專利名稱：制作電路板的方法及具有鍍通孔結(jié)構(gòu)的復(fù)合線路基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種制作電路板的方法，且特別是有關(guān)于一種利用電泳 沉積來制作電路板的方法。
背景技術(shù)：
隨著科技的進(jìn)步以及生活品質(zhì)的提升，消費(fèi)者對于電子產(chǎn)品的要求除了 工力能強(qiáng)大的外，更要求輕、薄、短、小。因此，市面上電子產(chǎn)品的積集度(integration)愈來愈高，功能也愈來愈強(qiáng)。為了符合上述的發(fā)展趨勢，電子產(chǎn)品內(nèi)的裝設(shè)電子元件的電路板也逐漸 地由單一線路層發(fā)展到雙層、四層、八層，甚至十層線路層以上，使得電子 元件能更密集的裝設(shè)于電路板上，以利縮小電子產(chǎn)品的體積。然而，具有多層線路層的增層基板中，各線路層間的聯(lián)接通常需要鍍通 孔(plated through hole, PTH)、盲孔(bind via)、埋孔(buried via)等導(dǎo)孔(via) 來做電性連接的動作。因此，導(dǎo)孔的制作技術(shù)也是相當(dāng)重要的。請參照圖1A至圖1C，為制作鍍通孔于電路板上的現(xiàn)有方法。請參照圖 1A，在一線路基板lO的兩側(cè)表面分別形成線路層ll，且至少一貫穿孔12貫穿 線路基板10的兩側(cè)表面。接著，在貫穿孔12側(cè)壁上形成一金屬層13，且此金 屬層13可連通線路基板10兩側(cè)表面上的線路層11，使線路基板10的上、下兩 側(cè)面的線路層ll間具有電性連接的通道。其中，上述的貫穿孔12是以機(jī)械鉆 孔或雷射鉆孔的方式來制作。請參照圖1B，為了制作絕緣層于金屬層13的表面，可在貫穿孔12內(nèi)填充 一絕緣材料14。請參照圖1C，填充絕緣材料14于貫穿孔12內(nèi)之后，隨即利用 機(jī)械鉆孔或雷射鉆孔的方式去除部分絕緣材料14，僅留下部分的絕緣材料14 鄰接于金屬層13的表面，也即為絕緣層16。
值得注意的是，去除絕緣材料14所用的鉆孔直徑必須小于制作貫穿孔12 的鉆孔直徑，這樣才可保留部分的絕緣材料14來形成絕緣層16于金屬層13的 表面。制作絕緣層16于金屬層13的表面之后，可將此線路基板10與另一 電路板 相疊合。接著，在絕緣層16的表面形成另一金屬層，使線路基板10的線路層 可與上述的電路板上的線路層產(chǎn)生電性連接。在上述制作過程中，執(zhí)行去除絕緣材料14的鉆孔步驟具有一定技術(shù)難度。 在鉆孔過程中，是以比貫穿孔12直徑更小的鉆孔直徑來去除貫穿孔12內(nèi)的絕 緣材料14。所以，在鉆孔過程中，必須穩(wěn)定地控制鉆孔定位的準(zhǔn)確度及精度， 否則很容易產(chǎn)生如圖1C中所示，絕緣層16厚度不均的現(xiàn)象，甚至可能造成絕 緣層16失效的狀況。因此，上述制作的絕緣層16的方法，不僅制程復(fù)雜度較 高，制程良率也無法有效提升。因此，鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)中仍存在有不足的處，對此需要提供一實(shí)際有 效的解決方案，以解決當(dāng)前的問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于提供一種制作電路板的方法及具有鍍通孔結(jié)構(gòu)的 復(fù)合線路基板，可以減少復(fù)合線路基板上的鍍通孔(plated through hole)的 數(shù)量，進(jìn)而縮小電路板的尺寸大小。本發(fā)明的另一 目的在于提供一種制作電路板的方法及具有鍍通孔結(jié)構(gòu)的 復(fù)合線路基板，可以增加復(fù)合線路基板上的線路布局的密度，并通過鍍通孔 的絕緣層的配置及適當(dāng)?shù)木€路布局來提供良好的電路特性，并且減低串音效 應(yīng)(cross-talk effect)的發(fā)生。為達(dá)成上述目的或是其它目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案 一種制作電路板的方法，包括下列步驟提供一第一線路基板，該第一線路基板具有一形成于一第一表面上的第 一線路層、 一形成于相對該第一表面的一第二表面上的第二線路層，以及至 少一貫穿該第一表面與該第二表面的第一貫穿孔，且該第一貫穿孔側(cè)壁上具
