專利名稱：有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件(下文中，"場(chǎng)致發(fā)光"稱作EL)， 且更具體而言，涉及一種具有長(zhǎng)壽命且高效發(fā)光的有機(jī)EL器件。
背景技術(shù)：
利用在電場(chǎng)作用下的光發(fā)射的EL器件，因自發(fā)射而具有高自可辨別 性，并具有優(yōu)異的耐沖擊性，因?yàn)樗鼈兪峭耆腆w的i殳備。因此，EL器 件已受關(guān)注地在各種顯示裝置中用作發(fā)光設(shè)備。
EL器件包括其中無(wú)機(jī)化合物用作發(fā)光材料的無(wú)機(jī)EL器件和其中有機(jī)化 合物用作發(fā)光材料的有機(jī)EL器件。有機(jī)EL器件已被深入研究以實(shí)際用作 下一代的發(fā)光設(shè)備，因?yàn)樗拥碾妷嚎纱蠓鹊亟档?，設(shè)備的尺寸可容 易地減小，電功率消耗小，可以平面光發(fā)射且容易發(fā)出三原色。
至于有機(jī)EL器件的結(jié)構(gòu)，基本結(jié)構(gòu)包括陽(yáng)極/有機(jī)發(fā)光層/陰極。具有 適當(dāng)加入該基本結(jié)構(gòu)的空穴注射和傳輸層或電子注射層的結(jié)構(gòu)是已知 的。這些結(jié)構(gòu)的例子包括陽(yáng)極/空穴注射和傳輸層/有機(jī)發(fā)光層/陰極結(jié) 構(gòu)和陽(yáng)極/空穴注射和傳輸層/有機(jī)發(fā)光層/電子注射層/陰極結(jié)構(gòu)。
在可實(shí)際應(yīng)用的有機(jī)EL器件的開(kāi)發(fā)中，已進(jìn)行了各種研究以得到具有 長(zhǎng)壽命且高效發(fā)光的發(fā)光元件。但具有更長(zhǎng)壽命且發(fā)光效率更高的元件 仍是需要的，這樣可進(jìn)一步降低電功率的消耗。
例如，在國(guó)際專利申請(qǐng)延遲公開(kāi)號(hào)98/08360和美國(guó)專利號(hào)5， 853， 905中，公開(kāi)了其中將具有電子傳輸性能和能隙3 eV或更高的胺衍生物 和作為電子傳輸化合物的8-羥基喹啉鋁配合物(Alq)的混合層用作發(fā)光 介質(zhì)的元件。因?yàn)锳lq的能隙是2. 7 eV，空穴和電子在具有較低能隙的 Alq中結(jié)合并在該發(fā)光介質(zhì)中發(fā)光。因?yàn)锳lq自身具有小的熒光量子產(chǎn) 率，其效率通#4光摻雜劑如香豆素和紅熒烯而增強(qiáng)。
但是，以上參考文件中所公開(kāi)的技術(shù)的缺陷在于，該設(shè)備的壽命不能增加至所需值。換句話說(shuō)， 一般而言，幾乎沒(méi)有有機(jī)材料可同時(shí)實(shí)現(xiàn)優(yōu)
異的電子傳輸和在電流下的優(yōu)異的耐久性。據(jù)證實(shí)，盡管Alq在傳輸電 子時(shí)具有優(yōu)異的耐久性，但當(dāng)空穴注入Alq中時(shí)，A1q退化。在以上發(fā)光 介質(zhì)的情況下，空穴傳輸化合物的能隙Egl和電子傳輸化合物的能隙Eg2 具有如下關(guān)系Egl〉Eg2。因此，空穴傾向于注入具有較小能隙的Alq 中，且該設(shè)備的壽命不能增加至所需值。盡管已知Alq的耐久性可通過(guò) 加入發(fā)光摻雜劑如香豆素和紅熒烯而提高，但仍需要進(jìn)一步的改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
在以上情況下，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種與常規(guī)有機(jī)EL器件相比 具有較長(zhǎng)壽命且發(fā)光效率較高的有機(jī)EL器件。
本發(fā)明人為了實(shí)現(xiàn)以上目的進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，當(dāng)包含有機(jī) 發(fā)光介質(zhì)層的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件包括一包含(A)至少一種空穴傳輸化合 物和(B)至少一種電子傳輸化合物的混合層，且表示為Egl的空穴傳輸化 合物的能隙小于表示為Eg2的電子傳輸化合物的能隙時(shí)，可得到 一種與 常規(guī)有機(jī)EL器件相比具有較長(zhǎng)壽命且發(fā)光效率較高的有機(jī)EL器件。本發(fā) 明在該認(rèn)識(shí)的基礎(chǔ)上完成。
本發(fā)明提供了一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，包含一對(duì)電極和位于該電極對(duì) 之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，其中有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層包含混合層，該混合層包 含(A)至少一種選自空穴傳輸化合物的化合物和(B)至少一種選自電子傳 輸化合物的化合物，且表示為Egl的空穴傳輸化合物的能隙和表示為Eg2 的電子傳輸化合物的能隙滿足如下關(guān)系Egl〈Eg2。 實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最優(yōu)選實(shí)施方案
本發(fā)明提供了一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，包含一對(duì)電極和位于該電極對(duì) 之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，其中有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層包含混合層，該混合層包 含(A)至少一種選自空穴傳輸化合物的化合物和(B)至少一種選自電子傳 輸化合物的化合物，且表示為Egl的空穴傳輸化合物的能隙和表示為Eg2 的電子傳輸化合物的能隙滿足如下關(guān)系EgKEg2。
由于有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層中的這種關(guān)系，空穴由空穴傳輸化合物傳輸，且 電子在再?gòu)?fù)合區(qū)注入該空穴傳輸化合物。光通過(guò)空穴和電子的再?gòu)?fù)合而發(fā)出。因?yàn)榭昭ㄏ螂娮觽鬏敾衔镏械淖⑸涫艿揭种疲娮觽鬏敾衔?的退化受到抑制且延長(zhǎng)了該設(shè)備的壽命?？昭▊鬏敾衔镞€可提供電子 注射耐久性。
優(yōu)選表示為IP1的空穴傳輸化合物的電離能和表示為IP2的電子傳輸化 合物的電離能滿足關(guān)系IP1《IP2。
由于這種關(guān)系，空穴更容易由發(fā)光介質(zhì)外層注入空穴傳輸化合物的最 低占據(jù)軌道。外層是指不是發(fā)光介質(zhì)層的層，如陽(yáng)極、空穴注射層、空 穴傳輸層和緩沖層。
優(yōu)選表示為Afl的空穴傳輸化合物的電子親合瓶和表示為Af2的電子傳 輸化合物的電子親合能滿足關(guān)系A(chǔ)fl4f2。表示為Afl和Af2的電子親 和能是最低空軌道的能量值，以電子在真空中的能級(jí)作為參考。由于這 種關(guān)系，電子更容易由發(fā)光介質(zhì)層的外層注入電子傳輸化合物的最低空 軌道。外層是指不是發(fā)光介質(zhì)層的層，如陰極、電子注射層、電子傳輸 層、空穴捕獲層或緩沖層。在這種情況下，優(yōu)選由AEv^P2-IPl給出的 AEv和由AEc二Af2-Afl給出的AEc滿足關(guān)系A(chǔ)Ev^AEc。由于這種關(guān)系， 電子更容易通過(guò)電子傳輸化合物注入到空穴傳輸化合物的最低空軌道。 另一方面，空穴向電子注射化合物的最低空軌道的注射受到抑制。
表示為Afl的空穴傳輸化合物的電子親合能和表示為Af2的電子傳輸化 合物的電子親合能可滿足關(guān)系A(chǔ)fl〉A(chǔ)f2。在這種情況下，空穴傳輸化合 物基本上不傳輸電子或空穴傳輸化合物的電子遷移率小于電子傳輸化合
物的電子遷移率。在這種情況下，優(yōu)選的是，由AEv二IP2-IPl給出的AEv 和由AEc， =Afl-Af2給出的AEc滿足關(guān)系A(chǔ)Ev2AEc'。由于這種關(guān)系，
到達(dá)再?gòu)?fù)合區(qū)。
優(yōu)選用于本發(fā)明有機(jī)EL器件的空穴傳輸化合物是一種具有稠合環(huán)狀結(jié) 構(gòu)的芳族胺。
優(yōu)選所述芳族胺表示為以下通式(1):<formula>formula see original document page 9</formula>
其中Ar1-A 各自獨(dú)立地表示具有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的 芳族烴基團(tuán)，或具有3-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族雜環(huán)基 團(tuán)，Y表示具有2-60個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族殘基，A—-Ar4 和Y基團(tuán)中的至少一個(gè)具有含有3個(gè)或更多個(gè)環(huán)的稠合環(huán)狀基團(tuán)，且 Ar'-Ar4和Y基團(tuán)上的取代基可與選自A—-A一和Y所示基團(tuán)中的兩個(gè)基 團(tuán)形成環(huán)；或所述芳族胺表示為以下通式(2):
<formula>formula see original document page 9</formula>其中Ar lAi^各自獨(dú)立地表示具有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳 族烴基，或具有3-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族雜環(huán)基團(tuán)，Z表 示具有3-60個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族殘基，Ar1-A 和Z基團(tuán)中 的至少一個(gè)具有含有3個(gè)或更多個(gè)環(huán)的稠合環(huán)狀基團(tuán)，且Ari-Are和Z基團(tuán) 中的取代基可與選自Ar'-Ai^和Z所示基團(tuán)的兩個(gè)基團(tuán)形成環(huán)。
