專利名稱：使用無機(jī)絕緣層作為電子注入層的有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法。具體而言，本發(fā)明
涉及一種包括具有極好的電子注入與空穴阻隔(hole blocking)能力的無 機(jī)絕緣層作為電子注入層的有機(jī)發(fā)光器件，以及其制備方法。
本申請(qǐng)要求了 2006年2月6日向韓國知識(shí)產(chǎn)外場提出的韓國專利 申請(qǐng)No. 10-2006-0011330的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容在此完全引入作為參 考。
背景技術(shù)：
通常，術(shù)語"有機(jī)發(fā)光現(xiàn)象，，是指一種通過有機(jī)材料將電能轉(zhuǎn)化 成光能的現(xiàn)象。利用有才幾發(fā)光現(xiàn)象的有機(jī)發(fā)光器件通常具有包括陽極、 陰極及插入其間的有機(jī)材料層的結(jié)構(gòu)。此處，為改善有機(jī)發(fā)光器件的 效率和穩(wěn)定性，可主要以包括不同材料層的多層結(jié)構(gòu)形成該有機(jī)材料 層，例如空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳 輸層(ETL)、電子注入層等。在具有這種結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件中，當(dāng)在 兩個(gè)電極之間施加電壓時(shí)，來自陽極的空穴與來自陰極的電子#:注入 到有機(jī)材料層，注入的空穴和電子結(jié)合在一起以形成激子。更進(jìn)一步 地，當(dāng)激子降至基態(tài)時(shí)，則會(huì)發(fā)光。已知這種有機(jī)發(fā)光器件具有如自 發(fā)光、高發(fā)光度、高效率、低驅(qū)動(dòng)電壓、寬視角、高對(duì)比度和快速響 應(yīng)的特性。
然而，常規(guī)的有機(jī)發(fā)光器件存在以下問題其電子傳輸層與陰極 材料之間的功函數(shù)具有較大差異，這樣會(huì)使電子注入難于進(jìn)行，并且 向陰極注入相對(duì)大量的空穴，從而降低了發(fā)光效率。LiF已被廣泛用作 在電子傳輸層與陰極之間提供電子注入層的材料，但是該材料沒有空 穴阻隔能力。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)一種有機(jī)發(fā)光器件能夠改善在電子注入電極方 向上的空穴阻隔作用和電子注入作用，在所述有機(jī)發(fā)光器件中，層壓 電子注入電極、至少一層包括發(fā)光層的有機(jī)材料層和空穴注入電極； 并且在電子注入電極與有機(jī)材料層之間設(shè)置由帶隙(band gap)為3.3 eV 或更大且?guī)щA(band offset)為0.45 eV或更小的材料形成的無機(jī)絕緣層。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法，該 器件設(shè)置了具有極好的電子注入和空穴阻隔作用的電子注入層。
技術(shù)方案
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光器件，其中，層 壓電子注入電極、至少一層包括發(fā)光層的有機(jī)材料層和空穴注入電極； 并且在電子注入電極與有機(jī)材料層之間設(shè)置由帶隙為3.3 eV或更大且 帶階為0.45 eV或更小的材料形成的無機(jī)絕緣層。
本發(fā)明進(jìn)一步提供了 一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，其包括形成 電子注入電極、至少一層包括發(fā)光層的有機(jī)材料層和空穴注入電極的 步驟，其中，在形成所述電子注入電極的步驟與形成有機(jī)材料層的步
驟之間進(jìn)行形成無機(jī)絕緣層的步驟，該無機(jī)絕緣層通過在電子注入電
極與有機(jī)材料層之間使用帶隙為3.3 eV或更大且?guī)щA為0.45 eV或更小 的材料而形成。
有益效果
根據(jù)本發(fā)明的器件設(shè)置了由帶隙為3.3 eV或更大且?guī)щA為0.45 eV 或更小的材料形成的無機(jī)絕緣層作為在電子注入電極與有機(jī)材料層之 間設(shè)置的電子注入層，其顯示了極好的電子注入與空穴阻隔作用，相 應(yīng)地具有極好的效率、發(fā)光度、使用壽命特性等。


圖1顯示本發(fā)明的有才幾發(fā)光器件(實(shí)施例2)的結(jié)構(gòu)。
