專利名稱：均溫板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及散熱，特別涉及一種有效地節(jié)省設(shè)置熱傳界面材料以及均溫板的底座 的成本的均溫板及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子裝置的尺寸逐漸往輕薄短小的方向發(fā)展，電子裝置的散熱議題 亦逐漸受到重視。尤其是目前的消費性電子產(chǎn)品，例如數(shù)碼相機、手機及筆記本電腦等，由 于其具有的功能愈來愈多且復(fù)雜，并且其所包含的功率晶體管元件的數(shù)目也不斷增加，隨 著機體內(nèi)部的空間愈來愈小，再加上為了降低電子裝置所產(chǎn)生的噪音而限制風(fēng)扇的使用， 因而導(dǎo)致其熱管理的問題變得更加嚴(yán)重，亟待解決。一般而言，為了使得電子裝置內(nèi)的功率晶體管元件能夠于正常的操作溫度下運 作，以維持其正常的使用壽命，目前的電子裝置大多采用鋁鎂合金作為其機殼的材料，并經(jīng) 由熱傳界面材料(thermal interface material)及熱傳元件，例如導(dǎo)熱膏、導(dǎo)熱片、熱管 (heat pipe)、均溫板(vapor chamber)及回路式熱管(loop heat pipe)等，將電子裝置的 功率晶體管元件所散發(fā)出來的熱量傳遞到其金屬機殼上。由于金屬機殼的散熱面積較大， 故可有效地降低功率晶體管元件的溫度，用以達到散熱的效果。在眾多的散熱裝置中，又稱為平板式熱管(flat plate heat pipe)的均溫板由于 具有優(yōu)異的橫向及縱向熱傳導(dǎo)特性，故已廣泛地應(yīng)用于中央處理器、繪圖顯示處理器、高功 率晶體管、高功率發(fā)光二極管等電子裝置的散熱器，用以確保上述這些電子裝置能在正常 狀態(tài)下運行而不會由于過熱而故障。請參照圖IA及圖1B，圖IA及圖IB分別所示為傳統(tǒng)上將電子裝置的功率晶體管元 件通過均溫板貼合于其金屬機殼上的上視圖及剖面視圖。如圖IA及圖IB所示，電子裝置 1的功率晶體管元件10所散發(fā)出來的熱量通過導(dǎo)熱膏(或?qū)崞?tl傳導(dǎo)至均溫板12的 上蓋板121(加熱側(cè))。接著，均溫板12再利用其內(nèi)部的工作流體于液相與氣相之間的相變化，將上述熱 量大范圍地傳遞至均溫板12的底板122(冷卻側(cè))。然后，均溫板12的底板122再通過導(dǎo) 熱膏(或?qū)崞?t2將熱量傳導(dǎo)至電子裝置1的金屬機殼14上，利用金屬機殼14所具有 的較大的散熱面積進行散熱，以減少電子裝置中常出現(xiàn)的局部高溫現(xiàn)象。然而，上述傳統(tǒng)的電子裝置1中的散熱方式仍存在著許多缺點。舉例而言，電子裝 置1的功率晶體管元件10所散發(fā)出來的熱量需通過導(dǎo)熱膏(或?qū)崞?tl傳導(dǎo)至均溫板 12上，并且均溫板12亦需通過導(dǎo)熱膏(或?qū)崞?t2將熱量傳導(dǎo)至金屬機殼14上。由于 導(dǎo)熱膏(或?qū)崞?tl及t2的熱傳導(dǎo)系數(shù)(thermal conductivity)甚低而存在較大的熱 阻，此外，無論是在功率晶體管元件10與導(dǎo)熱膏(或?qū)崞?tl之間、導(dǎo)熱膏(或?qū)崞? tl與均溫板12之間、均溫板12與導(dǎo)熱膏(或?qū)崞?t2之間以及導(dǎo)熱膏(或?qū)崞?t2 與金屬機殼14之間，均會由于兩者間的接觸面不平整光滑，而產(chǎn)生相當(dāng)大的接觸熱阻，導(dǎo) 致電子裝置1的整體熱傳性能變差，故電子裝置1的功率晶體管元件10所產(chǎn)生的熱量并無法有效地加以排除，其操作溫度仍會偏高，因而使得電子裝置1的可靠度及使用壽命大幅 降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提出一種均溫板及其制造方法，以解決上述問題。根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例為一種均溫板。于此實施例中，均溫板應(yīng)用于電子裝 置。電子裝置包含金屬機殼。均溫板包含上蓋板、工作流體、防水層及毛細結(jié)構(gòu)層。上蓋板 設(shè)置于電子裝置的金屬機殼的內(nèi)壁上，以定義容置空間。工作流體填充于容置空間內(nèi)。防 水層形成于容置空間的內(nèi)壁上。毛細結(jié)構(gòu)層形成于防水層上。于實際應(yīng)用中，工作流體為水；毛細結(jié)構(gòu)層為粉末式多孔性毛細結(jié)構(gòu)層；防水層 及毛細結(jié)構(gòu)層為與水不發(fā)生反應(yīng)的材料。均溫板還包含電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層。