在以上通式(1)和(2)中，Ai^-Ar6、 Y和Z基團(tuán)的例子包括衍生自蒽、 蒽、芴、芘、茈、萘、并五苯、蔻、熒蒽、西、玉紅省和苊并熒蒽 (acenaphthof luoranthene)的芳族殘基。
優(yōu)選通式(1)和(2)表示的化合物是以下通式(7)-(ll)中任何一個(gè)表示 的化合物。
9在以上通式(7)中，RMT各自獨(dú)立地表示氫原子，卣素原子，羥基， 取代的或未取代的氨基，硝基，氰基，具有l(wèi)-30個(gè)碳原子的取代的或未 取代的烷基，具有2-30個(gè)碳原子的取代的或未取代的鏈烯基，具有5-30 個(gè)碳原子的取代的或未取代的環(huán)烷基，具有l(wèi)-30個(gè)碳原子的取代的或未 取代的烷氧基，具有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族烴基，具有 3-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族雜環(huán)基團(tuán)，具有7-40個(gè)碳原子的 取代的或未取代的芳烷基，具有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳氧 基，具有2-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的烷氧羰基或羧基。選自R8-R19 表示的基團(tuán)中的兩個(gè)基團(tuán)可形成環(huán)，且R8-R"表示的基團(tuán)中的至少一個(gè)是 表示為-NAr'ArS的二芳基氨基。Ar^和ArS各自獨(dú)立地表示具有6-20個(gè)碳原 子的取代的或未取代的芳基。
在以上通式(8)中，R"-I^各自獨(dú)立地表示氫原子，卣素原子，羥基， 取代的或未取代的氨基，硝基，氰基，具有1-30個(gè)碳原子的取代的或未 取代的烷基，具有2-30個(gè)碳原子的取代的或未取代的鏈烯基，具有5-30 個(gè)碳原子的取代的或未取代的環(huán)烷基，具有1-30個(gè)碳原子的取代的或未 取代的烷氧基，具有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族烴基，具有3-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族雜環(huán)基團(tuán)，具有7-40個(gè)碳原子的 取代的或未取代的芳烷基，具有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳氧 基，具有2-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的烷氧羰基或羧基。選自R21-!^表示的基團(tuán)中的兩個(gè)基團(tuán)可形成環(huán)，且R"-IT表示的基團(tuán)中的至少一 個(gè)是表示為-NAr'A 的二芳基氨基。Ar'和Ai^各自獨(dú)立地表示具有6-20個(gè) 碳原子的取代的或未取代的芳基。
在以上通式(9)中，Te表示滌綸殘基，Ai^和A 。各自獨(dú)立地表示具有 l-30個(gè)碳原子的取代的或未取代的烷基，具有6-40個(gè)碳原子的取代的 或未取代的單環(huán)基團(tuán)或取代的或未取代的稠合多環(huán)基團(tuán)，且r表示l-6的 整數(shù)。
(10)
在以上通式(IO)中，Ar11-Ar"各自獨(dú)立地表示具有6-16個(gè)碳原子的取 代的或未取代的芳基，且R"-R"各自獨(dú)立地表示氫原子，卣素原子，羥 基，取代的或未取代的氨基，硝基，氰基，具有l(wèi)-30個(gè)碳原子的取代的 或未取代的烷基，具有2-30個(gè)碳原子的取代的或未取代的鏈烯基，具有 5-3Q個(gè)碳原子的取代的或未取代的環(huán)烷基，具有1-30個(gè)碳原子的取代的 或未取代的烷氧基，具有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族烴基，具有3-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族雜環(huán)基團(tuán)，具有7-40個(gè)碳原 子的取代的或未取代的芳烷基，具有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的 芳氧基，具有2-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的烷氧羰基或羧基，且選 自R"-R"表示的基團(tuán)中的兩個(gè)基團(tuán)可形成環(huán)。
在以上通式(11)中，Ar"-Ar"各自獨(dú)立地表示具有1-30個(gè)碳原子的取 代的或未取代的烷基，取代的或未取代的單環(huán)基團(tuán)，具有8-40個(gè)碳原子 的取代的或未取代的稠合多環(huán)基團(tuán)；Ar"和Ar16的整體組合以及Ar"和Ar18 的整體組合分別表示具有氮原子作為鍵合原子的稠合多環(huán)基團(tuán)；Q表示鍵 合一個(gè)環(huán)狀基團(tuán)或多個(gè)環(huán)狀基團(tuán)的二價(jià)鍵合基團(tuán)，且可被取代或未被取 代；R51-IT各自獨(dú)立地表示氳原子，卣素原子，羥基，取代的或未取代的 氨基，硝基，氰基，具有l(wèi)-30個(gè)碳原子的取代的或未取代的烷基，具有 2-30個(gè)碳原子的取代的或未取代的鏈烯基，具有5-30個(gè)碳原子的取代的 或未取代的環(huán)烷基，具有1-30個(gè)碳原子的取代的或未取代的烷氧基，具 有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族烴基，具有3-40個(gè)碳原子的取 代的或未取代的芳族雜環(huán)基團(tuán)，具有7-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的 芳烷基，具有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳氧基，具有2-40個(gè)碳 原子的取代的或未取代的烷氧羰基或羧基；并且選自RS'-IT表示的基團(tuán)中 的兩個(gè)基團(tuán)可形成環(huán)。
用于本發(fā)明的芳族胺化合物，芳族二胺化合物和芳族三胺化合物是具 有以上通成(l)， (2)和(7)-(ll)表示的結(jié)構(gòu)的化合物。在每個(gè)通式中， 取代基的優(yōu)選例子包括卣素原子，羥基，取代的和未取代的氨基，硝基，氰基，取代的和未取代的烷基，取代的和未取代的鏈烯基，取代的 和未取代的環(huán)烷基，取代的和未取代的烷氧基，取代的和未取代的芳族 烴基，取代的和未取代的芳族雜環(huán)基團(tuán)，取代的和未取代的芳烷基，取 代的和未取代的芳基，取代的和未取代的芳氧基，取代的或未取代的烷
氧羰基和羧基。
取代的和未取代的烷基的例子包括甲基，乙基，丙基，異丙基，正丁 基，仲丁基，異丁基，叔丁基，正戊基，正己基，正庚基，正辛基，羥
甲基，卜羥基乙基，2-羥基乙基，2-羥基異丁基，1，2-二羥基乙基， 1，3-二羥基異丙基，2，3-二羥基叔丁基，1，2，3-三羥基丙基，氯甲基， l-氯乙基，2-氯乙基，2-氯異丁基，1,2-二氯乙基，1,3-二氯異丙基， 2，3-二氯叔丁基，1，2，3-三氯丙基，溴甲基，l-溴乙基，2-溴乙基，2-溴異丁基，1,2-二溴乙基，1，3-二溴異丙基，2，3-二溴叔丁基，1,2,3-三溴丙基，碘甲基，l-碘乙基，2-碘乙基，2-碘異丁基，1,2-二碘乙 基，1,3-二碘異丙基，2，3-二碘叔丁基，1，2，3-三碘丙基，氨基甲基，
1- 氨基乙基，2-氨基乙基，2-氨基異丁基，1，2-二氨基乙基，1，3-二氨 基異丙基，2，3-二氨基叔丁基，1，2，3-三氨基丙基，氰基甲基，1-氰基 乙基，2-氰基乙基，2-氰基異丁基，1，2-二氰基乙基，1,3-二氰基異丙 基，2,3-二氰基叔丁基，1，2，3-三氰基丙基，硝基甲基，l-硝基乙基，
2- 硝基乙基，2-硝基異丁基，1，2-二硝基乙基，1，3-二硝基異丙基， 2, 3-二硝基叔丁基和l， 2, 3-三硝基丙基。
取代的和未取代的鏈烯基的例子包括乙烯基，烯丙基，1-丁烯基，2-丁烯基，3-丁烯基，1,3-丁二烯基，1-甲基乙烯基，苯。烯基，2，2-二 苯基乙烯基，1,2-二苯基乙烯基，1-甲基烯丙基，l，l-二甲基烯丙基， 2-甲基烯丙基，1-苯基烯丙基，2-苯基烯丙基，3-苯基烯丙基，3，3-二 苯基烯丙基，1，2-二甲基烯丙基，l-笨基-l-丁烯基和3-苯基-1-丁烯 基。
取代的和未取代的環(huán)烷基的例子包括環(huán)丙基，環(huán)丁基，環(huán)戊基，環(huán)己 基和4-甲基環(huán)己基。
取代的和未取代的烷氧基表示為-OY1。 Y!表示的基團(tuán)的例子包括甲基，乙基，丙基，異丙基，正丁基，仲丁基，異丁基，叔丁基,.正戊
基，正己基，正庚基，正辛基，羥甲基，l-羥基乙基，2-羥基乙基，2-羥基異丁基，1,2-二羥基乙基，1,3-二羥基異丙基，2,3-二羥基叔丁 基，1，2，3-三鞋基丙基，氯甲基，l-氯乙基，2-氯乙基，2-氯異丁基， 1,2-二氯乙基，1,3-二氯異丙基，2,3-二氯叔丁基，1,2,3-三氯丙基， 溴甲基，l-溴乙基，2-溴乙基，2-溴異丁基，1,2-二溴乙基，1，3-二溴 異丙基，2,3-二溴叔丁基，1,2,3-三溴丙基，碘甲基，l-碘乙基，2-碘 乙基，2-碘異丁基，1，2-二碘乙基，1,3-二跌異丙基，2,3-二碘叔丁 基，1，2，3-三碘丙基，氨基甲基，l-氨基乙基，2-氨基乙基，2-氨基異 丁基，1,2-二氨基乙基，1，3-二氨基異丙基，2,3-二氨基叔丁基， 1，2，3-三氨基丙基，氰基甲基，l-氰基乙基，2-氰基乙基，2-氰基異丁 基，1,2-二氰基乙基，1,3-二氰基異丙基，2,3-二氰基叔丁基，1,2,3-三氰基丙基，硝基甲基，l-硝基乙基，2-硝基乙基，2-硝基異丁基， 1，2-二硝基乙基，1，3-二硝基異丙基，2，3-二硝基叔丁基和1，2，3-三硝 基丙基。