圖2顯示在才艮據(jù)本發(fā)明的器件(實(shí)施例2)的發(fā)光層、電子傳輸層、 無機(jī)絕緣層和陰極間的能級(jí)與常規(guī)器件(比較實(shí)施例2)的發(fā)光層、電子 傳輸層、LiF層和陰極間的能級(jí)的比較。
圖3為顯示實(shí)施例1與比較實(shí)施例1中制備的器件的正向電流特 性(電子注入特性)的圖。
圖4為顯示實(shí)施例1與比較實(shí)施例1中制備的器件的反向電流特 性(空穴阻隔特性)的圖。
圖5為顯示實(shí)施例2與比較實(shí)施例2中制備的器件的發(fā)光度特性 的圖。
圖6為顯示實(shí)施例2與比較實(shí)施例2中制備的器件的使用壽命特 性的圖。
圖7為顯示比較實(shí)施例3中制備的器件的正向電流特性(電子注入 特性)的圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將詳細(xì)描述本發(fā)明。
根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件的特征在于在電子注入電極與有機(jī) 材料層之間設(shè)置由帶隙為3.3 eV或更大且?guī)щA為0.45 eV或更小的材料 形成的無機(jī)絕緣層。
在本發(fā)明中所用的"帶隙"指無機(jī)絕緣層的導(dǎo)帶與價(jià)帶(valance band)間的能量差。此外，所述"帶階"指當(dāng)通過在聚硅氧烷上層壓無 機(jī)絕緣層而使聚硅氧烷的導(dǎo)帶與無機(jī)絕緣層的導(dǎo)帶排列成行時(shí)，對(duì)無 機(jī)絕緣層與聚硅氧烷間的能壘高的測量。基于聚硅氧烷所測量的無機(jī) 絕緣層的帶階值為材料本身固有的值，并與基于電子注入電極材料(例 如Al而不是聚硅氧烷)所測量的無機(jī)絕緣層的帶階值成比例?？墒褂?XPS (X射線光電子光譜)、UPS (紫外線光電子光譜)等測量帶階。
由帶隙為3.3 eV或更大且?guī)щA為0.45 eV或更小的材料形成的無機(jī) 絕緣層高效地從電子注入電極向有機(jī)材料層注入電子，并且能極好地 阻隔空穴從有機(jī)材料層向電子注入電極移動(dòng)。更具體而言，其原理如 下。
通常，在具有空穴注入電極、有機(jī)材料層和電子注入電極依次層 壓于基板上的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件中，在電子傳輸層(ETL)與電子注入 電極(陰極)之間插入厚度為1.5 2 nm的LiF層作為電子注入層，Li以 Li+離子形式存在于LiF層中，這樣會(huì)引起能夠供給電子的反應(yīng)，從而
提高電子注入能力?；谠撛?，用作電子注入層的LiF層沒有空穴 阻隔能力。
另一方面，能帶排列特性說明了根據(jù)本發(fā)明的無機(jī)絕緣層的電子 注入能力和空穴阻隔能力。本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了與其它材料結(jié)合的電 子注入層材料而非單獨(dú)電子注入層材料的帶階值顯著影響電子注入能 力和空穴阻隔能力的特性，基于這一發(fā)現(xiàn)，已發(fā)現(xiàn)了帶階的最適范圍。 在本發(fā)明中，將通常含有鋁(功函數(shù)4.1 eV)等的電子注入電極與無機(jī) 絕緣層相結(jié)合時(shí)，無機(jī)絕緣層材料的帶階范圍已被確定以選擇具有適 當(dāng)導(dǎo)帶的無機(jī)絕緣層材料，以使從電極至無機(jī)絕緣層的電子注入壘高 可小于從電極至如電子傳輸層的有機(jī)材料層(LUMO: 2.8 eV)的電子注 入壘高。具體地，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)帶階值滿足上述條件的作為無機(jī)絕緣 層材料的丁3205和Pb(Tia55Zra45)03。這些材料的帶階值分別為0.3 eV 和0.45 eV。如果使用帶階值小于或等于0.45 eV的材料形成電子注入
層，則電子注入能力會(huì)等同于或大于Ta205和Pb(Tio,55Zro.45)03。因此，
在本發(fā)明中，無機(jī)絕緣層材料的適當(dāng)帶階范圍為不大于0.45 eV。
此外，考慮到上述確定的帶階范圍，無機(jī)絕緣層材料的帶隙范圍 被確定，以使其具有不高于常規(guī)用于空穴阻隔材料的BCP(2,9-二曱基 -4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)的HOMO,即不低于BCP的HOMO的能級(jí)。
