專(zhuān)利名稱(chēng)：具有改進(jìn)的光輸出的電致發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電致發(fā)光(EL)發(fā)光二極管(LED)裝置，且更具體地涉及具有用于改進(jìn) 光輸出的光散射層的電致發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
電致發(fā)光裝置是用于平板顯示器和區(qū)域照明燈的有前景的技術(shù)。這些裝置依賴(lài)于 涂覆在襯底上的薄膜層材料，且包括有機(jī)、無(wú)機(jī)和無(wú)機(jī)_有機(jī)混合式發(fā)光二極管。薄膜層材 料可包括例如LED領(lǐng)域中已知和教導(dǎo)的有機(jī)材料、量子點(diǎn)、熔融無(wú)機(jī)納米顆粒、電極、導(dǎo)體 和硅電子部件。 與適合于這些廣闊領(lǐng)域的應(yīng)用的獨(dú)特電致發(fā)光裝置配置無(wú)關(guān)，所有電致發(fā)光裝置 都以相同的一般性原理工作。電致發(fā)光(EL)單元夾在兩個(gè)電極之間。這兩個(gè)電極中的至 少一個(gè)是至少部分地可透光的。與傳統(tǒng)二極管的端子類(lèi)似，這些電極通常被稱(chēng)作陽(yáng)極和陰 極。當(dāng)在電極之間施加電勢(shì)使得陽(yáng)極連接到電壓源的正端子且陰極連接到負(fù)端子時(shí)，認(rèn)為 LED被正向偏置。從陽(yáng)極將正電荷載體(空穴)注入到LE單元中，從陰極注入負(fù)電荷載體 (電子)。這樣的電荷載體注入導(dǎo)致從電極通過(guò)EL單元的電流流動(dòng)?？昭ê碗娮拥闹匦陆Y(jié) 合發(fā)生在光發(fā)射層內(nèi)，并且導(dǎo)致光的發(fā)射。例如，包含量子點(diǎn)發(fā)光二極管(LED)結(jié)構(gòu)的電致 發(fā)光裝置可以是或者無(wú)機(jī)的或者無(wú)機(jī)-有機(jī)混合式的，并且空穴和電子的重新結(jié)合發(fā)生在 光發(fā)射層中的量子點(diǎn)的核內(nèi)。無(wú)機(jī)_有機(jī)混合式EL單元可由包括小分子層或聚合物層的 子層堆疊形成。 在二十世紀(jì)九十年代末引入了包含有機(jī)物和量子點(diǎn)的混合發(fā)射器的LED裝置 (Journal of Applied Physics 83， 7965 (1998) ，Mattoussi等)。量子點(diǎn)是發(fā)光的、納米尺 寸的半導(dǎo)體晶體。將量子點(diǎn)添加到發(fā)射器層可提高裝置的色域；可通過(guò)僅改變量子點(diǎn)顆粒 尺寸獲得紅光、綠光以及藍(lán)光發(fā)射；且可減小制造成本。由于諸如發(fā)射體層中量子點(diǎn)的聚 集的問(wèn)題，與典型的OLED裝置相比這些裝置的效率相當(dāng)?shù)?。?dāng)使用純的量子點(diǎn)薄膜作為發(fā) 射器層時(shí)效率甚至更差(Journal of Applied Physics93， 3509 (2003) ， Hikmet等)。效率 差要?dú)w因于量子點(diǎn)層的絕緣性質(zhì)。稍后在有機(jī)的空穴輸送層和電子輸送層之間沉積單層量 子點(diǎn)膜時(shí)效率得到了提高(到約1. 5cd/A) (Nature 420,800(2002) ， Coe等)。據(jù)稱(chēng)，從量 子點(diǎn)的發(fā)光主要是由于從有機(jī)分子上的激發(fā)子(在有機(jī)分子上發(fā)生電子空穴重新結(jié)合)的 Forster能量轉(zhuǎn)移而發(fā)生的。不管效率上的改進(jìn)如何，這些混合裝置仍然遭受與純OLED裝 置相關(guān)聯(lián)的所有缺陷。 近來(lái)，通過(guò)在真空沉積的無(wú)機(jī)n-GaN層和p-GaN層之間夾入單層厚的核/殼CdSe/ ZnS量子點(diǎn)層，構(gòu)造了一種大體上全無(wú)機(jī)的LED(NanoLetters 5， 1039(2005) ，Mueller等)。 所得到的裝置具有O. 001-0. 01%的較差的外量子效率。該問(wèn)題的一部分可能是與被報(bào)告為 存在后生長(zhǎng)(post growth)的三辛基氧化磷(T0P0)和三辛基磷(TOP)的有機(jī)配位體相關(guān) 聯(lián)的。這些有機(jī)配位體是絕緣體且將導(dǎo)致到量子點(diǎn)中的較差的電子和空穴注入。
如在共同待決共同轉(zhuǎn)讓的、Kahen的美國(guó)公開(kāi)2007/0057263 (在此通過(guò)引用將其全部并入)中所述，可在層中向另外的半導(dǎo)體納米顆粒提供量子點(diǎn)，以提高光發(fā)射層的電 導(dǎo)率。 0LED裝置一般可具有如美國(guó)專(zhuān)利No. 4， 476， 292中公開(kāi)的通常所說(shuō)的小分子裝置 和如美國(guó)專(zhuān)利No. 5， 247， 190中公開(kāi)的稱(chēng)作聚合物0LED裝置的這兩種形式。每種類(lèi)型的 OLED裝置可順序包括陽(yáng)極、有機(jī)EL元件和陰極。在大部分設(shè)計(jì)中，電極之一是反射式的且 另一個(gè)是透明的。布置在陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)EL元件一般包括有機(jī)空穴輸送層(HTL)、 光發(fā)射層(LEL)以及有機(jī)電子輸送層(ETL)?？昭ê碗娮釉贚EL層中重新結(jié)合并發(fā)光。 Tang等人(Applied Physics Letters, 51， 913 (1987) ， Journal of Applied Physics, 65， 3610(1989)，以及美國(guó)專(zhuān)利第4，769，292號(hào))展示了使用這樣的層結(jié)構(gòu)的高效的0LED。從 那之后，公開(kāi)了具有可替代層結(jié)構(gòu)的大量OLED (包括聚合材料)，并且裝置性能得到改進(jìn)。
