加熱溫度320℃，壓力0.5MPa，時(shí)間5分鐘，在氮?dú)鈿饬髦谐尚巍?br> 對(duì)于形成凹部后的發(fā)光體用電路基板，通過(guò)使用低壓水銀燈，在32mW/cm2的條件下照射30秒紫外線，進(jìn)行了表面處理。在表面處理后的發(fā)光體用電路基板的凹部底面上搭載了發(fā)光元件。發(fā)光元件使用豐田合成株式會(huì)社制「GaN類藍(lán)色LED芯片商品編號(hào)E1C40-0B001-02」，將其利用銀糊劑芯片焊接于電極部(電極預(yù)定部)的一方上。另外，發(fā)光元件和另一方的電極部利用金線進(jìn)行了引線鍵合。其后，將雙液性環(huán)氧樹(shù)脂類透明密封劑(稻畑產(chǎn)業(yè)公司制「HL2000A、HL2000B2」)填充于搭載了發(fā)光元件的電路基板的凹部中，將發(fā)光元件覆蓋，將該密封材料在125℃、1.5小時(shí)的條件下進(jìn)行一次硬化，另外在150℃、6小時(shí)的條件下進(jìn)行二次硬化而與環(huán)境絕緣，得到了長(zhǎng)尺寸的帶狀發(fā)光體。
繼而將所述的帶狀發(fā)光體裁斷，制作5條具有10個(gè)發(fā)光元件的帶狀發(fā)光體，將5列平行地貼附在酚醛樹(shù)脂基板上，通過(guò)將各帶狀發(fā)光體的端部使用無(wú)鉛的焊錫(千住金屬公司制「M705」)在260℃下釬焊，與具備電源而裝入了電阻等的外部電路連接。然后，在表面配置半透明的丙烯酸板，得到了面狀發(fā)光體。面狀發(fā)光體的形成性、形成效率良好。對(duì)所得的面狀發(fā)光體通電，確認(rèn)能夠發(fā)出穿過(guò)了拉門的亮度的光。
實(shí)施例2作為液晶聚合物薄膜，使用II型熱致液晶聚酯薄膜(液晶轉(zhuǎn)化溫度280℃，厚度100μm，線膨脹系數(shù)MD方向、TD方向都為16ppm/℃)。
所述II型熱致液晶聚酯薄膜的制作方法如下所示。將II型熱致液晶聚酯(POLYPLASTICS公司制「ベクトラA950」)在單軸擠出機(jī)(螺桿直徑50mm)內(nèi)熔融，從該擠出機(jī)頭端的T形模(唇口長(zhǎng)度300mm，唇口間隙2.5mm，模溫度300℃)中，在起模比為5的條件下以薄片狀擠出，冷卻，得到了厚度為500μm的液晶聚酯薄膜。在該液晶聚酯薄膜的兩面，使用具有一對(duì)熱輥的層壓機(jī)，在溫度為320℃、輥線速度為2m/分鐘的條件下，熱壓接多孔聚四氟乙烯(PTFE)薄膜(厚度40μm，平均孔徑0.5μm，空孔率80％)，其后，穿過(guò)一對(duì)冷卻輥(溫度100℃)而冷卻，形成了疊層體。將該疊層體利用雙向延伸機(jī)延伸。延伸條件為溫度為300℃，倍率為MD方向1.6倍，TD方向3.2倍，延伸速度為20％/秒。其后，將兩面的多孔PTFE薄膜剝離，得到了厚度為100μm的II型熱致液晶聚酯薄膜。
在如此得到的液晶聚合物薄膜的單面，在溫度為275℃、壓力為3.9MPa、時(shí)間為5分鐘的條件下貼附與實(shí)施例1中所用的材料相同的金屬箔，設(shè)置如圖10所示的鏈齒，得到了具有金屬層的樹(shù)脂薄膜。對(duì)該具有金屬層的的樹(shù)脂薄膜，與實(shí)施例1相同地實(shí)施蝕刻，得到了平板狀的發(fā)光體用電路基板前體。
另外，對(duì)所述平板狀的發(fā)光體用電路基板前體，除了將凹部形成時(shí)的成形溫度設(shè)為265℃以外，與實(shí)施例1相同地制作了平板狀的發(fā)光體用電路基板、具有凹部的發(fā)光體用電路基板及長(zhǎng)尺寸的帶狀發(fā)光體。在從該帶狀發(fā)光體中，與實(shí)施例1相同地嘗試制作面狀發(fā)光體時(shí)，無(wú)法耐受釬焊的溫度，產(chǎn)生了不良。因此，除了使用含有鉛的通常的焊錫(千住金屬公司制「Sn63」)，在溫度220℃下進(jìn)行了釬焊以外，與實(shí)施例1相同地制作了面狀發(fā)光體后，得到了與實(shí)施例1同等程度的形成性、形成效率。另外，在對(duì)該面狀發(fā)光體通電后，可以確認(rèn)能夠?qū)崿F(xiàn)與實(shí)施例1同等程度的發(fā)光。
