專利名稱：高透光率玻璃的顯示器保護屏及使用該屏的液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
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本實用新型與液晶顯示器(LCD)保護屏有關(guān)，特別與液晶顯示器面板前粘 貼和組裝的防止顯示屏面板光反射、提高液晶顯示屏光透過率并對顯示屏起保護 作用的高透光率玻璃的顯示器保護屏及使用該保護屏的液晶顯示器有關(guān)。
技術(shù)背景
從液晶顯示器(以下稱LCD)的工作原理得知，LCD器件是由背光與發(fā)出 的光通過偏振片和液晶盒時，控制投射強度識別圖像的器件，也就是LCD的亮度 取決于通過液晶盒(LCD屏的透光率)和彩膜CF光亮(CF的透光率)及背光源 的亮度。因此，提高LCD表面亮度和節(jié)約背光源功率同時提高背光源亮度主要從 以下幾方面著手 一是提高背光源亮度，二是提高TFT像素的開口率，三是提高 所有材料的亮度，也即盡量增加材料的透光率，提高背光源亮度目前主要采用棱 鏡增亮膜和采用新型燈光源以及提高反射能力來增加發(fā)射亮度；提高所有材料的 亮度來提高LCD表面亮度也是一個重要的渠道，特別是顯示屏最前面的保護屏或 保護膜的透光率的提高。LCD顯示屏最前面的保護屏或保護膜目前主要采用亞克 力片(PMMA樹脂片〉或聚酯膜片(BOPET膜片)。因為樹脂片雖材料透光率可 高達90%且表面光亮，但反射率單面達4%以上，雙面疊加可達8%以上，且不耐 劃傷，所以目前都在樹脂片的表面做防眩處理，將光反射率可降到1%以下，且表 面可耐鉛筆試驗硬度2H以上的劃傷。由于防眩處理是將樹脂光亮反射表面處理 為光散射表面來降低光反射率，因此得到的保護屏和保護膜實際可見光透過率已 不再是90%以上，多數(shù)都降到80%左右甚至更低，將背光源發(fā)射的亮度通過各種 措施和成本支出提高，最后在顯示屏前呈現(xiàn)僅有總體透過率的百分之幾至百分之 十，卻因保護屏或保護膜為了防眩防反射又將這個透光率打了近20%甚至更多的 折扣(因其材料僅有80%甚至更低的透過濾)。因此，在減少面板及保護屏的反射 率，增加表面硬度抗劃傷但又要提高保護屏或保護膜的透光率及對顯示屏的物理 及機械保護性能一直是大家的追求。特別是采用何種技術(shù)方案來降低保護屏材料 的表面反射率一直以來有多種方案不斷涌現(xiàn)，有在樹脂層表面利用溶膠——凝膠 法沉積TK)2或Nb2(VSi02增透減反膜層的，也有利用表面浸涂有機硅減反增透層 的，但由于膜厚不易控制，透光率僅能達92%左右，且成品率不高，表面易出現(xiàn) 彩虹，至今保護屏或保護膜還沒有發(fā)生根本變化，特別是反射率小于1%、透光率
大于93%、更優(yōu)化達到97%以上的工業(yè)化成本低的實用技術(shù)及保護屏材料還沒出 現(xiàn)
實用新型內(nèi)容
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本實用新型的目的是為了克服以上不足，提供一種能提高顯示器亮度、減少 觀看面光反射率、保護顯示器不受劃傷和抗損壞、同時采用低成本高效率的鍍膜 技術(shù)及膜系生產(chǎn)的高透光率的玻璃保護屏。本實用新型的另一個目的是為了提供 一種使用該保護屏的液晶顯示器。
本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的-
