專利名稱：線路板與線路結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種線路結(jié)構(gòu)的制造方法以及具有前述線路結(jié)構(gòu)的
線路板，且特別是有關(guān)于一種使用二次半加成法(half additive process) 的線路結(jié)構(gòu)的制造方法以及具有前述線路結(jié)構(gòu)的線路板。
背景技術(shù)：
隨著科技進(jìn)步，手機(jī)(cellular phone)、筆記型計算機(jī)(notebook PC) 以及個人數(shù)字助理機(jī)(personal digital assistant, PDA)等電子產(chǎn)品已 普遍地在現(xiàn)代社會中。在這些電子產(chǎn)品的必要零件中，除了芯片(chip)與 被動元件(passive component)等電子元件(electric device)之夕卜，7承載 與配置這些芯片與被動元件的線路板也是不可或缺的重要零件。
線路板可依實(shí)際需求而配置有單層或多層線路層。當(dāng)線路板具有多層 線路層時，這些線路層可由多個鍍通孔(plating through hole)而相互連 接。鍍通孔就是在線路板的貫孔內(nèi)壁覆蓋一層導(dǎo)電孔層，且導(dǎo)電孔層可連 接至少兩層線路層。
于已知技術(shù)中，制作線路板的線路層與鍍通孔的方法如下所述。首先， 提供一基板，其具有一介電層以及分別配置于介電層上下兩側(cè)的二第一導(dǎo) 電層。接著，在基板中形成多個貫孔。之后，在基板的表面與貫孔的內(nèi)壁 上全面形成一種子層，并在種子層上全面形成一第二導(dǎo)電層。然后，在貫 孔內(nèi)填入塞孔材料(stuffing material),以形成一塞孔柱(stuff ing pillar)。接著，研磨塞孔柱與第二導(dǎo)電層，以使兩者的表面齊平。之后， 以減成法(subtractive process)圖案化第一與第二導(dǎo)電層，以分別于介 電層的上下兩側(cè)形成二線路層。而且，第二導(dǎo)電層的位于貫孔內(nèi)的部分即 為前述的導(dǎo)電孔層。然而，由于減成法完全是以蝕刻的方式形成線路層，因此以減成法所 形成的線路層的圖案的精準(zhǔn)度較差而不利于細(xì)線路的制作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法是由二次半加成的方法制作線 路結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明另提出一種線路板，其具有以二次半加成的方法所形成的線路 結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提出一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法如下所述。首先，提供一基板，
基板包括一基材、 一第一導(dǎo)電材料層、 一第一蝕刻終止層(etching stop layer)、 一導(dǎo)電層與一塞孔柱?；木哂幸坏谝槐砻嬉约爸辽僖回灴?，貫 孔的一第一開放端位于第一表面，第一導(dǎo)電材料層配置于第一表面上。第 一蝕刻終止層覆蓋第一導(dǎo)電材料層，導(dǎo)電層配置于第一蝕刻終止層與貫孔 內(nèi)壁上，且導(dǎo)電層包括一覆蓋貫孔的內(nèi)壁的導(dǎo)電孔層。塞孔柱填充于貫孔 中，且導(dǎo)電孔層配置于塞孔柱與基材之間。
接著，移除導(dǎo)電層的覆蓋第一表面的部分、第一蝕刻終止層與第一導(dǎo) 電材料層，此時塞孔柱會高于基材表面，且塞孔柱的高度可由控制第一導(dǎo) 電材料層的厚度來控制。然后，移除導(dǎo)電孔層的鄰近第一開放端的部分， 以使導(dǎo)電孔層完全位于貫孔內(nèi)。之后，形成一第一線路層，第一線路層與 導(dǎo)電孔層之間有一第一界面，且第一界面位于貫孔內(nèi)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，基板還包括一第一種子層，其覆蓋第一蝕刻 終止層與貫孔內(nèi)壁，且導(dǎo)電層配置于第一種子層上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在形成第一線路層之前，還包括于第一表面、 導(dǎo)電孔層與塞孔柱上形成一第二種子層，以及于第二種子層上形成一第一 圖案化掩膜層，且第一圖案化掩膜層具有多個第一開口，第一線路層是形 成在第一開口中并位于第二種子層上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，移除導(dǎo)電層的覆蓋第一表面的部分、蝕刻終 止層與第一導(dǎo)電材料層的方法如下所述。