有一第一金屬層連通該第一線路層及該第二線路層；提供一第二線路基板，該第二線路基板具有一形成于一第三表面上的第 三線路層、 一形成于相對該第三表面的一第四表面上的第四線路層，以及至 少一貫穿該第三表面與該第四表面的第二貫穿孔，且該第二貫穿孔側(cè)壁上具 有一第二金屬層連通該第三線路層及該第四線路層；將該第一貫穿孔對準(zhǔn)該第二貫穿孔，并將該第一線路基板壓合于該第二 線路基板上，而構(gòu)成一復(fù)合線路基板；進(jìn)行一電泳沉積程序，在該第一金屬層與該第二金屬層表面上形成一絕 緣薄膜；以及形成一第三金屬層于該絕緣薄膜上，并電性連接該第一線路層及該第四 線路層。為達(dá)成上述目的或是其它目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案 一種制作電 路板的方法，包括下列步驟提供一第一線路基板，該第一線路基板具有一形成于一第一表面上的第 一線路層、 一形成于相對該第一表面的一第二表面上的第二線路層，以及至 少一貫穿該第一表面與該第二表面的第一貫穿孔，且該第一貫穿孔側(cè)壁上具 有一第一金屬層連通該第一線路層及該第二線路層；提供一第二線路基板，該第二線路基板具有一形成于一第三表面上的第 三線路層、 一形成于相對該第三表面的一第四表面上的第四線路層，以及至 少一貫穿該第三表面與該第四表面的第二貫穿孔，且該第二貫穿孔側(cè)壁上具 有一第二金屬層連通該第三線路層及該第四線路層；進(jìn)行一電泳沉積程序，至少在該第一金屬層表面上形成一絕緣薄膜；將該第一貫穿孔對準(zhǔn)該第二貫穿孔，并將該第一線路基板壓合于該第二 線路基板上，而構(gòu)成一復(fù)合線路基板；以及形成一第三金屬層于該絕緣薄膜上。為達(dá)成上述目的或是其它目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案 一種具有鍍 通孔結(jié)構(gòu)的復(fù)合線路基板，包含 一第一線路基板、 一第一金屬層、 一第二 線路基板、 一第二金屬層、 一絕緣薄膜及一第三金屬層，其中該第一線路基
板具有一形成于一第一表面上的第一線路層、 一形成于相對該第一表面的一 第二表面上的第二線路層，以及至少一貫穿于該第一表面與該第二表面的第一貫穿孔；該第一金屬層形成于該第一貫穿孔的側(cè)壁，以連通該第一線路層 及該第二線路層；該第二線路基板具有一形成于一第三表面上的第三線路層、 一形成于相對該第三表面的一第四表面上的第四線路層，以及至少一與該第 一貫穿孔相通連并貫穿于該第三表面與該第四表面的該第二貫穿孔；該第二 金屬層形成于該第二貫穿孔側(cè)壁，以連通該第三線路層及該第四線路層；該 絕緣薄膜是以電泳沉積而至少形成于該第一金屬層表面；及該第三金屬層形 成于該絕緣薄膜上。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明制作電路板的方法及具有鍍通孔結(jié)構(gòu)的復(fù)合線 路基板具有下列優(yōu)點(diǎn)一、 通過鍍通孔型態(tài)及其絕緣薄膜的配置，可使復(fù)合線路基板具有彼此 電性獨(dú)立的內(nèi)部線路通道及外部線路通道。因此，在同一鍍通孔內(nèi)所能產(chǎn)生 的線路通道較現(xiàn)有的鍍通孔更多，這樣可以增加線路布局的密度，減少鍍通 孔的數(shù)量，并進(jìn)而縮小電路板的尺寸大小。二、 通過絕緣薄膜的配置與線路布局來提供良好的電路特性及減低串音 效應(yīng)(cross-talk effect)的發(fā)生。三、 通過絕緣薄膜的配置，可調(diào)整第三金屬層所導(dǎo)通的線路層，使線路 配置更具彈性及變化。關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神，以及更詳細(xì)的實(shí)施方式可以通過以下的實(shí)施 方式以及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。