基于此，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件的特征在于在電子注入電極與 有機(jī)材料層之間設(shè)置由帶隙為3.3 eV或更大且?guī)щA為0.45 eV或更小的 材料形成的無機(jī)絕緣層。所述無機(jī)絕緣層材料優(yōu)選具有3.3 eV以上且 9eV以下帶隙和0.3 eV或更小帶階。
基于上述原理，與直接從電子注入電極向包括電子傳輸層的有機(jī)
材料層注入電子的情況相比，本發(fā)明中，通過使用由帶隙為3.3 eV或更大且?guī)щA為0.45eV或更小的材料形成的無機(jī)絕緣層代替LiF層，能夠降低能壘，這樣會(huì)進(jìn)一步提高電子注入能力。根據(jù)本發(fā)明的無機(jī)絕 緣層比通常作為常規(guī)使用的空穴阻隔材料的BCP具有更加卓越的空穴阻隔能力。因此，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件可通過在電子注入電極與有機(jī)材料層之間加入滿足上述條件的無機(jī)絕緣層，甚至在無需加入額外的空穴阻隔層的情況下，仍具有極好的電子注入能力和空穴阻隔能力。
具體地，電子注入電極材料包括Al、 Mo、 Ca/Ag、 Mg/Ag、 Ag、 Yb和過渡金屬氮化物，如TiN、 TaN、 ZrN和HfN。此外，通常使用包含能夠穩(wěn)定從陰極注入電子時(shí)產(chǎn)生的陰離子基的吸電子基團(tuán) (electron withdrawer)的化合物和具有良好的電子遷移率的有機(jī)金屬化合物作為電子傳輸層材料。包含吸電子基團(tuán)的化合物的實(shí)例包括含有 通過共振吸電子的官能團(tuán)的化合物，如氰基、噁二唑和三唑。電子傳 輸層材料的具體實(shí)例包括Alq3; PBD(2-聯(lián)苯基-4-基-5-(4-叔丁基苯 基)-l,3,4-噁二唑)；螺環(huán)PBD(spiro-PBD);低聚瘞吩，如含有咪唑環(huán)的芳族化合物；以及全氟4氐聚對(duì)苯撐(perflourinated oligo-p-phenylene)。
Ta2Os層，則/人電子注入電極至無機(jī)絕緣層的電子注入壘高約為0.9 eV, 并且從無機(jī)絕緣層至電子傳輸層的能壘高約為0.4 eV。因此，相對(duì)于 克服從電子注入電極至電子傳輸有機(jī)材料層的1.3 eV的電子注入能壘，設(shè)置丁3205層是更加有利地。
另外，作為常規(guī)空穴阻隔材料之一的BCP具有3.2eVLUMO、 6.7 eVHOMO以及3.5 eV帶隙，但是，作為根據(jù)本發(fā)明的無機(jī)絕緣層材料 的 一個(gè)實(shí)施例的Ta2Os具有3.2 eV導(dǎo)帶、7.6 eV價(jià)帶以及4.4 eV帶隙， 從而導(dǎo)致其空穴壘高比BCP的壘高大0.9eV。就是說，根據(jù)本發(fā)明的 無^L絕緣層可具有電子注入和空穴阻隔作用。
另 一方面，根據(jù)本發(fā)明的無機(jī)絕緣層可應(yīng)用于具有底部發(fā)射結(jié)構(gòu) 的器件和具有頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)(倒置結(jié)構(gòu))的器件，所述底部發(fā)射結(jié)構(gòu)是其 中依次層壓了基板、空穴注入電極、有機(jī)材料層和電子注入電極的結(jié) 構(gòu)；所述頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)是其中依次層壓了基板、電子注入電極、有機(jī) 材料層和空穴注入電極的結(jié)構(gòu)。特別是，其可用于具有倒置結(jié)構(gòu)的器 件中以發(fā)揮更好的作用。
更具體而言，如果具有底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件和具有頂部 發(fā)射結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件包括LiF層作為電子注入層，則通過電子注 入電極(如鋁電極)的電流約有1個(gè)級(jí)數(shù)的差異。具體地，會(huì)發(fā)生以下現(xiàn) 象具有頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的拾取電壓(pick-up voltage)比具有底部發(fā)射結(jié) 構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件的拾取電壓高出 1 V。其原因是LiF停留在將被沉 積的表面上會(huì)對(duì)拾取電壓產(chǎn)生其它影響，即，在有機(jī)材料上的LiF的 反應(yīng)比在鋁上的LiF的反應(yīng)活躍得多。因此，對(duì)于具有頂部發(fā)射結(jié)構(gòu) 的有機(jī)發(fā)光器件，使用不依賴于表面反應(yīng)電子注入層的無機(jī)絕緣層而 不是因表面反應(yīng)依賴于基板的LiF是更加有效的。