首先，于貫孔上方形成一第一蝕 刻掩膜層，第一蝕刻掩膜層覆蓋塞孔柱與部分導(dǎo)電層。接著，移除導(dǎo)電層 的未被第一蝕刻掩膜層覆蓋的部分。然后，移除第一蝕刻掩膜層。之后，移除部分導(dǎo)電層與部分塞孔柱，以使導(dǎo)電層的一端面以及塞孔柱的一端面 與第一蝕刻終止層的一表面實(shí)質(zhì)上齊平。接著，移除第一蝕刻終止層。然 后，移除第一導(dǎo)電材料層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，基板的形成方法如下所述。首先，提供一介 電層與第一導(dǎo)電材料層，且第一導(dǎo)電材料層配置于介電層上。接著，于介 電層與第一導(dǎo)電材料層中形成至少一貫孔。然后，于第一導(dǎo)電材料層上形 成第一蝕刻終止層。之后，于第一蝕刻終止層以及貫孔內(nèi)壁上形成一導(dǎo)電 層。然后，于貫孔內(nèi)填入一塞孔材料，以形成塞孔柱。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，基材還具有一第二表面，第二表面相對于第 一表面，且貫孔的一第二開放端位于第二表面，基板還包括一第二導(dǎo)電材 料層與一第二蝕刻終止層，第二導(dǎo)電材料層覆蓋基材的第二表面，第二蝕 刻終止層覆蓋第二導(dǎo)電材料層，線路結(jié)構(gòu)的制作方法如下所述。當(dāng)移除導(dǎo) 電層的覆蓋第一表面的部分、第一蝕刻終止層與第一導(dǎo)電材料層時，移除 導(dǎo)電層的覆蓋第二表面的部分、第二蝕刻終止層與第二導(dǎo)電材料層。接著， 移除導(dǎo)電孔層的鄰近第二開放端的部分，以使導(dǎo)電孔層完全位于貫孔內(nèi)。 當(dāng)形成第一線路層時，形成一第二線路層，且第二線路層與導(dǎo)電孔層之間 有一第二界面，第二界面位于貫孔內(nèi)。
本發(fā)明提出一種線路板包括一基材、 一導(dǎo)電孔層、 一塞孔柱與一第一 線路層?；木哂幸坏谝槐砻媾c至少一貫孔，且貫孔的一第一開放端位于 第一表面。導(dǎo)電孔層配置于貫孔的內(nèi)壁上。塞孔柱填充于貫孔中，且導(dǎo)電 孔層位于基材與塞孔柱之間。第一線路層配置于基材的第一表面、塞孔柱 與導(dǎo)電孔層上，且第一線路層與導(dǎo)電孔層之間有一第一界面，第一界面位 于貫孔內(nèi)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一線路層的鄰近第一開放端的部分延伸至 貫孔內(nèi)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，線路板還包括一第一圖案化種子層與一第二 圖案化種子層。第一圖案化種子層配置于導(dǎo)電孔層與基材之間。第二圖案 化種子層位于第一線路層與基材之間、第一線路層與塞孔柱之間以及第一 線路層與導(dǎo)電孔層與第一圖案化種子層之間，而且第二圖案化種子層位于 第一界面上并分隔第一線路層與導(dǎo)電孔層。
7在本發(fā)明的一實(shí)施例中，基材還具有一第二表面，第二表面相對于第 一表面，且貫孔的一第二開放端位于第二表面，線路板還包括一第二線路 層，其配置于基材的第二表面、塞孔柱與導(dǎo)電孔層上，且第二線路層與導(dǎo) 電孔層之間有一第二界面，第二界面位于貫孔內(nèi)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二線路層的鄰近第二開放端的部分延伸至 貫孔內(nèi)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，線路板還包括一第三圖案化種子層，其位于 第二線路層與基材之間、第二線路層與塞孔柱之間以及第二線路層與導(dǎo)電 孔層之間，而且第三圖案化種子層位于第二界面上并分隔第二線路層與導(dǎo) 電孔層。
承上所述，由于本發(fā)明是以二次半加成的方式形成線路結(jié)構(gòu)，因此本 發(fā)明的第一與第二線路層所具有的圖案分辨率較佳，進(jìn)而有利于細(xì)線路的 制作。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉 實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下，其中
圖1A 圖1N繪示本發(fā)明一實(shí)施例的線路結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖。
圖2繪示本發(fā)明一實(shí)施例的線路板的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖1A 圖1N繪示本發(fā)明一實(shí)施例的線路結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意 圖。 .
