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      一種拉曼晶體及其制備方法與應(yīng)用的制作方法

      文檔序號(hào):8051138閱讀:324來源:國知局
      專利名稱:一種拉曼晶體及其制備方法與應(yīng)用的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種拉曼晶體及其制備方法與應(yīng)用,具體涉及一種具有白鎢礦結(jié)構(gòu)的拉曼晶體,屬于晶體生長(zhǎng)與晶體器件技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      人眼安全激光具有廣泛應(yīng)用。其中1.5μm激光是最有代表性的。目前有三大技術(shù)途徑實(shí)現(xiàn)1.5μm波長(zhǎng)激光一是直接輸出1.5μm波長(zhǎng)的固體激光器,較成熟的有鉺玻璃激光器,直接輸出1.54μm激光。器件結(jié)構(gòu)緊湊,可靠性好,但受基質(zhì)玻璃材料熱特性的限制,工作重復(fù)頻率難以大幅度提高,且目前國內(nèi)基質(zhì)玻璃材料的質(zhì)量無法滿足實(shí)用要求,仍需進(jìn)口,成本高。二是Nd:YAG泵浦的參量振蕩(OPO)激光器,采用KTP晶體II類非臨界相位匹配,輸出波長(zhǎng)1.57μm。OPO器件的特點(diǎn)是可高重頻運(yùn)轉(zhuǎn),但束散較大,且光束質(zhì)量較差,環(huán)境溫度適應(yīng)性差,設(shè)計(jì)時(shí)需要特別選擇合適的工作參數(shù),以保證輸出的穩(wěn)定與可靠性。三是拉曼頻移Nd:YAG激光器。過去拉曼介質(zhì)主要是用氣體,大部分采用高壓甲烷(CH4)對(duì)Nd:YAG激光進(jìn)行頻移,得到1.54μm輸出。這類激光器體積較大,工作頻率低,容易發(fā)生化學(xué)擊穿,產(chǎn)生的碳化物可能沉積到拉曼盒窗口,高壓密封技術(shù)要求高,保障因難,且難以進(jìn)一步提高輸出能量。
      1.5μm人眼安全固體拉曼激光器是第三種途徑中的新興技術(shù),自上世紀(jì)90年代中期逐步發(fā)展起來。它是利用拉曼晶體將波長(zhǎng)1.32μmNd:YAG激光轉(zhuǎn)換到1.5μm人眼安全波長(zhǎng),同時(shí)彌補(bǔ)了氣體、液體拉曼激光器的一些缺陷,具有全固化、閾值低、轉(zhuǎn)換效率高、高重頻、體積小、重量輕、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。因此研究實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全固體拉曼晶體材料和設(shè)計(jì)相應(yīng)的激光器,是本領(lǐng)域研究人員正在努力研究的課題。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種拉曼晶體及其制備方法,還提供該拉曼晶體的應(yīng)用。
      本發(fā)明的拉曼晶體,是一種具有白鎢礦結(jié)構(gòu)的晶體,通式如下MWO4(M=Ba,Ca,Sr)或NaRe(WO4)2(Re=Y(jié),Gd)本發(fā)明的拉曼晶體制備方法,采用提拉法,在加熱提拉式單晶爐內(nèi)進(jìn)行晶體生長(zhǎng),采用WO3與MCO3或Na2CO3和Re2O3為原料,反應(yīng)式如下MCO3+WO3=MWO4+CO2,(M=Ba,Ca,Sr)或Na2CO3+Re2O3+4WO3=2NaRe(WO4)2+CO2,(Re=Y(jié),Gd)按照化學(xué)計(jì)量比或WO3過量1~2wt.%稱量原料并混合均勻,放置到白金坩堝中,在1000~1100℃的溫度下燒結(jié)8~12小時(shí),然后把燒結(jié)的原料研磨,壓塊,再放置到白金坩堝中,再在1000~1100℃的溫度下燒結(jié)8~12小時(shí),得到多晶料。將多晶料置于白金或銥金坩堝中,裝爐;采用中頻加熱的方式,下籽晶進(jìn)行晶體生長(zhǎng);晶體生長(zhǎng)完畢降溫至室溫,出爐;對(duì)出爐的晶體退火處理。
      優(yōu)選的,使用銥金坩堝時(shí),單晶爐抽真空、充保護(hù)氣,升溫。
      優(yōu)選的,選用a方向或c方向的MWO4或NaRe(WO4)2籽晶。
      優(yōu)選的,晶體生長(zhǎng)的提拉速度為0.5~2毫米/小時(shí),轉(zhuǎn)速10~30轉(zhuǎn)/分鐘。
      優(yōu)選的,出爐的晶體放置到電阻爐中退火,退火溫度為900~1000℃,退火時(shí)間為8~10小時(shí),以釋放生長(zhǎng)BaWO4晶體過程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。
      所述的充保護(hù)氣是氮?dú)饣驓鍤狻?br> 最后對(duì)生長(zhǎng)的晶體進(jìn)行加工處理、拋光,用以制備晶體器件。