取代的和未取代的芳族烴基的例子包括苯基，1-萘基，2-萘基，1-蒽 基，2-蒽基，9-蒽基，1-菲基，2-菲基，3-菲基，4-菲基，9-菲基，1-并四苯基，2-并四苯基，9-并四苯基，1-芘基，2-芘基，4-芘基，2-聯(lián) 苯基，3-聯(lián)苯基，4-聯(lián)苯基，對(duì)-三聯(lián)苯-4-基，對(duì)-三聯(lián)苯-3-基，對(duì)-三聯(lián)苯-2-基，間-三聯(lián)苯-4-基，間-三聯(lián)苯-3-基，間-三聯(lián)苯-2-基， 鄰-甲苯基，間-甲苯基，對(duì)-甲苯基，對(duì)-叔丁基苯基，對(duì)-(2-苯基丙基) 苯基，3-甲基-2-萘基，4-甲基-1-萘基，4-甲基-1-蒽基，4，-甲基聯(lián) 苯基和4"-叔丁基-對(duì)-三聯(lián)苯-4-基。
取代的和未取代的芳族雜環(huán)基團(tuán)的例子包括l-吡咯基，2-吡咯基，3-吡咯基，吡啶基，2-吡咬基，3-畎咬基，4-他咬基，l-吲哚基，2-吲哚 基，3-丐l咮基，4-"5l咮基，5-丐1哚基，6-吲哚基，7-丐l咮基，1-異丐l咮 基，2-異吲哚基，3-異吲哚基，4-異吲哚基，5-異丐l咮基，6-異丐l哚 基，7-異吲哚基，2-呋喃基，3-呋喃基，2-苯并呋喃基，3-苯并呋喃 基，4-苯并吹喃基，5-苯并呋喃基，6-苯并呋喃基，7-苯并呋喃基，1-異苯并呋喃基，3-異苯并咬喃基，4-異苯并呋喃基，5-異笨并呋喃基， 6-異苯并呋喃基，7-異苯并呋喃基，2-喹啉基，3-喹啉基，4-喹啉基， 5-喹啉基，6-喹啉基，7-喹啉基，8-喹啉基，l-異喹啉基，3-異喹啉 基，4-異喹啉基，5-異喹啉基，6-異喹啉基，7-異喹啉基，8-異喹啉 基，2-喹喔啉基，5-喹喔啉基，6-喹喔啉基，l-咔唑基，2-咔唑基，3-咕唑基，4-呼唑基，9-咔唑基，卜菲啶基，2-菲啶基，3-菲啶基，4-菲 啶基，6-菲啶基，7-菲啶基，8-菲啶基，9-菲啶基，10-菲啶基，1-吖 啶基，2-吖啶基，3-吖啶基，4-吖啶基，9-吖啶基，菲酚基，2-噻吩 基，3-噻吩基，2-甲基吡咯-l-基，2-甲基吡咯-3-基，2-甲基吡咯-4-基，2-甲基吡咯-5-基，3-甲基吡咯-l-基，3-甲基吡咯-2-基，3-甲基 吡咯-4-基，3-甲基吡咯-5-基，2-叔丁基吡咯-4-基，3-(2-苯基丙基) 吡咯-1-基，2-甲基-1-"3I哚基，4-甲基-l-吲噪基，2-甲基-3-吲哚基， 4-甲基-3-丐I咮基，2-叔丁基-l-丐l哚基，4-叔丁基-l-丐l哚基，2-叔丁 基-3-丐l哚基和4-叔丁基-3-丐l咮基。
取代的和未取代的芳烷基的例子包括芐基，1-苯基乙基，2-苯基乙 基，1-苯基異丙基，2-苯基異丙基，苯基叔丁基，a-萘基甲基，l-a-萘 基乙基，2-a-萘基乙基，l-a-萘基異丙基，2-a-萘基異丙基，p-萘基 甲基，l-p-萘基乙基，2-p-萘基乙基，l-p-萘基異丙基，2-p-萘基異丙 基，1-吡咯基甲基，2-(l-吡咯基)乙基，對(duì)-甲基節(jié)基，間-甲基千基， 鄰-甲基千基，對(duì)-氯千基，間-氯芐基，鄰-氯芐基，對(duì)-溴芐基，間-溴 芐基，鄰-溴,基，對(duì)-碘芐基，間-碘芐基，鄰-碘芐基，對(duì)-羥基芐 基，間-羥基節(jié)基，鄰-羥基芐基，對(duì)-氨基芐基，間-氨基芐基，鄰_氨 基千基，對(duì)-硝基千基，間-硝基千基，鄰-硝基卡基，對(duì)-氰基節(jié)基， 間-氰基千基，鄰-氰基千基，1-羥基-2-苯基異丙基和1-氯-2-苯基異丙 基。
取代的和未取代的芳基的例子包括苯基，l-萘基，2-萘基，1-蒽基， 2-蒽基，9-蒽基，l-菲基，2-菲基，3-菲基，4-菲基，9-菲基，1-并四 苯基，2-并四苯基，9-并四苯基，l-芘基，2-芘基，4-芘基，2-聯(lián)苯 基，3-聯(lián)苯基，4-聯(lián)苯基，對(duì)-三聯(lián)苯-4-基，對(duì)-三聯(lián)苯-3-基，對(duì)-三聯(lián)笨-2-基，間-三聯(lián)笨-4-基，間-三聯(lián)笨-3-基，間-三聯(lián)苯-2-基，鄰-甲笨基，間-甲笨基，對(duì)-甲苯基，對(duì)-叔丁基笨基，對(duì)-(2-笨基丙基)苯 基，3-甲基-2-萘基，4-甲基-l-萘基，4-甲基-l-蒽基，4，-甲基聯(lián)苯 基，4"-叔丁基-對(duì)-三聯(lián)苯-4-基，2-吡咯基，3-吡咯基，吡啶基，2-吡啶基，3-吡啶基，4-吡咬基，2-吲哚基，3-吲哚基，4-吲哚基，5-吲 哚基，6-丐1哚基，7-吲哚基，l-異丐l哚基，3-異丐l哚基，4-異丐l哚基， 5-異吲哚基，6-異吲哚基，7-異吲哚基，2-呋喃基，3-呋喃基，2-苯并 呋喃基，3-苯并呋喃基，4-苯并呋喃基，5-苯并呋喃基，6-苯并呋喃 基，7-苯并呋喃基，1-異苯并呋喃基，3-異苯并呋喃基，4-異苯并呋喃 基，5-異苯并吹喃基，6-異苯并呋喃基，7-異苯并呋喃基，2-喹啉基， 3-查啉基，4-查啉基，5-喹啉基，6-喹啉基，7-喹啉基，8-喹啉基，1-異喹啉基，3-異喹啉基，4-異喹啉基，5-異喹啉基，6-異喹啉基，7-異 喹啉基，8-異喹啉基，2-喹喔啉基，5-喹喔啉基，6-喹鬼啉基，1-咔唑 基，2-呼唑基，3-^t唑基，4-咔唑基，l-菲啶基，2-菲啶基，3-菲啶 基，4-菲啶基，6-菲啶基，7-菲啶基，8-菲啶基，9-菲啶基，1-吖啶 基，2-吖啶基，3-吖啶基，4-吖啶基，9-吖啶基，菲酚基，2-噻吩基，
3- 瘞吩基，2-甲基吡咯-l-基，2-甲基吡咯-3-基，2-甲基吡咯-4-基，
2- 甲基吡咯-5-基，3-甲基吡咯-l-基，3-甲基吡咯-2-基，3-甲基吡咯-
4- 基，3-甲基吡咯-5-基，2-叔丁基吡咯-4-基，3-(2-苯基丙基)吡咯-l-基，2-甲基-l-吲哚基，4-甲基-1-吲哚基，2-甲基-3-吲哚基，4-甲 基-3-丐1咮基，2-叔丁基-l-丐1哚基，4-叔丁基-1-丐1咮基，2-叔丁基-3-吲哚基和4-叔丁基-3-吲哚基。
取代的和未取代的芳氧基表示為-OZ1。 Z'表示的基團(tuán)的例子包括苯 基，1-萘基，2-萘基，l-蒽基，2-蒽基，9-蒽基，l-菲基，2-菲基，3-菲基，4-菲基，9-菲基，1-并四笨基，2-并四苯基，9-并四苯基，1-芘 基，2-芘基，4-芘基，2-聯(lián)苯基，3-聯(lián)苯基，4-聯(lián)苯基，對(duì)-三聯(lián)苯-4-基，對(duì)-三聯(lián)苯-3-基，對(duì)-三聯(lián)苯-2-基，間-三聯(lián)苯-4-基，間-三聯(lián)苯-
3- 基，間_三聯(lián)苯-2-基，鄰-甲苯基，間-甲苯基，對(duì)-甲苯基，對(duì)-叔丁 基苯基，對(duì)-(2-苯基丙基)苯基，3-甲基-2-萘基，4-甲基-l-萘基，4-甲基-1-蒽基，4，-甲基聯(lián)苯基，4"-叔丁基-對(duì)-三聯(lián)笨-4-基，2-吡咯 基，3-吡咯基，吡啶基，2-吡啶基，3-吡啶基，4-吡啶基，2-吲哚基， 3-吲哚基，4-吲哚基，5-吲哚基，6-吲哚基，7-吲哚基，l-異吲哚基， 3-異吲哚基，4-異吲哚基，5-異吲哚基，6-異吲哚基，7-異吲哚基，2-呋喃基，3-呋喃基，2-苯并呋喃基，3-苯并呋喃基，4-苯并呋喃基，5-笨并呋喃基，6-苯并呋喃基，7-笨并呋喃基，1-異苯并呋喃基，3-異苯 并呋喃基，4-異苯并呋喃基，5-異苯并呋喃基，6-異苯并咬喃基，7-異 苯并呋喃基，2-喹啉基，3-喹啉基，4-喹啉基，5-喹啉基，6-喹啉基， 7-喹啉基，8-喹啉基，1-異喹啉基，3-異喹啉基，4-異喹啉基，5-異喹 啉基，6-異喹啉基，7-異喹啉基，8-異喹啉基，2-喹喔啉基，5-喹喔啉 基，6-奮喔啉基，1-呼哇基，2-咕哇基，3-呼峻基，4-呼哇基，1-菲啶 基，2-菲啶基，3-菲啶基，4-菲啶基，6-菲啶基，7-菲啶基，8-菲啶 基，9-菲啶基，1-吖啶基，2-吖咬基，3-吖咬基，4-吖咬基，9-吖啶 基，菲酚基，2-噻吩基，3-噻吩基，2-甲基吡咯-l-基，2-甲基吡咯-3-基，2-甲基吡咯-4-基，2-甲基吡咯-5-基，3-甲基吡咯-1-基，3-甲基 吡咯-2-基，3-甲基吡咯-4-基，3-甲基-吡咯-5-基，2-叔丁基吡咯-4-基，3-(2-苯基丙基)吡咯-l-基，2-甲基-1-吲哚基，4-甲基-1-丐l哚 基，2-甲基-3-丐l咮基，4-甲基-3-丐1咮基，2-叔丁基-1-p引哚基，4-叔 丁基-l-"引哚基，2-叔丁基-3-吲哚基和4-叔丁基-3-吲哚基。
取代的和未取代的烷氧羰基表示為-C00Y2。 f表示的基團(tuán)的例子包括 甲基，乙基，丙基，異丙基，正丁基，仲丁基，異丁基，叔丁基，正戊 基，正己基，正庚基，正辛基，鞋基甲基，l-鞋基乙基，2-羥基乙基， 2-羥基異丁基，1，2-二羥基乙基，1,3-二羥基異丙基，2，3-二羥基叔丁 基，1，2，3-三羥基丙基，氯甲基，1-氯乙基，2-氯乙基，2-氯異丁基， 1,2-二氯乙基，1，3-二氯異丙基，2，3-二氯叔丁基，1，2，3-三氯丙基， 溴甲基，l-溴乙基，2-溴乙基，2-溴異丁基，1,2-二溴乙基，1,3-二溴 異丙基，2,3-二溴叔丁基，1，2，3-三溴丙基，碘甲基，1-碘乙基，2-碘 乙基，2-碘異丁基，1，2-二碘乙基，.i，3-二碘異丙基，2,3-二碘叔丁 基，1,2,3-三碘丙基，氨基甲基，1-氨基乙基，2-氨基乙基，2-氨基異丁基，1,2-二氨基乙基，1，3-二氨基異丙基，2,3-二氨基叔丁基， 1，2,3-三氨基丙基，氰基甲基，l-氰基乙基，2-氰基乙基，2-氰基異丁 基，1,2-二氰基乙基，1,3-二氰基異丙基，2,3-二氰基叔丁基，1,2,3-三氰基丙基，硝基甲基，1-硝基乙基，2-硝基乙基，2-硝基異丁基， 1，2-二硝基乙基，1,3-二硝基異丙基，2,3-二硝基叔丁基和1，2,3-三硝 基丙基。
用于本發(fā)明有機(jī)EL器件的電子傳輸化合物優(yōu)選是一種具有氮原子的雜 環(huán)化合物或具有氮原子的配合物，更優(yōu)選是具有氮原子的配合物。具有 氮原子的雜環(huán)化合物和具有氮原子的配合物是優(yōu)選的，因?yàn)檫@些化合物 的電子親和能高至2.7 eV或更高，且電子遷移率高至l x10—6 cmVV'S或 更高。