通過以下詳細(xì)的描述結(jié)合所附圖示，將可輕易的了解上述內(nèi)容及此項(xiàng)發(fā) 明的眾多優(yōu)點(diǎn)，其中圖1A至圖1C為一系列的電路板剖面圖，用以說明現(xiàn)有電路板的制作流程；圖2A至圖2F為一系列的電路板剖面圖，用以說明本發(fā)明的第一實(shí)施例中 電路板的制作流程；及圖3A至圖3C為另一實(shí)施例中，與第一實(shí)施例具有差異的實(shí)施步驟示意圖。
具體實(shí)施方式
請參照圖2A至圖2F，為本發(fā)明第一實(shí)施例中，制作電路板的方法示意圖。 請參照圖2A，首先提供一第一線路基板20，且第一線路基板20具有一第一線 路層211形成于一第一表面210上。 一第二線路層221形成于相對第一表面210 的一第二表面220上。其中，上述的第一表面210與第二表面220分別是指第一 線路基板20的上表面與下表面。另外，至少一第一貫穿孔251貫穿第一表面210及第二表面220，且第一貫 穿孔251的側(cè)壁上具有一第一金屬層261連通第一線路層211及第二線路層 221。也就是說，第一金屬層261可在第一線路層211與第二線路層221之間提 供電性連接的通道。其中，第一貫穿孔251是以機(jī)械鉆孔或雷射鉆孔制作而成， 且第一金屬層261是以電鍍所形成。請參照圖2B，圖中顯示了本發(fā)明更提供一第二線路基板30。此第二線路 基板30具有一第三線路層231形成于一第三表面230上。一第四線路層241形成 于相對第三表面230的一第四表面240上。其中，上述的第三表面230與第四表 面240分別是指第二線路基板30的上表面與下表面。另外，至少一第二貫穿孔252貫穿第三表面230及第四表面240，且第二貫 穿孔252側(cè)壁上具有一第二金屬層262連通第三線路層231及第四線路層241。 也就是說，第二金屬層262可在第三線路層2231與第四線路層241之間提供電 性連接的通道。其中，第二貫穿孔252是以機(jī)械鉆孔或雷射鉆孔制作而成，且 第二金屬層262是以電鍍所形成。請繼續(xù)參照圖2C，當(dāng)?shù)谝痪€路基板20及第二線路基板30上的線路層及金 屬層制作完成后，接著將第一貫穿孔251對準(zhǔn)第二貫穿孔252，并將第一線路 基板20壓合于第二線路基板30上，而構(gòu)成一復(fù)合線路基板3。其中，第一線路 基板20與第二線路基板30是壓合于一介電層40的兩側(cè)。
在一較佳的實(shí)施例中，上述所提的線路基板可為銅箔基板。而線路基板 上/下兩表面的線路層，即為銅箔基板上/下兩表面的金屬銅箔經(jīng)由曝光及蝕刻 等方式來形成。請參照圖2C,圖中顯示，當(dāng)?shù)谝痪€路基板20壓合于第二線路基板30而構(gòu) 成復(fù)合線路基板3之后，在第一線路基板20與第二線路基板30之間容易有壓合 時產(chǎn)生的介電層40材料溢出于第一貫穿孔251與第二貫穿孔252之間。而且， 在制作線路基板的過程中，也有一些介電質(zhì)(dielectric)或雜質(zhì)附著于線路基板上。因此，必須進(jìn)行一清洗(clean)程序。清洗程序是利用一清洗程序去除 上述的雜質(zhì)、電介質(zhì)與壓合時溢出于第一貫穿孔251與第二貫穿孔252間的介 電層材料。通過這種方式，使得第一金屬層261及第二金屬層262平坦化，并 清潔其表面。