      本發(fā)明的具有白鎢礦結(jié)構(gòu)的拉曼晶體作為激光晶體的應(yīng)用,晶體通光面尺寸為圓形或方形,通光方向厚度可以根據(jù)需要設(shè)計(jì),一般為1-100mm。
      本發(fā)明拉曼晶體作為激光晶體的應(yīng)用,用于制做人眼安全激光器件。
      作為拉曼晶體,白鎢礦晶體具有拉曼位移大、拉曼線寬窄、譜線積分強(qiáng)度∑int和峰值強(qiáng)度∑peak大等優(yōu)點(diǎn)。該類白鎢礦晶體產(chǎn)生的人眼安全激光為脈沖激光輸出,激光具有輸出功率高、穩(wěn)定性好、轉(zhuǎn)換效率高、光束質(zhì)量好的特點(diǎn)。
      本發(fā)明的具有白鎢礦結(jié)構(gòu)的拉曼晶體作為頻移晶體的應(yīng)用,用閃光燈或激光二極管側(cè)面或端面泵浦下列晶體或透明陶瓷Nd:YAG,Nd:YAP,Nd:GdVO4,Nd:YxGd1-xVO4晶體或Nd:YAG透明陶瓷,產(chǎn)生的1.3微米激光通過電光調(diào)Q、聲光調(diào)Q或被動(dòng)調(diào)Q元器件形成脈沖激光,1.3微米脈沖激光再通過本發(fā)明的拉曼晶體的一階拉曼效應(yīng)產(chǎn)生1.5微米人眼安全的拉曼激光。
      上述Nd:YAG,Nd:YAP,Nd:GdVO4,Nd:YxGd1-xVO4晶體或Nd:YAG透明陶瓷兩個(gè)端面可以直接鍍適當(dāng)?shù)慕橘|(zhì)膜,并選用合適的激光腔鏡,利用半導(dǎo)體激光器(LD)或其他類型激光器端面泵浦激光晶體輸出固體激光,本發(fā)明的拉曼晶體可以鍍膜,也可以不鍍膜。
      本發(fā)明的優(yōu)良效果如下1、用提拉法生長(zhǎng),可以在較短時(shí)間內(nèi)獲得大尺寸、高質(zhì)量的白鎢礦拉曼晶體材料。
      2、本發(fā)明的白鎢礦拉曼晶體具有拉曼增益系數(shù)大、受激發(fā)射截面大、激光輸出的量子效率高的特點(diǎn),與相關(guān)的激光器件相結(jié)合產(chǎn)生人眼安全激光器件。在激光技術(shù)領(lǐng)域用廣泛地應(yīng)用。
      3、本發(fā)明采用容易制備的白鎢礦晶體作為拉曼頻移晶體與1.3微米的激光相結(jié)合,產(chǎn)生人眼安全的激光器件。白鎢礦晶體具有拉曼增益系數(shù)大、受激發(fā)射截面大、激光輸出的量子效率高的特點(diǎn),因此容易能獲得高效率激光輸出。
      4、本方法發(fā)明本方法制作的激光器具有簡(jiǎn)單、緊湊、閾值低、輸出功率高、穩(wěn)定性好、轉(zhuǎn)換效率高、光束質(zhì)量好、操作簡(jiǎn)單、成本低,以及便于工業(yè)化的大批量制造等特點(diǎn)。
      具體實(shí)施例方式
      下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明,其中實(shí)施例1-5為白鎢礦拉曼晶體的制備,實(shí)施例6-23是用BaWO4晶體產(chǎn)生人眼安全激光。這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明,并不限于此。
      實(shí)施例1BaWO4晶體的制備。
      使用BaCO3,WO3為初始原料根據(jù)化學(xué)方程式BaCO3+WO3=BaWO4+CO2,按化學(xué)計(jì)量比配制生長(zhǎng)BaWO4晶體的多晶料(其中WO3過量1wt.%),配制的原料放置到白金坩堝中,在1100℃的溫度下燒結(jié)10小時(shí),然后把燒結(jié)的原料再次研磨,然后壓塊,再次放置到白金坩堝中,在1100℃燒結(jié)10小時(shí),就可以得到BaWO4的多晶料。把配置好的BaWO4的多晶料放置到銥金坩堝內(nèi),單晶爐抽真空、充保護(hù)氣氮?dú)?,升溫;采用中頻加熱的方式,使用a方向的BaWO4籽晶,晶體生長(zhǎng)的提拉速度為0.5~2毫米/小時(shí),轉(zhuǎn)速10~30轉(zhuǎn)/分鐘,得到BaWO4晶體。
      把生長(zhǎng)的BaWO4晶體放置到電阻爐中退火,退火溫度為1000℃,退火時(shí)間為8小時(shí),這樣可以部分釋放生長(zhǎng)BaWO4晶體過程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。
      然后根據(jù)需要對(duì)生長(zhǎng)的晶體進(jìn)行加工、拋光。
      實(shí)施例2SrWO4晶體的制備。