當(dāng)分別從陰極和陽(yáng)極注入的電子和空穴流經(jīng)各自的電荷輸送層并在發(fā)射層中重 新結(jié)合時(shí)，在LED裝置中產(chǎn)生光。許多因素決定著該光產(chǎn)生過(guò)程的效率。例如，對(duì)陽(yáng)極和陰 極材料的選擇可決定電子和空穴被注入到裝置中的效率如何；對(duì)ETL和HTL的選擇可決定 電子和空穴在裝置中被輸送的效率如何，以及對(duì)LEL的選擇可決定電子和空穴重新結(jié)合并 導(dǎo)致光的發(fā)射的效率如何，等等。 還發(fā)現(xiàn)，限制LED裝置的效率的關(guān)鍵因素之一是將由電子空穴重新結(jié)合產(chǎn)生的光 子從LED裝置中提取出來(lái)的低效率。由于所使用的材料的高的光折射率，由重新結(jié)合過(guò)程 產(chǎn)生的大部分光子因?yàn)槿珒?nèi)反射而實(shí)際上被俘獲在裝置中。這些被俘獲的光子從不離開(kāi) LED裝置且對(duì)從這些裝置輸出的光沒(méi)有貢獻(xiàn)。由于光在所有方向上從LED的內(nèi)部層被發(fā) 射，有些光直接從裝置被發(fā)射出來(lái)，有些被發(fā)射到裝置中并且或者被反射回而出來(lái)或者被 吸收，還有些光被橫向地發(fā)射并且被構(gòu)成該裝置的各種層俘獲和吸收。一般說(shuō)來(lái)，高達(dá)80% 的光可能以這種方式損失掉。 典型的OLED裝置使用玻璃襯底、諸如氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電陽(yáng)極、有機(jī)層堆 疊和反射式陰極層。從裝置產(chǎn)生的光被發(fā)射通過(guò)玻璃襯底。這一般被稱(chēng)作底部發(fā)射裝置。 可替換地，裝置可包括襯底、反射式陽(yáng)極、有機(jī)層堆疊和頂部透明陰極層以及透明罩。從裝 置產(chǎn)生的光被發(fā)射通過(guò)頂部透明電極和透明罩。這一般被稱(chēng)為頂部發(fā)射裝置。在這些典型 的裝置中，ITO層、有機(jī)層和玻璃的折射率分別約為2. 0、1. 7和1. 5。據(jù)估計(jì)，所產(chǎn)生的光的 幾乎60%被內(nèi)反射俘獲在ITO/有機(jī)EL元件中，20%被俘獲在玻璃襯底中，以及實(shí)際上僅約 20%的所產(chǎn)生的光從裝置被發(fā)射出來(lái)并執(zhí)行有用的功能。 在任何這些LED結(jié)構(gòu)中，都存在所發(fā)射的光被俘獲和環(huán)境光被反射的問(wèn)題。參考 圖8，現(xiàn)有技術(shù)中已知的底部發(fā)射LED裝置被示出為具有透明襯底10、透明的第一電極12， 包含光發(fā)射層的EL單元14、反射式第二電極16、間隙19和罩20。間隙19通常填充有干 燥材料。如光線(xiàn)1所示，從EL單元14發(fā)射的光可通過(guò)透明襯底10被直接發(fā)射出裝置。如 光線(xiàn)2所示，光還可被發(fā)射并且在透明襯底10和EL單元14中被內(nèi)部引導(dǎo)。另外，如光線(xiàn) 3所示，光可被發(fā)射并且在EL單元14中被內(nèi)部引導(dǎo)。朝向反射式電極16發(fā)射的光線(xiàn)4被 朝向襯底10反射回并且遵循光線(xiàn)路徑1、2或3中的一個(gè)。入射在LED上的環(huán)境光6可被 從反射式電極16反射，從而減小LED裝置的環(huán)境對(duì)比度。在一些現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)施例中，電 極16可以是不透明的和/或吸收光的。這樣的布置會(huì)通過(guò)吸收環(huán)境光而增加對(duì)比度，但是 還吸收朝向電極16發(fā)射的光4。所示的底部發(fā)射器的實(shí)施例還可以以具有透明罩和頂部電
5極16的頂部發(fā)射器配置來(lái)實(shí)施。 提出了各種技術(shù)來(lái)改進(jìn)來(lái)自薄膜發(fā)光裝置的光的輸出耦合。這樣的技術(shù)包括衍射 光柵、具有衍射特性的亮度增強(qiáng)膜、反射結(jié)構(gòu)以及表面和體散射器的使用。已知的還有微腔 技術(shù)的使用。然而，這些方法都不能導(dǎo)致所有或幾乎所有產(chǎn)生的光被從裝置中發(fā)射出來(lái)。而 且，衍射技術(shù)導(dǎo)致對(duì)發(fā)射角度的顯著頻率依賴(lài)，使得從裝置中發(fā)射出來(lái)的光的顏色隨觀察 者的視點(diǎn)而改變。散射技術(shù)也是已知的且在例如Cok的題為"OLEDdevice having improved light output"的US 2006/0186802中有所描述，在此通過(guò)引用將其全部并入。
題 為"Brightness and contrast enhancement of direct view emissivedisplays"的US 2005/0007000描述了一種發(fā)光顯示器，該發(fā)光顯示器包括通過(guò) 一個(gè)或多個(gè)透射層發(fā)射光的多個(gè)可獨(dú)立操作的光發(fā)射器。該發(fā)光顯示器進(jìn)一步包括布置在 光發(fā)射器和透射層之間用以阻止可在由透射層產(chǎn)生的界面中的一個(gè)或多個(gè)處(諸如在光 發(fā)射器和透射層之間的界面處或在透射層和空氣之間的界面處)發(fā)生的全內(nèi)反射的元件。 通過(guò)阻止全內(nèi)反射可提高發(fā)光顯示器的亮度。用于阻止全內(nèi)反射的元件包括體散射器、表 面散射器、微結(jié)構(gòu)以及這些元件的組合，或者其他合適元件。 已知散射技術(shù)用來(lái)幫助從LED裝置提取光。Chou(W0 02/37580)和Liu等(美國(guó) 公開(kāi)第2001/0026124號(hào))教導(dǎo)了使用體散射層或表面散射層來(lái)改進(jìn)光提取。鄰近有機(jī)層 或在玻璃襯底的外表面上施加散射層，且散射層具有與這些層匹配的光學(xué)折射率。以大于 臨界角的角度(否則會(huì)被俘獲)從OLED裝置發(fā)射的光可穿透到散射層中并且被散射到裝 置外。因此OLED裝置的效率得到改進(jìn)，然而仍然具有下面所述的缺陷。