專利名稱：發(fā)光材料、發(fā)光器件和電子設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及利用電致發(fā)光的發(fā)光元件。本發(fā)明還涉及具有該發(fā)光元件的發(fā) 光器件和電子設備。
背景技術：
最近幾年中，要求電視機、移動電話、數碼相機等中的顯示器件平坦且薄， 并且作為滿足該要求的顯示器件利用自發(fā)光發(fā)光元件的顯示器件已經引起注 意。給出利用電致發(fā)光的發(fā)光元件作為該自發(fā)光發(fā)光元件之一。在該發(fā)光元件 中，發(fā)光材料置于一對電極之間，且來自該發(fā)光材料的光發(fā)射可通過施加電壓 來獲取。
這種自發(fā)光發(fā)光元件的優(yōu)點在于，與液晶顯示器相比，像素的可見度高且 不需要背光，因此被認為適于作為平板顯示元件。此外，這種發(fā)光元件可被制 造得薄且輕，這也是一個很大的優(yōu)點。另外，該發(fā)光元件具有響應速度極快的 特征。
另外，因為這種自發(fā)光發(fā)光元件可被形成為膜形狀，所以能夠通過形成大
面積元件容易地獲取平面發(fā)光。該特性難以通過以白熾燈或LED為代表的點 光源或以熒光燈為代表的線光源來獲取。因此，發(fā)光元件作為可用于照明等的 面光源具有高實用價值。
利用電致發(fā)光的發(fā)光元件可根據發(fā)光材料是有機化合物還是無機化合物 來分類。 一般而言，前者被稱為有機EL元件，后者被稱為無機EL元件。
無機EL元件根據其元件結構可分成分散型無機EL元件和薄膜型無機EL 元件。前者和后者的不同之處在于，前者具有發(fā)光材料的粒子分散于其中的發(fā) 光層，而后者具有由發(fā)光材料的薄膜形成的發(fā)光層。 一般而言，需要高電場以 便從無機EL元件獲取光發(fā)射，且需要將幾百伏特施加于發(fā)光元件。例如，最 近已經開發(fā)出全色顯示器所需的具有高亮度、發(fā)射藍光的無機EL元件，需要
100至200V的驅動電壓(例如，非專利文獻Japanese Journal of Applied Physics, 1999，巻38，第L1291-L1292)。因此，無機EL元件功耗高且難以應用于中等 或小尺寸顯示器，例如移動電話等顯示器。
發(fā)明內容
鑒于以上問題，本發(fā)明的一個目的是提供一種比常規(guī)發(fā)光材料的光發(fā)射強 度高的發(fā)光材料。本發(fā)明的另一個目的是提供一種具有高光發(fā)射效率的發(fā)光元 件。此外，本發(fā)明的另一個目的是提供功耗降低的發(fā)光器件和電子設備。
根據本發(fā)明的一個特征，一種發(fā)光材料具有發(fā)光物質、基體材料和添加劑， 其中該發(fā)光物質是成為發(fā)射中心的元素，且該添加劑是屬于周期表的族14的 元素。
根據本發(fā)明的另一個特征， 一種發(fā)光材料具有發(fā)光物質、基體材料和添加 劑，其中該發(fā)光物質是成為發(fā)射中心的元素，且該添加劑是包含屬于周期表的 族14的兩種或更多種元素的化合物。
根據本發(fā)明的另一個特征， 一種發(fā)光材料具有發(fā)光物質、基體材料和添加 劑，其中該發(fā)光物質是成為發(fā)射中心的元素，且該添加劑是包含各自屬于選自 周期表的族B、族14和族15的不同族的至少兩種或更多種元素的化合物。
根據本發(fā)明的另一個特征， 一種發(fā)光材料具有發(fā)光物質、基體材料和添加 劑，其中該發(fā)光物質是成為發(fā)射中心的元素，且該添加劑是包含各自屬于周期 表的族13、族14或族15的一種或多種元素的化合物。
根據本發(fā)明的另一個特征，該添加劑包含屬于相同族的兩種或更多種元素。
根據本發(fā)明的另一個特征， 一種發(fā)光元件具有第一電極；第二電極；以 及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，該發(fā)光層置于第一電極和第二 電極之間，其中添加劑是屬于周期表的族14的元素。
根據本發(fā)明的另一個特征， 一種發(fā)光元件具有第一電極；第二電極；以 及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，該發(fā)光層置于第一電極和第二 電極之間，其中添加劑是包含屬于周期表的族14的兩種或更多種元素的化合
物。
根據本發(fā)明的另一個特征， 一種發(fā)光元件具有第一電極；第二電極；以 及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，該發(fā)光層置于第一電極和第二
電極之間，其中添加劑是包含各自屬于選自周期表的族13、族14和族15的不
同族的至少兩種或更多種元素的化合物。
根據本發(fā)明的另一個特征， 一種發(fā)光元件具有第一電極；第二電極；以
及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，該發(fā)光層置于第一電極和第二
電極之間，其中添加劑是包含各自屬于周期表的族13或族14的一種或多種元 素的化合物。
根據本發(fā)明的另一個特征， 一種發(fā)光元件具有第一電極；第二電極；以 及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，該發(fā)光層置于第一電極和第二 電極之間，其中添加劑是包含各自屬于周期表的族13或族15的一種或多種元 素的化合物。
根據本發(fā)明的另一個特征， 一種發(fā)光元件具有第一電極；第二電極；以 及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，該發(fā)光層置于第一電極和第二 電極之間，其中添加劑是包含各自屬于周期表的族14或族15的一種或多種元 素的化合物。