      使用SrCO3,WO3為初始原料按根據(jù)化學(xué)方程式SrCO3+WO3=SrWO4+CO2,按化學(xué)計(jì)量比配置生長(zhǎng)SrWO4晶體的多晶料(其中WO3過量1wt.%),配置的原料放置到白金坩堝中,在1100℃的溫度下燒結(jié)10小時(shí),然后把燒結(jié)的原料再次研磨,然后壓塊,再次放置到白金坩堝中,在1100℃燒結(jié)10小時(shí),就可以得到SrWO4的多晶料。把配置好的SrWO4的多晶料放置到銥金坩堝內(nèi),單晶爐抽真空、充保護(hù)氣氮?dú)?,升溫;采用中頻加熱的方式,使用c方向的SrWO4籽晶,晶體生長(zhǎng)的提拉速度為0.5~2毫米/小時(shí),轉(zhuǎn)速10~30轉(zhuǎn)/分鐘。得到SrWO4晶體。
      SrWO4晶體退火和加工程序同BaWO4晶體。
      實(shí)施例3CaWO4晶體的制備。
      使用CaCO3,WO3為初始原料根據(jù)化學(xué)方程式CaCO3+WO3=CaWO4+CO2,按化學(xué)計(jì)量比配置生長(zhǎng)CaWO4晶體的多晶料(其中WO3過量1wt.%),配置的原料放置到白金坩堝中,在1100℃的溫度下燒結(jié)10小時(shí),然后把燒結(jié)的原料再次研磨,然后壓塊,再次放置到白金坩堝中,在1100℃燒結(jié)10小時(shí),就可以得到CaWO4的多晶料。把配置好的CaWO4的多晶料放置到銥金坩堝內(nèi),單晶爐抽真空并充保護(hù)氣氮?dú)?,升溫;采用中頻加熱的方式,使用a方向的CaWO4籽晶,晶體生長(zhǎng)的提拉速度為0.5~2毫米/小時(shí),轉(zhuǎn)速10~30轉(zhuǎn)/分鐘。得到CaWO4晶體。
      CaWO4晶體退火和加工程序同BaWO4晶體。
      實(shí)施例4NaY(WO4)2晶體的制備。
      使用Na2CO3,WO3,Y2O3為初始原料根據(jù)化學(xué)方程式Na2CO3+Y2O3+4WO3=2NaY(WO4)2+CO2,按化學(xué)計(jì)量比配置生長(zhǎng)NaY(WO4)2晶體的多晶料(其中WO3過量1.5wt.%),配置的原料放置到白金坩堝中,在1000℃的溫度下燒結(jié)10小時(shí),然后把燒結(jié)的原料再次研磨,然后壓塊,再次放置到白金坩堝中,在1000℃燒結(jié)10小時(shí),就可以得到NaY(WO4)2的多晶料。把配置好的NaY(WO4)2的多晶料放置到白金坩堝內(nèi),采用中頻加熱的方式,使用c方向的NaY(WO4)2籽晶,晶體生長(zhǎng)的提拉速度為0.5~3毫米/小時(shí),轉(zhuǎn)速20~30轉(zhuǎn)/分鐘。得到NaY(WO4)2晶體。
      把生長(zhǎng)的NaY(WO4)2晶體放置到電阻爐中退火,退火溫度為900℃,退火時(shí)間為8.5小時(shí),這樣可以部分釋放生長(zhǎng)NaY(WO4)2晶體過程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。
      然后根據(jù)需要對(duì)生長(zhǎng)的晶體進(jìn)行加工、拋光。
      實(shí)施例5NaGd(WO4)2晶體的制備。
      使用Na2CO3,WO3,Gd2O3為初始原料根據(jù)化學(xué)方程式NaxCO3+Gd2O3+4WO3=2NaGd(WO4)2+CO2,按化學(xué)計(jì)量比配置生長(zhǎng)NaGd(WO4)2晶體的多晶料(其中WO3過量1.5wt.%),配置的原料放置到白金坩堝中,在1000℃的溫度下燒結(jié)10小時(shí),然后把燒結(jié)的原料再次研磨,然后壓塊,再次放置到白金坩堝中,在1000℃燒結(jié)10小時(shí),就可以得到NaGd(WO4)2的多晶料。把配置好的NaGd(WO4)2的多晶料放置到白金坩堝內(nèi),采用中頻加熱的方式,使用a方向的NaGd(WO4)2籽晶,晶體生長(zhǎng)的提拉速度為0.5~3毫米/小時(shí),轉(zhuǎn)速20~30轉(zhuǎn)/分鐘。得到NaGd(WO4)2晶體。
      NaGd(WO4)2晶體退火和加工程序同NaY(WO4)2晶體。
      用提拉法生長(zhǎng)實(shí)施例1-5的晶體,對(duì)晶體進(jìn)行加工、拋光后,晶體可以鍍1300-1600nm的增透膜,也可以不鍍膜。
      以下實(shí)施例6-23是用BaWO4晶體產(chǎn)生人眼安全激光。
      實(shí)施例6閃光燈泵浦Nd:YAG晶體實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出,通過LiNbO3進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例7閃光燈泵浦Nd:YAG透明陶瓷實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出,通過LiNbO3進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例8閃光燈泵浦Nd:YAG晶體實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出,通過DKDP進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