具有氮原子的雜環(huán)化合物的例子包括逸二唑衍生物如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1， 3， 4-逸二唑和二 [2-(4-叔丁基苯基)-1， 3， 唑]-間-亞苯基，三唑衍生物和喹喔啉喹啉衍生物。
優(yōu)選具有氮原子的配合物表示為以下通式(3):
M-線 (3)
其中M表示單價(jià)至三價(jià)金屬，A表示具有氮原子的配體，B表示沒(méi)有氮 原子的配體，m表示l-4的整數(shù)，n表示0-2的整數(shù)，且由m和n表示的整數(shù) 滿；Lm+n^4。
M表示的金屬的例子包括Li， Na, Cs， Be， Mg， Ca， Ba， Zn， Cd, Al， Ga, In和Yb。在這些金屬中，Al, Be和Ga是優(yōu)選的。
A表示的配體的例子包括基于羥基喹啉的配體和基于苯并輕基查啉的 配體。
具有氮原子的配合物的例子包括以下通式(i)-(iii)表示的配合物
(i) M+A或M+A， (NT表示單價(jià)金屬離子)
(ii) M2+A2, M2+AA，或M2+A， 2(1T表示二價(jià)金屬離子)
(iii) M3+A3， M3+A2A， ， M3+AA， 2或lTA， 3(NT表示三價(jià)金屬離子) A和A， 表示的配體的例子包括以下通式(iv)表示的配體。A和A，
表示的配體可彼此相同或不同。A和A， 表示的配體中的取代基可彼此相同或不同。取代基的例子包括烷基，烷氧基，芳氧基和芳基。
(iv)
在以上通式(iv)中，A'和〃各自獨(dú)立地表示取代的或未取代的芳族環(huán) 狀結(jié)構(gòu)，且可表示相同的結(jié)構(gòu)或不同的結(jié)構(gòu)。
A和A， 表示的配體的其它例子包括以下通式表示的配體 <formula>formula see original document page 19</formula>
在上述式子中，D表示選自Si、 Ge和Sn的原子，且A,-A,各自獨(dú)立地 表示可具有取代基的芳族烴基或芳族雜環(huán)基團(tuán)。
A和A， 表示的配體的其它例子包括苯并唑如苯并咪唑，苯并瘞唑和 苯并逸-唑的衍生物。
在A和A， 表示的具有氮原子的以上配體中，以下通式(4)表示的配 體是優(yōu)選的
(4)其中RZ-W各自獨(dú)立地表示氬原子，卣素原子，羥基，取代的或未取代 的氨基，硝基，氰基，具有l(wèi)-30個(gè)碳原子的取代的或未取代的烷基，具 有2-30個(gè)碳原子的取代的或未取代的鏈烯基，具有5-30個(gè)碳原子的取代 的或未取代的環(huán)烷基，具有1 -30個(gè)碳原子的取代的或未取代的烷氧基， 具有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族烴基，具有3-40個(gè)碳原子的 取代的或未取代的芳族雜環(huán)基團(tuán)，具有7-40個(gè)碳原子的取代的或未取代 的芳烷基，具有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳氧基，具有2-40個(gè) 碳原子的取代的或未取代的烷氧羰基或羧基，且選自RM^表示的基團(tuán)中
的兩個(gè)基團(tuán)可形成環(huán)。
作為具有氮原子的配合物的，具有含氮原子的配體的配合物的例子包 括衍生自8-鞋基喹啉或其衍生物的具有含氮原子的配體的配合物，如 三(8-羥基喹啉根)合鋁，二 (8-羥基喹啉根)合鎂，二-(苯并(f)-8-羥基 喹啉根)合鋅，二(2-甲基-8-羥基喹啉根)合氧化鋁，三(8-羥基喹啉根) 合銦，三(5-甲基-8-羥基喹啉根)合鋁，8-羥基喹啉根合鋰，三(5-甲 基-8-羥基喹啉根)合鎵，二(5-氯-8-羥基喹啉根)合鈣，5，7-二氯-8-鞋 基喹啉根合鋁，三(5， 7-二溴-8-羥基喹啉根)合鋁和聚[鋅(II)-二(8-羥 基-5-喹啉基)甲烷]。
具有含有氮原子的配體和沒(méi)有氮原子的配體的配合物的例子包括二 (2-甲基-8-羥基喹啉根) (苯酚根)合鋁(III), 二(2-甲基-8-羥基喹 啉根) (鄰-甲酚根)合鋁(III), 二(2-甲基-8-羥基喹啉根) (間-甲酚 根)合鋁(III)， 二(2-甲基-8-羥基喹啉根) (對(duì)-甲酚根)合鋁(III)， 二(2-甲基-8-羥基喹啉根) (鄰-苯基苯酚根)合鋁(III), 二(2-甲基-8-羥基喹啉根) (間-苯基苯盼根)合鋁(III)， 二(2-甲基-8-羥基喹啉 根) (對(duì)-苯基苯酚根)合鋁(III)， 二(2-甲基-8-羥基喹啉根)'(2，3-二甲基苯酚根)合鋁(III)， 二(2-甲基-8-羥基喹啉根).(2,6-二甲基苯 酚根)合鋁(III), 二(2-甲基-8-羥基喹啉根) (3,4-二甲基苯酚根)合 鋁(III)， 二(2-甲基-8-羥基喹啉根) (3，5-二甲基笨酚根)合鋁 (III), 二 (2-甲基-8-羥基喹啉根) (3,5-二叔丁基苯酚根)合鋁 (III) ， 二(2-甲基-8-羥基喹啉根) (2，6-二苯基苯酚根)合鋁(in)，二(2-甲基-8-羥基喹啉根).(2,4,6-三苯基苯酚根)合鋁(111)， 二(2-甲基-8-羥基查啉根).(2,3,6-三甲基苯酚根)合鋁(III), 二(2-甲基-8-羥基會(huì)啉根).(2,3,5， 6-四甲基苯酚根)合鋁(III) ， 二(2-甲基-8-羥 基喹啉根) (1-萘酚根)合鋁(III)， 二(2-甲基-8-羥基喹啉根) (2-萘 朌根)合鋁(III), 二(2，4-二甲基-8-羥基喹啉根)'(鄰-苯基苯酚根)合 鋁(III)， 二(2，4-二甲基-8-鞋基喹啉根)'(對(duì)-苯基苯酚根)合鋁 (III)， 二(2，4-二甲基-8-羥基喹啉根) (間-苯基苯酚根)合鋁(III)， 二(2，4-二甲基-8-羥基喹啉根) (3，5-二甲基苯酚根)合鋁(111)， 二 (2，4-二甲基-8-羥基喹啉根).(3,5-二叔丁基苯酚根)合鋁(III)， 二 (2-甲基-4-乙基-8-羥基喹啉根).(對(duì)-甲酚根)合鋁(III)， 二(2-甲基-4-甲氧基-8-羥基喹啉根) (對(duì)-苯基苯盼根)合鋁(III)， 二(2-甲基-5-氰基-8-羥基喹啉根).(鄰-甲酚根)合鋁(III), 二(2-甲基-6-三氟甲 基-8-羥基喹啉根).(2-萘酚根)合鋁(in)， 二(2-甲基-8-羥基喹啉根) 合鋁(III)-p-氧代-二 (2-甲基-8-羥基喹啉根)合鋁(III), 二(2, 4-二甲 基-8-羥基喹啉根)合鋁(in)-p-氧代-二(2, 4-二甲基-8-羥基喹啉根)合 鋁(III) ， 二 (4-乙基-2-甲基-8-羥基喹啉根)合鋁(III)-氧代-二 (4-乙基-2-甲基-8-羥基喹啉根)合鋁(III) ， 二(2-甲基-4-甲氧基羥基喹啉 根)合鋁(III) -p-氧代-二 (2-甲基-4-甲氧基羥基喹啉根)合鋁(III) ， 二 (5-氰基-2-甲基-8-羥基喹啉根)合鋁(III)-p-氧代-二(5-氰基-2-甲基-8-羥基喹啉根)合鋁(III)和二 (2-甲基-5-三氟甲基-8-羥基喹啉根)合鋁 (III)氧代-二 (2-甲基-5-三氟甲基-8-羥基喹啉根)合鋁(III)。
用于本發(fā)明有機(jī)EL器件的電子傳輸化合物可以是以下通式(5)表示的 蒽衍生物
ALL-A2 (5)
其中^和〃各自獨(dú)立地表示取代的或未取代的單苯基蒽基或取代的或 未取代的二笨基蒽基，并可表示相同的基團(tuán)或不同的基團(tuán)，且L表示單 鍵或二價(jià)連接基團(tuán)；或以下通式(6)表示的蒽衍生物
A3-An-A4 (6)
其中An表示取代的或未取代的蒽殘基，且^和V各自獨(dú)立地表示具有10-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的單價(jià)稠合芳族環(huán)狀基團(tuán)，或沒(méi)有稠t 合環(huán)狀結(jié)構(gòu)并具有12-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳基，并可表示
相同的基團(tuán)或不同的基團(tuán)。
通式(5)和(6)中的取代基的例子包括具有l(wèi)-6個(gè)碳原子的烷基，具有 3-6個(gè)碳原子的環(huán)烷基，具有l(wèi)-6個(gè)碳原子的烷氧基，具有5-18個(gè)碳原子 的芳氧基，具有7-18個(gè)碳原子的芳烷氧基，被具有5-16個(gè)碳原子的芳基 取代的氨基，硝基，氰基，具有l(wèi)-6個(gè)碳原子的酯基，鹵素原子和鏈烯 基。
具有1-6個(gè)碳原子的烷基的例子包括甲基，乙基，丙基，異丙基，丁 基，異丁基，仲丁基，叔丁基，各種戊基和各種己基。
具有3-6個(gè)碳原子的環(huán)烷基的例子包括環(huán)丙基，環(huán)丁基，環(huán)戊基和環(huán) 己基
具有l(wèi)-6個(gè)碳原子的烷氧基的例子包括甲氧基，乙氧基，丙氧基，異 丙氧基，丁氧基，異丁氧基，仲丁氧基，叔丁氧基，各種戊基氧基和各 種己基氧基。
具有5-18個(gè)碳原子的芳氧基的例子包括苯氧基，甲苯基氧基和萘基氧基。
具有7-18個(gè)碳原子的芳烷氧基的例子包括千氧基，苯乙氧基和萘基甲 氧基。
被具有5-16個(gè)碳原子的芳基取代的氨基的例子包括二苯基氨基，二甲 苯基氨基，二萘基氨基和萘基苯基氨基。
具有l(wèi)-6個(gè)碳原子的酯基的例子包括甲氧基羰基，乙氧基羰基，丙氧 基羰基和異丙氧基羰基。
卣素原子的例子包括氟原子，氯原子和溴原子。
芳基的例子包括苯乙烯基苯基，苯乙烯基聯(lián)苯基和苯乙烯基萘基。
通式(5)表示的蒽衍生物的優(yōu)選例子包括通式(5-a)表示的蒽衍生物:<formula>formula see original document page 23</formula>