本實用新型高透光率玻璃的顯示器保護屏，包括透明玻璃基片，在基片兩面 依次復合Ti02和Si02、或Nb205和Si02二層增透減反射的膜層，或依次重疊復合 TiO,和Si02、或Nb力;禾卩SiO,多層增透減反射的膜層，它們由基片向外依次形成 Ti02層和Si02層二層膜層、或NbA層和Si02層二層膜層、或Ti02層和Si02層的 多層重疊膜層、或NbA層和Si02層的多層重疊膜層。高透光率的液晶顯示器 (LCD)保護屏，采用透明玻璃基片，特別是鋼化玻璃基片增加了顯示器的光亮 度，使圖像更晶瑩剔透，采用真空磁控濺射方法鍍Ti02或Nb205和Sia，更特別 是用中頻孿生反應(yīng)磁控濺射等離子監(jiān)測在線閉環(huán)控制裝置(PEM系統(tǒng))濺射Ti02 或Nb,O;和Si02有比一般磁控濺射高幾倍的沉積速率，得到低成本的鍍膜層和優(yōu) 化的高折射率/低折射率材料的膜系或膜堆，使基片上獲得增透減反效果明顯、沉 積效率高、質(zhì)量好、附著力強、抗劃傷的膜層，由于選用這種膜系及膜堆，使設(shè) 備生產(chǎn)專業(yè)化并能容易制作四層或六層Ti02或Nb202和Si02的增透膜層。用重復 或往返的方式即可在不更換材料和靶位情況下完成四至六層的膜堆鍍膜，相應(yīng)的 比其它增透減反射膜系更加經(jīng)濟，生產(chǎn)效率更高，成本更低。使保護屏由較低的 生產(chǎn)成本得以大量在LCD顯示器上應(yīng)用。
上述的高透光率的玻璃保護屏，基片兩面膜層分別為二層，其厚度范圍是Ti02 或Nb2O,為5nm至20nm， Si02為70 nm至140nm。采用此厚度在基片兩面鍍Ti02 或Nb20;/Si02，可得到透光率大于94% (更好可達95%)、雙面疊加反射率小于 2%的保護屏。
上述的高透光率玻璃的顯示器保護屏，基片兩面膜層中至少一面膜層為四層 膜層，其膜厚范圍由玻璃基片向外依次是7102或柳205為5nm至18nm， Si02為 20tun至50nm， 1102或Nb2O5為20nm至50nm， SiCh為70 nm至140nm。采用此 厚度在基片兩面鍍四層，透光率大于97%，更好可達98%，雙面疊加反射率小于 2%，更好低于1%。
上述的高透光率玻璃的顯示器保護屏，基片兩面膜層中至少一面膜層為六層， 它們是復合在透明玻璃基片上的第一層Ti02或Nb20s、第二層Si02、第三層Ti02
或Nb》;、第四層Si02、第五層Ti02或Nb20;、第六層Si02，膜層厚度范圍由玻 璃基片向外依次是Ti02或1%205為1.5nm至6nm， Si02為25nm至45nm, Ti02 或Nb20;為8nm至15nm, &02為40 nm至60nm， TiCX或>^205為12nm至20nm， SiO,為80nm至140nm。采用此厚度在基片兩面鍍六層，透光率大于98%,更好 可達99%，雙面疊加反射率小于1%。
上述的高透光率玻璃的顯示器保護屏，保護屏至少一面具有防靜電功能，用 表面電阻測試儀器在其表面測量其表面電阻小于1012Q，在防靜電一面的靠近玻 璃基片這一面的Ti02或Nb205與玻璃基片之間復合一層二氧化錫(Sn02)或摻錫 氧化銦(ITO)或摻鋁氧化鋅(AZO)的抗靜電半導體膜層，膜層為5層，它們 是防靜電的半導體膜層/ Ti02或Nb205/SiO/H02或Nb^O;/ Si02，膜層厚度依次為 半導體膜為8nm至28nm， TiO,或Nb2Os為5nm至18nm， Si02為20nm至50nm， TiO2或Nb20;為20nm至50nm， SiO,為70 nm至140nm。采用此膜系在基片一面 鍍五層，另一面鍍四層增透減反膜層，透光率可達96%，雙面疊加反射率小于 1.5%,也可根據(jù)需要在兩面都鍍五層，兩面都具抗靜電功能。
上述的高透光率玻璃的顯示器保護屏，保護屏至少一面具有防靜電功能，用 表面電阻測試儀器在其表面測量其表面電阻小于1012Q，在防靜電一面的靠近玻 璃基片這一面的TiO,或Nb20;與玻璃基片之間復合一層二氧化錫(SnO》或摻錫 氧化銦(ITO)或摻鋁氧化鋅(AZO)的抗靜電半導體膜層，膜層為7層，它們 是防靜電的半導體膜層/Ti02或Nb205/SiO/n02或Nb2Os/ SiO/Ti02或Nb205/Si02， 優(yōu)選的膜層厚度依次為半導體膜為8nm至28nm， Ti02或Nb,Os為2nm至7nm， Si。2為20歸至30nm, Ti02或NbA為40腦至60rnn， Si。2為6nm至12nm， Ti02 或Nb"5為25nm至36nm， SiO.,為70 nm至100nm。采用此膜系在基片一面鍍七 層，另一面鍍六層增透減反膜層，透光率可達98%，雙面疊加反射率小于1%, 也可根據(jù)需要在兩面都鍍七層，兩面都具抗靜電功能。