例9閃光燈泵浦Nd:YAG透明陶瓷實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出,通過DKDP進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例10用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的激光二極管側(cè)面泵浦Nd:YAG晶體實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出,通過LiNbO3進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例11用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的激光二極管側(cè)面泵浦Nd:YAG透明陶瓷實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出,通過LiNbO3進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例12用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的激光二極管側(cè)面泵浦Nd:YAG晶體實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出,通過DKDP進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例13用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的激光二極管側(cè)面泵浦Nd:YAG透明陶瓷實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出,通過DKDP進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例14用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的激光二極管端面泵浦Nd:YAG晶體實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出,通過LiNbO3進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例15用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的激光二極管端面泵浦Nd:YAG透明陶瓷實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出,通過LiNbO3進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例16用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的激光二極管端面泵浦Nd:YAG晶體實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出,通過DKDP進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例17用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的激光二極管端面泵浦Nd:YAG透明陶瓷實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出,通過DKDP進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例18用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的激光二極管端面泵浦Nd:GdVO4晶體,實(shí)現(xiàn)1342納米的激光輸出,通過LiNbO3進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例19用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的激光二極管端面泵浦Nd:YxGd1-xVO4晶體(0<x<1)實(shí)現(xiàn)1342納米的激光輸出,通過LiNbO3進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例20用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的激光二極管端面泵浦Nd:YAP晶體實(shí)現(xiàn)1340納米的激光輸出,通過LiNbO3進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例21用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的激光二極管端面泵浦Nd:YAP晶體實(shí)現(xiàn)1340納米的激光輸出,通過DKDP進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例22用閃光燈泵浦Nd:YAP晶體實(shí)現(xiàn)1340納米的激光輸出,通過LiNbO3進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      實(shí)施例23用閃光燈泵浦Nd:YAP晶體實(shí)現(xiàn)1340納米的激光輸出,通過DKDP進(jìn)行電光調(diào)Q,再通過BaWO4晶體實(shí)現(xiàn)1.5μm人眼安全的激光輸出。