首先，請參照圖1E，提供一基板S，而形成基板S的其中一種方法則 如圖1A 圖1E所示。請參照圖1A，首先，提供一介電層110、 一第一導(dǎo) 電材料層120與一第二導(dǎo)電材料層130。介電層110具有一第一表面112 與一第二表面114，且第一導(dǎo)電材料層120與第二導(dǎo)電材料層130分別配 置于介電層110的第一表面112與第二表面114上。
然后，請參照圖1B，于介電層110與第一及第二導(dǎo)電材料層120、 130
8中形成至少一貫孔T，以使介電層110成為基材210。貫孔T具有一第一 開放端Tl與一第二開放端T2，且第一開放端Tl與第二開放端T2分別位 于第一表面112與第二表面114。此外，形成貫孔T的方法例如是機(jī)械鉆 孔或是其它適合的鉆孔方法。接著，于第一導(dǎo)電材料層120與第二導(dǎo)電材 料層130上分別形成一第一蝕刻終止層El與一第二蝕刻終止層E2。
之后，請參照圖1C，于第一蝕刻終止層E1、第二蝕刻終止層E2以及 貫孔T內(nèi)壁上形成一第一種子層220a。接著，于第一種子層220a上形成 一導(dǎo)電層C。導(dǎo)電層C包括一導(dǎo)電孔層230，且導(dǎo)電孔層230覆蓋貫孔T 的內(nèi)壁。值得注意的是，形成第一種子層220a，并在其上形成導(dǎo)電層C 是本實(shí)施例的第一次半加成。
然后，請參照圖1D，于貫孔T內(nèi)填入一塞孔材料，以形成塞孔柱240a， 塞孔柱240a例如是突出于貫孔T之外。請參照圖1E，于本實(shí)施例中，在 形成塞孔柱240a之后還可移除部分塞孔柱240a與部分導(dǎo)電層C，以使塞 孔柱240的一端面240b與導(dǎo)電層C的表面Sl實(shí)質(zhì)上齊平，而且移除部分 塞孔柱240a與部分導(dǎo)電層C的方法例如是研磨。于本實(shí)施例中，基材210、 第一導(dǎo)電材料層120、第二導(dǎo)電材料層130、導(dǎo)電層C、第一蝕刻終止層 El、第二蝕刻終止層E2與塞孔柱240構(gòu)成基板S。
接著，請參照圖1F，于貫孔T的上方與下方分別形成一第一蝕刻掩膜 層Bl與一第二蝕刻掩膜層B2，第一與第二蝕刻掩膜層Bl、 B2覆蓋塞孔柱 240與部分導(dǎo)電層C。然后，請參照圖1G，移除位于第一表面112上的導(dǎo) 電層C與第一種子層220a的未被第一蝕刻掩膜層Bl覆蓋的部分，以及移 除位于第二表面114上的導(dǎo)電層C與第一種子層220a的未被第二蝕刻掩 膜層B2覆蓋的部分。之后，移除第一與第二蝕刻掩膜層B1、 B2。
接著，請參照圖1H，移除部分導(dǎo)電層C、部分第一種子層220a與部 分塞孔柱240，以使第一種子層220a成為一第一圖案化種子層220，并使 導(dǎo)電層C的一端面Cl、第一圖案化種子層220的一端面222以及塞孔柱 240的一端面242與第一蝕刻終止層El的一表面S2實(shí)質(zhì)上齊平。
此外，于本實(shí)施例中，移除部分導(dǎo)電層C、部分第一種子層220a與部 分塞孔柱240可使導(dǎo)電層C的另一端面C2、第一圖案化種子層220的另一 端面224以及塞孔柱240的另一端面244與第二蝕刻終止層E2的一表面S3實(shí)質(zhì)上齊平。于本實(shí)施例中，移除部分導(dǎo)電層C、部分第一種子層220a 與部分塞孔柱240的方法包括研磨。
然后，請參照圖II，移除第一與第二蝕刻終止層El、 E2。此時，塞 孔柱240會凸出于基材210的第一表面112與第二表面114之外，且可由 控制第一導(dǎo)電材料層120的厚度以及第二導(dǎo)電材料層130的厚度，以 空制 塞孔柱240的凸出于第一表面112的高度與第二表面114的高度。