根據本發(fā)明的另一個特征， 一種發(fā)光元件具有第一電極；第二電極；以 及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，該發(fā)光層置于第一電極和第二 電極之間，其中添加劑是包含各自屬于周期表的族13、族14或族15的一種或 多種元素的化合物。
在該發(fā)光元件中，可將絕緣層設置在第一電極和發(fā)光層以及第二電極和發(fā) 光層中的任一個或兩者之間
根據本發(fā)明的另一個特征，發(fā)光物質是成為發(fā)射中心的元素。根據本發(fā)明 的另一個特征，基體材料是包含各自屬于周期表的族2A或族6B的至少一種 或多種元素的化合物，或包含各自屬于周期表的族2B或族6B的至少一種或 多種元素的化合物。根據本發(fā)明的另一個特征，發(fā)光物質是錳、銀、銅、衫、 鋱、鉺、銩、銪、鈰或鐠。
具有上述發(fā)光元件的發(fā)光器件包括在本發(fā)明的范疇中。本說明書中的發(fā)光
器件在其范疇中包括圖像顯示器件、發(fā)光器件或光源(包括照明器件)。此外，
發(fā)光器件包括其中諸如FPC(柔性印刷電路)、TAB(帶狀自動接合)帶或TCP(載 帶封裝)之類的連接器附連至形成發(fā)光元件的面板的模塊；TAB帶或TCP的端 部設置有印刷配線板的模塊，或IC(集成電路)通過COG(玻璃上的芯片)方法直 接安裝在發(fā)光元件上的模塊。
此外，其中將本發(fā)明的發(fā)光元件用于顯示部分的電子設備也包括在本發(fā)明 的范圍中。因此，根據本發(fā)明的另一個特征，本發(fā)明的電子設備具有顯示部分， 且該顯示部分設置有上述的發(fā)光元件和用于控制光發(fā)射的控制裝置。 通過本發(fā)明，能夠獲得具有高光發(fā)射強度的發(fā)光材料。 此外，可提供具有高光發(fā)射效率且能夠以低電壓驅動的發(fā)光元件。另外， 通過制造發(fā)光器件和利用該發(fā)光元件的電子設備，能夠降低功耗。再者，不需 要具有高耐壓的驅動電路，因此，能夠以低成本制造發(fā)光器件和電子設備。
附圖簡述 在附圖中-
圖1A和1B是分別解釋本發(fā)明的發(fā)光元件的視圖2A和2B是分別解釋本發(fā)明的發(fā)光器件的視圖3是解釋本發(fā)明的發(fā)光器件的視圖4A至4D是分別解釋本發(fā)明的電子設備的視圖5是解釋本發(fā)明的電子設備的視圖6是解釋本發(fā)明的電子設備的視圖7是解釋本發(fā)明的照明器件的視圖8是解釋本發(fā)明的照明器件的視圖9是解釋實施例2中制造的發(fā)光元件的視圖；以及
圖10是示出實施例2中制造的發(fā)光元件的電壓-亮度特性的曲線圖。
本發(fā)明的最佳實施方式
在下文中，將參考附圖解釋本發(fā)明的實施方式。然而，本發(fā)明不限于以下 的解釋，且本領域中的技術人員容易理解，本發(fā)明的方式和細節(jié)可在不背離本
發(fā)明的目的和范圍的情況下以各種方式修改。因此，本發(fā)明不應被解釋為限于 以下給出的實施方式的描述。 [實施方式1]
在該實施方式中，將參考圖1A和1B解釋本發(fā)明的發(fā)光元件。 如圖1A所示，在該實施方式中示出的發(fā)光元件具有一種元件結構，其中
第一電極101和第二電極105設置在襯底100上，第一絕緣層102和第二絕緣 層104設置在第一電極101和第二電極105之間，而發(fā)光層103設置在第一絕 緣層102和第二絕緣層104之間。將注意到，第一絕緣層102和第二絕緣層104 不是必需的，且可省略它們中的一個或者如圖1B所示可省略兩者。
襯底100用作發(fā)光元件的支承體。例如，可將玻璃、石英、塑料等用于形
成襯底100。此外，還可使用其它材料，只要它們在發(fā)光元件的制造步驟中用 作支承體即可。
金屬、合金、導電化合物及其混合物等可用于形成第一電極101和第二電 極105。具體地，例如，給出氧化銦-氧化錫(也稱為氧化銦錫(ITO));含硅或氧 化硅的氧化銦-氧化錫(ITSO:氧化銦錫硅)；氧化銦-氧化鋅(也稱為氧化銦鋅
(IZO));含氧化鎢和氧化鋅的氧化銦-氧化錫等。例如，氧化銦鋅(IZO)可通過 利用其中將l至20wtn/。的氧化鋅添加到氧化銦中的靶的濺射來形成。同樣，含 氧化鎢和氧化鋅的氧化銦-氧化錫(IWZO)可通過利用其中將0.5至5wt。/。的氧化
鎢和0.1至lwtn/。的氧化鋅添加至氧化銦的耙的濺射來形成。此外，可使用鋁
(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、 鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、金屬材料的氮化物(例如氮化鈦TiN)等。
然而，因為光發(fā)射是通過第一電極101或第二電極105向外射出的，所以 第一電極101和第二電極105中的至少一個需要由光傳輸材料來形成。即使使 用具有低可見光傳輸性的材料，該材料可通過形成具有大于或等于lnm且小于 或等于50nm的厚度——較佳的是大于或等于5nm且小于或等于20nm的厚 度一一而用作光傳輸電極。
本發(fā)明的發(fā)光元件可由DC驅動或AC驅動來操作。當發(fā)光元件由DC驅 動操作時，較佳的是適當地選擇材料，使得用作陽極的電極的逸出功高于用作 陰極的電極的逸出功。然而，材料不限于此。
第一絕緣層102和第二絕緣層104可利用絕緣無機物質或絕緣有機物質來 形成。此外，當使用無機物質時，較佳的是使用具有高介電常數的氧化物或氮 化物。例如，給出鈦酸鍶、鈦酸鋇、釹酸鋰、鈦酸鉛、鈦酸鈣、鈮酸鉀、氮化 硅、氧化硅、氮化鋁、氧化釔、氧化鉭等。作為有機物質，可使用縮醛樹脂、 環(huán)氧樹脂、甲基丙烯酸甲酯、聚酯、聚苯乙烯聚碳酸酯、酚醛樹脂、聚苯乙烯、 聚四氟乙烯、基于雙酚的環(huán)氧樹脂、聚乙烯、聚偏氟乙烯、氰乙基纖維素等。 將注意到，該材料不限于具有高介電常數的材料，只要該材料具有絕緣性質即 可。
發(fā)光層103由至少具有發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光材料形成。作 為添加劑，除屬于族14的元素外，可使用包含各自屬于周期表中從族13、族 14和族15中選出的不同族的至少兩種或更多種元素的化合物。此外，可包含 屬于相同族的兩種或更多種元素。以下示出一個例子。