而且，裝置的對(duì)比 度在漫射照明下沒(méi)有得到改進(jìn)。 2004年9月7日授權(quán)的Do等人的題為"Organic electrol咖inescentdisplay device and method of manufacturing the same，，的美國(guó)專(zhuān)利第6， 787， 796號(hào)描述了——禾中 有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示裝置和制造該裝置的方法。有機(jī)EL裝置包括襯底層、形成在襯底層 上的第一電極層、形成在第一電極層上的有機(jī)層以及形成在有機(jī)層上的第二電極層，其中 在各層間的折射率具有較大差異的有機(jī)EL裝置的層之間形成具有不同折射率區(qū)域的光損 耗防止層。Garner等人的題為"Light extracting designs fororganic light emitting diodes"的美國(guó)公開(kāi)第2004/0217702號(hào)相似地公開(kāi)了使用微結(jié)構(gòu)來(lái)提供用來(lái)在0LED內(nèi)擾 動(dòng)內(nèi)部波導(dǎo)模式的傳播的內(nèi)部折射率變化或者內(nèi)部或表面物理變化。當(dāng)用在頂部發(fā)射器實(shí) 施例中時(shí)，公開(kāi)了與罩鄰近的折射率匹配聚合物的使用。 在Shiang的題為"Organic electroluminescent devices havingimproved light extraction"的美國(guó)公開(kāi)第2005/0018431號(hào)和Horikx等人的題為"System with an active layer of a medium having light—scatteringproperties for flat—panel display devices"的美國(guó)專(zhuān)利第5， 955， 837號(hào)中描述了在0LED裝置外部使用的光散射 層。這些公開(kāi)詳細(xì)描述并定義了位于襯底上的散射層的特性。同樣地，Duggal等人的題為 "OrganicElectroLuminescent Devices with Enhanced Light Extraction"的美國(guó)專(zhuān)利 6， 777， 871描述了對(duì)包括具有特定折射率和散射特性的復(fù)合層的輸出耦合器的使用。雖然 對(duì)提取光是有用的，然而該方法將僅提取在襯底中傳播的光(如光線(xiàn)2所示)而將不提取 通過(guò)有機(jī)層和電極傳播的光(如光線(xiàn)3所示)。 在任何情況下，散射技術(shù)自身使得光多次通過(guò)光吸收材料層，在光吸收材料層中光被吸收且被轉(zhuǎn)換成熱。而且，被俘獲的光可在被散射出裝置之前通過(guò)罩、襯底或有機(jī)層水 平地傳播相當(dāng)大距離，從而減小了在諸如顯示器的像素化應(yīng)用中裝置的銳度。例如，如圖9 所示，現(xiàn)有技術(shù)的像素化底部發(fā)射LED裝置可包括多個(gè)被獨(dú)立控制的子像素50、52、54、56 和58以及位于透明的第一電極12和襯底10之間的散射層22。從光發(fā)射層發(fā)射的光線(xiàn)5 可在從裝置中發(fā)射出來(lái)之前在穿過(guò)襯底10、EL單元14和透明的第一電極12時(shí)被散射層22 多次散射。當(dāng)光線(xiàn)5最終從裝置中發(fā)射出來(lái)時(shí)，從其發(fā)源的起始子像素50位置到其被發(fā)射 的遠(yuǎn)處的子像素58光線(xiàn)5已經(jīng)通過(guò)各種裝置層行進(jìn)了相當(dāng)長(zhǎng)的距離，從而降低了銳度。大 部分橫向行進(jìn)發(fā)生在襯底IO中，因?yàn)槟鞘悄壳胺庋b中最厚的層。另外，由于在各種層中的 光的吸收，發(fā)射的光的量被減小。 Tyan等 人 的 題 為"Organic light emitting device having enhanced lightextraction efficiency"的美國(guó)公開(kāi)第2004/0061136號(hào)描述了一種包括光散射層的 增強(qiáng)型光提取OLED裝置。在某些實(shí)施例中，鄰近折射層與光散射層相結(jié)合地使用低折射率 隔離層(具有基本上比有機(jī)電致發(fā)光元件的光學(xué)折射率低的光學(xué)折射率)，以防止低角度 光觸擊反射層，從而使得由于從反射層的多次反射而導(dǎo)致的吸收損耗最小化。然而，該特定 布置仍然可導(dǎo)致裝置的減小的銳度并且不提高對(duì)比度。 已知通過(guò)在光發(fā)射區(qū)域之間采用例如黑矩陣材料或通過(guò)使用彩色濾波器來(lái)提高 LED裝置的對(duì)比度。這樣的方法雖然有用，但反射式電極的存在仍然顯著地減小了環(huán)境對(duì)比 度。如上所述，可采用圓偏振器，然而申請(qǐng)人已確定諸如散射層的光提取技術(shù)易于與這樣的 偏振器不兼容。 如在現(xiàn)有技術(shù)中所教導(dǎo)的，典型的散射理論采用球陣列。如果這樣的球彼此相鄰 地布置以形成層，則球的體積(Vp= (4*Ji*r3)/3)除以層的體積、=(2*r)3)的比等于 Ji/6或0. 5236。題為"Electroluminescentillumination system with an active layer of a medium having light-scatteringproperties for flat-panel display devices" 的美國(guó)5， 955， 837描述了在底部發(fā)射電致發(fā)光裝置的襯底上散射顆粒的半單層的使用。這 樣的層的體積比最多是典型的接觸球單層陣列的一半，或近似為0. 26。盡管對(duì)于所公開(kāi)的 裝置優(yōu)化了襯底中被俘獲的光的提取和非俘獲光的非散射的組合，但是這樣的材料層可能 并不散射被俘獲在有機(jī)和電極層中的光，并且也難以形成。