比較例1除了取代貼附了Cu合金箔的液晶聚合物薄膜，而使用了貼附銅箔的熱硬化聚酰亞胺薄膜(新日鐵化學(xué)公司制「エスパネツクス」，厚度50μm，銅箔的厚度12μm)以外，與實(shí)施例1相同地制作了平板狀的發(fā)光體用電路基板前體。對(duì)其與實(shí)施例1相同地嘗試了凹部形成，然而無(wú)法實(shí)現(xiàn)。
比較例2除了使用比較例1中制作的平板狀的發(fā)光體用電路基板前體，未形成凹部以外，與實(shí)施例1相同地嘗試了長(zhǎng)尺寸的帶狀發(fā)光體的制作，然而在將密封劑熱硬化之前發(fā)生該密封劑的流出，無(wú)法實(shí)現(xiàn)密封。
比較例3除了取代液晶聚合物薄膜而使用了聚醚酰亞胺薄膜(三菱樹(shù)脂公司制，厚度100μm)以外，與實(shí)施例1相同地制作了平板狀的發(fā)光體用電路基板前體。對(duì)其與實(shí)施例1相同地嘗試了凹部形成，然而產(chǎn)生很大的翹曲，無(wú)法加工。這被認(rèn)為是因?yàn)?，聚醚酰亞胺薄膜的薄膜平面方向的線膨脹系數(shù)為56ppm/℃，與Cu合金箔的線膨脹系數(shù)的差很大。
比較例4除了在比較例3中使用的聚醚酰亞胺薄膜的電路圖案形成面的相反面上貼合1mm厚的鋁板以外，與比較例3相同地制作了平板狀的發(fā)光體用電路基板前體。對(duì)其與實(shí)施例1相同地嘗試了凹部形成，然而因鋁板的存在，凹部的形狀不能成為像以往的注射成形品那樣的尖銳的形狀，成形性不良。因此，中止了其后的評(píng)價(jià)。
實(shí)驗(yàn)2<具有散熱機(jī)構(gòu)的發(fā)光體的制作>
實(shí)施例3使實(shí)施例1中得到的面狀發(fā)光體在25℃的環(huán)境下發(fā)光，10分鐘后發(fā)光體表面(發(fā)光面)的溫度達(dá)到了28.5℃。
實(shí)施例4在實(shí)施例1中得到的面狀發(fā)光體的電路圖案形成面的相反面?zhèn)?，使用粘接劑安裝了如圖9所示的具有制冷劑穿過(guò)孔的散熱板(鋁制壓鑄成形板)。其后，在使20℃的冷卻水穿過(guò)制冷劑穿過(guò)孔的同時(shí)，在25℃的環(huán)境下使面狀發(fā)光體發(fā)光，測(cè)定了10分鐘后的發(fā)光體表面(發(fā)光面)的溫度，為25.5℃。
像這樣，本發(fā)明的發(fā)光體中，因具備所述散熱機(jī)構(gòu)，就可以將發(fā)光時(shí)產(chǎn)生的熱量良好地排出。
實(shí)驗(yàn)3<具備了具有特定形狀的導(dǎo)電電路的發(fā)光體用電路基板及發(fā)光體的制作>
實(shí)施例5以圖13所示的蝕刻圖案，與實(shí)施例1相同地制作凹部形成預(yù)定部為圖14所示的圖案(以下稱作「有狹縫」)或凹部形成預(yù)定部為圖15所示的圖案(以下稱作「無(wú)狹縫」)的平板狀的電路基板，利用模具成形法進(jìn)行凹部形成，確認(rèn)了導(dǎo)電電路的斷線狀況。而且，圖14及圖15的虛線(圓)表示凹部形成預(yù)定部(以下稱作「凹部形成預(yù)定線」)，內(nèi)側(cè)的圓為凹部底面與壁面的交界部，外側(cè)的圓為凹部壁面與凹部的外部的交界部。另外，圖14及圖15的單點(diǎn)劃線穿過(guò)凹部形成預(yù)定部的中心點(diǎn)。圖14的表示狹縫位置的數(shù)值(0.47mm、0.85mm、1.0mm及1.15mm)表示從所述單點(diǎn)劃線到以凹部形成預(yù)定部的中心點(diǎn)為中心的同心圓與穿過(guò)導(dǎo)電電路端部的線段的各狹縫開(kāi)口部側(cè)上下端的中點(diǎn)的交點(diǎn)的距離。
