專利名稱：一種硅靶制作工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明具體涉及一種硅靶制作工藝。
背景技術(shù)：
目前，市場上生產(chǎn)的硅靶材料普遍存在晶體有裂紋，有坑及漩渦，而且生 產(chǎn)周期長，電阻率高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是提供一種生產(chǎn)周期快、電阻率低，硅靶材料晶體沒有有裂紋、有 坑及漩渦的制作工藝。
本發(fā)明的具體內(nèi)容是 一種硅靶制作工藝，包括以下步驟
(1) 、將固態(tài)的多晶硅裝入單晶爐內(nèi)，通過石墨高溫加熱；
(2) 、將固態(tài)硅加熱到1428"C的高溫進(jìn)行熔化；
(3) 、將熔化后的硅引晶；
(4) 、引晶達(dá)到目標(biāo)直徑后開始放肩；
(5) 、放肩達(dá)到目標(biāo)直徑時，提高上軸拉速轉(zhuǎn)肩，然后進(jìn)行等徑，目標(biāo)直徑的 誤差在為0. 1-0. 2mm;
(6) 、鍋內(nèi)熔硅余料達(dá)到10%-15%開始收尾；
本發(fā)明的有益效果是生產(chǎn)周期快，生產(chǎn)成本低，工藝流程、簡單產(chǎn)品純 度高、電阻率低，局部密度加強(qiáng)，無污染。
具體實(shí)施例方式
將純度99.9999%的多晶硅裝入數(shù)控80單晶爐內(nèi)，通過石墨高溫加熱，將純 度99.9999%的多晶硅以1428"的高溫進(jìn)行熔化。待固態(tài)的硅完全熔化后，開始 引晶。引晶達(dá)到目標(biāo)直徑長度后，開始放肩，放肩時需降低爐內(nèi)溫度，生長出
類似傘狀的圓片，達(dá)到目標(biāo)直徑時，提高上軸拉速轉(zhuǎn)肩。等徑過程中目標(biāo)直徑 的控制由溫度控制系統(tǒng)對單晶爐內(nèi)部熱系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)整，達(dá)到直徑控制誤差在
0. l-0.2mm。觀察爐內(nèi)余料情況，鍋內(nèi)熔硅余料達(dá)到10%-15°/。時進(jìn)行收尾，收 尾后關(guān)閉氨氣，關(guān)閉真空泵。 一支低阻晶體控制結(jié)束。將控制好的晶體放在高 精密度的線切割機(jī)上進(jìn)行開方、切片、制作，最后通過清洗機(jī)處理烘干后，進(jìn) 行包裝、入庫、出廠。采用本方法生產(chǎn)的硅靶，生產(chǎn)周期快，生產(chǎn)成本低，工 藝流程、簡單產(chǎn)品純度高、電阻率低，局部密度加強(qiáng)，無污染，硅靶材料晶體 沒有裂紋、坑及漩渦。
權(quán)利要求
1、一種硅靶制作工藝，其特征在于，包括以下步驟(1)、將固態(tài)的多晶硅裝入單晶爐內(nèi)，通過石墨高溫加熱；(2)、將固態(tài)硅加熱到1428℃的高溫進(jìn)行熔化；(3)、將熔化后的硅引晶；(4)、引晶達(dá)到目標(biāo)直徑后開始放肩；(5)、放肩達(dá)到目標(biāo)直徑時，提高上軸拉速轉(zhuǎn)肩，然后進(jìn)行等徑，目標(biāo)直徑的誤差在為0.1-0.2mm；(6)、鍋內(nèi)熔硅余料達(dá)到10％--15％收尾。
全文摘要
本發(fā)明具體涉及一種硅靶制作工藝，包括將固態(tài)的多晶硅加熱、熔化、引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑、收尾等步驟。采用本方法生產(chǎn)的硅靶，生產(chǎn)周期快、生產(chǎn)成本低、工藝流程簡單、產(chǎn)品純度高、電阻率低、局部密度加強(qiáng)，并且硅靶材料晶體沒有裂紋、坑及漩渦。
文檔編號C30B29/06GK101377007SQ20081014156
公開日2009年3月4日 申請日期2008年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月8日
發(fā)明者浩 賈, 魏明杰 申請人:河南明鑫科技發(fā)展有限公司