而且，當(dāng)所俘獲的光的量相對(duì)于 所發(fā)射的光的量增加時(shí)，理想的散射的相對(duì)量增加，從而使得所述散射顆粒的半單層可能 不能最優(yōu)地從所關(guān)注的LED裝置中提取所發(fā)射的光的全部。還有個(gè)事實(shí)就是，有機(jī)電致發(fā) 光材料、反射式電極和透明電極都吸收一些光。因此，理想的是，盡可能地散射所俘獲的高 角度光以使吸收最小化。另外，申請(qǐng)人進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)顯示，對(duì)于一些LED裝置結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)實(shí)際散 射層的這樣的體積比并不最優(yōu)地提取光。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種包括形成在襯底上的光發(fā)射區(qū)域的電致發(fā)光(EL)裝置。第一 和第二電極以及一個(gè)或多個(gè)EL單元連同形成在電極之間的至少一個(gè)光發(fā)射層被包括，其 中至少一個(gè)電極是透明的。罩位于光發(fā)射區(qū)域之上，且光散射層位于襯底和罩之間。光散 射層包括透明的光散射顆粒，其中在大部分光發(fā)射區(qū)域上光散射顆粒的體積與光散射層的 體積之比大于O. 55，其中或者襯底或者罩是透明的并透射從EL單元發(fā)射的光。
本發(fā)明的另一方面提供一種用于形成電致發(fā)光(EL)裝置的方法，該方法包括以 下步驟 a)提供具有光發(fā)射區(qū)域的LED，所述光發(fā)射區(qū)域包括第一電極和第二透明電極以 及形成在所述電極之間的一個(gè)或多個(gè)EL單元； b)形成包括易揮發(fā)溶劑和多個(gè)透明的光散射顆粒的溶液； c)在透明電極的與所述一個(gè)或多個(gè)EL單元相對(duì)的一側(cè)上涂覆所述溶液；以及
d)使所述溶液干燥以在透明電極上形成光散射層，其中在大部分光發(fā)射區(qū)域上光 散射顆粒的體積與光散射層的體積之比大于0. 55。
優(yōu)點(diǎn) 本發(fā)明具有提高了從電致發(fā)光裝置的光輸出的優(yōu)點(diǎn)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有光散射層的電致發(fā)光裝置的截面； 圖2是示出用于制作本發(fā)明的方法的流程圖； 圖3是根據(jù)本發(fā)明的可替換實(shí)施例的光散射層的截面； 圖4是根據(jù)本發(fā)明的可替換實(shí)施例的光散射層的截面； 圖5是根據(jù)本發(fā)明的可替換實(shí)施例的具有光散射層的電致發(fā)光裝置的截面； 圖6和圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光散射層的顯微相片； 圖8示出具有被俘獲的光的現(xiàn)有技術(shù)底部發(fā)射器LED裝置的截面； 圖9示出具有散射表面和降低了的銳度的現(xiàn)有技術(shù)底部發(fā)射器LED裝置的截面；
以及 圖IO是LED的截面。 應(yīng)理解，附圖不是按比例繪制的，因?yàn)楦鱾€(gè)層太薄并且各種層的厚度差異太大而 不允許按比例繪制。
具體實(shí)施例方式
參考圖l，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，電致發(fā)光裝置包括具有第一電極12、第二透 明電極16以及形成在電極12和16之間的一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光(EL)單元14的LED。裝置 的光發(fā)射區(qū)域被定義為第一電極12、第二透明電極16以及所述一個(gè)或多個(gè)EL單元14排 列于其中的區(qū)域。光散射層22形成在透明電極16的與所述一個(gè)或多個(gè)EL單元14相對(duì)的 一側(cè)上。光散射層22包括透明的光散射顆粒23，其中在大部分光發(fā)射區(qū)域上光散射顆粒 23的體積與光散射層22的體積之比大于0. 55。優(yōu)選地，該比值在0. 55和0. 75之間，且更 優(yōu)選地該比值在0. 55和0. 65之間。LED可形成在襯底10上，其中罩20附著到襯底，形成 LED與罩20內(nèi)側(cè)之間的間隙18。 通過(guò)仔細(xì)檢查圖10可更好地理解EL單元14。典型的LED 40結(jié)構(gòu)被示出為包含 第一電極12和第二電極16之間的電致發(fā)光(EL)單元14。 EL單元14如同所示包含第一 電極12和第二電極16之間的所有層(例如光發(fā)射層33和電荷控制層35、37)，但是不包含 電極12、16自身。光發(fā)射層33可包含通過(guò)空穴和電子的重新結(jié)合而發(fā)光的任何材料。在 一個(gè)實(shí)施例中，如圖10所示，光發(fā)射層33包含半導(dǎo)體矩陣31中的發(fā)光量子點(diǎn)39。本公開(kāi)
8中所使用的量子點(diǎn)是發(fā)光納米顆粒。如圖io所示，量子點(diǎn)可以是球形的，然而不限于該形
狀。發(fā)光納米顆粒可具有任意形狀，包括球、桿和線(xiàn)，只要它們是在至少一個(gè)維度上長(zhǎng)度小于100nm的無(wú)機(jī)晶狀納米顆粒即可。優(yōu)選地，發(fā)光納米顆粒表現(xiàn)出量子局限效應(yīng)。半導(dǎo)體矩陣31在混合式裝置的情況下可以是有機(jī)基質(zhì)材料，或在無(wú)機(jī)量子點(diǎn)LED的情況下是多晶無(wú)機(jī)半導(dǎo)體矩陣。EL單元14可選地可以分別包含p型或n型電荷輸送層35和37，以改善電荷注入。EL單元14可具有附加的電荷輸送層或接觸層(未示出)。 一個(gè)典型的LED裝置使用玻璃襯底、諸如氧化銦錫(IT0)的透明導(dǎo)電陽(yáng)極、包含層堆疊的EL單元14和反射式陰極層。EL單元14中的層可以是有機(jī)的、無(wú)機(jī)的或它們的組合。 在本發(fā)明的各種實(shí)施例中，光散射顆粒23可具有與光散射層22的剩余體積的平均折射率相比相對(duì)較高的折射率。也就是說(shuō)，散射顆粒23可位于具有相對(duì)較低折射率的粘結(jié)劑中或形成在采用真空或充氣腔(諸如圖1的腔18)的表面(例如透明電極16)上。