而且，對(duì)于有狹縫的電路基板，如果對(duì)其圖案進(jìn)行補(bǔ)充說(shuō)明，則每個(gè)導(dǎo)電電路中設(shè)為4條狹縫，狹縫的開(kāi)始端部交錯(cuò)排列。將狹縫寬度設(shè)為0.05mm，將狹縫形成區(qū)域的導(dǎo)電電路的金屬層殘存部的寬度設(shè)為0.1mm。另外，使狹縫的朝向與凹部形成預(yù)定線的朝向匹配，使得狹縫部分在凹部形成時(shí)位于基板最為彎曲的部分，另外，將狹縫開(kāi)口部的寬度設(shè)得略寬(0.1mm)。
凹部形狀設(shè)為與實(shí)施例1相同。另外，在成形條件設(shè)為溫度330℃，壓力1.3MPa，時(shí)間5分鐘，取出溫度200℃，并將直到獲得最終的凹部的形狀的沖壓的次數(shù)設(shè)為1次時(shí)(用1次的沖壓完全地形成凹部時(shí)，以下稱作「1階段沖壓」)，以及設(shè)為5次時(shí)(用5個(gè)階段進(jìn)行用于凹部形成的沖壓，緩慢地進(jìn)行凹部形成時(shí)，以下稱作「5階段沖壓」)的兩種情況下，都以目視確認(rèn)到了導(dǎo)電電路的斷線。試驗(yàn)次數(shù)設(shè)為20，將因凹部的形成而在導(dǎo)電電路中產(chǎn)生了斷線的情況設(shè)為不良，將其發(fā)生率以百分率標(biāo)表現(xiàn)。將結(jié)果表示于表1中。
表1

從表1中可以看到，即使是無(wú)狹縫的電路基板，如果利用多階段沖壓法(該實(shí)驗(yàn)中為5階段沖壓)，增加工序數(shù)，也能夠?qū)崿F(xiàn)凹部形成。與之不同，對(duì)于在導(dǎo)電電路中設(shè)置了狹縫的電路基板，可以用更少的工序數(shù)(該實(shí)驗(yàn)中為1階段沖壓)沒(méi)有導(dǎo)電電路的斷線地進(jìn)行凹部形成，凹部成形性更為良好。
實(shí)驗(yàn)4<反射率提高效果的確認(rèn)>
實(shí)施例6使用在18μm厚的電解銅箔(古河サ-キツトフオイル公司制，「GTS-18」)上進(jìn)行了單面粗面化處理的材料，在溫度310℃、壓力3MPa、時(shí)間5分鐘的條件下，與100μm厚的液晶聚合物薄膜(JAPAN GORE TEX公司制，「BIAC-BC」)貼合，得到了具有金屬層的樹(shù)脂薄膜。對(duì)該具有金屬層的樹(shù)脂薄膜，在與實(shí)施例1相同的條件下實(shí)施蝕刻，得到了在圖10所示的電路圖案中凹部形成預(yù)定部具有圖16的形狀的平板狀的發(fā)光體用電路基板前體。
在所得的發(fā)光體用電路基板前體的表面，利用電鍍，在銅箔上形成了3μm的銀層。這里，在包括電極部(電極預(yù)定部)的部位，使用模具三維地形成直徑2.3mm、底面直徑1.7mm、深度0.85mm的圓錐臺(tái)形的凹部的情況下，計(jì)算在成為該凹部的壁面的部分中所占的電路部分(金屬部分)的面積。同樣地，在所述實(shí)施例5中形成的電路圖案(圖14和圖15)中，也計(jì)算了在成為凹部壁面的部分中所占的電路部分的面積。在電路基板前體中，當(dāng)將成為壁面的部分的面積設(shè)為D，將在圖14、15、16中的成為凹部壁面的部分中所占的電路部分的面積分別設(shè)為A、B、C時(shí)，各自的相對(duì)比例如下所示。
A∶B∶C∶D＝13.4∶18.9∶54.1∶100所以發(fā)現(xiàn)，圖16中所示的電路圖案在應(yīng)當(dāng)搭載發(fā)光元件的凹部的壁面中所占的比例大幅度增加。
另外使用所述發(fā)光體用電路基板前體，利用自分光光度計(jì)(日立制作所制「U-3500」)對(duì)液晶聚合物面、電鍍銀面的光反射率測(cè)定了累計(jì)光量。將結(jié)果作為鍍銀面相對(duì)于液晶聚合物薄膜面的反射率的增加率，表示于表2中。