作為屬于族14的元素，給出碳、硅、鍺、錫和鉛，且它們中的一個可用 作添加劑。另外，可包含屬于族14的兩種或更多種元素，給出碳化硅等作為 一個例子。
作為用作添加劑的包含各自屬于族13或族14的一種或多種元素的典型化 合物，給出碳化鋁、硼化硅等。此外，可包含屬于相同族的兩種或更多種元素。 作為包含各自屬于族13或族15的一種或多種元素的典型化合物，給出氮化鋁、 磷化鋁、砷化鋁、氮化鎵、磷化鎵、砷化鎵、磷化銦、砷化銦、銻化銦等。此 外，類似于砷化鎵銦，可包含屬于相同族的兩種或更多種元素。作為包含各自 屬于族14或族15的一種或多種元素的典型化合物，給出氮化硅等。此外，可 包含屬于相同族的兩種或更多種元素。此外，可使用包含各自屬于族13、族 14或族15的一種或多種元素的化合物。將注意到，這些添加劑相對于基體材 料較佳地以大于或等于0.1mmoin/。且小于或等于10mmoP/?；旌?。
基體材料或發(fā)光物質沒有具體限制。例如，作為基體材料，給出包含各自 屬于族2A或族6B的至少一種或多種元素的化合物。例如，給出氧化鎂、氧 化鈣、氧化鍶、氧化鋇、硫化鎂、硫化鈣、硫化鍶、硫化鋇、硒化鎂、硒化轉、 硒化鍶、硒化鋇、碲化鎂、碲化鈣、碲化鍶、碲化鋇等。同樣，類似于硫化鍶 鋇，可使用包含各自屬于族2A或族6B的一種或多種元素的化合物。此外，
可使用包含各自屬于族2B或族6B的至少一種或多種元素的化合物。例如， 給出氧化鋅、氧化鎘、氧化汞、硫化鋅、硫化鎘、硫化汞、硒化鋅、硒化鎘、 硒化汞、碲化鋅、碲化鎘、碲化汞等。同樣，類似于硫化鋅鎘，可使用包含各 自屬于族2B或族6B的一種或多種元素的化合物。
可將用作發(fā)射中心的物質用作發(fā)光物質。例如，可使用諸如錳、銀、銅、 釤、鋱、鉺、銩、銪、鈰或鐠的金屬元素。此外，除這些金屬元素外，可將諸 如氟、氯、溴或碘的鹵族元素添加至發(fā)光層103用于電荷補償。
此外，除發(fā)光物質、基體材料和添加劑外，發(fā)光層103還可具有氟化銅 (CuF2)、氯化銅(CuCl)、碘化銅(CuI)、溴化銅(CuBr)、氮化銅(Cii3N)、磷化銅 (Cu3P)、氟化銀(AgF)、氯化銀(AgCl)、碘化銀(AgI)、溴化銀(AgBr)、氯化金 (AuCl3)、溴化金(AuBr3)等。
如上所述形成發(fā)光層103的本發(fā)明的發(fā)光材料至少具有發(fā)光物質、基體材 料和添加劑，從而可增加光發(fā)射強度。
第一電極101、第二電極105、發(fā)光層103、第一絕緣層102和第二絕緣 層104可通過從以下選出的適當方法來形成。具體地，可使用諸如電阻加熱蒸 發(fā)法或電子束蒸發(fā)(EB蒸發(fā))法之類的真空蒸發(fā)方法；諸如濺射法之類的物理氣 相沉積(PVD)法；諸如有機金屬CVD法或低壓氫化物傳送CVD法之類的化學 氣相沉積(CVD)法；原子層外延(ALE)法等。此外，可使用噴墨法、旋涂法、 印刷法等?？衫貌煌姆椒ㄐ纬擅總€電極和每層。
例如，當形成發(fā)光層103時，通過稱重發(fā)光物質、基體材料和添加劑，在 研缽中混合并通過在電爐中加熱進行反應的方法獲取的材料可被用作蒸發(fā)材 料。烘焙溫度較佳地大于或等于70(TC且小于或等于150(rC。這是因為在溫度 太低時反應不進行，而在溫度太高時材料分解。盡管烘焙可在粉末狀態(tài)下進行， 但烘焙較佳地在小球狀態(tài)下進行。形成方法不限于此，且發(fā)光層103可通過共 同蒸發(fā)以上材料來形成。此外，形成方法不限于蒸發(fā)且發(fā)光層103可通過從以 上方法中選出的適當方法來形成。更佳的是，在形成發(fā)光層103時或剛形成發(fā) 光層103之后對襯底100進行激光束照射或加熱。
置于第一電極101和第二電極105之間的絕緣層和發(fā)光層103可在本發(fā)明 的發(fā)光元件中混合。
如上所述，可獲得具有高光發(fā)射效率且能夠以低電壓驅動的發(fā)光元件。 將注意到，本實施方式可適當地與其它實施方式結合。 [實施方式2]
在本實施方式中，將解釋具有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件。 在本實施方式中，將解釋其中發(fā)光元件的驅動由晶體管控制的有源發(fā)光器
件。在本實施方式中，將參考圖2A和2B解釋將本發(fā)明的發(fā)光元件用于像素 部分的發(fā)光器件。將注意到，圖2A是示出發(fā)光器件的俯視圖，而圖2B是沿 圖2A的線A-A'和B-B'截取的橫截面圖。附圖標記601指示驅動電路部分(源 側驅動電路)，602指示像素部分，而603指示驅動電路部分(柵側驅動電路部 分)，每一個都由虛線指示。此外，附圖標記604指示密封襯底而605指示密 封劑，由這些和襯底610圍繞的部分是空間607。
引線608是用于將輸入的信號發(fā)送至源側驅動電路601和柵側驅動電路 603的配線。引線608從將成為外部輸入端子的FPC(柔性印刷電路)609接收視 頻信號、時鐘信號、啟動信號復位信號等。將注意到，盡管這里僅示出了FPC， 但可將印刷配線板(PWB)附連至FPC。本說明書中的發(fā)光器件不僅包括發(fā)光器 件本身，還包括FPC或PWB向其附連的狀態(tài)。
接下來，將參考圖2B解釋橫截面結構。盡管驅動電路部分和像素部分形 成于襯底610之上，但這里示出了作為驅動電路部分的源側驅動電路601和像 素部分602中的一個像素。
將注意到，源側驅動電路601由其中組合了 n溝道TFT 623和p溝道TFT 624的CMOS電路形成。此外，包括TFT的驅動電路可利用已知的CMOS、 PMOS或NMOS電路來形成。盡管本實施方式示出其中驅動電路形成于襯底 上的集成類型的驅動器，但這并不總是必需的，且全部或部分外圍驅動電路還 可設置在襯底的外部，而不是襯底上。此外，驅動電路可形成于IC芯片上等， 且IC芯片可通過COG(玻璃上的芯片)等來安裝。