經(jīng)過清洗程序的復(fù)合線路基板3，如圖2D所示。其中，上述清 洗程序包含電漿清洗(plasma clean)。請參照圖2E，清洗程序之后，接著將復(fù)合線路基板3進(jìn)行一電泳沉積程 序，在第一金屬層261與第二金屬層262表面上形成一絕緣薄膜280。而此電泳沉積程序，更包括下列步驟沉積高分子微胞于第一金屬層261 與第二金屬層262的外表面，接著進(jìn)行一熱處理程序，使該高分子微胞聚合成 絕緣薄膜280。其中，高分子微胞先被分散于溶液中，再利用電場作用，將高分子微胞 電泳沉積在第一金屬層261與第二金屬層262的表面。由于溶液中的微胞是一 種未聚合的高分子，沉積在第一金屬層261與第二金屬層262表面時，仍呈膠 狀。所以，需進(jìn)行一熱處理程序，至少包含脫水及環(huán)化的過程，使高分子微 胞聚合成所需的高分子型態(tài)。而高分子微胞包含硅氧無機(jī)粒子及高分子前驅(qū)物，高分子前驅(qū)物是可以 從聚醯亞胺樹脂及其衍生物、環(huán)氧樹脂及其衍生物、含鹵素的高分子樹脂、 含磷、硅、硫的耐燃性高分子樹脂的組合中選取的。值得注意的是，電泳沉積程序的優(yōu)點(diǎn)是僅在金屬層沉積形成絕緣薄膜， 而不形成于基板上，且可依照沉積的電流、電壓或時間來控制絕緣薄膜的厚
度，甚至可達(dá)10微米以下。因此，本發(fā)明鍍通孔的絕緣薄膜的厚度比現(xiàn)有鍍通孔的絕緣層厚度薄了許多。然而，由于本實(shí)施例中僅需在第一金屬層261與第二金屬層262的表面形 成絕緣薄膜280。因此，在進(jìn)行電泳沉積程序之前，會先覆蓋一遮蔽層(圖中 未顯示)于復(fù)合線路基板3表面的第一線路層211與第四線路層241上，用以絕 緣并避免在第一線路層211與第四線路層241上形成絕緣薄膜。其中，上述遮 蔽層可為干膜。請參照圖2F，第一金屬層261與第二金屬層262表面上形成絕緣薄膜280 之后，接著形成一第三金屬層263于絕緣薄膜280上。其中，此第三金屬層263 是以無電解電鍍所形成，且可電性連接第一線路層211及第四線路層241 。因此，上述的第一貫穿孔251、第二貫穿孔252、第一金屬層261、第二金 屬層262、絕緣薄膜280及第三金屬層263可構(gòu)成一鍍通孔。在此實(shí)施例中，通過鍍通孔型態(tài)及其絕緣薄膜280，可使復(fù)合線路基板3 具有內(nèi)部線路通道及外部線路通道。其中，內(nèi)部線路通道是指第一線路層211 與第二線路層221通過第一金屬層261來導(dǎo)通，以及第三線路層231與第四線路 層241通過第二金屬層262來導(dǎo)通。而外部線路通道是指第一線路層211與第四 線路層241通過第三金屬層263來導(dǎo)通。因此，鍍通孔內(nèi)的各金屬層可形成彼 此獨(dú)立的電性連結(jié)通道。在另一實(shí)施例中，為了使各線路層之間的電性連結(jié)通道更具有彈性及變 化，可在上述第一實(shí)施例的制作過程中，將制程步驟做些調(diào)整。請參照圖3A，當(dāng)?shù)谝痪€路基板20與第二線路基板30被提供，以及各線路 層與金屬層被形成之后，接著進(jìn)行一電泳沉積程序，在第一金屬層261表面上 形成一絕緣薄膜280。而此電泳沉積程序，更包括下列步驟沉積高分子微胞于第一金屬層261 的表面，接著進(jìn)行一熱處理程序，使高分子微胞聚合成絕緣薄膜280。其中， 沉積高分子微胞及熱處理程序的詳細(xì)過程與前一實(shí)施例相似，差別在于僅有 第一線路基板20單獨(dú)進(jìn)行電泳沉積程序。然而，由于本實(shí)施例中僅需在第一金屬層261的表面形成絕緣薄膜280。