如該結(jié)果所示，鍍銀面的反射率相對(duì)于液晶聚合物薄膜面，對(duì)于藍(lán)色波長(zhǎng)光為1.53倍，對(duì)于全可見(jiàn)光也達(dá)到1.16倍。所以，通過(guò)如圖16中所示的電路圖案那樣，增加在搭載發(fā)光元件的凹部的壁面中所占的電路部分的比例，就可以期待彌補(bǔ)薄膜面的短波長(zhǎng)側(cè)光的反射率的降低的效果，可以獲得良好的發(fā)光體。
實(shí)驗(yàn)5<具有放射狀對(duì)稱型的延伸量的電路圖案的效果的確認(rèn)>
實(shí)施例7除了取代電解銅箔，使用了壓延銅箔(日興material公司制，「BHY-13B-T」)以外，在與所述實(shí)施例6相同的條件下，在液晶聚合物薄膜上形成圖16所示的電路圖案，得到了發(fā)光體用電路基板前體。另外，同樣地，還制成了圖14所示的電路圖案的發(fā)光體用電路基板前體。
在這些發(fā)光體用電路基板前體上，實(shí)際上形成所述實(shí)施例6中所示的凹部，拍攝存在于凹部的底部的電極部的顯微鏡照片，在圖14的電路圖案中，測(cè)定了電極入口部和電極末端部的2個(gè)電極部間的距離(間隙)。另外，在圖16的電路圖案中，測(cè)定了2個(gè)電極部(圖16的斜線部)間的距離、與電極部連接的2條導(dǎo)電電路間的電極入口部的距離(圖16的箭頭部)。將結(jié)果表示于表3中。而且，這里所謂「電極入口部」是指凹部的壁面與底面的交界的底面?zhèn)雀浇?，所謂「電極末端部」之間的距離是指2個(gè)電極間的距離。


根據(jù)該結(jié)果，在圖14中所示的電路圖案中，在由凹部形成得到的電極間隔中基本上沒(méi)有問(wèn)題，而在圖16中所示的電路圖案中，即具有俯視為放射狀對(duì)稱地曲折的延伸量的電路圖案中，未觀察到由凹部形成造成的電極間隔的紊亂。這被認(rèn)為是因?yàn)?，在凹部形成時(shí)所施加的力被向存在于凹部的壁面預(yù)定部上的電路部(金屬部)均一地分散，而不是僅施加于一部分上。
所以，如果利用具有放射狀對(duì)稱的伸縮率的電路圖案，則可以更為有效地防止由實(shí)際搭載發(fā)光元件時(shí)的錯(cuò)位引起的不良。此外，具有該電路圖案的發(fā)光體在反射由發(fā)光元件發(fā)出的光的凹部中的電路部(金屬部)的配置中不會(huì)有紊亂。即，在凹部中，形成從中心點(diǎn)成放射狀均一的圖案。所以，該電路圖案是反射光的均一性優(yōu)良的圖案。
實(shí)驗(yàn)6<粘接力的確認(rèn)>
實(shí)施例8在將表面粗化了的金屬箔熱壓接在液晶聚合物薄膜上，然后進(jìn)行了蝕刻的情況下，對(duì)作為密封樹(shù)脂的環(huán)氧樹(shù)脂與薄膜的粘接力進(jìn)行了研究。所用的材料如下所示。
·液晶聚合物薄膜1JAPAN GORE TEX公司制「BIAC-BA」·液晶聚合物薄膜2JAPAN GORE TEX公司制「BIAC-BC」·銅箔單面粗化處理了的18μm厚電解銅箔(古河サ-キツトフオイル公司制，「GTS-18」)蝕刻條件與所述實(shí)施例1相同。但是，將銅箔的粗化處理了的一側(cè)向液晶聚合物薄膜貼附。而且，粗化處理了的一側(cè)的銅箔表面的粗糙度為Rz8μm。粘接力的測(cè)定是依照J(rèn)IS K6850的粘接力測(cè)定方法進(jìn)行的。即，將所得的發(fā)光體電路基板前體利用雙液性環(huán)氧樹(shù)脂類透明密封劑(稻畑產(chǎn)業(yè)公司制「HL2000A、HL2000B2」)貼附在寬15mm、厚2mm的鋁板上。將該試驗(yàn)試樣用拉伸試驗(yàn)機(jī)的夾緊件對(duì)稱地固定于距離貼合面大約50mm的位置，以在65秒±20秒中粘接部破裂的一定速度使試驗(yàn)機(jī)動(dòng)作，測(cè)定了破裂時(shí)的力。測(cè)定是對(duì)各試驗(yàn)試樣各自試驗(yàn)5個(gè)，求得了其平均值。其中，貼合面設(shè)為15×15mm。另外，作為比較例，為了測(cè)定銅箔(電路面)和密封劑的粘接力，進(jìn)行了不進(jìn)行蝕刻處理的同樣的試驗(yàn)。將結(jié)果表示于表4中。