像素部分602由多個像素形成，每個像素包括開關TFT 611、電流控制 TFT612和電連接到電流控制TFT612的漏的第一電極613。此外，形成絕緣 體614以覆蓋第一電極613的端部。這里，絕緣體614使用正型光敏丙烯酸樹 脂膜來形成
為了獲得包括稍后形成的發(fā)光材料的層616的良好沉積覆蓋，將絕緣體
614形成為在其上邊緣部或下邊緣部具有曲率的曲面。例如，在將正型光敏丙 烯酸用作絕緣體614的材料時，較佳地僅使絕緣體614上邊緣部具有曲率半徑 (0.2pm至3pm)的曲面。此外，作為絕緣體614，可使用通過光照射在蝕刻劑 中變得不溶的負型或者通過光照射在蝕刻劑中變得可溶的正型。此外，用于絕 緣體614的材料不限于有機材料和無機材料。例如，可使用氧化硅、氧氮化硅等。
包含發(fā)光材料的層616和第二電極617形成于第一電極613上。包括在層 616中的本發(fā)明的發(fā)光材料至少具有發(fā)光物質、基體材料和添加劑?？墒褂脤?于周期表的族14的元素或包含屬于族14的兩種或更多種元素的化合物、或包 含各自屬于選自族13、族14和族15的不同族的至少兩種或更多種元素的化合 物。此外，第一電極613、包含發(fā)光材料的層616和第二電極617可利用選自 實施方式1中描述的適當材料形成。將注意到，第一電極613和第二電極617 中的至少一個具有光傳輸性質，其光發(fā)射可從電極側向外射出。
可將各種方法用于形成第一電極613、包含發(fā)光材料的層616和第二電極 617。具體地，可使用諸如電阻加熱蒸發(fā)法或電子束蒸發(fā)(EB蒸發(fā))法之類的真 空蒸發(fā)方法；諸如濺射法之類的物理氣相沉積(PVD)法；諸如有機金屬CVD法 或低壓氫化物傳送CVD法之類的化學氣相沉積法；原子層外延(ALE)法等。此 外，可使用噴墨法、旋涂法等?？衫貌煌姆椒ㄐ纬擅總€電極和每層。
密封襯底604和襯底610利用密封劑605彼此附連，從而獲得其中包括第 一電極613、包含發(fā)光材料的層616和第二電極的本發(fā)明的發(fā)光元件618設置 在由襯底610、密封襯底604和密封劑605圍繞的空間607中的結構。此外， 空間607填充有填充劑，但也存在空間607中填充有密封劑605或填充有惰性 氣體(氮、氬等)的情況。
較佳的是將基于環(huán)氧的樹脂用于密封劑605。期望這些材料傳送盡可能少 的氧。作為用于密封襯底604的材料，除玻璃襯底或石英襯底外，可使用由 FRP(玻璃纖維增強塑料)、PVF(聚氟乙烯)、Mylar(邁拉)、聚酯、丙烯酸等形成 的塑料襯底。
如上所述，可獲得具有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件。此外，所獲得的發(fā)
光器件可由DC驅動或AC驅動來驅動。
本實施方式的發(fā)光器件包括具有高光發(fā)射效率并能夠以低電壓驅動的本 發(fā)明的發(fā)光元件。因此，可降低功耗。此外，因為不需要具有高耐壓的驅動電 路，所以可降低制造成本。此外，可降低發(fā)光器件的重量并可減小驅動電路部 分的尺寸。
將注意到，本實施方式可適當地與其它實施方式結合。
在本實施方式中，將參考圖3解釋具有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件。 本實施例中示出的發(fā)光器件是無源型發(fā)光器件，其中在沒有特別提供諸如 晶體管之類驅動元件的情況下在像素部分中驅動發(fā)光元件。圖3中示出應用本 發(fā)明的無源發(fā)光器件的立體圖。此外，該發(fā)光器件可由DC驅動或AC驅動來 驅動。
在圖3中，在襯底951上，含發(fā)光材料的層955被設置在第一電極952 和第二電極956之間。此外，包括在層955中的本發(fā)明的發(fā)光材料至少具有發(fā) 光物質、基體材料和添加劑。作為添加劑，可使用屬于周期表的族14的元素 或包含屬于族14的兩種或更多種元素的化合物、或包含各自屬于選自族13、 族14或族15的不同族的至少兩種或更多種元素的化合物。
第一電極952的邊緣部分覆蓋有絕緣層953。將隔壁層954設置在絕緣層 953上。隔壁層954的側壁具有如此的傾斜，使得側壁之一和另一個之間的距 離朝襯底表面的方向變窄。換言之，隔壁954的短側方向的橫截面是梯形，其 中底部(與絕緣層953接觸的側面)比頂部(與絕緣層953接觸的側面)短。以此 方式，提供隔壁954，從而可防止由于靜電等引起的發(fā)光元件的缺陷。
如上所述，本實施方式的發(fā)光器件具有高光發(fā)射效率并能夠以低電壓驅動 的本發(fā)明的發(fā)光元件。因此，可降低功耗。此外，因為不需要具有高耐壓的驅 動電路，所以可降低制造成本。此外，可降低發(fā)光器件的重量并可減小驅動電 路部分的尺寸。
將注意到，本實施方式可適當地與其它實施方式結合。
在本實施方式中，將解釋應用本發(fā)明的電子設備。將注意到，當電子設備
包括高光發(fā)射效率并能夠以低電壓驅動的發(fā)光元件時，能夠以低成本制造低功 耗的電子設備。
作為應用本發(fā)明的電子設備，給出諸如攝像機或數碼相機之類的相機、 護目鏡型顯示器、導航系統、聲音再現設備(汽車音頻、音頻組件)、計算機、 游戲機、移動信息終端(諸如移動計算機、移動電話、移動游戲機或電子書 等)、配備有記錄介質的圖像再現設備(具體地，用于再現諸如數字通用盤 (DVD)之類的記錄介質并配備有顯示再現圖像的顯示器的設備)等。該電子
設備的特定例子在圖4A至4D中示出。