其中R71-R"各自獨(dú)立地表示烷基，環(huán)烷基，鏈烯基，取代的或未取代 的芳基，烷氧基，芳氧基，烷基氨基，芳基氨基或取代的或未取代的雜 環(huán)基團(tuán)；a和b分別表示0-5的整數(shù)；c， d， e和f分別表示0-4的整數(shù)；當(dāng) a-f中任何一個(gè)表示整數(shù)2或更大時(shí),相應(yīng)的R71， R72， R73， R74， 1^75或1^6表 示的多個(gè)基團(tuán)可彼此相同或不同，且可通過(guò)在彼此間形成鍵而形成環(huán)； 且L'表示單鍵，-0-， -S-， -N(R)-或亞芳基，R表示烷基或取代的或未取 代的芳基;和
通式(5-b)表示的蒽衍生物
其中R"-RM各自獨(dú)立地表示烷基，環(huán)烷基，鏈烯基，取代的或未取代 的芳基，烷氧基，芳氧基，烷基氨基，芳基氨基或，代的或未取代的雜 環(huán)基團(tuán)；g和h分別表示0-4的整數(shù)；i， j， k和l分別表示0-5的整數(shù)；p 和q分別表示0-3的整數(shù)；當(dāng)g-l中的任何一個(gè)表示整數(shù)2或更大時(shí)，相應(yīng) 的R77, R78, R79，—R80， R"或IT表示的多個(gè)基團(tuán)可彼此相同或不同，且可通 過(guò)在彼此間形成鍵而形成環(huán)；且l/表示單鍵，-0-, -S-, -N(R)-或亞芳基，R表示烷基或取代的或未取代的芳基。
在以上通式(5-a)和(5-b)中，R"-R"表示的基團(tuán)的優(yōu)選例子包括具有 l-6個(gè)碳原子的烷基，具有3-6個(gè)碳原子的環(huán)烷基，具有5-18個(gè)碳原子的 芳基，具有l(wèi)-6個(gè)碳原子的烷氧基，具有5-18個(gè)碳原子的芳氧基，被具 有5-16個(gè)碳原子的芳基取代的氨基，和雜環(huán)基團(tuán)如三唑基團(tuán)，魂、二唑基 團(tuán)，喹喔啉基團(tuán)，呋喃基和噻吩基。
在i;或I^所表示的-N(R)-基團(tuán)中，R表示的基團(tuán)的優(yōu)選例子包括具有l(wèi)-6個(gè)碳原子的烷基和具有5-l 8個(gè)碳原子的芳基。
通式(6)表示的蒽衍生物的優(yōu)選例子包括通式(6-a)表示的蒽衍生物:
A3， -An-A4， (6-a)
其中An表示取代的或未取代的二價(jià)蒽殘基，且A3，和A4，各自獨(dú)立地 表示衍生自取代或未取代的聯(lián)苯，熒蒽，萘，菲，蒽，芘，芘，蔻， 蒽，茜，芴，三聯(lián)苯，二苯基蒽，聯(lián)苯，N-烷基咔唑，N-芳基咕唑，苯 并[9，10]菲，玉紅省，苯并蒽或二苯并蒽的單價(jià)殘基；或通式(6-b)表 示的基團(tuán)
(6 — b)
其中B'和BZ分別表示取代的或未取代的苯基，萘基，聯(lián)苯，三聯(lián)苯或 蒽基。
在An， A3，和A4，表示的基團(tuán)中的取代基的實(shí)例，包括作為通式(5)和 (6)中的取代基的例子描述的基團(tuán)。
在本發(fā)明中，蒽衍生物可單獨(dú)使用，或兩種或多種結(jié)合使用。
用于本發(fā)明有機(jī)EL器件的電子傳輸化合物可以是具有Si的環(huán)狀衍生 物，如硅雜環(huán)戊二烯^"生物。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層的厚度優(yōu)選為5-200 nm, 更優(yōu)選為10-100 nm,因?yàn)槭┘拥皆撈骷系碾妷嚎擅黠@下降。
通過(guò)將組分(A)和組分(B)組合用于有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層 中的結(jié)晶受到抑制且有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層變得更加無(wú)定形。因此，穩(wěn)定性提高且耐熱性改善。作為組分(B)的化合物，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為110。C或更 高的化合物是優(yōu)選的。通過(guò)混合玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為110t或更高的化合 物，有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度可升至110。C或更高并可得到在 85°(:下儲(chǔ)存500小時(shí)或更長(zhǎng)的耐熱性。
發(fā)射光光譜中的色度和峰值波長(zhǎng)可通過(guò)調(diào)節(jié)組分(A)和組分(B)的相對(duì) 量而控制。通過(guò)增加組分(A)的相對(duì)量，發(fā)射光光譜中的峰值波長(zhǎng)移向 較長(zhǎng)的波長(zhǎng)且色度坐標(biāo)的x-坐標(biāo)增加。這種現(xiàn)象發(fā)生的原因是，組分(A) 的發(fā)射光光譜中的峰值波長(zhǎng)在較長(zhǎng)波長(zhǎng)的區(qū)域中。
優(yōu)選組分(A)和組分(B)的混合量使得組分(A)的重量與組分(B)的重量 的比率為8:92-92:8,當(dāng)組分(A)的量低于8%重量時(shí)，空穴難以通過(guò)空 穴傳輸化合物的最低占據(jù)軌道傳輸至再?gòu)?fù)合區(qū)。這種現(xiàn)象可由組分(A) 的量低于8%時(shí)施加到該器件上的電壓增加而證實(shí)。當(dāng)組分(A)的量超過(guò) 92%重量時(shí)，電子難以通過(guò)電子傳輸化合物的最低未占據(jù)軌道傳輸至再 復(fù)合區(qū)。優(yōu)選組分(A)的重量與組分(B)的重量的比率是15:60-85:40， 因?yàn)樵撈骷哂休^長(zhǎng)的壽命。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，優(yōu)選有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層中的混合層還包含(C) 焚光化合物，因?yàn)檫@樣可進(jìn)一步提高耐熱性和發(fā)光效率。優(yōu)選有機(jī)發(fā)光 介質(zhì)的混合層包含的組分(A)， (B)和(C)的量，使得組分(A)和組分(B) 的總重量與組分(C)的重量的比率是100:1-10:1。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，優(yōu)選各種中間層位于電極和有機(jī)發(fā)光介質(zhì) 層之間。中間層的例子包括空穴注射層，空穴傳輸層，電子注射層和電 子傳輸層。已知各種有機(jī)和無(wú)機(jī)化合物可用于這些層。
有機(jī)EL器件的結(jié)構(gòu)的典型例子包括
陽(yáng)極/有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層/陰極；
陽(yáng)極/空穴注射層/有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層/陰極；
陽(yáng)極/有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層/電子注射層/陰極；
陽(yáng)極/空穴注射層/有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層/電子注射層/陰極；
陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層/陰極；
陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/電子隔絕層/有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層/陰極；陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層/粘附改進(jìn)層/陰極；和
陽(yáng)極/空穴注射層/空穴傳輸層/有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層/電子注射層/陰極。
但有機(jī)EL器件的結(jié)構(gòu)不限于以上例子。
一般來(lái)說(shuō)，有機(jī)EL器件在透光基材上制成。透光基材是承栽有機(jī)EL器 件的基材。優(yōu)選透光基材在400-700皿的可見(jiàn)光區(qū)的透光率為50%或更 高，更優(yōu)選80%或更高。另外優(yōu)選使用平整和光滑的基材。
作為透光基材，有利地是使用例如玻璃板和合成樹(shù)脂板。玻璃板的具 體例子包括由鈉玻璃，包含鋇和鍶的玻璃，鉛玻璃，硅鋁酸鹽玻璃，硼 硅酸鹽玻璃，硼硅酸鋇玻璃和石英制成的板。合成樹(shù)脂板的具體例子包 括由聚碳酸酯樹(shù)脂，丙烯酸樹(shù)脂，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹(shù)脂，聚硫醚 樹(shù)脂和聚砜樹(shù)脂制成的板。
作為陽(yáng)極，優(yōu)選使用由具有大功函(4 eV或更多)的材料如金屬，合 金，導(dǎo)電化合物和這些材料的混合物制成的電極。用作陽(yáng)極的材料的具 體例子包括金屬如Au和導(dǎo)電材料如CuI， ITO(氧化錫銦)，Sn02， ZnO和 In-Zn-0?？砂凑照魵獾矸e工藝和栽射工藝之類的工藝形成上述電極材 料的薄膜而制成陽(yáng)極。當(dāng)通過(guò)陽(yáng)極獲得由發(fā)光層發(fā)出的光時(shí)，優(yōu)選陽(yáng)極 的發(fā)射光透光率大于10% 。還優(yōu)選陽(yáng)極片的電阻率是幾百個(gè)Q/口或更 小。陽(yáng)極的厚度一般選擇為10nm-l罔，優(yōu)選10-200 nm，盡管優(yōu)選的范 圍可能因?yàn)樗貌牧隙煌?br> 作為陰極，使用由具有小功函(4 eV或更低)的材料如金屬，合金，導(dǎo) 電化合物和這些材料的混合物制成的電極。用作陰極的材料的具體例子 包括鈉，鈉-鉀合金，鎂，鋰，鎂-銀合金，鋁/氧化鋁，Al/Li20， Al/Li02, Al/LiF，鋁-鋰合金，銦和稀土金屬?？砂凑照魵獾矸e工藝和 濺射工藝之類的工藝形成上述材料的薄膜而制成陰極。當(dāng)通過(guò)陰極獲得 由有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層發(fā)出的光時(shí)，優(yōu)選陰極的發(fā)射光透光率大于10%。還 優(yōu)選陰極片的電阻率是幾百個(gè)Q/口或更小。陰極的厚度一般選擇為 10nm-lMin,優(yōu)選50-200皿，盡管優(yōu)選的范圍可能因?yàn)樗貌牧隙?同。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，優(yōu)選將一層疏屬元素化物，金屬卣化物或金屬氧化物(該層有時(shí)可稱作表面層)沉積在如上制備的電極對(duì)的至少一 個(gè)的表面上。具體而言，優(yōu)選將一層金屬如硅和鋁的硫?qū)僭鼗?包 括氧化物)沉積在陽(yáng)極的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層的那側(cè)表面上，并將一層金屬 卣化物或金屬氧化物沉積在陰極的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層的那側(cè)表面上。由于 以上層，空穴或電子更容易注入發(fā)光介質(zhì)且該器件可在較低的電壓下驅(qū) 動(dòng)。