在本發(fā)明中，無機(jī)絕緣層材料優(yōu)選具有高介電常數(shù)，特別是20以 上的介電常數(shù)。并且無機(jī)絕緣層材料更優(yōu)選具有20以上且75以下的 介電常數(shù)。小于20的介電常數(shù)會(huì)因成形的有機(jī)發(fā)光器件的發(fā)光效率和 (+)電壓處電流的下降而產(chǎn)生較高驅(qū)動(dòng)電壓的問題。此外，無機(jī)絕緣層
的厚度優(yōu)選為幾nm,優(yōu)選l-10nm是理想的。如果無機(jī)絕緣層具有上 述范圍的厚度，則可以避免器件的拾取電壓的極度增大。
在本發(fā)明中，優(yōu)選所用的無機(jī)絕緣層材料包括選自由Ta205、 SrTi03、 Pb(Tio.55Zro.45)03和SrBi2Ta209組成的組中的至少一種；或者由 選自由Ta20s、 BaZr03、 Zr02、 Hf02、 Y203、 La203、 ZrSi04、 SrTi03、 Pb(Tia55Zr。.45)03和SrBi2Ta209組成的組中的至少兩種組成的復(fù)合氧化 物；或者由選自由Ta2Os、 BaZr03、 Zr02、 Hf02、 Y203、 La203、 ZrSi04、 SrTi03、 Pb(Tio.55Zro.45)03和SrBi2Ta209組成的組中的至少一種組成的復(fù) 合氧化物；以及選自BaTi03和Ti02中的至少一種，并且更優(yōu)選使用 Ta205。無機(jī)絕緣層可包括由上述材料之一或者其兩種或更多種的混合 物形成的單層，或者由層壓不同材料制成的層的多層。
無才幾絕緣層可通過使用以下方法形成如濺射、CVD(化學(xué)氣相沉 積)、ALD(原子層沉積)、PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)、電子 束真空沉積和離子束真空沉積，但本發(fā)明的范圍不限于這些方法。
除了在電子注入電極與有機(jī)材料層之間形成根據(jù)本發(fā)明的上述無 機(jī)絕緣層之外，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件可通過本領(lǐng)域眾所周知的用于 制備有機(jī)發(fā)光器件的常規(guī)方法和材料制備。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光器件可具有包括電子注入 電極、空穴注入電極和插入其間的有機(jī)材料層的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的 有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)顯示于圖1中。
例如，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件可通過以下步驟制備使用如 濺射和電子束蒸發(fā)的PVD(物理蒸汽沉積)法在基板上沉積金屬、具有 電導(dǎo)率的金屬氧化物或其合金以形成空穴注入電極；在所述空穴注入
電極上形成包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的有
機(jī)材料層；在所述有機(jī)材料層上根據(jù)上述方法形成無機(jī)絕緣層并且沉 積可用作電子注入電極的材料?；蛘撸袡C(jī)發(fā)光器件可通過依次在基 板上形成電子注入電極材料、無機(jī)絕緣層、有機(jī)材料層和空穴注入電 極而制備(見國際專利申請(qǐng)7>開No. 2003/012890)。
所述有機(jī)材料層可為包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層等的多層結(jié)構(gòu)，但并不限于此。或者，其可為單層結(jié)構(gòu)。此 外，所述有機(jī)材料層可通過使用多種聚合材料釆用溶劑法(solvent process)而非沉積法制成具有較少數(shù)量的層，例如旋轉(zhuǎn)涂布法、浸漬涂 布法、刮涂法(doctorblading)、絲網(wǎng)印刷法、墨噴印刷法和熱轉(zhuǎn)印法。
在本發(fā)明的器件中，優(yōu)選設(shè)置如電子傳輸層的n-型有機(jī)材料層或 者n-型發(fā)光層作為與無機(jī)絕緣層相鄰的有機(jī)材料層。此外，本發(fā)明的 器件中，優(yōu)選電子注入電極的功函數(shù)不大于鋁(A1)的功函數(shù)，并且其由 光反射度高的材料形成。