圖4A示出根據本發(fā)明的電視機，它包括外殼9101、支架底座9102、顯 示部分9103、揚聲器部分9104、視頻輸入端子9105等。將類似于以上實施方 式中解釋的發(fā)光元件的發(fā)光元件排列成矩陣以形成顯示部分9103。包括在發(fā)光 元件中的本發(fā)明的發(fā)光材料至少具有發(fā)光物質、基體材料和添加劑。作為添加 劑，可使用屬于周期表的族14的元素或包含屬于族14的兩種或更多種元素的 化合物、或包含各自屬于選自族13、族14和族15的不同族的至少兩種或更多 種元素的化合物。這種本發(fā)明的發(fā)光元件具有高光發(fā)射效率并能夠以低電壓驅 動。此外，還可防止由于來自外部源的撞擊等引起的短路。因此，顯示部分9103 具有類似的特征，由此，在本電視機中，不存在圖像質量劣化，并可實現低功 耗。由這種特征，可顯著簡化或減少劣化補償功能或電源電路；因此可實現外 殼9101或支架底座9102大小和重量的減小以及成本的降低。在本發(fā)明的電視 機中，實現低功耗、高圖像質量以及大小和重量的減小，因此能夠提供適于生 活環(huán)境的產品。
圖4B示出根據本發(fā)明的計算機，它包括主體9201、外殼9202、顯示部 分9203、鍵盤9204、外部連接端口 9205、指針鼠標9206等。在本計算機中， 將類似于以上實施方式中解釋的發(fā)光元件的發(fā)光元件排列成矩陣以形成顯示 部分9203。包括在發(fā)光元件中的本發(fā)明的發(fā)光材料至少具有發(fā)光物質、基體材 料和添加劑。作為添加劑，可使用屬于周期表的族14的元素或包含屬于族14 的兩種或更多種元素的化合物、或包含各自屬于選自族13、族14和族15的不 同族的至少兩種或更多種元素的化合物。這種本發(fā)明的發(fā)光元件具有高光發(fā)射 效率并能夠以低電壓驅動。此外，還可防止由于來自外部源的撞擊等引起的短
路。包括發(fā)光元件的顯示部分9203具有類似的特征；因此，在本計算機中， 不存在圖像質量劣化并可實現低功耗。由這種特征，在計算機中，可顯著簡化 或減少劣化補償功能或電源電路；因此可實現主體9201或外殼9202大小和重 量的減小或成本的降低。在本發(fā)明的計算機中，實現低功耗、高圖像質量以及 大小和重量的減小，因此能夠提供適于生活環(huán)境的產品。此外，該計算機可被 攜帶，并可提供包括在攜帶時能夠承受來自外部源的撞擊的顯示部分的計算 機。
圖4C示出本發(fā)明的移動電話，它包括主體9401、外殼9402、顯示部分 9403、聲音輸入部分9404、聲音輸出部分9405、操作鍵9406、外部連接端口 9407、天線9408等。在該移動電話中，將類似于以上實施方式中解釋的發(fā)光 元件的發(fā)光元件排列成矩陣以形成顯示部分9403。包括在發(fā)光元件中的本發(fā)明 的發(fā)光材料至少具有發(fā)光物質、基體材料和添加劑。作為添加劑，可使用屬于 周期表的族14的元素或包含屬于族14的兩種或更多種元素的化合物、或包含 各自屬于選自族13、族14和族15的不同族的至少兩種或更多種元素的化合物。 這種本發(fā)明的發(fā)光元件具有高光發(fā)射效率并能夠以低電壓驅動。此外，還可防 止由于來自外部源的撞擊等引起的短路。包括發(fā)光元件的顯示部分9403具有 類似的特征；因此，在該移動電話中，不存在圖像質量劣化并可實現低功耗。 由這種特征，在移動電話中，可顯著簡化或減少劣化補償功能或電源電路；因 此可實現主體9401或外殼9402大小和重量的減小或成本的降低。在本發(fā)明的 移動電話中，實現低功耗、高圖像質量以及大小和重量的減小，因此能夠提供 適于攜帶的產品。此外，能夠提供包括在攜帶時能夠承受撞擊的顯示部分的產 品。此外，可利用本發(fā)明的發(fā)光元件形成操作鍵9406。
圖4D示出本發(fā)明的攝像機，它包括主體9501、顯示部分9502、外殼9503、 外部連接端口 9504、遠程控制接收部分9505、圖像接收部分9506、電池9507、 聲音輸入部分9508、操作鍵9509、目鏡部分9510等。在該攝像機中，將類似 于以上實施方式中解釋的發(fā)光元件的發(fā)光元件排列成矩陣以形成顯示部分 9502。包括在發(fā)光元件中的本發(fā)明的發(fā)光材料至少具有發(fā)光物質、基體材料和 添加劑。作為添加劑，可使用屬于周期表的族14的元素或包含屬于族14的兩 種或更多種元素的化合物、或包含各自屬于選自族13、族14和族15的不同族
的至少兩種或更多種元素的化合物。這種本發(fā)明的發(fā)光元件具有高光發(fā)射效率 并能夠以低電壓驅動。此外，還可防止由于來自外部源的撞擊等引起的短路。 包括發(fā)光元件的顯示部分9502具有類似的特征；因此，在攝像機中，不存在 圖像質量劣化并可實現低功耗。由這種特征，在攝像機中，可顯著簡化或減少 劣化補償功能或電源電路；因此可實現主體9501或外殼9503大小和重量的減 小或成本的降低。在本發(fā)明的攝像機中，實現低功耗、高圖像質量以及大小和 重量的減小，因此能夠提供適于攜帶的產品。此外，能夠提供包括在攜帶時能 夠承受撞擊的顯示部分的產品。另外，可利用本發(fā)明的發(fā)光元件形成操作鍵 9509。
圖5示出音頻再現裝置。具體地是包括主體701、顯示部分702和操作開 關703和704的汽車音頻系統。顯示部分702可利用實施方式2的發(fā)光器件(有 源型)或實施方式3的發(fā)光器件(無源型)來實現。此外，該顯示部分702還可利 用段型發(fā)光器件來形成。在任一種情況下，本發(fā)明的發(fā)光材料的使用使得利用 車輛電源(12-42V)在實現低功耗的同時形成明亮的顯示部分成為可能。盡管在 該實施方式中示出了車內音頻系統，但本發(fā)明可被用于便攜音頻裝置或用于家 庭使用的音頻裝置。
圖6示出數字播放器作為本發(fā)明的一個例子。圖6所示的數字播放器包括 主體710、顯示部分711、存儲器部分712、操作部分713、耳機714等。此外， 可使用頭戴受話機或無線耳機來代替耳機714。顯示部分711可利用實施方 式2的發(fā)光器件(有源型)或實施方式3的發(fā)光器件(無源型)來實現。此外，該 顯示部分711還可利用段型發(fā)光器件來形成。在任一種情況下，本發(fā)明的發(fā)光 材料的使用使得即使利用蓄電池(鎳-氫電池等)也可在實現低功耗的同時顯示 圖像并形成明亮的顯示部分。利用硬盤或非易失性存儲器形成存儲部分712。 例如，使用存儲容量為20至200千兆字節(jié)(GB)的NAND型非易失性存儲器且 數字播放器利用操作部分713來操作，從而可記錄或再現圖像或聲音(音樂)。