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，光散射顆粒23是非球形的且隨機(jī)地定向。這樣的顆粒形狀和定向有效地形成在透明電極16的表面上的每個(gè)點(diǎn)處散射所有光的隨機(jī)散射結(jié)構(gòu)，從而增大了可在與光散射層22的每個(gè)相遇處被散射的高角度俘獲光的量。這樣的隨機(jī)化效應(yīng)減小了所發(fā)射的光的顏色和亮度的角度依賴(lài)性；對(duì)大部分發(fā)光裝置(諸如顯示器和區(qū)域照明器)有用的特性，然而在現(xiàn)有技術(shù)的稀疏、低體積比的散射層中可能沒(méi)有發(fā)現(xiàn)它。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，為了使得不能被提取的俘獲光的量最小化，在光散射層22和EL單元14之間不形成折射率大于O. 1(其小于光發(fā)射層的折射率)、并且厚度足以俘獲光的層。更優(yōu)選地，光散射層22與EL單元14直接光接觸。直接光接觸意味著在光散射層22和EL單元14之間形成的任何層具有等于或大于光發(fā)射材料層的折射率的折射率或足以俘獲光的厚度。在任何情況下，在光散射層22和透明電極16之間可采用透明的保護(hù)層。
層的體積是由在光散射顆粒下面并且光散射顆粒形成在其上并與其接觸的表面、在光散射顆粒的上面并且與光散射顆粒接觸的平行表面以及在每個(gè)邊緣上與頂部表面和底部表面垂直的表面所包圍的體積。對(duì)于具有剛性平面襯底的裝置，體積是可以包圍層中的所有光散射顆粒的最小立方體的體積。 本發(fā)明可用在具有圖案化電極和光發(fā)射區(qū)域50的像素化顯示裝置中。在這樣的裝置中，光散射層22可以或者單獨(dú)地或者以一個(gè)連續(xù)涂層的方式形成在每個(gè)光發(fā)射區(qū)域50上。在任一情況下，光散射層22的體積僅包圍位于光發(fā)射區(qū)域50之上或之下的那些光散射顆粒23。根據(jù)本發(fā)明，在至少大部分光發(fā)射區(qū)域上，光散射顆粒23的體積與光散射層22的體積之比大于O. 55。盡管在裝置的整個(gè)光發(fā)射區(qū)域上該比值可優(yōu)選地大于O. 55，然而其還可優(yōu)選地在小部分光發(fā)射區(qū)域上包括不意圖用于光散射層22中的光散射的相對(duì)大的突出的顆粒(例如如2005年7月12日提交的共同待決的USSN 11/179， 409中教導(dǎo)的隔離器顆粒，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用被包括在此)。因?yàn)檫@種較大的顆粒將另外地大幅增加由突出的顆粒的峰值所限定的層的體積但不顯著影響光散射，因此在確定本發(fā)明的光散射層22中的散射顆粒的體積比時(shí)不需要包括包含這樣的相對(duì)大的顆粒的區(qū)域。因此，本發(fā)明僅要求在大部分光發(fā)射區(qū)域上該體積比大于0. 55。因此，可以將涂覆有這樣的較大顆粒的任何區(qū)域從光散射層的限定體積的表面的描述中排除。 根據(jù)本發(fā)明，光散射顆粒23可包括各種材料，沒(méi)有被光散射顆粒23占據(jù)的其余部分的體積也可以包括各種材料。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，大部分其余的體積可以是氣體
9或真空。優(yōu)選地，采用空氣或惰性氣體。 本發(fā)明的光散射顆粒23優(yōu)選地具有大于或等于EL單元14和/或透明電極16的光折射率的光折射率。這樣的光折射率有效地從裝置中提取光，因?yàn)槠淇梢苑乐谷魏喂獗环@在EL單元14和/或透明電極16中。實(shí)際上，光散射顆?？删哂写笥诨虻扔?. 8的光折射率。 參考圖2，根據(jù)本發(fā)明，包括光散射層22的電致發(fā)光裝置可通過(guò)以下步驟來(lái)形成提供100具有光發(fā)射區(qū)域的LED，該光發(fā)射區(qū)域包括第一電極和第二透明電極以及形成在電極之間的一個(gè)或多個(gè)EL單元；形成105包括易揮發(fā)溶劑和多個(gè)透明的光散射顆粒的溶液(例如分散體)；將溶液涂覆IIO在第二透明電極的與所述一個(gè)或多個(gè)EL單元相對(duì)的一側(cè)上；以及使溶液干燥115以在透明電極上形成光散射層，其中在至少大部分光發(fā)射區(qū)域上散射顆粒的體積與層的體積之比大于0. 55。用于形成LED裝置的技術(shù)在本領(lǐng)域中是熟知的。 在溶液中可包括另外的材料以進(jìn)一步改進(jìn)該方法或所得到的層的效能。例如，可采用表面活性劑或粘結(jié)劑。特別地，可采用光折射率小于光散射顆粒的折射率且重量小于光散射顆粒23的重量的10%的粘結(jié)劑。申請(qǐng)人已證明例如包括氨基鉀酸乙酯的這樣的粘結(jié)劑可有效地用作表面活性劑以及用于將光散射顆粒23附著到電極上的手段。參考圖3，在透明電極16上形成光散射顆粒23的干燥后的層22。 參考圖4，在本發(fā)明的可替換實(shí)施例中，可在包括光散射顆粒23和透明的高折射率納米顆粒30的混合物的溶液中添加粘結(jié)劑，以形成在透明電極16上形成的高光折射率的光散射層22。在這種情況下，粘結(jié)劑和納米顆粒30可形成鄰近透明電極16的光滑的平面層。申請(qǐng)人在具有光散射顆粒23的光散射層22內(nèi)采用了這樣的高折射率納米顆粒30。高折射率納米顆粒30可能不散射光但是可增強(qiáng)光散射顆粒23和透明電極16之間的光學(xué)耦合。納米顆粒30可能具有不同于光散射顆粒23的光學(xué)指數(shù)(optical index)。