因此，在進(jìn)行電泳沉積程序之前，會先覆蓋一遮蔽層(圖中未顯示)于第一線路基板20表面的第一線路層211與第二線路層221上，用以絕緣并避免在第 一線路層211與第二線路層221上形成絕緣薄膜。其中，上述遮蔽層可為干膜。當(dāng)絕緣薄膜280制作完成后，接著將第一貫穿孔251對準(zhǔn)第二貫穿孔252， 并將第一線路基板20壓合于第二線路基板30上，而構(gòu)成一復(fù)合線路基板3。其 中，第一線路基板20與第二線路基板30是壓合于一介電層40的兩側(cè)。請參照圖3B，為復(fù)合線路基板3的示意圖。然而，制作復(fù)合線路基板3的 過程中同樣會產(chǎn)生一些雜質(zhì)及電介質(zhì)。因此，必須進(jìn)行如同前一實(shí)施例所述 的清洗程序，以去除雜質(zhì)、電介質(zhì)及多余的介電層材料。請參照圖3C，在清洗程序之后，接著形成一第三金屬層263于絕緣薄膜 280上。其中，此第三金屬層263是以無電解電鍍所形成，且可電性連接第一 線路層211及第三線路層231。在此實(shí)施例中，通過鍍通孔型態(tài)及其絕緣薄膜280，可以使復(fù)合線路基板 3具有內(nèi)部線路通道及外部線路通道。其中，內(nèi)部線路通道是指第一線路層211 與第二線路層221通過第一金屬層261來導(dǎo)通，以及第三線路層231與第四線路 層241通過第二金屬層262來導(dǎo)通。而外部線路通道是指第一線路層211與第三 線路層231通過第三金屬層263來導(dǎo)通。因此，鍍通孔內(nèi)的各金屬層可形成彼 此獨(dú)立的電性連結(jié)通道。另外，在本實(shí)施例的制作過程中，可依據(jù)需求，將第二線路基板30進(jìn)行 電泳沉積程序，在第二金屬層262上也形成絕緣薄膜280。通過這種方式，形 成于絕緣薄膜280上的第三金屬層263則可電性連接第一線路層211及第四線 路層241。請參照圖2F及圖3C，分別可用來代表本發(fā)明的具有鍍通孔結(jié)構(gòu)的復(fù)合線 路基板3。復(fù)合線路基板3包括第一線路基板20、第一金屬層261、第二線路基 板30、第二金屬層262、絕緣薄膜280及第三金屬層263。其中，第一線路基板20具有形成于第一表面210上的第一線路層211，以 及形成于相對第一表面210的第二表面220上的第二線路層221 。第一線路基板 20至少具有一貫穿于第一表面210及第二表面220的第一貫穿孔251 。第一金屬
層261形成于第一貫穿孔251側(cè)壁，用以連通第一線路層211及第二線路層221。 第二線路基板30具有形成于第三表面230上的第三線路層231 ，以及形成 于相對第三表面230的第四表面240上的第四線路層241。第二線路基板30至少 具有一貫穿于第三表面230及第四表面240的第二貫穿孔252，且第二貫穿孔 252與第一貫穿孔251相連通。第二金屬層262形成于第二貫穿孔252側(cè)壁，用 以連通第三線路層231及第四線路層241。絕緣薄膜280是通過電泳沉積程序形 成的，并至少形成于第一金屬層261表面。最后，第三金屬層263是形成于絕 緣薄膜280上。其中，第一貫穿孔251與第二貫穿孔252是以機(jī)械鉆孔或雷射鉆孔制作而 成。第一金屬層261與第二金屬層262是以電鍍所形成。第三金屬層263是以無 電解電鍍所形成。第一線路基板20與第二線路基板30是壓合于一介電層40的 兩側(cè)。值得注意的是，可依據(jù)實(shí)際需求來調(diào)整絕緣薄膜280覆蓋第一金屬層261 與第二金屬層262的區(qū)域，來改變鍍通孔的外部線路通道。例如，當(dāng)絕緣薄膜 280僅形成于第一金屬層261表面時，第三金屬層263是成為第一線路層211與 第三線路層231的電性連接通道。而當(dāng)絕緣薄膜280形成于第一金屬層261與第 二金屬層262表面時，第三金屬層263是成為第一線路層211與第四線路層241 的電性連接通道。綜上所述，本發(fā)明的制作電路板的方法可提供一種具有鍍通孔結(jié)構(gòu)的復(fù) 合線路基板3，本發(fā)明具有下列優(yōu)點(diǎn)一、 通過鍍通孔型態(tài)及其絕緣薄膜280的配置，可使復(fù)合線路基板3具有 彼此電性獨(dú)立的內(nèi)部線路通道及外部線路通道。因此，在同一鍍通孔內(nèi)所能 產(chǎn)生的線路通道較現(xiàn)有的鍍通孔更多，這樣可以增加線路布局的密度，減少 鍍通孔的數(shù)量，并進(jìn)而縮小電路板的尺寸大小。二、 通過絕緣薄膜的配置與線路布局來提供良好的電路特性及減低串音 效應(yīng)(cross-talkeffect)的發(fā)生。三、 通過絕緣薄膜280的配置，可調(diào)整第三金屬層所導(dǎo)通的線路層，使線 路配置更具彈性及變化。