將注意到，當在黑背景上顯示白色字符時可降低顯示部分704和顯示部分 711的功耗。這在便攜音頻裝置中尤其有效。
如上所述，本發(fā)明的發(fā)光器件的應用范圍極寬，且該發(fā)光器件可應用于所 有領域的電子設備。本發(fā)明的發(fā)光器件的使用使得提供消耗低電能且具有高可
靠性顯示部分的電子設備成為可能。
此外，本發(fā)明的發(fā)光器件具有高光發(fā)射效率的發(fā)光元件，并且該發(fā)光器件 可用作照明器件。將參考圖7和圖8解釋將本發(fā)明的發(fā)光元件用作照明器件的 一個模式。
圖7示出其中將本發(fā)明的發(fā)光器件用作背光的液晶顯示裝置的例子。圖7
中示出的液晶顯示裝置包括外殼501、液晶層502、背光503和外殼504，且液 晶層502連接至驅動器IC 505。本發(fā)明的發(fā)光器件用于背光503，且通過端子 506向其提供電流。
本發(fā)明的發(fā)光器件用作液晶顯示器的背光，從而可獲得功耗降低的背光。 此外，本發(fā)明的發(fā)光器件作為平面發(fā)射型照明器件是極好的，且放大是可能的。 因此，利用背光的放大，液晶顯示器的放大是可能的。此外，發(fā)光器件薄且消 耗低電能，因此可將顯示器制作得薄，并可降低其功耗。
圖8是其中應用本發(fā)明的發(fā)光器件用作室內照明裝置——即照明設備801 和802的例子。示出了照明設備801固定到天花板和照明設備802嵌入墻內的 模式。本發(fā)明的發(fā)光器件可被放大；因此，該發(fā)光器件可用作大尺寸照明裝置。 此外，本發(fā)明的發(fā)光器件薄且消耗低電能；因此，該發(fā)光器件可用作薄且消耗 低電能的照明裝置。在將應用本發(fā)明的發(fā)光器件用作室內照明設備801的房間 內，提供如圖4A所述的本發(fā)明的電視機400，從而能夠享受公共廣播和電影。 在這種情況下，兩個裝置都消耗低電能；因此可在明亮的房間內欣賞印象深刻 的圖像，而不用擔心電費。
發(fā)光器件不限于本實施方式中所示的照明裝置，且發(fā)光器件可用作各種模 式的照明裝置，包括家庭或公共設施照明。在這種情況下，本發(fā)明的照明設備 具有薄膜狀態(tài)的發(fā)光介質，因此允許很大的設計靈活性；因此，可向市場提供 精巧設計的商品。
將5g硫化鋅(ZnS), 140mg硫化錳和15mg硅在研缽中混合，并將樣本放 入坩堝。坩堝設置在電爐中，且樣本在氮氣氣氛中在15(TC預烘焙一小時。在 預烘焙之后，將電爐的溫度設置為IOO(TC，且樣本在其中烘焙4小時。之后， 收集烘焙樣本，利用醋酸、臭氧水、氰化鉀(KCN)溶液等去除雜質，并用純水
清洗樣本。之后，進行產品的過濾，所得產品在10(TC下干燥4小時。 [比較例1]
將5g硫化鋅(ZnS)， 140mg硫化錳在研缽中混合，并將樣本放入坩堝。坩 堝設置在電爐中，且樣本在氮氣氣氛中在15(TC預烘焙一小時。在預烘焙之后， 將電爐的溫度設置為IOO(TC，且樣本在其中烘焙4小時。之后，收集烘焙樣本， 利用醋酸、臭氧水、KCN溶液等去除雜質，并用純水清洗樣本。之后，進行 產品的過濾，所得產品在IO(TC下干燥4小時。
利用波長為356nm的光照射如上所述的樣本，以便激發(fā)，并進行樣本的 視覺比較。結果，發(fā)現在實施例l中制作的添加硅的樣本的發(fā)光強度比未添加 硅的樣本的發(fā)光強度高。因此，在將包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的材料 用于發(fā)光材料時，可增大光發(fā)射強度。
[實施例2〗
將10 g硫化鋅(ZnS)， O.Olg硫化銅和0.467 g氯化鎂和0.207g氯化鈉在研 缽中混合，并將樣本放入氧化鋁坩堝。坩堝設置在電爐中，且樣本在氮氣氣氛 中在15(TC預烘焙一小時。在預烘焙之后，將電爐的溫度設置為IIOO'C，且樣 本在其中在氮氣氣氛下烘焙4小時。之后，收集烘焙樣本并用純水清洗。然后， 將通過過濾獲得的產品在真空中18(TC下干燥2小時。由此，獲得了ZnS:Cu， Cl。
此外，將3g所獲得的ZnS:Cu， Cl和以1原子％包含在ZnS中的一種屬于 周期表的族14的元素在研缽中混合，并將樣本放入氧化鋁柑堝中。將注意到， C、 Ge或Si中的任一個用作屬于周期表的族14的元素。在使用C的情況下， 使用0.0037g的C;在使用Ge的情況下，使用0.0223g的Ge;在使用Si的情 況下，使用0.0086g的Si。接下來，放入了樣本的坩堝被設置在電爐中，且樣 本在氮氣氣氛下15(TC預烘焙一小時。在預烘焙之后，將電爐的溫度設置為1100 °C，且樣本在其中的氮氣氣氛下烘焙4小時。之后，收集烘焙樣本并用純水清 洗。然后，將通過過濾獲得的產品在真空中18(TC下干燥2小時，從而獲得了 本發(fā)明的發(fā)光材料。
利用如上所述制作的發(fā)光材料形成發(fā)光元件。在下文中，將參考圖9解釋 該方法。
首先，在玻璃襯底200上，通過濺射方法形成厚度為110nm的ITO膜， 從而獲得第一電極201。
通過將如上所述制作的發(fā)光材料添加至二甲基甲酰胺(DMF)溶液并攪拌以 使其溶解而獲得的溶液——即溶解的溶液被涂覆到第一電極201上，在DMF溶 液中溶解了氰基樹脂(由Shin-Etsu化學有限公司制造)。之后溶液在120'C下干 燥一小時以形成發(fā)光層202。將注意到，氰基樹脂與各種發(fā)光材料的重量比被 設置成1:3 (=氰基樹脂:發(fā)光材料)，且形成厚度為50pm的發(fā)光層202。
接下來，將鈦酸鋇添加至其中溶解了氰基樹脂的DMF溶液，并攪拌該溶 液。將溶解的溶液涂覆在發(fā)光層202上，溶液在12(TC下干燥1小時以形成絕 緣層203。將注意到，氰基樹脂與鈦酸鋇的重量比被設為1:3(=氰基樹脂:鈦酸 鋇)，且絕緣層203的厚度是50pm。
在絕緣層203上使用Ag漿以形成第二電極204。