根據(jù)該結(jié)果證實(shí)，在貼附了表面粗化了的銅箔后進(jìn)行了蝕刻處理的液晶聚合物薄膜表面與密封劑的粘接力，與未處理的薄膜表面與密封劑的粘接力相比大幅度上升。具體來(lái)說(shuō)，對(duì)于所述薄膜1約為2.5倍，對(duì)于薄膜2約為3.5倍，其高于銅箔(電路面)與密封劑的粘接力。另外，眾所周知，液晶聚合物自身的耐濕特性與作為大多數(shù)的柔性電路基板的材料有實(shí)效的聚酰亞胺相比更為優(yōu)良。所以，通過(guò)使用所述進(jìn)行了蝕刻處理的液晶聚合物薄膜，電路基板與環(huán)氧樹(shù)脂的粘接力被提高，從而可以期待因耐濕特性而更為優(yōu)良等可靠性高的產(chǎn)品。
實(shí)驗(yàn)7<具有延伸量的電路的效果的確認(rèn)>
實(shí)施例9對(duì)在發(fā)光體電路基板前體中，在電路圖案的導(dǎo)電電路部，具有考慮了凹部形成時(shí)的變形的延伸量的情況和不具有的情況的斷線發(fā)生率的不同進(jìn)行了試驗(yàn)。所用的材料如下所示。
·液晶聚合物薄膜JAPAN GORE TEX公司制「BIAC-BA」·銅箔單面粗化處理了的18μm厚壓延銅箔(日興material公司制，「BHY-13B-T」)要形成的電路圖案設(shè)為圖14～16所示的圖案，蝕刻條件與所述實(shí)施例8相同。將各圖案分別設(shè)為實(shí)施例9-1～3。在所得的各發(fā)光體電路基板前體上，在所述實(shí)施例1的條件下，將沖壓次數(shù)限定為1次而形成了凹部后，利用顯微鏡觀察和導(dǎo)通測(cè)試確認(rèn)了斷線的有無(wú)。即使在導(dǎo)通的情況下，對(duì)于利用顯微鏡觀察在電路中觀察到了裂縫的試樣也判定為斷線。另外，凹部交界的曲率半徑設(shè)為0.2mm(參照?qǐng)D12)，另外還形成了0.35mm和0.5mm這樣的更為平緩的曲率半徑下的凹部。對(duì)于各樣品，各試驗(yàn)了20例，將斷線發(fā)生率的結(jié)果表示于表5中。
斷線發(fā)生率(％)

如該結(jié)果所示，如果增大曲率半徑而形成平緩的凹部，則利用1個(gè)階段的沖壓不會(huì)引起斷線，而當(dāng)縮小曲率半徑時(shí)，則在實(shí)施例9-2中即產(chǎn)生了斷線。所以，在縮小曲率的情況下，優(yōu)選進(jìn)行多階段沖壓。但是，即使當(dāng)曲率半徑小時(shí)，在本發(fā)明的具有延伸量的電路圖案的情況下，也不會(huì)產(chǎn)生斷線。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光體用電路基板的制造方法，其特征是，包括電路圖案形成工序和凹部形成工序，所述電路圖案形成工序是在液晶聚合物薄膜表面形成金屬制電路圖案的工序，該圖案至少具有1對(duì)發(fā)光元件的電極預(yù)定部，該電極預(yù)定部各自經(jīng)由導(dǎo)電電路與基板內(nèi)的其他電路連接；所述凹部形成工序是在包括該電極預(yù)定部的部位形成凹部的工序，該凹部具有該電極預(yù)定部及該導(dǎo)電電路所在的底部、以及該導(dǎo)電電路所在的壁面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，形成多個(gè)所述凹部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法，其中，能夠在每個(gè)所述凹部存在多對(duì)所述電極預(yù)定部地