然后，請參照圖1J，移除第一與第二導(dǎo)電材料層120、 130。換言之， 全面移除位于第一與第二表面112、 114上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。而且，移除導(dǎo)電 層C、第一與第二導(dǎo)電材料層120、 130與第一種子層220a的方法例如為 蝕刻。
此外，于本實(shí)施例中，在移除導(dǎo)電層C的覆蓋第一與第二表面112、 114的部分時，還可移除導(dǎo)電孔層230與第一圖案化種子層220的鄰近第 一開放端Tl與第二開放端T2的部分。
之后，請參照圖1K，在本實(shí)施例中，可于第一表面112、導(dǎo)電孔層230、 第一圖案化種子層220與塞孔柱240上形成一第二種子層250a，并且于第 二表面114、導(dǎo)電孔層230、第一圖案化種子層220與塞孔柱240上形成 一第三種子層260a。而且，形成第二種子層250a與第三種子層260a的方 法可為無電鍍法，且無電鍍法例如是化學(xué)鍍或是濺鍍。
此外，于本實(shí)施例中，在移除導(dǎo)電孔層230與第一圖案化種子層220 的鄰近第一開放端T1與第二開放端T2的部分之后，接著形成的第二種子 層250a與第三種子層260a還可覆蓋貫孔T的內(nèi)壁。
接著，請參照圖1L，于第二種子層250a與第三種子層260a上分別形 成一第一圖案化掩膜層Ml與一第二圖案化掩膜層M2。第二種子層250a 藉由第一圖案化掩膜層Ml區(qū)分為一第一區(qū)塊Al與一第二區(qū)塊A2，其中第 一圖案化掩膜層Ml覆蓋第一區(qū)塊Al，且第一圖案化掩膜層Ml具有多個第 一開口0P1以暴露出第二區(qū)塊A2。換言之，第一圖案化掩膜層M1覆蓋第 一區(qū)塊A1并暴露出第二區(qū)塊A2。
第三種子層260a藉由第二圖案化掩膜層M2區(qū)分為一第三區(qū)塊A3與 一第四區(qū)塊A4，其中第二圖案化掩膜層M2覆蓋第三區(qū)塊A3，且第二圖案 化掩膜層M2具有多個第二開口 0P2以暴露出第四區(qū)塊A4。換言之，第二圖案化掩膜層M2覆蓋第三區(qū)塊A3并暴露出第四區(qū)塊A4。
然后，請參照圖1M，于第二區(qū)塊A2以及第四區(qū)塊A4上分別形成一第 一線路層270與一第二線路層280，且第一線路層270與導(dǎo)電孔層230之 間有一第一界面II，第二線路層280與導(dǎo)電孔層230之間有一第二界面 12。值得注意的是，由于導(dǎo)電孔層230完全位于貫孔T內(nèi)，因此，第一界 面II與第二界面12亦位于貫孔T內(nèi)。
形成第一線路層270與第二線路層280的方法例如是電鍍法。值得注 意的是，形成第二與第三種子層250a、 260a，并分別于其上形成第一與第 二線路層270、 280是本實(shí)施例的第二次半加成。
之后，請參照圖1N，移除第一圖案化掩膜層M1與第二圖案化掩膜層 M2，以暴露出第一區(qū)塊Al與第三區(qū)塊A3。然后，移除第二種子層250a 的第一區(qū)塊Al與第三種子層260a的第三區(qū)塊A3，以分別形成為第二圖案 化種子層250與第三圖案化種子層260，其中移除第一與第三區(qū)塊A1、 A3 的方法包括蝕刻。
由前述可知，相較于已知技術(shù)是以一次半加成法與一次減成法形成線 路結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例是以二次半加成的方式形成線路結(jié)構(gòu)。由于以半加成法 所形成的線路層的圖案的精準(zhǔn)度較佳，因此本實(shí)施例所形成的第一與第二 線路層270、 280可具有較佳的圖案分辨率。如此一來，本實(shí)施例的線路 結(jié)構(gòu)的制作方法將有利于細(xì)線路的制作。此外，相較于已知的接墊僅可配 置于塞孔柱周邊的基材上，本實(shí)施例的第一與第二線路層270、 280可以 半加成的方式形成在塞孔柱240上，以增加接墊的面積并減少接墊在基材 210上所占的面積。