上述的高透光率玻璃的顯示器保護屏，玻璃基片采用的是鋼化或半鋼化的玻
璃基片o '
本實用新型液晶顯示器，液晶顯示屏前裝有一片上述高透光率玻璃的顯示器 保護屏。
上述的液晶顯示器，保護屏與顯示屏裝設(shè)時其間存在空氣界面。裝設(shè)時，使 保護屏與顯示屏之間保留一定間距，可以對液晶盒明顯起到防碰撞保護作用，因 高透光率和低反射率的保護屏而使圖像更清晰。
上述的液晶顯示器，保護屏與顯示屏裝設(shè)時其間不存在空氣界面，是用粘結(jié) 劑粘貼為一體。將顯示屏與保護屏粘結(jié)為一體，可以明顯提高顯示屏一米高、6 面的跌落損壞試驗的性能。
本實用新型高透光率玻璃的顯示器保護屏能提高顯示器亮度，減少觀看面光 反反射率，保護顯示器不受劃傷和抗損壞，提高觀看的圖像質(zhì)量，透光率高，而 且生產(chǎn)效率高、成本低。本實用新型液晶顯示器能節(jié)約成本，提高圖象質(zhì)量。


圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實用新型另一結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本實用新型再一結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是鍍有抗靜電層的本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是鍍有抗靜電層的本實用新型另一結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6為本實用新型液晶顯示器結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7為本實用新型液晶顯示器另一結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
實施例1 :
圖1給出了本實施例1圖。參見圖1，高透光率玻璃的顯示器保護屏1是由
透明玻璃基片4和在基片4的兩面采用真空磁控濺射方法依次沉積的二層增透減 反射的Ti02膜層2和SiOz膜層3，而形成結(jié)構(gòu)為Si02/TiCV玻璃基片/TiCVSi02的 高透光率玻璃的顯示器保護屏1。在基片4的雙面各鍍兩層增透減反射鍍膜層， 光透過率大于94%，雙面疊加反射率小于2%，鍍膜優(yōu)化的厚度為Ti02為10 16謹，Si。2為90 120 nm。 實施例2:
圖2給出了本實施例2結(jié)構(gòu)圖。本實施例2基本與實施例1同，不同處是在 基片4的雙面各鍍四層增透減反射鍍膜層，而形成結(jié)構(gòu)為Si02 / Ti02 / SiO/TiCV 玻璃基片/TiCV Si(VTi(V Si02的高透光率玻璃的顯示器保護屏6，雙面各光透過 率大于97%,雙面疊加反射率小于1.5%，鍍膜優(yōu)化的厚度依次為SiO,為100 115nm/Ti02為30 36 nm / Si02為36 45 nm/Ti02為8 12 nm/玻璃基片/Ti02 為8 12nm/Si02為36 45 nm / Ti02為30 36 nm / SiOz為100 115nm。
實施例3 , 圖3給出了本實施例3的圖，本實施基本與實施例2相同，不同處是在基片 4的雙面各鍍六層增透減反射鍍膜層，而形成結(jié)構(gòu)為Si02 / Ti02/ SiO/Ti02 / SiO/TiCV玻璃基片/Ti02/ SiCVTiCV SiCVTi(V Si02的高透光率的玻璃顯示器保護 屏7，光透過率大于98.5%，雙面疊加反射率小于1%，鍍膜優(yōu)化的厚度依次為 SKX為100 130 nm / 1102為12 18 nm /Si02為40 60 nm / 1102為8 12 nm / SiO2為30 40nm/TiO2為1 3nm/玻璃基片/Ti02為1 3 nm / &02為30 40 nm /TiOz為8 12nm/Si02為40 60nm/TiO2為12 18nm / Si02為100 130nm。