權(quán)利要求
1.一種制作電路板的方法，包括下列步驟提供一第一線路基板，該第一線路基板具有一形成于一第一表面上的第一線路層、一形成于相對該第一表面的一第二表面上的第二線路層，以及至少一貫穿該第一表面與該第二表面的第一貫穿孔，且該第一貫穿孔側(cè)壁上具有一第一金屬層連通該第一線路層及該第二線路層；提供一第二線路基板，該第二線路基板具有一形成于一第三表面上的第三線路層、一形成于相對該第三表面的一第四表面上的第四線路層，以及至少一貫穿該第三表面與該第四表面的第二貫穿孔，且該第二貫穿孔側(cè)壁上具有一第二金屬層連通該第三線路層及該第四線路層；將該第一貫穿孔對準(zhǔn)該第二貫穿孔，并將該第一線路基板壓合于該第二線路基板上，而構(gòu)成一復(fù)合線路基板；其特征在于該制作電路板的方法還包括下列步驟進(jìn)行一電泳沉積程序，在該第一金屬層與該第二金屬層表面上形成一絕緣薄膜；以及形成一第三金屬層于該絕緣薄膜上，并電性連接該第一線路層及該第四線路層。
2. 如權(quán)利要求l所述的制作電路板的方法，其特征在于該第一線路基 板與該第二線路基板壓合于一介電層的兩側(cè)。
3. 如權(quán)利要求2所述的制作電路板的方法，其特征在于在進(jìn)行所述的 電泳沉積程序，而使得在該第一金屬層與該第二金屬層表面上形成該絕緣薄 膜的步驟之前，更包括進(jìn)行一清洗程序，利用該清洗程序去除制作該復(fù)合線 路基板過程中所產(chǎn)生的雜質(zhì)、電介質(zhì)與壓合時溢出于該第一貫穿孔與該第二 貫穿孔間的介電層材料；形成一遮蔽層于該復(fù)合線路基板表面的該第一線路 層與該第四線路層上。
4. 如權(quán)利要求l所述的制作電路板的方法，其特征在于在進(jìn)行所述的 電泳沉積程序，而使得在該第一金屬層與該第二金屬層表面上形成該絕緣薄 膜的步驟中，更包括下列步驟沉積高分子微胞于該第一金屬層與該第二金屬層的外表面，該高分子微 胞包含硅氧無機(jī)粒子及高分子前驅(qū)物，該高分子前驅(qū)物是從聚醯亞胺樹脂及 其衍生物、環(huán)氧樹脂及其衍生物、含鹵素的高分子樹脂、含磷、硅、硫的耐 燃性高分子樹脂的組合中選取的；及進(jìn)行一熱處理程序，使該高分子微胞聚合成該絕緣薄膜，該熱處理程序 至少包含脫水及環(huán)化的過程。
5. —種制作電路板的方法，包括下列步驟, 提供一第一線路基板，該第一線路基板具有一形成于一第一表面上的第 一線路層、 一形成于相對該第一表面的一第二表面上的第二線路層，以及至 少一貫穿該第一表面與該第二表面的第一貫穿孔，且該第一貫穿孔側(cè)壁上具 有一第一金屬層連通該第一線路層及該第二線路層；提供一第二線路基板，該第二線路基板具有一形成于一第三表面上的第 三線路層、 一形成于相對該第三表面的一第四表面上的第四線路層，以及至 少一貫穿該第三表面與該第四表面的第二貫穿孔，且該第二貫穿孔側(cè)壁上具 有一第二金屬層連通該第三線路層及該第四線路層；其特征在于該制作電路板的方法還包括下列步驟 進(jìn)行一電泳沉積程序，至少在該第一金屬層表面上形成一絕緣薄膜； 將該第一貫穿孔對準(zhǔn)該第二貫穿孔，并將該第一線路基板壓合于該第二 線路基板上，而構(gòu)成一復(fù)合線路基板；以及 ■形成一第三金屬層于該絕緣薄膜上。
6. 如權(quán)利要求5所述的制作電路板的方法，其特征在于該第一線路基 板與該第二線路基板壓合于一介電層的兩側(cè)。