以下則將針對圖1N中的線路板的結(jié)構(gòu)方面作詳細(xì)地描述。
圖2繪示本發(fā)明一實(shí)施例的線路板的剖面示意圖。
請參照圖2，本實(shí)施例的線路板200包括一基材210、一導(dǎo)電孔層230、 一第一圖案化種子層220、 一塞孔柱240、 一第一線路層270、 一第二圖案 化種子層250、 一第二線路層280以及第三圖案化種子層260。
基材210具有一第一表面212、 一第二表面214與至少一貫孔T，其 中第一表面212相對于第二表面214，且貫孔T的一第一開放端Tl與一第 二開放端T2分別位于第一表面212與第二表面214。也就是說，貫孔T貫通第一表面212與第二表面214。導(dǎo)電孔層230配置于貫孔T的內(nèi)壁上， 而第一圖案化種子層220配置于導(dǎo)電孔層230與基材210之間，且導(dǎo)電孔 層230的材質(zhì)例如是銅或是其它適合的導(dǎo)電材料。
塞孔柱240填充于貫孔T中，且導(dǎo)電孔層230位于第一圖案化種子層 220與塞孔柱240之間。于本實(shí)施例中，塞孔柱240突出于基材210的第 一表面212與第二表面214。此外，于其它未繪示實(shí)施例中，塞孔柱240 也可以是與第一表面212及第二表面214實(shí)質(zhì)上齊平。塞孔柱240的材質(zhì) 可為絕緣材料或是其它適合的塞孔材料。
第一線路層270配置于基材210的第一表面212、塞孔柱240、導(dǎo)電
孔層230與第一圖案化種子層220上，其中第一線路層270與導(dǎo)電孔層230 可為各自成型，因此在第一線路層270與導(dǎo)電孔層230之間存在一第一界 面Il。
于本實(shí)施例中，第一線路層270的鄰近第一開放端Tl的部分可延伸 至貫孔T內(nèi)，因此第一界面I1可位于貫孔T內(nèi)。于其它未繪示實(shí)施例中， 第一線路層270的鄰近第一開放端Tl的部分可僅位于貫孔T上，換言之， 第一界面II可位于貫孔T上，且與基材210的第一表面212實(shí)質(zhì)上齊平。
第二圖案化種子層250位于第一線路層270與基材210之間、第一線 路層270與塞孔柱240之間以及第一線路層270與導(dǎo)電孔層230與第一圖 案化種子層220之間。換言之，第二圖案化種子層250具有與第一線路層 270實(shí)質(zhì)上相同的圖案，且第一線路層270與第二圖案化種子層250重合。
此外，第二圖案化種子層250位于第一界面n上并分隔第一線路層 270與導(dǎo)電孔層230。于本實(shí)施例中，第二圖案化種子層250還可分隔第 一線路層270與第一圖案化種子層220，其中第一圖案化種子層220與第 二圖案化種子層250可為各自成型，且兩者的材質(zhì)可以是相同或不同。
第二線路層280配置于基材210的第二表面214、塞孔柱240、導(dǎo)電 孔層230與第一圖案化種子層220上，其中第二線路層280與導(dǎo)電孔層230 可為各自成型，因此第二線路層280與導(dǎo)電孔層230之間存在一第二界面 12。
此外，于本實(shí)施例中，第二線路層280的鄰近第二開放端T2的部分 可延伸至貫孔T內(nèi)，因此第二界面I2可位于貫孔T內(nèi)。于其它未繪示實(shí)
12施例中，第二線路層280的鄰近第二開放端T2的部分可僅位于貫孔T上， 換言之，第二界面I2可位于貫孔T上，且與基材210的第二表面214實(shí) 質(zhì)上齊平。
第三圖案化種子層260可位于第二線路層280與基材210之間、第二 線路層280與塞孔柱240之間以及第二線路層280與導(dǎo)電孔層230與第一 圖案化種子層220之間。換言之，第三圖案化種子層260可具有與第二線 路層280實(shí)質(zhì)上相同的圖案，且第三圖案化種子層260與第二線路層280 重合。