實施例4
圖4給出了本實施例4的圖，本實施基本與實施例2相同，不同處是在基片
4的一面鍍有四層增透減反射鍍膜層，另一面的增透減反射鍍膜層與玻璃基片之 間用真空磁控濺射方法沉積一層抗靜電層5，抗靜電層5為摻鋁氧化鋅(AZO) 半導體膜層，而形成結(jié)構(gòu)為Si02 / Ti02/ SiO/Ti(VAZO/玻璃基片/Ti02 / SiCV Ti(V SiO2的有抗靜電功能的高透光率玻璃的顯示器保護屏8，透光率大于96%,抗靜 電面表面電阻小于IO"Q，雙面疊加反射率小于1.5%,鍍膜優(yōu)化的厚度依次為-SiO,為80 90 nm / Ti02為40 50 ran / Si02為30 40 nm / Ti(X,為4 8nm/摻鋁氧 化鋅(AZO) 16 20nm/玻璃基片/TiO2為8 1Onm/SiO2為36 45nm/Ti02為 30 36nm/Si02為100 U5nm。 實施例5:
圖5給出了本實施例5的圖，本實施基本與實施例4相同，不同處是在基片 4的一面鍍有六層增透減反射鍍膜層，另一面的增透減反射鍍膜層與玻璃基片之 間用真空磁控濺射方法沉積一層抗靜電層5,抗靜電層5為摻鋁氧化鋅(AZO) 半導體膜層，而形成結(jié)構(gòu)為Si02/Ti02/Si02/TiCV SiO/TKVAZO/玻璃基片/Ti02/ Si(V Ti02/ SiCV Ti(V Si02的有抗靜電功能的高透光率玻璃的顯示器保護屏9，透 光率大于98%，抗靜電面表面電阻小于1(V'Q，雙面疊加反射率小于1%，鍍膜優(yōu) 化的厚度依次為SiO,為80 95 nm / Ti02為26 34 nm /Si02為6 9 nm / TiO為 46 56nm/Si02為23 28nm/Ti02為4 7nm/摻鋁氧化鋅(AZO) 18~23nm/ 玻璃基片/ Ti02為1 3 nm / SiOz為30 40 nm / TiCX為8 12 nm / Si(^為40 60nm/TO為12 18 run / Si。2為100 130nm。
實施例6
圖6給出了本實施例6的圖，圖6為本實用新型液晶顯示器結(jié)構(gòu)示意圖，液
晶顯示器由顯示器外殼10、顯示器u、結(jié)構(gòu)為sio2/Tio2/sio/ncy玻璃基片/Ti02
/ Si(V Ti(V Si02的高透光率的玻璃保護屏6組成，保護屏6與顯示屏12裝設(shè)時 其間存在空氣界面13，裝設(shè)時，使保護屏6與顯示屏12之間保留一定間距，可
以對液晶盒明顯起到防碰撞保護作用。
實施例7 -圖7給出了本實施例7的圖，本實施基本與實施例6相同，不同處是保護屏 7與顯示屏12裝設(shè)時其間不存在空氣界面，是用粘結(jié)劑14將顯示屏12與保護屏 7粘結(jié)為一體，可以明顯提高顯示屏一米高、6面的跌落損壞試驗的性能。
上述各實施例是對本實用新型的上述內(nèi)容作進一步的說明，但不應(yīng)將此理解 為本實用新型上述主題的范圍僅限于上述實施例。凡基于上述內(nèi)容所實現(xiàn)的技術(shù) 均屬于本實用新型的范圍。
權(quán)利要求1、高透光率玻璃的顯示器保護屏，包括透明玻璃基片，其特征在于在基片兩面復合TiO2和SiO2、或Nb2O5和SiO2二層增透減反射的膜層，或依次重疊沉積TiO2和SiO2、或Nb2O5和SiO2多層增透減反射的膜層，它們由基片向外依次形成TiO2層和SiO2層二層膜層、或Nb2O5層和SiO2層二層膜層、或TiO2層和SiO2層的多層重疊膜層、或Nb2O5層和SiO2層的多層重疊膜層。
2、 如權(quán)利要求1所述的高透光率玻璃的顯示器保護屏，其特征在于基片兩面 膜層為二層，其厚度范圍是Ti02或NW)5為5nm至20nm, Si02為70 nm至140nm。