形成所述電極預(yù)定部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的制造方法，其中，作為所述液晶聚合物薄膜，使用在與薄膜平面平行的方向上的線膨脹系數(shù)被調(diào)整為25ppm/℃以下的薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任意一項(xiàng)所述的制造方法，其中，作為所述液晶聚合物使用熱致液晶聚酯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任意一項(xiàng)所述的制造方法，其中，在電路圖案形成工序中，通過(guò)貼合至少將與所述液晶聚合物薄膜接觸的一側(cè)的表面粗化了的金屬箔而進(jìn)行蝕刻，來(lái)形成金屬制電路圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任意一項(xiàng)所述的制造方法，其中，在電路圖案形成工序中，形成留有平面狀的、考慮到下一工序中形成所述凹部時(shí)的變形而留有余量的金屬制電路圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，將考慮到形成所述凹部時(shí)的變形而留有余量的金屬制電路圖案，設(shè)為具有俯視呈曲折的形狀的圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其中，將俯視呈曲折的形狀設(shè)為實(shí)質(zhì)上放射狀對(duì)稱的形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任意一項(xiàng)所述的制造方法，其中，在凹部形成工序中，在凹部的壁面的一部分或全部及其附近使液晶聚合物分子鏈再次取向。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任意一項(xiàng)所述的制造方法，其中，在電路圖案形成工序中，在成形前的狀態(tài)下，將在下一工序中成為凹部的壁面的部分中的金屬制電路圖案所占的面積的比例設(shè)為20～90％。
12.一種發(fā)光體用電路基板前體，其特征是，在液晶聚合物薄膜表面形成有金屬制的電路圖案，在該電路圖案中存在用于搭載發(fā)光元件的至少1對(duì)電極預(yù)定部，該電極預(yù)定部各自經(jīng)由導(dǎo)電電路與基板內(nèi)的其他的電路連接，并且所述發(fā)光體用電路基板前體是為了在包括該電極預(yù)定部的部位，形成具有該電極預(yù)定部及該導(dǎo)電電路所在的底部、以及該導(dǎo)電電路所在的壁面的凹部而使用的基板前體。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光體用電路基板前體，其中，是為了形成多個(gè)所述凹部而使用的基板前體。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的發(fā)光體用電路基板前體，其中，具有多對(duì)所述電極預(yù)定部。
15.根據(jù)權(quán)利要求12～14中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光體用電路基板前體，其中，所述液晶聚合物薄膜是在與薄膜平面平行的方向上的線膨脹系數(shù)被調(diào)整為25ppm/℃以下的薄膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求12～15中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光體用電路基板前體，其中，所述液晶聚合物為熱致液晶聚酯。