在下文中，將通過實(shí)施例更加詳細(xì)描述本發(fā)明。然而，提供下列 實(shí)施例僅為舉例說明目的，并不用來將本發(fā)明的范圍限制于這些實(shí)施 例。
實(shí)施例實(shí)施例1
為了確定Ta2Os的電子注入能力和空穴阻隔能力，在玻璃基板上形 成A1層至厚度為100 nm，然后通過電子束蒸發(fā)在其上形成Ta2Os層至 厚度為1.5 nm。然后，在Ta205層上真空沉積作為電子傳輸材料的由下 列化學(xué)式1表示的化合物以形成厚度為20 nm的電子傳輸層。 <formula>formula see original document page 13</formula>
在其上形成LiF層至厚度為1.5 nm，并在其上形成Al層至厚度為 100nm。測量該制備的器件的電子注入能力(正向電流特性)，并且結(jié)果 顯示于圖3中。此外，測量該器件的空穴阻隔能力(反向電流特性)，并 且結(jié)果顯示于圖4中。
比較實(shí)施例1
除了形成LiF層代替Ta20s層之外，以與實(shí)施例l相同的方式制備 器件。測量該器件的電子注入能力和空穴阻隔能力，并且結(jié)果顯示于 圖3和4中。
在實(shí)施例1與比較實(shí)施例1的器件的所測量的正向電流特性與反 向電流特性的結(jié)果中，在相同電壓下比較電流額時(shí)，如圖3中所示， 發(fā)現(xiàn)使用丁&205層制備的器件(實(shí)施例l)的正向電流額比使用LiF層制 備的器件(比較實(shí)施例l)高出約1個(gè)級(jí)數(shù)。還發(fā)現(xiàn)，如圖4中所示，使 用丁3205層制備的器件(實(shí)施例l)的反向電流值比使用LiF層制備的器 件(比較實(shí)施例l)低約1個(gè)級(jí)數(shù)。即，與使用比較實(shí)施例1的LiF層制 備的器件相比，使用實(shí)施例1的丁&205層制備的器件具有較高正向電流
特性與較低反向電流特性。這些結(jié)果顯示，實(shí)施例1的器件比比較實(shí) 施例1的器件有更好的電子注入和空穴阻隔能力。
實(shí)施例2
在玻璃基板上形成Al層至厚度為100 nm,然后通過電子束蒸發(fā)在 其上層壓丁&205層至厚度為20nm。然后，通過分別真空沉積由上述化 學(xué)式1表示的電子傳輸材料、Alq3、 NPB和由下列化學(xué)式2表示的空 穴注入材料(六腈六氮雜苯并菲，HAT)以形成作為有機(jī)材料層的電子傳 輸層(ETL)、發(fā)光層(EML)、空穴傳輸層(HTL)和空穴注入層。<formula>formula see original document page 14</formula>
有機(jī)材料層的厚度分別為20 nm、 30 nm、 40 nm和50 nm。然后， 在有才幾材料層上通過濺射形成IZO電極至厚度為150 nm作為空穴注入 電極。該制備的器件的結(jié)構(gòu)顯示于圖1中。
該制備的器件的發(fā)光層、電子傳輸層、無機(jī)絕緣層和電子注入電 極的能級(jí)顯示于圖2的右側(cè)。測量該器件的發(fā)光度和使用壽命，并且 結(jié)果分別顯示于圖5和6中。此處，通過UPS測量能級(jí)，通過 Photo-Research Inc.提供的PR650比色計(jì)/輻射計(jì)測量發(fā)光度，并且通過
用于在恒定電流下測量發(fā)光度、電壓等的使用壽命測量儀器測量使用 壽命。
比較實(shí)施例2
除了形成LiF層代替Ta20s層之外，以與實(shí)施例2相同的方式制備 器件。該制備的器件的發(fā)光層、電子傳輸層、無機(jī)絕緣層和電子注入 電極的能級(jí)顯示于圖2左側(cè)。此外，測量該器件的發(fā)光度和使用壽命， 并且結(jié)果顯示于圖5和6中。
作為發(fā)光度的測量結(jié)果，如圖5中所示，顯示了在相同電流下實(shí) 施例2的器件的發(fā)光度比比較實(shí)施例2的器件的發(fā)光度高。作為使用 壽命的測量結(jié)果，如圖6中所示，顯示了實(shí)施例2的器件比比較實(shí)施 例2的器件具有更好的效果。從這些結(jié)果中可以發(fā)現(xiàn)，與比較實(shí)施例1 的器件相比，實(shí)施例1的器件電子和空穴處于較良好的平衡中。具體 地，從實(shí)施例2的器件得到的結(jié)果顯示，與具有極度顯著的空穴注入 的普通有機(jī)發(fā)光器件相比，空穴注入下降更多以改善過度空穴注入造 成的低發(fā)光效率。其原因是實(shí)施例2的器件具有如圖2左側(cè)所示的帶 結(jié)構(gòu)(band structure),并且在其電子注入層包括具有與丁&205相似的帶 結(jié)構(gòu)或帶階的無機(jī)絕緣層的器件中還可獲得同樣的效果。