如上所述，發(fā)光層202和絕緣層203順序地層疊在第一電極201和第二電 極204之間，從而形成各自具有不同發(fā)光材料的三種發(fā)光元件。此外，作為包 括在每個發(fā)光元件中的發(fā)光材料，可使用向其添加C的ZnS:Cu，Cl、向其添加 Ge的ZnS:Cu, Cl和向其添加Si的ZnS:Cu，Cl。此外，作為比較例，形成使用 不向其添加屬于周期表的族14的元素的ZnS:Cu, Cl作為發(fā)光材料的發(fā)光元件， 即，比較元件。此外，除使用的發(fā)光材料不同外，類似于上述物質和方法的物 質和方法用于形成發(fā)光元件。
圖10示出如上所述向其施加具有正弦波頻率f為1000(Hz)的AC電壓所獲 得的每一個發(fā)光元件的電壓-亮度特性的結果。將注意到，在圖10中，水平軸 指示電壓(V)，垂直軸指示亮度(cd/m2)。
根據圖IO，發(fā)現，與利用不包括屬于周期表的族14的元素中的一種的發(fā) 光材料形成的發(fā)光元件——即比較元件——不同，利用向其添加屬于周期表的 族14的元素的發(fā)光材料形成的發(fā)光元件的亮度在添加這些元素中的一種的每 種情況下都增加。將注意到，當使用向其添加屬于周期表的族14的元素的發(fā) 光材料時，在該實施例中制造的發(fā)光元件的亮度與比較元件相比增加約5至9 倍。
因此，發(fā)現光發(fā)射強度可由本發(fā)明增加。
本申請基于2006年3月3日提交到日本專利局的日本專利申請第 2006-058758號，其整個內容通過引用結合于此。
權利要求
1. 一種發(fā)光材料，包括發(fā)光物質；基體材料；以及添加劑，其中所述發(fā)光物質是成為發(fā)射中心的元素，以及其中所述添加劑是選自周期表的族14的元素。
2. —種發(fā)光材料，包括 發(fā)光物質； 基體材料；以及 添加劑，其中所述發(fā)光物質是成為發(fā)射中心的元素，以及其中所述添加劑是包含選自周期表的族14的兩種或更多種元素的化合物。
3. —種發(fā)光材料，包括 發(fā)光物質； 基體材料；以及添加劑，其中所述發(fā)光物質是成為發(fā)射中心的元素，以及其中所述添加劑是包含各自屬于選自周期表的族13、族14和族15的不 同族的至少兩種或更多種元素的化合物。
4. 如權利要求3所述發(fā)光材料，其特征在于，所述添加劑包含屬于同一 族的兩種或更多種元素。
5. —種發(fā)光材料，包括 發(fā)光物質； 基體材料；以及 添加劑，其中所述發(fā)光物質是成為發(fā)射中心的元素，以及其中所述添加劑是包含周期表的族13、族14和族15中每一個的至少一種元素的化合物。
6. 如權利要求5所述發(fā)光材料，其特征在于，所述添加劑包含屬于同一族的兩種或更多種元素。
7. —種發(fā)光器件，包括 第一電極； 第二電極；以及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，所述發(fā)光層置于所述第一電極和所述第二電極之間，其中所述添加劑是選自周期表的族14的元素。
8. 如權利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，將絕緣層設置在所述發(fā)光層與所述第一電極和所述第二電極中的至少一個之間。
9. 如權利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是將成為發(fā)射中心的元素。
10. 如權利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述基體材料是包含周期表的族2A和族6B中每一個的至少一種元素的化合物，或包含周期表的族 2B和族6B中每一個的至少一種元素的化合物。
11. 如權利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是錳、銀、 銅、衫、鋱、鉺、銩、銪、鈰、鐠。
12. —種發(fā)光器件，包括 第一電極；第二電極；以及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，所述發(fā)光層置于所述第一電極和所述第二電極之間，其中所述添加劑是包含選自周期表的族14的兩種或更多種元素的化合物。
13. 如權利要求12所述的發(fā)光器件，其特征在于，將絕緣層設置在所述發(fā)光層與所述第一電極和所述第二電極中的至少一個之間。
14. 如權利要求12所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是將成為發(fā)射中心的元素。
15. 如權利要求12所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述基體材料是包含 周期表的族2A和族6B中每一個的至少一種元素的化合物，或包含周期表的 族2B和族6B中每一個的至少一種元素的化合物。
16. 如權利要求12所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是錳、 銀、銅、衫、鋱、鉺、銩、銪、鈰、鐠。
17. —種發(fā)光器件，包括-第一電極；第二電極；以及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，所述發(fā)光層置于所述第一電 極和所述第二電極之間，其中所述添加劑是包含各自屬于選自周期表的族13、族14和族15的不 同族的至少兩種或更多種元素的化合物。
18. 如權利要求17所述的發(fā)光器件，其特征在于，將絕緣層設置在所述 發(fā)光層與所述第一電極和所述第二電極中的至少一個之間。
19. 如權利要求17所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是將成 為發(fā)射中心的元素。
20. 如權利要求17所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述基體材料是包含 周期表的族2A和族6B中每一個的至少一種元素的化合物，或包含周期表的 族2B和族6B中每一個的至少一種元素的化合物。