如圖1所示，光散射層22可與第二透明電極16鄰近并接觸。這樣的配置可將光散射層22與第二透明電極16置于光學(xué)接觸中，從而增強(qiáng)從第二透明電極16到光散射層22的光的透射。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，如圖5所示，可在光散射層22(26a)和第二透明電極16之間以及/或者在光散射層22的與第二透明電極16相對(duì)的一側(cè)上在光散射層22 (26b)上形成一個(gè)或多個(gè)保護(hù)層26a/26b。保護(hù)層在本領(lǐng)域中是已知的，例如諸如氧化鋁或氧化鋅的金屬氧化物以及聚對(duì)二甲苯。在被采用時(shí)，這樣的保護(hù)層的折射率優(yōu)選地可大于O. l(其小于光發(fā)射材料層的折射率)、更優(yōu)選地至少為光發(fā)射材料層的折射率，且具有不足以俘獲從光發(fā)射材料層發(fā)射的光的厚度。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，如在US2006/0186802中所教導(dǎo)的，低折射率層可在間隙18中使用或用作間隙18，并且OLED裝置可以是頂部發(fā)射顯示裝置以及第一電極12可以是反射式電極。 在其他實(shí)施例中，封裝罩20和襯底10可包括具有1. 4禾P 1. 6之間的典型折射率的玻璃或塑料。透明的低折射率元件18可包括光學(xué)透明材料的固體層、空間或間隙?？臻g或間隙可以是真空或填充有光學(xué)透明的氣體或液體材料。例如空氣、氮、氦或氬都具有1.0和1. 1之間的折射率且都可被采用?？刹捎玫母驼凵渎使腆w包括碳氟化合物或MgF，它們每個(gè)均具有低于1. 4的折射率。采用的任何氣體優(yōu)選地是惰性的。反射式電極12優(yōu)選地由金屬(例如鋁、銀或鎂)或金屬合金制成。透明電極16優(yōu)選地由透明導(dǎo)電材料例如氧化銦錫(IT0)或其他金屬氧化物制成。EL單元14可包括本領(lǐng)域已知的有機(jī)材料，例如空穴注入層、空穴輸送層、光發(fā)射層、電子注入層以及/或者電子輸送層。在0LED領(lǐng)域中這樣的有機(jī)材料層眾所周知。有機(jī)材料層一般具有1. 6和1. 9之間的折射率，而氧化銦錫具有約1. 8-2. 1的折射率。因此，在有機(jī)LED的情況下各種層16和14具有1. 6_2. 1的折射率范圍?？商鎿Q地，EL單元14可包括折射率范圍一般在1. 8和3. 0之間的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料。當(dāng)然，各種材料的折射率可取決于穿過(guò)它們的光的波長(zhǎng)，因此針對(duì)這些材料的在此處提到的折射率值僅是近似的。在任何情況下，透明的低折射率元件18在LED發(fā)射器的理想波長(zhǎng)處優(yōu)選地具有至少為0. 1的折射率，其比第一折射率范圍內(nèi)的每個(gè)值和第二折射率低。
光散射顆粒23可包括金屬氧化物，例如二氧化鈦。在一個(gè)實(shí)施例中，光散射顆粒具有小于2微米的平均最大直徑，且在可替換實(shí)施例中，光散射顆粒具有1微米和2微米之間的平均最大直徑。在可替換實(shí)施例中，光散射顆粒23可具有小于1微米的平均最大直徑。光散射顆粒23自身可以是磷光或熒光顆粒且用來(lái)提取被俘獲的光以及將相對(duì)高頻的光轉(zhuǎn)換成不同的低頻顏色。沒(méi)有被轉(zhuǎn)換的相對(duì)低頻的光可以簡(jiǎn)單地被提取出。在這種情況下，磷光或熒光光散射顆粒的直徑可以是0. 5至2微米。 在操作中，利用電極12和16通過(guò)EL單元14的光發(fā)射層33提供電流以發(fā)射光。一些光通過(guò)散射層22被有用地發(fā)射出裝置外。其他光可能由于全內(nèi)反射以及透明電極16和EL單元14的高光折射率而被俘獲。該被俘獲的光可與光散射層22中的光散射顆粒23相互作用并被有用地重新導(dǎo)出裝置，從而提高裝置的亮度。申請(qǐng)人已構(gòu)造出這樣的裝置。圖6和圖7是根據(jù)本發(fā)明具有約0. 6的體積比的實(shí)施例的具有Ti02光散射顆粒的光散射層的顯微照片。光散射層包括具有10%重量的樹(shù)脂表面活性劑和粘結(jié)劑(Avecia制造的Solsperse 2000)的0. 5_2微米的Ti02顆粒，且具有小于1微米的厚度。該層是由濃度為14%重量的二甲苯分散體涂覆成的，采用以70微米的間距、100滴/秒沉積的60pL滴通過(guò)噴墨方式沉積在頂部發(fā)射OLED裝置的表面上，以形成薄濕膜，在50C(攝氏度)將其烘干。隨著干燥溫度的變化，可替換地可以使用其他溶劑(包括甲苯)以及其他涂覆方法(諸如旋涂和噴涂)來(lái)提供不同的干燥速率。溶劑中不同濃度的顆粒也以不同的速率沉積且然后在不同的溫度(在溫度經(jīng)過(guò)控制的大氣中或者通過(guò)加熱分散體沉積于其上的襯底)使其干燥，從而為給定量的光散射材料提供可變的干燥速率。特別地，可控制干燥以提供不同濃度的最終光散射層。申請(qǐng)人證明40-60C(攝氏度)的優(yōu)選范圍以外的溫度一般導(dǎo)致小于0.55體積百分比的次優(yōu)堆積濃度，且不能最優(yōu)地從OLED裝置中提取光。而且，對(duì)于表面區(qū)域上的分散體中的恒定體積的散射顆粒，沉積速率(例如每秒來(lái)自噴墨沉積系統(tǒng)的滴)影響干燥層的干燥和堆積結(jié)構(gòu)。在OLED裝置的透明電極上提供具有優(yōu)選體積比的光散射層，且發(fā)現(xiàn)該光散射層的性能具有期望的性能。 散射層22可采用各種材料。例如，在聚合材料的矩陣中可采用隨機(jī)布置的二氧化鈦球?？商鎿Q地，可使用采用ITO、氧化硅或氮化硅的更有組織的布置。折射元件的形狀可以是柱形、矩形、金紅石型或球形，但應(yīng)理解的是其形狀不限于此。散射層22中的材料之間的折射率差可以是例如從O. 3到3，且一般大的折射率差是所期望的。散射層的厚度或散射層中或散射層的表面上的特征的尺寸可以是例如從0. 03到50 ii m，然而優(yōu)選小于1微米的厚度以使吸收最小化以及使與顯示裝置的其他元件的兼容性最大化。 一般優(yōu)選避免散射層中的衍射效應(yīng)。例如可通過(guò)隨機(jī)地布置特征或通過(guò)確保折射元件的尺寸、形狀或分布變化以及/或者與從光發(fā)射區(qū)域由裝置發(fā)射的光的顏色的波長(zhǎng)不相同，來(lái)避免這樣的效應(yīng)。