此外，于本實(shí)施例中，第三圖案化種子層260可位于第二界面12上 并分隔第二線路層280與導(dǎo)電孔層230。此外，第三圖案化種子層260還 可分隔第二線路層280與第一圖案化種子層220，其中第一圖案化種子層 220與第三圖案化種子層260可為各自成型，且兩者的材質(zhì)可以是相同或 不同。
綜上所述，本發(fā)明是以二次半加成的方式形成線路結(jié)構(gòu)，因此本發(fā)明 的線路層可具有較佳的圖案分辨率，進(jìn)而有利于細(xì)線路的制作。此外，由 于本發(fā)明的線路層是以半加成的方式形成，因此本發(fā)明的線路層還可以形 成在塞孔柱上以作為接墊之用。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所 屬領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許 的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供一基板，該基板包括一基材、一第一導(dǎo)電材料層、一第一蝕刻終止層、一導(dǎo)電層與一塞孔柱，其中該基材具有一第一表面以及至少一貫孔，該貫孔的一第一開放端位于該第一表面，該第一導(dǎo)電材料層配置于該第一表面上，該第一蝕刻終止層覆蓋該第一導(dǎo)電材料層，該導(dǎo)電層配置于該第一蝕刻終止層與該貫孔內(nèi)壁上，且該導(dǎo)電層包括一覆蓋該貫孔的內(nèi)壁的導(dǎo)電孔層，該塞孔柱填充于該貫孔中，且該導(dǎo)電孔層配置于該塞孔柱與該基材之間；移除該導(dǎo)電層的覆蓋該第一表面的部分、該第一蝕刻終止層與該第一導(dǎo)電材料層；移除該導(dǎo)電孔層的鄰近該第一開放端的部分，以使該導(dǎo)電孔層完全位于該貫孔內(nèi)；以及形成一第一線路層，該第一線路層與該導(dǎo)電孔層之間有一第一界面，且該第一界面位于該貫孔內(nèi)。
2. 如權(quán)利要求1所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該基板還包括一第 一種子層，該第一種子層覆蓋該第一蝕刻終止層與該貫孔內(nèi)壁，且該導(dǎo)電 層配置于該第一種子層上。
3. 如權(quán)利要求1所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，在形成該第一線路層之 前，還包括于該第一表面、該導(dǎo)電孔層與該塞孔柱上形成一第二種子層； 于該第二種子層上形成一第一圖案化掩膜層，且該第一圖案化掩膜層具有多個第一開口 ，該第一線路層是形成在該些第一開口中并位于該第二種子層上。
4. 如權(quán)利要求1所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中移除該導(dǎo)電層的覆 蓋該第一表面的部分、該蝕刻終止層與該第一導(dǎo)電材料層的方法包括于該貫孔上方形成一第一蝕刻掩膜層，該第一蝕刻掩膜層覆蓋該塞孔 柱與部分該導(dǎo)電層；移除該導(dǎo)電層的未被該第一蝕刻掩膜層覆蓋的部分；移除該第一蝕刻掩膜層；移除部分該導(dǎo)電層與部分該塞孔柱，以使該導(dǎo)電層的一端面以及該塞孔柱的一端面與該第一蝕刻終止層的一表面齊平； 移除該第一蝕刻終止層；以及 移除該第一導(dǎo)電材料層。
5. 如權(quán)利要求1所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該基板的形成方法包括提供一介電層與該第一導(dǎo)電材料層，且該第一導(dǎo)電材料層配置于該介電層上；于該介電層與該第一導(dǎo)電材料層中形成至少一貫孔； 于該第一導(dǎo)電材料層上形成該第一蝕刻終止層； 于該第一蝕刻終止層以及該貫孔內(nèi)壁上形成一導(dǎo)電層；以及 于該貫孔內(nèi)填入一塞孔材料，以形成該塞孔柱。