7. 如權(quán)利要求6所述的制作電路板的方法，其特征在于在形成所述的 第三金屬層于該絕緣薄膜上的步驟之前，更包括進(jìn)行一清洗程序，利用該清 洗程序去除制作該復(fù)合線路基板過程中所產(chǎn)生的雜質(zhì)、電介質(zhì)與壓合時溢出 于該第一貫穿孔與該第二貫穿孔間的介電層材料。
8. 如權(quán)利要求5所述的制作電路板的方法，其特征在于在進(jìn)行所述的電泳沉積程序，而使得至少在該第一金屬層表面上形成該絕緣薄膜的步驟之 前，更包括覆蓋一遮蔽層于該第一線路基板表面的該第一線路層與該第二線 路層上。
9. 如權(quán)利要求5所述的制作電路板的方法，其特征在于在進(jìn)行所述的 電泳沉積程序，而使得至少在該第一金屬層表面上形成一絕緣薄膜的步驟中， 更包括下列步驟至少在該第一金屬層表面沉積高分子微胞，該高分子微胞包含硅氧無機(jī) 粒子及高分子前驅(qū)物，該高分子前驅(qū)物是從聚醯亞胺樹脂及其衍生物、環(huán)氧 樹脂及其衍生物、含鹵素的高分子樹脂、含磷、硅、硫的耐燃性高分子樹脂 的組合中選取的；及進(jìn)行一熱處理程序，使該高分子微胞聚合成該絕緣薄膜，該熱處理程序 至少包含脫水及環(huán)化的過程。
10. 如權(quán)利要求5所述的制作電路板的方法，其特征在于該第三金屬層 電性連接于該第一線路層與該第三線路層。
11. 如權(quán)利要求5所述的制作電路板的方法，其特征在于該第三金屬層 電性連接于該第一線路層與該第四線路層。
12. —種具有鍍通孔結(jié)構(gòu)的復(fù)合線路基板，包含 一第一線路基板、一 第一金屬層、 一第二線路基板、 一第二金屬層、 一絕緣薄膜及一第三金屬層， 其中該第一線路基板具有一形成于一第一表面上的第一線路層、 一形成于相 對該第一表面的一第二表面上的第二線路層，以及至少一貫穿于該第一表面 與該第二表面的第一貫穿孔；該第一金屬層形成于該第一貫穿孔的側(cè)壁，以 連通該第一線路層及該第二線路層；該第二線路基板具有一形成于一第三表 面上的第三線路層、一形成于相對該第三表面的一第四表面上的第四線路層， 以及至少一與該第一貫穿孔相通連并貫穿于該第三表面與該第四表面的該第 二貫穿孔；該第二金屬層形成于該第二貫穿孔側(cè)壁，以連通該第三線路層及 該第四線路層；該絕緣薄膜至少形成于該第一金屬層表面；及該第三金屬層 形成于該絕緣薄膜上，其特征在于該絕緣薄膜是以電泳沉積而形成于該第 一金屬層表面。
13. 如權(quán)利要求12所述的復(fù)合線路基板，其特征在于該第一線路基板 與該第二線路基板壓合于一介電層的兩側(cè)。
14. 如權(quán)利要求12所述的復(fù)合線路基板，其特征在于該第三金屬層電 性連接于該第一線路層與該第三線路層。
15. 如權(quán)利要求12所述的復(fù)合線路基板，其特征在于該絕緣薄膜形成 于該第一金屬層與該第二金屬層表面且該第三金屬層電性連接于該第一線路 層與該第四線路層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種制作電路板的方法，包括下列步驟提供至少兩線路基板，且每一線路基板的兩側(cè)面分別具有線路層，并至少形成一貫穿孔于線路基板上。制作一金屬層于貫穿孔側(cè)壁，以連通線路基板兩側(cè)面的線路層。進(jìn)行一電泳沉積程序，至少在一金屬層表面形成一絕緣薄膜(linear dielectric film)。對準(zhǔn)兩線路基板的貫穿孔，并將兩線路基板互相壓合，而構(gòu)成一復(fù)合線路基板。接著，形成另一金屬層于絕緣薄膜上，使兩金屬層成為彼此獨(dú)立的電性連結(jié)通道。
文檔編號H05K3/42GK101160027SQ20071016722
公開日2008年4月9日 申請日期2007年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月30日
發(fā)明者王建皓 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司