光散射層22的材料可包括有機(jī)材料(例如聚合物或?qū)щ娋酆衔?或無(wú)機(jī)材料。有機(jī)材料可包括例如一個(gè)或多個(gè)聚噻吩、PEDOT、 PET或PEN。無(wú)機(jī)材料可包括例如SiOx(x> 1) 、 SiNx(x > 1) 、 Si3N4、 Ti02、 MgO、 ZnO、 A1203、 Sn02、 ln203、 MgF"二氧化鉿(Hf02)、氧化鋯(Zr0》、鋯石(Zr02. S叫)、釓鎵石榴石(Gd3Ga5012)、硫酸鋇、氧化釔(Y^)、禮鋁石榴石("YAG"， Y3A15012)、方解石(CaC03)、藍(lán)寶石(A1203)、金剛石、氧化鎂和/或氧化鍺以及CaF2中的一個(gè)或多個(gè)。散射層22可包括例如具有1. 6到1. 8的折射率的氧化硅和氮化硅，且摻雜有具有從2. 5到3的折射率的二氧化鈦。可采用具有1. 4到1. 6范圍內(nèi)的折射率的聚合材料，擁有具有更高折射率的材料例如二氧化鈦的折射元件的分散體。
可使用例如本領(lǐng)域中已知的光刻膠、掩膜曝光和蝕刻利用傳統(tǒng)的平版印刷手段來(lái)產(chǎn)生散射層?？商鎿Q地，可采用溶液涂覆，其中液體例如具有二氧化鈦分散體的溶劑可形成散射層22。 大部分有機(jī)的和有機(jī)_無(wú)機(jī)混合式的LED裝置對(duì)濕度或?qū)ρ鯕饷舾?，或者?duì)二者都敏感，因此它們一般與干燥劑(諸如氧化鋁、鐵鋁氧石、硫酸鈣、粘土、硅膠、沸石、堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物、硫酸鹽或金屬卣化物和高氯酸鹽) 一起被封裝在諸如氮或氬的惰性氣氛中。用于封裝和干燥的方法包括但不限于在2001年5月8日授權(quán)給Boroson等人的美國(guó)專(zhuān)利第6，226，890號(hào)中所述的那些方法。另外，諸如SiOx(x〉 1)、特氟隆的阻擋層以及交替的無(wú)機(jī)/聚合物層在用于封裝的本領(lǐng)域中是已知的。 特別地，如圖5所示，可采用保護(hù)層26a/26b。例如，可在電極16上沉積非常薄的透明封裝材料層。在這種情況下，散射層22可沉積在保護(hù)材料26a的層上。該結(jié)構(gòu)具有在散射層22的沉積期間保護(hù)電極16的優(yōu)點(diǎn)。優(yōu)選地，透明保護(hù)材料26a層具有至少可與透明電極和有機(jī)層的折射率范圍可比的折射率，或非常薄(例如約少于O. l微米)，使得透明電極16和EL單元14中的經(jīng)波導(dǎo)引導(dǎo)的光將穿過(guò)透明保護(hù)材料26a層并且被散射層22散射。 如果需要，本發(fā)明的電致發(fā)光裝置可利用各種熟知的光學(xué)效應(yīng)來(lái)提高其特性。這包括優(yōu)化層厚度以產(chǎn)生最大的光透射，提供介質(zhì)鏡結(jié)構(gòu)，用光吸收電極替代反射式電極，在顯示器上提供抗強(qiáng)光或抗反射涂層，在顯示器上提供偏振介質(zhì)或在顯示器上提供彩色的、中性濃度或顏色轉(zhuǎn)換濾波器?？商氐卦谡稚匣蜃鳛檎值囊徊糠痔峁V波器、偏振器和抗強(qiáng)光或抗反射涂層。 本發(fā)明還可利用主動(dòng)或被動(dòng)矩陣OLED裝置來(lái)實(shí)施。其還可用在顯示裝置或區(qū)域照明裝置中。在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明用在包括小分子OLED或聚合OLED的平板OLED裝置中，如在1988年9月6日授權(quán)給Tang等人的美國(guó)專(zhuān)利第4， 769， 292號(hào)和1991年10月29授權(quán)給VanSlyke等人的美國(guó)專(zhuān)利第5， 061， 569號(hào)中所公開(kāi)的，但不限于此。在另一實(shí)施例中，本發(fā)明用在包含量子點(diǎn)的平板無(wú)機(jī)LED裝置中，如在題為"Quantum dot light emittinglayer"的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2007/0057263號(hào)和Kahen的待決的美國(guó)申請(qǐng)第11/683， 479號(hào)中所公開(kāi)的，但不限于此，通過(guò)引用將上述文獻(xiàn)全部包括在此。有機(jī)的、無(wú)機(jī)的和混合式的發(fā)光顯示器的許多組合和變體可用來(lái)制造這樣的裝置，包括具有頂部或底部發(fā)射器結(jié)構(gòu)的主動(dòng)矩陣LED顯示器和被動(dòng)矩陣LED顯示器這兩者。電致發(fā)光裝置的許多組合和變體可用來(lái)制造這樣的顯示器，包括具有頂部或底部發(fā)射器結(jié)構(gòu)的主動(dòng)和被動(dòng)矩陣LED顯示器。
已經(jīng)具體參考本發(fā)明的某些優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明，但應(yīng)理解在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)變化和修改。部件列表1，2，3，4光線(xiàn)10襯底12電極14EL單元16透明電極18間隙19間隙20罩22散射層23散射顆粒26，26a，26b 保護(hù)層
30透明的高折身31半導(dǎo)體矩陣33光發(fā)射層35， 37電荷輸送層39量子點(diǎn)40LED50光發(fā)射區(qū)域100提供OLED歩驟105形成分散體歩驟110涂覆分散體歩驟115干燥分散體步驟。
1權(quán)利要求