      對(duì)于拉曼晶體SrWO4產(chǎn)生人眼安全激光可以重復(fù)實(shí)施例6-23。
      對(duì)于拉曼晶體CaWO4產(chǎn)生人眼安全激光可以重復(fù)實(shí)施例6-23。
      對(duì)于拉曼晶體NaY(WO4)2產(chǎn)生人眼安全激光可以重復(fù)實(shí)施例6-23。
      對(duì)于拉曼晶體NaGd(WO4)2產(chǎn)生人眼安全激光可以重復(fù)實(shí)施例6-23。
      權(quán)利要求
      1.一種拉曼晶體,其特征在于是具有白鎢礦結(jié)構(gòu)的晶體,通式如下MWO4(M=Ba,Ca,Sr)或NaRe(WO4)2(Re=Y(jié),Gd)。
      2.一種權(quán)利要求1所述的拉曼晶體的制備方法,采用提拉法,在加熱提拉式單晶爐內(nèi)進(jìn)行晶體生長(zhǎng),采用WO3與MCO3或Na2CO3和Re2O3為原料,反應(yīng)式如下MCO3+WO3=MWO4+CO2,(M=Ba,Ca,Sr)或Na2CO3+Re2O3+4WO3=2NaRe(WO4)2+CO2,(Re=Y(jié),Gd)按照化學(xué)計(jì)量比或WO3過量1~2wt.%稱量原料并混合均勻,放置到白金坩堝中,在1000~1100℃的溫度下燒結(jié)8~12小時(shí),然后把燒結(jié)的原料研磨,壓塊,再放置到白金坩堝中,再在1000~1100℃的溫度下燒結(jié)8~12小時(shí),得到多晶料;將多晶料置于白金或銥金坩堝中,裝爐;采用中頻加熱的方式,下籽晶進(jìn)行晶體生長(zhǎng);晶體生長(zhǎng)完畢降溫至室溫,出爐;對(duì)出爐的晶體退火處理。
      3.如權(quán)利要求2所述的拉曼晶體的制備方法,其特征在于,使用銥金坩堝時(shí),單晶爐抽真空,充保護(hù)氣。
      4.如權(quán)利要求2所述的拉曼晶體的制備方法,其特征在于,選用a方向或c方向的MWO4(M=Ba.Ca,Sr)或NaRe(WO4)2(Re=Y(jié),Gd)籽晶。
      5.如權(quán)利要求2所述的拉曼晶體的制備方法,其特征在于,晶體生長(zhǎng)的提拉速度為0.5~2毫米/小時(shí),轉(zhuǎn)速10~30轉(zhuǎn)/分鐘。
      6.如權(quán)利要求2所述的拉曼晶體的制備方法,其特征在于,出爐的晶體放置到電阻爐中退火,退火溫度為900~1000℃,退火時(shí)間為8~10小時(shí)。
      7.一種拉曼晶體作為激光晶體的應(yīng)用,其特征在于,所述晶體的通光面尺寸為圓形或方形,通光方向厚度可以根據(jù)需要設(shè)計(jì),一般為1-100mm。
      8.如權(quán)利要求7所述拉曼晶體作為激光晶體的應(yīng)用,其特征在于,用于人眼安全激光器件。
      9.如權(quán)利要求8所述拉曼晶體作為激光晶體的應(yīng)用,其特征在于用閃光燈或激光二極管側(cè)面或端面泵浦以下晶體或透明陶瓷Nd:YAG,Nd:YAP,Nd:GdVO4,Nd:YxGd1-xVO4晶體或Nd:YAG透明陶瓷,可產(chǎn)生1.3微米激光;產(chǎn)生的1.3微米激光通過電光調(diào)Q、聲光調(diào)Q或被動(dòng)調(diào)Q元器件形成脈沖激光,1.3微米脈沖激光再通過拉曼晶體產(chǎn)生1.3微米人眼安全的拉曼激光。
      全文摘要
      一種拉曼晶體及其制備方法與應(yīng)用,屬于晶體生長(zhǎng)與晶體器件技術(shù)領(lǐng)域。用提拉法制備具有白鎢礦結(jié)構(gòu)的晶體BaWO
      文檔編號(hào)C30B15/00GK1995491SQ20061007058
      公開日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2006年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月6日
      發(fā)明者張懷金, 王正平, 方新, 王繼揚(yáng), 邵宗書, 胡大偉, 范建東, 葛文偉, 蔣民華 申請(qǐng)人:山東大學(xué)
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