21. 如權利要求17所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是錳、 銀、銅、衫、鋱、鉺、銩、銪、鈰、鐠。
22. —種發(fā)光器件，包括 第一電極；第二電極；以及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，所述發(fā)光層置于所述第一電 極和所述第二電極之間，其中所述添加劑是包含周期表的族13和族14的每一個的至少一種元素的 化合物。
23. 如權利要求22所述的發(fā)光器件，其特征在于，將絕緣層設置在所述 發(fā)光層與所述第一電極和所述第二電極中的至少一個之間。
24. 如權利要求22所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是將成 為發(fā)射中心的元素。
25. 如權利要求22所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述基體材料是包含 周期表的族2A和族6B中每一個的至少一種元素的化合物，或包含周期表的 族2B和族6B中每一個的至少一種元素的化合物。
26. 如權利要求22所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是錳、 銀、銅、衫、鋱、鉺、銩、銪、鈰、鐠。
27. —種發(fā)光器件，包括 第一電極；第二電極；以及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，所述發(fā)光層置于所述第一電 極和所述第二電極之間，其中所述添加劑是包含周期表的族13和族15的每一個的至少一種元素的 化合物。
28. 如權利要求27所述的發(fā)光器件，其特征在于，將絕緣層設置在所述 發(fā)光層與所述第一電極和所述第二電極中的至少一個之間。
29. 如權利要求27所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是將成 為發(fā)射中心的元素。
30. 如權利要求27所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述基體材料是包含 周期表的族2A和族6B中每一個的至少一種元素的化合物，或包含周期表的 族2B和族6B中每一個的至少一種元素的化合物。
31. 如權利要求27所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是錳、 銀、銅、衫、鋱、鉺、銩、銪、鈰、鐠。
32. —種發(fā)光器件，包括 第一電極；第二電極；以及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，所述發(fā)光層置于所述第一電 極和所述第二電極之間，其中所述添加劑是包含周期表的族14和族15的每一個的至少一種元素的化合物。
33. 如權利要求32所述的發(fā)光器件，其特征在于，將絕緣層設置在所述 發(fā)光層與所述第一電極和所述第二電極中的至少一個之間。
34. 如權利要求32所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是將成 為發(fā)射中心的元素。
35. 如權利要求32所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述基體材料是包含 周期表的族2A和族6B中每一個的至少一種元素的化合物，或包含周期表的 族2B和族6B中每一個的至少一種元素的化合物。
36. 如權利要求32所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是錳、 銀、銅、衫、鋱、鉺、銩、銪、鈰、鐠。
37. —種發(fā)光器件，包括 第一電極；第二電極；以及包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑的發(fā)光層，所述發(fā)光層置于所述第一電 極和所述第二電極之間，其中所述添加劑是包括周期表的族13、族14和族15中每一個的至少一 種元素的化合物。
38. 如權利要求37所述的發(fā)光器件，其特征在于，將絕緣層設置在所述 發(fā)光層與所述第一電極和所述第二電極中的至少一個之間。
39. 如權利要求37所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是將成 為發(fā)射中心的元素。
40. 如權利要求37所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述基體材料是包含 周期表的族2A和族6B中每一個的至少一種元素的化合物，或包含周期表的 族2B和族6B中每一個的至少一種元素的化合物。
41. 如權利要求37所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光物質是錳、 銀、銅、衫、鋱、鉺、銩、銪、鈰、鐠。
全文摘要
本發(fā)明的一個目的是提供一種高光發(fā)射強度的發(fā)光材料。另一個目的是提供一種高光發(fā)射效率的發(fā)光元件。此外，又一個目的是提供降低功耗的發(fā)光器件和電子設備。一種發(fā)光材料至少包含發(fā)光物質、基體材料和添加劑，該添加劑是屬于周期表的族14的元素或包含屬于族14的兩種或更多種元素的化合物、或包含各自屬于選自族13、族14和族15的不同組的至少兩種或更多種元素的化合物。由于該發(fā)光材料，能夠獲得具有高光發(fā)射效率并能以低電壓驅動的發(fā)光元件和電子設備。
文檔編號H05B33/14GK101389731SQ20078000642
公開日2009年3月18日 申請日期2007年2月9日 優(yōu)先權日2006年3月3日
發(fā)明者坂田淳一郎, 山本孔明, 川上貴洋, 橫山浩平 申請人:株式會社半導體能源研究所