硫?qū)僭鼗锏膬?yōu)選例子包括SiOx(1^^2)， A10x(l《xSl. 5), SiON和 SiA10N。金屬卣化物的優(yōu)選例子包括LiF, MgF2， CaF2和稀土金屬的氟化 物。金屬氧化物的優(yōu)選例子包括Cs20, Li20， MgO, SrO， BaO和GaO。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，通過(guò)合適地調(diào)節(jié)上述的組分(A)和組分(B) 的相對(duì)量，可同時(shí)提高有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層的電子傳輸性能和空穴傳輸性 能，并可省略上述的中間層如空穴注射層，空穴傳輸層和電子注射層。 在這種情況下，優(yōu)選設(shè)置上述的表面層。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，優(yōu)選在電極對(duì)的至少一個(gè)的表面上布置還 原摻雜劑和電子傳輸化合物的混合區(qū)或氧化摻雜劑和空穴傳輸化合物的 混合區(qū)。由于位于電極對(duì)的表面上的所述混合區(qū)域，電子轉(zhuǎn)移化合物被 還原成陰離子。電子由所述混合區(qū)域向發(fā)光介質(zhì)的注射和傳輸可得到促 進(jìn)且該器件可在較低電壓下驅(qū)動(dòng)?？昭ㄞD(zhuǎn)移化合物被氧化成陽(yáng)離子且空 穴由所述混合區(qū)域向發(fā)光介質(zhì)的注射和傳輸?shù)玫酱龠M(jìn)。氧化摻雜劑的優(yōu) 選例子包括各種Lewis酸和受體化合物。還原摻雜劑的優(yōu)選例子包括堿 金屬，堿金屬的復(fù)合物，堿土金屬，稀土金屬和這些金屬的復(fù)合物。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層具有以下功能
(1) 注射功能在施加電場(chǎng)時(shí)，由陽(yáng)極或空穴注射層注射空穴和由陰極 或電子注射層注射電子的功能；
(2) 傳輸功能利用電場(chǎng)力，傳輸被注射的電荷(電子和空穴)的功能；
和
(3) 發(fā)光功能提供電子和空穴再?gòu)?fù)合的場(chǎng)所并導(dǎo)致發(fā)光再?gòu)?fù)合的功能。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，優(yōu)選將空穴注入到有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層的陽(yáng)極的功函WF和空穴傳輸化合物的電離能IP1滿足關(guān)系IP1-WF^0. 2eV。當(dāng)滿 足以上關(guān)系時(shí)，由陽(yáng)極至發(fā)光介質(zhì)的空穴注射得到增加并可省略空穴注 射層。因此，可簡(jiǎn)化所述器件并可降低該器件的生產(chǎn)成本。
作為用于形成有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層的工藝，可以使用常規(guī)工藝如蒸氣淀積 工藝，旋涂工藝和Langmuir-Blodgett工藝(LB工藝)。特別優(yōu)選有機(jī)發(fā) 光介質(zhì)層是分子淀積膜。分子淀積膜是通過(guò)在氣相中沉積材料化合物而 形成的薄膜或通過(guò)在溶液中或液相中固化材料化合物而形成的薄膜。一 般來(lái)說(shuō)，分子淀積膜可根據(jù)聚集結(jié)構(gòu)和更高級(jí)結(jié)構(gòu)上的差異和由這些結(jié) 構(gòu)差異造成的功能差異而區(qū)別于按照LB工藝形成的薄膜(分子聚集膜)。
如日本專利申請(qǐng)延遲公開(kāi)號(hào)57 (1982)-51781所公開(kāi)，有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層 也可通過(guò)如下步驟形成將粘合劑如樹(shù)脂和材料化合物溶解到溶劑中以 制備溶液，隨后按照旋涂工藝或類似工藝由所制備的溶液形成薄膜。
在本發(fā)明中，如果需要，上述組分(A)、組分(B)和組分(C)以外的常 規(guī)發(fā)光介質(zhì)可包含在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層中，或包含其它的常規(guī)發(fā)光介質(zhì)的
只要本發(fā)明的目的不受不利影響。
空穴注射層和空穴傳輸層是有助于空穴注入有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層和空穴傳 輸至發(fā)光區(qū)的層。這些層具有大的空穴遷移率，且電離能一般低至5.5 eV或更低。對(duì)于空穴注射層和空穴傳輸層，在低電場(chǎng)強(qiáng)度下將空穴傳輸 至有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層的材料是優(yōu)選的。更優(yōu)選在104-106 V/cm電場(chǎng)作用下 的空穴遷移率為例如至少106 cm7V.sec的材料。材料可選自常用作光 電導(dǎo)材料中的空穴電荷傳輸材料的材料和在有機(jī)EL器件中用于空穴注射 層的常規(guī)材料。
為了形成空穴注射層或空穴傳輸層，可按照常規(guī)工藝如真空蒸氣淀積 工藝，旋涂工藝，澆注工藝和LB工藝，分別由用作空穴注射層或空穴傳 輸層的材料基質(zhì)形成薄膜?？昭ㄗ⑸鋵雍涂昭▊鬏攲拥暮穸炔⒉惶貏e限 定。 一般來(lái)說(shuō)，厚度是5nm-5,。
電子注射層是有助于將電子注入有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層并具有大的電子遷移 率的層。粘附改進(jìn)層是在電子注射層中的由具有與陰極的優(yōu)異粘附性的材料制成的層。作為用作電子汰射層的材料，優(yōu)選使用8-羥基喹啉和其 衍生物的金屬配合物。8-羥基喹啉和其衍生物的金屬配合物的具體例子 包括8-羥基喹啉系化合物(Oxinoid)的金屬螯合物，包括8-羥基喹啉 的螯合物。例如，三(8-羥基喹啉)合鋁可用作電子注射材料。
為了制備本發(fā)明的有機(jī)EL器件，按照上述工藝使用上述材料形成例如 陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層和，如果需要，空穴注射層和電子注射層，并在 最后步驟中形成陰極。有機(jī)EL器件可以以與上述相反的順序，通過(guò)形成 以上的層而制成，即，陰極在第一步驟中形成，而陽(yáng)極在最后步驟中形 成。
以下描述用于制備有機(jī)EL器件的工藝的一個(gè)實(shí)施方案，該有機(jī)EL器件 具有陽(yáng)極，空穴注射層，有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，電子注射層和陰極順序布置 于透光基材上的結(jié)構(gòu)。
在一種合適的透光基材上，按照蒸氣淀積工藝或?yàn)R射工藝形成由用作 陽(yáng)極的材料構(gòu)成的薄膜，使所形成的薄膜的厚度為ljom或更小，優(yōu)選10-200 nm。所形成的薄膜用作陽(yáng)極。然后，在陽(yáng)極上形成空穴注射層?？?穴注射層可如上所述按照真空蒸氣淀積工藝，旋涂工藝，澆鑄工藝或LB 工藝形成。由于可容易得到均勻的膜且形成針孔的可能性小，真空蒸氣 淀積工藝是優(yōu)選的。當(dāng)按照真空蒸氣淀積工藝形成空穴注射層時(shí)， 一般 優(yōu)選在以下范圍內(nèi)適當(dāng)選擇條件淀積源的溫度50-450°C;真空10—7-103 乇；沉積速率0.01-50皿/秒；基材的溫度-50至300。C;膜的厚度5 nm-5MJii;盡管真空蒸氣淀積的條件因?yàn)樗玫幕衔?用作空穴注射層的材 料)以及所形成的空穴注射層的晶體結(jié)構(gòu)和再?gòu)?fù)合結(jié)構(gòu)而不同。
然后，在以上形成的空穴注射層上形成有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層。可按照真空 蒸氣淀積工藝，栽射工藝，旋涂工藝或澆鑄工藝，使用在本發(fā)明中描述 的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)，形成有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的薄膜，并將所形成的薄膜用作有 機(jī)發(fā)光介質(zhì)層。由于可容易得到均勻的膜且形成針孔的可能性小，真空 蒸氣淀積工藝是優(yōu)選的。當(dāng)按照真空蒸氣淀積工藝形成有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層 時(shí)，真空蒸氣淀積工藝的條件一般可在與真空蒸氣淀積空穴注射層時(shí)所 述相同的范圍內(nèi)選擇，盡管條件可因?yàn)樗玫幕衔锒煌?yōu)選厚度是10-40亂