17.根據(jù)權(quán)利要求12～16中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光體用電路基板前體，其中，構(gòu)成所述電路圖案的金屬箔的至少所述液晶聚合物薄膜側(cè)的表面被粗化。
18.根據(jù)權(quán)利要求12～17中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光體用電路基板前體，其中，所述導(dǎo)電電路留有平面狀的、因所述液晶聚合物薄膜延伸引起變形所需的余量。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光體用電路基板前體，其中，所述導(dǎo)電電路具有俯視呈曲折的形狀。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光體用電路基板前體，其中，所述曲折的形狀是實(shí)質(zhì)上放射狀對(duì)稱的形狀。
21.根據(jù)權(quán)利要求12～20中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光體用電路基板前體，其中，在將成為所述凹部的壁面的部分中的金屬制電路圖案所占的面積的比例，在成形前的狀態(tài)下為20～90％。
22.一種發(fā)光體用電路基板，其特征是，在權(quán)利要求12～21中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光體用電路基板前體的包括所述電極預(yù)定部的部位，形成有用于搭載發(fā)光元件的凹部，并且所述導(dǎo)電電路存在于該凹部的底面及壁面上。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光體用電路基板，其中，在所述凹部的壁面的一部分或全部及其附近，利用液晶聚合物分子鏈的再次取向來(lái)提高彈性模量。
24.根據(jù)權(quán)利要求22或23所述的發(fā)光體用電路基板，其中，是長(zhǎng)尺寸的并卷繞成卷狀而成的發(fā)光體用電路基板。
25.一種發(fā)光體，其特征是，具有權(quán)利要求22～24中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光體用電路基板。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的發(fā)光體，其中，在發(fā)光體用電路基板的電路圖案形成面的相反側(cè)，具有散熱機(jī)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，提供可以實(shí)現(xiàn)具有包括搭載發(fā)光元件的部位的底面的凹部形成，并且提供還可以實(shí)現(xiàn)輕量化、薄壁化的發(fā)光體用電路基板前體及形成了凹部的發(fā)光體用電路基板及其制造方法以及具有形成了凹部的基板的發(fā)光體。本發(fā)明的發(fā)光體用電路基板的制造方法的特征是，包括在液晶聚合物薄膜表面，形成如下的金屬制電路圖案的工序，即，至少具有1對(duì)發(fā)光元件的電極預(yù)定部，該電極預(yù)定部各自經(jīng)由導(dǎo)電電路與基板內(nèi)的其他的電路連接；在包括該電極預(yù)定部的部位，形成如下的凹部的工序，即，具有應(yīng)當(dāng)存在該電極預(yù)定部及該導(dǎo)電電路的底部、應(yīng)當(dāng)存在該導(dǎo)電電路的壁面。
文檔編號(hào)H05K1/02GK1930696SQ20058000802
公開(kāi)日2007年3月14日 申請(qǐng)日期2005年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月17日
發(fā)明者蘆賀原治之 申請(qǐng)人:日本奧亞特克斯股份有限公司