6. 如權(quán)利要求1所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該基材還具有一第 二表面，該第二表面相對于該第一表面，且該貫孔的一第二開放端位于該 第二表面，該基板還包括一第二導(dǎo)電材料層與一第二蝕刻終止層，該第二 導(dǎo)電材料層覆蓋該基材的該第二表面，該第二蝕刻終止層覆蓋該第二導(dǎo)電 材料層，該線路結(jié)構(gòu)的制作方法還包括-當(dāng)移除該導(dǎo)電層的覆蓋該第一表面的部分、該第一蝕刻終止層與該第 一導(dǎo)電材料層時，移除該導(dǎo)電層的覆蓋該第二表面的部分、該第二蝕刻終 止層與該第二導(dǎo)電材料層；移除該導(dǎo)電孔層的鄰近該第二開放端的部分，以使該導(dǎo)電孔層完全位 于該貫孔內(nèi)；以及當(dāng)形成該第一線路層時，形成一第二線路層，且該第二線路層與該導(dǎo) 電孔層之間有一第二界面，該第二界面位于該貫孔內(nèi)。
7. —種線路板，包括一基材，其具有一第一表面與至少一貫孔，且該貫孔的一第一開放端 位于該第一表面；一導(dǎo)電孔層，配置于該貫孔的內(nèi)壁上；一塞孔柱，填充于該貫孔中，且該導(dǎo)電孔層位于該基材與該塞孔柱之 間；以及一第一線路層，配置于該基材的該第一表面、該塞孔柱與該導(dǎo)電孔層 上，且該第一線路層與該導(dǎo)電孔層之間有一第一界面，該第一界面位于該 貫孔內(nèi)。
8. 如權(quán)利要求7所述的線路板，其中該第一線路層的鄰近該第一開放端的部分延伸至該貫孔內(nèi)。
9. 如權(quán)利要求7所述的線路板，還包括一第一圖案化種子層，配置于該導(dǎo)電孔層與該基材之間；以及 一第二圖案化種子層，位于該第一線路層與該基材之間、該第一線路 層與該塞孔柱之間以及該第一線路層與該導(dǎo)電孔層與該第一圖案化種子 層之間，而且該第二圖案化種子層位于該第一界面上并分隔該第一線路層 與該導(dǎo)電孔層。
10. 如權(quán)利要求7所述的線路板，其中該基材還具有一第二表面，該 第二表面相對于該第一表面，且該貫孔的一第二開放端位于該第二表面， 該線路板還包括一第二線路層，配置于該基材的該第二表面、該塞孔柱與該導(dǎo)電孔層 上，且該第二線路層與該導(dǎo)電孔層之間有一第二界面，該第二界面位于該 貫孔內(nèi)。
11. 如權(quán)利要求10所述的線路板，其中該第二線路層的鄰近該第二開放端的部分延伸至該貫孔內(nèi)。
12. 如權(quán)利要求10所述的線路板，還包括一第三圖案化種子層，位于該第二線路層與該基材之間、該第二線路 層與該塞孔柱之間以及該第二線路層與該導(dǎo)電孔層之間，而且該第三圖案 化種子層位于該第二界面上并分隔該第二線路層與該導(dǎo)電孔層。
全文摘要
一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法如下所述。首先，提供一基板，導(dǎo)電材料層配置于基材的第一表面上，蝕刻終止層覆蓋導(dǎo)電材料層，第一種子層覆蓋蝕刻終止層與基材的貫孔內(nèi)壁。導(dǎo)電層配置于第一種子層上并包括一覆蓋貫孔內(nèi)壁的導(dǎo)電孔層。接著，移除導(dǎo)電層與第一種子層的覆蓋第一表面的部分、蝕刻終止層以及導(dǎo)電材料層，并于基材上全面形成一第二種子層。之后，于第二種子層上形成一圖案化掩膜層，并于第二種子層的暴露于圖案化掩膜層之外的部分上形成一線路層。然后，移除圖案化掩膜層與第二種子層的暴露于線路層之外的部分。
文檔編號H05K3/42GK101677493SQ200810165640
公開日2010年3月24日 申請日期2008年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月19日
發(fā)明者范智朋 申請人:欣興電子股份有限公司