在以上形成的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層上形成電子注射層。類似于空穴注射層 和有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，優(yōu)選按照真空蒸氣淀積工藝形成電子注射層，因?yàn)?必須得到均勻的膜。真空蒸氣淀積工藝的條件可在與真空蒸氣淀積空穴 注射層和有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層時(shí)所述相同的范圍內(nèi)選擇。
在最后步驟中，在以上形成的電子注射層上形成陰極并得到有機(jī)EL器 件。陰極由金屬制成并可按照真空蒸氣淀積工藝或?yàn)R射工藝形成。優(yōu)選 使用真空蒸氣淀積工藝以防在成膜過(guò)程中在下方有機(jī)層上形成損傷。
在有機(jī)EL器件的以上制備中，優(yōu)選制備體系在抽真空之后保持真空的 狀態(tài)下，順序形成從陽(yáng)極至陰極的以上各層。
在陽(yáng)極連接到正極(+)上和陰極連接到負(fù)極(_)上的條件下，在施加3-40 V的直流電壓時(shí)，如上所述制備的有機(jī)EL器件發(fā)出光。如果連接相 反，沒(méi)有觀察到電流且根本不發(fā)出光。如果向有機(jī)EL器件施加交流電 壓，僅在陽(yáng)極的極性是正的和陰極的極性是負(fù)的條件下觀察到發(fā)光。如 果向有機(jī)EL器件施加交流電壓，可以使用任何類型的波形。
下面參考實(shí)施例更具體地描述本發(fā)明。但本發(fā)明不限于實(shí)施例。
實(shí)施例1(重量比率40:20)
在尺寸為25 X75 XI. 1 mm的玻璃板上，形成由氧化錫銦構(gòu)成并且厚度 為120 nm的透明電極。在通過(guò)用紫外光照射并暴露于臭氧而清潔玻璃基 材之后，將玻璃基材放在真空蒸氣淀積裝置中。
在第一步驟中，蒸氣淀積下式表示的TPD 106:
<formula>formula see original document page 30</formula>
形成厚度為60 nm的層。然后，在所形成的層上蒸氣沉積下式表示的 TPD78:<formula>formula see original document page 31</formula>
從而在TPD 106層上形成厚度為20 nm的空穴傳輸層。然后，在所形成的 層上同時(shí)蒸氣沉積作為空穴傳輸化合物的下式表示的DC5: DC5:數(shù)量比率為70/30的異構(gòu)體的混合物
<formula>formula see original document page 31</formula> 二苯基氨基在3-和ll-位上(70)
<formula>formula see original document page 31</formula> 二苯基氨基在3-和10-位上(30)
和作為電子傳輸化合物的Alq(8-羥基喹啉的Al配合物)，其量為使DC5的 重量與Alq的重量的比率是67. 7:32.3，這樣形成厚度為40 nm的有機(jī)發(fā) 光介質(zhì)層。然后，蒸氣沉積Alq，這樣在以上形成的層上形成厚度為20 nm的層作為電子注射層。
DC5的能隙(Egl)是2. 57 eV，小于2. 7 eV的Alq的能隙(Eg2) 。 DC5的 電離能(IP1)是5. 6 eV，小于5. 7 eV的Alq的電離能(IP2)。 DC5的電子親 合能(Afl)是3.0 eV，與3. 0 eV的Alq的電子親合能(Af2)相同。
然后，蒸氣淀積堿金屬鹵化物L(fēng)iF,使得在以上層上形成厚度為0.3 nm的層，并蒸氣沉積鋁，這樣在LiF層上形成厚度為lOO nm的層。LiF和 Al的層用作陰極。如上所述制備了有機(jī)EL器件。將所制的有機(jī)EL器件通電流以進(jìn)行測(cè)試。在電壓4.5 V和電流密度 2.46 mA/cn^下，得到亮度為110 cd/W的紅橙色光發(fā)射。色度坐標(biāo)是 (0.6039， 0.3931)且發(fā)光效率是4.47 cd/A。通過(guò)恒定在起始亮度500 cd/n^下連續(xù)通電流來(lái)測(cè)試該器件，結(jié)果發(fā)現(xiàn)半衰期時(shí)間長(zhǎng)達(dá)3,120小時(shí)。
實(shí)施例2
按照實(shí)施例1中所進(jìn)行的相同步驟制備有機(jī)EL器件，只是DC5和Alq用 于形成有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，其量使得DC5的重量與Alq的重量的比率是 44.4:55. 6。
將所制的有機(jī)EL器件通電流以進(jìn)行測(cè)試。在電壓4. 0 V和電流密度 2.71 mA/cii^下得到亮度為109 cd/V的紅色光發(fā)射。色度坐標(biāo)是 (0.5886， 0.4072)且發(fā)光效率是4.02 cd/A。通過(guò)恒定在起始亮度500 cd/ifl2下連續(xù)通電流來(lái)測(cè)試該器件，結(jié)果發(fā)現(xiàn)半衰期時(shí)間長(zhǎng)達(dá)3，760小時(shí)。
實(shí)施例3
按照實(shí)施例1中所進(jìn)行的相同步驟制備有機(jī)EL器件，只是DC5和Alq用 于形成有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，其量使得DC5的重量與Alq的重量的比率是 28.6:71.4。
將所制的有機(jī)EL器件通電流以進(jìn)行測(cè)試。在電壓4.0 V和電流密度 2.96 mA/cn^下得到亮度為124 cd/n^的紅色光發(fā)射。色度坐標(biāo)是 (0.5741， 0.4228)且發(fā)光效率是4. 19 cd/A 通過(guò)恒定在起始亮度500 cd/m2下連續(xù)通電流來(lái)測(cè)試該器件，結(jié)果發(fā)現(xiàn)半衰期時(shí)間長(zhǎng)達(dá)4， IOO小 時(shí)。
實(shí)施例4
按照實(shí)施例1中所進(jìn)行的相同步驟制備有機(jī)EL器件，只是DC5和Alq用 于形成有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，其量使得DC5的重量與Alq的重量的比率是 12:88。
將所制的有機(jī)EL器件通電流以進(jìn)行測(cè)試。在電壓4. 5 V和電流密度3.』 mA/cn^下得到亮度為135 cd/W的紅色光發(fā)射。色度坐標(biāo)是(0. 5652,0. 4352)逸發(fā)光效率是4. 50 cd/A。通過(guò)恒定在起始亮度500 cd/tf下連續(xù) 通電流來(lái)測(cè)試該器件，結(jié)果發(fā)現(xiàn)半衰期時(shí)間長(zhǎng)達(dá)2,900小時(shí)。
對(duì)比例l
按照實(shí)施例1中所進(jìn)行的相同步驟制備有機(jī)EL器件，只是DC5和Alq用 于形成有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，其量使得DC5的重量與Alq的重量的比率是 2.4:97. 6。
將所制的有機(jī)EL器件通電流以進(jìn)行測(cè)試。在電壓6 V下觀察到電流為
1. 30 mA/cm2。所加電壓高于實(shí)施例1-4的有機(jī)EL器件所施加的電壓。亮 度是173 cd/m2,色度坐標(biāo)是(0.5416， 0.4550)，發(fā)光效率是8.78 cd/A。紅色光的純度與實(shí)施例l-4相比不足。通過(guò)恒定在起始亮度500 cd/i^下連續(xù)通電流來(lái)測(cè)試該器件，結(jié)果發(fā)現(xiàn)半衰期時(shí)間是970小時(shí)。半 衰期比實(shí)施例1-4的半衰期短得多。
對(duì)比例2
按照實(shí)施例1中所進(jìn)行的相同步驟制備有機(jī)EL器件，只是DC5和Alq用 于形成有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，其量使得DC5的重量與Alq的重量的比率是 4.8:95. 2。
使用所制的有機(jī)EL器件，測(cè)定顯示出與對(duì)比例1器件相同亮度的電 壓，結(jié)果為7.3V。電壓高于對(duì)比例l的器件的電壓。 對(duì)比例3
按照實(shí)施例1中所進(jìn)行的相同步驟制備有機(jī)EL器件，只是DC5和Alq用 于形成有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，其量使得DC5的重量與Alq的重量的比率是 9.1:90.9。
使用所制的有機(jī)EL器件，測(cè)定顯示出與對(duì)比例1器件相同亮度的電 壓，結(jié)果為7. IV。電壓高于對(duì)比例l的器件的電壓。
由對(duì)比例2和3的結(jié)果可以推斷，Alq用作由DC5傳輸?shù)目昭ǖ牟东@物并 增加了所施加的電壓。相反，其中DC5的加入量超過(guò)10。/n重量的器件表 現(xiàn)出顯著的電壓下降?？梢酝茢?，電壓因?yàn)镈C5用作具有空穴傳輸性能 的化合物而下降且空穴可以以高效率傳輸。
對(duì)比例4
33按照實(shí)施例1中所進(jìn)行的相同步驟制備有機(jī)EL器件，只是使用能隙 (Egl)為3.0 eV的TPD(N，N， -二(間-甲基苯基)-N,N， -二苯基-1， 1， -聯(lián)苯-4,4， -二胺)替代DC5。
將所制的有機(jī)EL器件通電流以進(jìn)行測(cè)試。在電壓5. 6V和電流密度2. 8 mA/cn^下得到亮度為56 cd/n^的綠光發(fā)射。發(fā)光效率是2.0 cd/A。通過(guò) 恒定在起始亮度500 cd/n^下連續(xù)通電流來(lái)測(cè)試該器件，結(jié)果發(fā)現(xiàn)半衰期 時(shí)間短至130小時(shí)。因此，實(shí)施例l中的器件在發(fā)光效率和壽命方面都優(yōu) 于對(duì)比例4中的器件。因此表明，滿足條件Egl^Eg2的有機(jī)EL器件在實(shí)際