比較實(shí)施例3
除了形成八1203層(帶隙為8.8 eV，帶階為2.8 eV，介電常數(shù)為9) 代替Ta20s層，以與實(shí)施例l相同的方式制備器件。測量該器件的正向 電流特性(電子注入能力)結(jié)果，并且結(jié)果顯示于圖7中。
在實(shí)施例1與比較實(shí)施例3的器件的所測量的正向電流特性與反 向電流特性的結(jié)果中，在相同電壓下比較電流額時(shí)，如圖7中所示，
發(fā)現(xiàn)使用丁&205層制備的器件(實(shí)施例l)的正向電流額比使用八1203層 制備的器件(比較實(shí)施例3)高出約1個(gè)級(jí)數(shù)。即，與使用比較實(shí)施例3 的Al203層制備的器件相比，使用實(shí)施例1的丁3205層制備的器件具有 較高的正向電流特性。這些結(jié)果顯示實(shí)施例1的器件比比較實(shí)施例3 的器件具有更好的電子注入能力。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光器件，其中，層壓電子注入電極、至少一層包括發(fā)光層的有機(jī)材料層和空穴注入電極；并且在電子注入電極與有機(jī)材料層之間設(shè)置由帶隙為3.3eV或更大且?guī)щA為0.45eV或更小的材料形成的無機(jī)絕緣層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述無機(jī)絕緣層 為單層或者具有兩層或更多層的多層，其包含選自由Ta20s、 SrTi03、 Pb(Tia55Zra45)03和SrBi2Ta209組成的組中的至少一種；或者由選自由 Ta205 、 BaZr03 、 Zr02 、 Hf02 、 Y203 、 La203 、 ZrSi04 、 SrTi03 、 Pb(TiQ.55Zr。.45)03和SrBi2Ta209組成的組中的至少兩種組成的復(fù)合氧化 物；或者由選自由Ta205、 BaZr03、 Zr02、 Hf02、 Y203、 La203、 ZrSi04、 SrTi03 、 Pb(Ti。.55Zra45)03和SrBi2Ta209組成的組中的至少 一種組成的復(fù) 合氧化物；以及選自BaTi03和Ti02中的至少 一種。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述無機(jī)絕緣層 包含帶階為0.3 eV或更小的材料。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述無機(jī)絕緣層 包含丁3205。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述無機(jī)絕緣層 材料的介電常數(shù)為20或更大。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，所述無機(jī)絕緣層 的厚度為l~10nm。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，與所述無機(jī)絕緣 層相鄰的有機(jī)材料層為n-型有機(jī)材料層。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中，與所述無機(jī)絕緣 層相鄰的有機(jī)材料層為電子傳輸層。
9、 一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，該方法包括形成電子注入電極、 至少一層包括發(fā)光層的有機(jī)材料層和空穴注入電極的步驟，其中，在 形成電子注入電極的步驟與形成有機(jī)材料層的步驟之間進(jìn)行形成無機(jī) 絕緣層的步驟，該無機(jī)絕緣層使用帶隙為3.3 eV或更大且?guī)щA為0.45 eV或更小的材料。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光器件及制備該器件的方法，在該器件中，層壓電子注入電極、至少一層包括發(fā)光層的有機(jī)材料層和空穴注入電極；并且在電子注入電極與有機(jī)材料層之間設(shè)置由帶隙為3.3eV或更大且?guī)щA為0.45eV或更小的材料形成的無機(jī)絕緣層。
文檔編號(hào)H05B33/22GK101375641SQ200780003832
公開日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2007年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月6日
發(fā)明者李政炯 申請(qǐng)人:Lg化學(xué)株式會(huì)社