一種電致發(fā)光(EL)裝置，包括襯底；形成在所述襯底上的光發(fā)射區(qū)域，其包括第一電極和第二電極以及包括形成在所述電極之間的至少一個(gè)光發(fā)射層的一個(gè)或多個(gè)EL單元，其中至少一個(gè)電極包括透明電極；位于所述光發(fā)射區(qū)域上方的罩；以及位于所述襯底和罩之間的光散射層，其包括透明的光散射顆粒，其中在所述光散射區(qū)域的大部分上，光散射顆粒的體積與所述光散射層的體積之比大于0.55，其中或者所述襯底或者罩是透明的并透射從所述EL單元發(fā)射的光。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中所述光散射層位于所述襯底和電極 之間或位于電極和所述EL單元之間，或位于電極和所述罩之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中所述光散射層與電極鄰近和相接觸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中所述第一電極形成在所述襯底上且 是反射式的，所述第二電極形成在所述EL單元上且是透明的，以及所述光散射層在所述透 明的第二電極的與所述第一反射式電極相對(duì)的一側(cè)上位于所述透明的電極上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中所述第一電極形成在所述襯底上且 是透明的，且所述第二電極形成在所述EL單元上且是透明的，以及所述光散射層在所述第 一透明電極和所述襯底之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中至少一個(gè)電極包括具有透明層和反 射層的多個(gè)層，以及其中所述光散射層形成在所述透明層和所述反射層之間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中所述光散射顆粒是非球形的且被隨 機(jī)地定向。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中沒(méi)有被光散射顆粒占據(jù)的所述光散 射層的體積的大部分被氣體或真空占據(jù)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中所述光散射層還包括光折射率小于 所述光散射顆粒的折射率且重量小于所述光散射顆粒的重量的10%的粘結(jié)劑。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中光散射顆粒的體積與所述光散射 層的體積之比在0. 55和0. 75之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電致發(fā)光(EL)裝置，還包括在所述光散射層和所述透明電 極之間以及/或者在所述光散射層的與所述透明電極相對(duì)的一側(cè)上在所述光散射層上形 成的一個(gè)或多個(gè)保護(hù)層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中所述光散射顆粒具有小于2微米 的平均最大直徑。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中所述光散射顆粒具有0. 5微米和 2微米之間的平均最大直徑。
14. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中所述光散射顆粒包括磷光或熒光 顆粒。
15. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中所述光散射顆粒包括金屬氧化物 或金屬氮化物。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中所述光散射層小于1微米厚。
17. —種用于形成電致發(fā)光(EL)裝置的方法，包括步驟a) 提供具有光發(fā)射區(qū)域的LED，所述光發(fā)射區(qū)域包括第一電極和第二透明電極以及形 成在所述電極之間的一個(gè)或多個(gè)EL單元；b) 形成包括易揮發(fā)溶劑和多個(gè)透明光散射顆粒的溶液；c) 將所述溶液涂覆在所述透明電極的與所述一個(gè)或多個(gè)EL單元相對(duì)的一側(cè)上；以及d) 使所述溶液干燥以在所述透明電極上形成光散射層，其中在所述光發(fā)射區(qū)域的大部 分上所述光散射顆粒的體積與所述光散射層的體積之比大于0. 55。
18. —種電致發(fā)光(EL)裝置，包括: 襯底；形成在所述襯底之上的光發(fā)射區(qū)域，其包括第一電極和第二電極以及包括形成在所述 電極之間的至少一個(gè)光發(fā)射層的一個(gè)或多個(gè)EL單元，其中至少一個(gè)電極包括透明電極，所 述透明電極和EL單元材料具有第一折射率范圍；罩，其具有第二折射率且位于所述光發(fā)射區(qū)域上，并且來(lái)自所述EL單元的光通過(guò)所述 罩被發(fā)射；位于所述襯底和罩之間的光散射層，其包括透明的光散射顆粒，其中在大部分所述光 發(fā)射區(qū)域上光散射顆粒的體積與所述光散射層的體積之比大于0. 55，其中或者所述襯底或 者罩是透明的并透射從所述EL單元發(fā)射的光；以及透明的低折射率元件，其具有低于所述第一折射率范圍中的每個(gè)值和第二折射率的第 三折射率，且位于所述光散射層和透明的襯底或罩之間。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中所述罩是透明的罩以及其中所述 透明的低折射率元件與所述透明的罩鄰近和相接觸，或者其中所述襯底是透明的襯底以及 其中所述透明的低折射率元件與所述透明的襯底鄰近和相接觸。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的電致發(fā)光(EL)裝置，其中所述第一電極是透明的且形成在 所述襯底上，以及所述第二電極是反射式的且形成在所述一個(gè)或多個(gè)EL單元上，以及所述 光散射層位于所述透明的低折射率元件上且與所述第一透明電極鄰近和相接觸。
全文摘要
一種電致發(fā)光(EL)裝置，其包括在襯底(10)上形成的光發(fā)射區(qū)域。第一電極(12)和第二電極(16)以及一個(gè)或多個(gè)EL單元(14)連同在電極之間形成的至少一個(gè)光發(fā)射層被包括，其中至少一個(gè)電極是透明的。罩(20)位于光發(fā)射區(qū)域之上，且光散射層(22)位于襯底和罩之間。光散射層包括透明的光散射顆粒(23)，其中在大部分光發(fā)射區(qū)域上光散射顆粒的體積與光散射層的體積之比大于0.55，其中襯底或罩是透明的且透射從EL單元發(fā)射的光。
文檔編號(hào)H05B33/00GK101711439SQ200880018267
公開(kāi)日2010年5月19日 申請(qǐng)日期2008年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月31日
發(fā)明者R·S·科克 申請(qǐng)人:伊斯曼柯達(dá)公司