應(yīng)用中存在問(wèn)題。 工業(yè)實(shí)用性
如上詳細(xì)描述，按照本發(fā)明，可得到與常規(guī)EL器件相比具有較長(zhǎng)壽命 并以較高效率發(fā)光的有機(jī)EL器件。本發(fā)明的有機(jī)EL器件可有利地用于例 如信息設(shè)備的顯示器。
權(quán)利要求
1. 一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，包含一對(duì)電極和位于該電極對(duì)之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，其中有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層包含混合層，該混合層包含(A)至少一種選自空穴傳輸化合物的化合物和(B)至少一種選自電子傳輸化合物的化合物，兩者的量使得組分(A)的量與組分(B)的量的比率是8∶92-92∶8，且表示為Eg1的空穴傳輸化合物的能隙和表示為Eg2的電子傳輸化合物的能隙滿足如下關(guān)系Eg1<Eg2，并且其中電子傳輸化合物表示為以下通式(5)A1-L-A2 (5)其中A1和A2各自獨(dú)立地表示取代的或未取代的單苯基蒽基或取代的或未取代的二苯基蒽基，并可表示相同的基團(tuán)或不同的基團(tuán)，且L表示單鍵或二價(jià)連接基團(tuán)；或表示為以下通式(6)A3-An-A4 (6)其中An表示取代的或未取代的蒽殘基，且A3和A4各自獨(dú)立地表示具有10-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的單價(jià)稠合芳族環(huán)狀基團(tuán)，或沒(méi)有稠合環(huán)狀結(jié)構(gòu)并具有12-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳基，并可表示相同的基團(tuán)或不同的基團(tuán)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中表示為IP1的空穴傳輸化 合物的電離能和表示為IP2的電子傳輸化合物的電離能滿足如下關(guān)系IP1《IP2。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中表示為Af l的空穴傳輸化 合物的電子親合能和表示為Af2的電子傳輸化合物的電子親合能滿足如下關(guān)系 Afl《Af2且由AEv-IP2-IPl給出的AEv和由AEc-Af 2-Af l給出的AEc滿足如下關(guān)系
4. 根據(jù)權(quán)利要求2的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中表示為Afl的空穴傳輸化 合物的電子親合能和表示為Af 2的電子傳輸化合物的電子親合能滿足如下關(guān)系 <formula>formula see original document page 3</formula>且由AEv-IP2-IPl給出的AEv和由AEc， -Af l-Af 2給出的AEc'滿足如下關(guān)系<formula>formula see original document page 3</formula>
5. 根據(jù)權(quán)利要求l的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中空穴傳輸化合物是具有 稠合環(huán)狀結(jié)構(gòu)的芳族胺。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中芳族胺表示為以下通式 (1):<formula>formula see original document page 3</formula>其中A一-Ar4各自獨(dú)立地表示具有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的 芳族烴基，或具有3-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族雜環(huán)基團(tuán)，Y 表示具有2-60個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族殘基，A一-A 和Y表 示的基團(tuán)中的至少一個(gè)具有含有3個(gè)或更多個(gè)環(huán)的稠合環(huán)狀基團(tuán)，且 A -Af4和Y表示的基團(tuán)上的取代基可與選自A一-Ar4和Y表示的基團(tuán)中 的兩個(gè)基團(tuán)形成環(huán)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中芳族胺表示為以下通式 (2):<formula>formula see original document page 4</formula>其中Ari-Ar6各自獨(dú)立地表示具有6-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳 族烴基，或具有3-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族雜環(huán)基團(tuán)，Z表 示具有3-60個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳族殘基，Ar1-A 和Z表示的 基團(tuán)中的至少一個(gè)具有含有3個(gè)或更多個(gè)環(huán)的稠合環(huán)狀基團(tuán)，且Ai^-Ar6 和Z表示的基團(tuán)上的取代基可與選自A -A 和Z表示的基團(tuán)的兩個(gè)基團(tuán)形 成環(huán)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層中的混 合層還包含(C)熒光化合物。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層包含組 分(A),組分(B)和組分(C),其量l吏得組分(A)和組分(B)的總重量與組 分(C)的重量的比率是100:1-10:1。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中在電tof的至少一個(gè)的 表面上布置硫?qū)僭鼗?，金屬囟化物或金屬氧化物層?br> 11. 根據(jù)權(quán)利要求l的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中在電極對(duì)的至少一個(gè)的 表面上布置還原摻雜劑和電子傳輸化合物的混合區(qū)或氧化摻雜劑和空穴 傳輸化合物的混合區(qū)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中將空穴注入有機(jī)發(fā)光介IP1-WF^). 2eV。
13. —種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，包含一對(duì)電極和位于該電極對(duì)之間的有 機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，其中有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層包含混合層，該混合層包含(A)至少一種選自空穴傳輸化合物的化合物和(B)至少一種選自電子傳輸化合 物的化合物，且表示為Eg 1的空穴傳輸化合物的能隙和表示為Eg2的電子 傳輸化合物的能隙滿足如下關(guān)系 Egl〈Eg2并且空穴在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層中由空穴傳輸化合物傳輸， 并且其中電子傳輸化合物表示為以下通式(5): A!-L-A2 (5)其中V和A2各自獨(dú)立地表示取代的或未取代的單苯基蒽基或取代的或 未取代的二苯基蒽基，并可表示相同的基團(tuán)或不同的基團(tuán)，且L表示單 鍵或二價(jià)連接基團(tuán)；或表示為以下通式(6):A3-An-A4 (6)其中An表示取代的或未取代的蒽殘基，且^和^各自獨(dú)立地表示具有 10-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的單價(jià)稠合芳族環(huán)狀基團(tuán)，或沒(méi)有稠 合環(huán)狀結(jié)構(gòu)并具有12-40個(gè)碳原子的取代的或未取代的芳基，并可表示 相同的基團(tuán)或不同的基團(tuán)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，包含一對(duì)電極和位于該電極對(duì)之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層，其中有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層包含混合層，該混合層包含(A)至少一種選自空穴傳輸化合物的化合物和(B)至少一種選自電子傳輸化合物的化合物，表示為Eg1的空穴傳輸化合物的能隙和表示為Eg2的電子傳輸化合物的能隙滿足關(guān)系Eg1＜Eg2。電子和空穴在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層中再?gòu)?fù)合并發(fā)出光。該有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件具有長(zhǎng)壽命并高效發(fā)光。
文檔編號(hào)H05B33/14GK101425564SQ20081017335
公開(kāi)日2009年5月6日 申請(qǐng)日期2001年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月26日
發(fā)明者福岡賢一, 細(xì)川地潮, 荒金崇士 申請(qǐng)人:出光興產(chǎn)株式會(huì)社