3、 如權(quán)利要求1所述的高透光率玻璃的顯示器保護屏，其特征在于基片兩面 膜層中至少一面膜層為四層膜層，其膜厚范圍由玻璃基片向外依次是Ti02或Nb205 為5nm至18nm， Si。2為20函至50nm， 7102或N跳為20nm至50nm, Si。2為70 nm 至140nm。
4、 如權(quán)利要求1所述的高透光率玻璃的顯示器保護屏，其特征在于基片兩面 鍍膜層中至少一面膜層為六層，它們是復合在透明玻璃基片上的第一層TiOz或 歸;、第二層Si。2、第三層Ti02或NbA、第四層Si02、第五層Ti(^或NbA、第六 層Si02,膜層厚度范圍由玻璃基片向外依次是TiO^或Nb205為1.5nm至6nm, Si02 為25nm至45nm, TiC^或歸;為8nm至15nm， Si。2為40 nm至60nm， Ti。2或Nb205 為12nm至20nm， Si02為80 nm至140nm。
5、 如權(quán)利要求1所述的高透光率玻璃的顯示器保護屏，其特征在于保護屏至 少一面具有防靜電功能，用表面電阻測試儀器在其表面測量其表面電阻小于IO'2 Q ，在防靜電一面的靠近玻璃基片這一面的Ti02或NbA與玻璃基片之間復合一層 二氧化錫或摻錫氧化銦或摻鋁氧化鋅的抗靜電半導體膜層，膜層為5層，它們是防 靜電的半導體膜層/ Ti。2或NbA/Si(VTi02或歸5/ SiO"膜層厚度依次為半導 體膜為8nm至28nm， ，2或NbA為5nm至18nm， Si。2為20nm至50nm, ，2或Nb205 為20咖至50nm, Si(^為70 nm至140nm。
6、 如權(quán)利要求1所述的高透光率玻璃的顯示器保護屏，其特征在于保護屏至 少一面具有防靜電功能，用表面電阻測試儀器在其表面測量其表面電阻小于10'2 Q ，在防靜電一面的靠近玻璃基片這一面的Ti02或吣205與玻璃基片之間復合一層 二氧化錫或摻錫氧化銦或摻鋁氧化鋅的抗靜電半導體膜層，膜層為7層，它們是防 靜電的半導體膜層/Ti02或NbA/Si02/Ti02或Nb20s/ Si02/Ti02或Nb20s/SiO2，優(yōu)選的膜層厚度依次為半導體膜為8nm至28nm， 7102或Nb205為2nm至7nm, Si(^為20nm 至30nm， Ti02或NbA為40nm至60nm， Si(^為6nm至12nra， Ti02或NbA為25nm至 36nm, Si(^為70 nm至100nm。
7、 液晶顯示器，其特征在于液晶顯示屏前裝有一片權(quán)利要求1至7的任意一 項所述的高透光率的玻璃保護屏。
8、 如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其特征在于保護屏與顯示屏裝設(shè)時其間 存在空氣界面。
9、 如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其特征在于保護屏與顯示屏裝設(shè)時其間 不存在空氣界面，是用粘結(jié)劑粘貼為一體。
專利摘要本實用新型提供了一種高透光率玻璃的顯示器保護屏，包括透明玻璃基片，在基片兩面采用真空磁控濺射方法，依次復合TiO₂和SiO₂、或Nb₂O₅和SiO₂二層增透減反射的膜層，或依次重疊復合TiO₂和SiO₂、或Nb₂O₅和SiO₂多層增透減反射的膜層，它們由基片向外依次形成TiO₂層和SiO₂層二層膜層、或Nb₂O₅層和SiO₂層二層膜層、或TiO₂層和SiO₂層的多層重疊膜層、或Nb₂O₅層和SiO₂層的多層重疊膜層。本實用新型保護屏能降低反射率，提高透光率、光學圖象的效果，大大降低成本，充分提高顯示屏的抗沖擊破壞能力，成為安全保護屏。本實用新型還提供了使用玻璃的顯示器保護屏的液晶顯示器。
文檔編號G12B17/00GK201000489SQ20072007838
公開日2008年1月2日 申請日期2007年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月1日
發(fā)明者甘國工 申請人:甘國工