電絕緣導(dǎo)熱陶 瓷層形成于防水層與容置空間的內(nèi)壁之間。電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層、防水層及毛細結(jié)構(gòu)層經(jīng)由 熔射噴覆成型法依序形成于金屬機殼的內(nèi)壁上。根據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例為一種均溫板制造方法。于上述制造方法中，首先， 形成上蓋板于電子裝置的金屬機殼的內(nèi)壁上，以定義容置空間；然后，形成防水層于容置空 間的內(nèi)壁上；接著，形成毛細結(jié)構(gòu)層于防水層上；之后，于容置空間內(nèi)填充工作流體；最后， 密封容置空間。相較于先前技術(shù)，本發(fā)明所提出的均溫板及其制造方法將均溫板與電子裝置的金 屬機殼整合為一體，并將電子裝置的金屬機殼當(dāng)作均溫板的底座，故可省去先前技術(shù)中均 溫板與金屬機殼之間所采用的熱傳導(dǎo)系數(shù)甚低的熱傳界面材料，除了能夠節(jié)省熱傳界面材 料及均溫板的底座的成本外，還可以達到降低熱阻以提升整體熱傳性能的功效。此外，本發(fā)明還可通過熔射噴覆技術(shù)在均溫板的內(nèi)壁依序形成電絕緣導(dǎo)熱陶瓷 層、防水層及粉末式多孔性毛細結(jié)構(gòu)層，使得均溫板能夠采用于常溫下具有較佳熱傳輸能 力的水作為其冷卻用的工作流體，用以大幅提升均溫板的散熱效果，還可通過電絕緣導(dǎo)熱 陶瓷層的形成，避免均溫板由于異質(zhì)材料標(biāo)準(zhǔn)電位差所引起的電化學(xué)腐蝕的現(xiàn)象。關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點與精神可以利用以下的發(fā)明詳述及附圖得到進一步的了解。


圖IA及圖IB分別所示為傳統(tǒng)上將電子裝置的功率晶體管元件通過均溫板貼合于 其金屬機殼上的上視圖及剖面視圖。圖2所示為根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例所提出的均溫板的剖面視圖。圖3A及圖:3B分別所示為圖2中的均溫板的上蓋板及電子裝置的金屬機殼的剖面 視圖。圖4A所示為圖2中的區(qū)域Rl的放大視圖。圖4B所示為圖2中的區(qū)域R2的放大視圖。圖5所示為根據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例的均溫板制造方法的流程圖。
具體實施例方式根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例為一種均溫板。實際上，均溫板應(yīng)用于電子裝置，并與電子裝置的金屬機殼進行整合。其中，電子裝置可以是數(shù)碼相機、手機、筆記本電腦或臺式 電腦，但并不以此為限。至于金屬機殼的材料則可為鋁鎂合金、鋁合金、鎂合金、鋁、鋼或鐵 材料，但亦不以此為限。請參照圖2，圖2所示為本實施例所提出的均溫板的剖面視圖。如圖2所示，均溫 板2的上蓋板22設(shè)置于電子裝置的金屬機殼20的內(nèi)壁上，以定義容置空間。熔射噴覆層 24則形成于容置空間的內(nèi)壁上。更詳細地說，熔射噴覆層M形成于金屬機殼20上以及均 溫板2的上蓋板22的內(nèi)壁上，用以使得上述容置空間均被熔射噴覆層M所包覆，并且上述 容置空間內(nèi)填入水W作為均溫板22內(nèi)的工作流體。其中，上蓋板的材料為金屬材料，其可為 鋁鎂合金、鋁合金、鎂合金、鋁、鋼或鐵材料，且上蓋板的材料可與金屬機殼相同，亦可不同， 并不以此為限。此外，均溫板2亦可進一步包含支撐板220，如圖2所示的肋板，但不以此為限。支 撐板220的表面亦形成有熔射噴覆層M，支撐板220抵持于上蓋板22與金屬機殼20之間， 用以加強支撐整個均溫板2的結(jié)構(gòu)。至于支撐板220的數(shù)目及其設(shè)置于均溫板2的位置端 視實際需求而定，并無一定的限制。接著，請參照圖3A及圖3B，圖3A及圖分別所示為圖2中的均溫板2的上蓋板 22及電子裝置的金屬機殼20的剖面視圖。如圖3A所示，熔射噴覆層M形成于上蓋板22 的內(nèi)壁以及支撐板220的表面上，使得上蓋板22的內(nèi)壁以及支撐板220的表面上均被熔射
噴覆層M所覆蓋住。如圖;3B所示，于電子裝置的金屬機殼20的內(nèi)壁上亦形成有熔射噴覆層24，并且熔 射噴覆層M形成于金屬機殼20的內(nèi)壁上的凹陷處，致使形成于金屬機殼20上的熔射噴覆 層M的表面能夠與旁邊的金屬機殼20的內(nèi)壁同高，但不以此為限。接下來，請參照圖4A，圖4A所示為圖2中的區(qū)域Rl的放大視圖。如圖4A所示，于 區(qū)域Rl中，形成于金屬機殼20的內(nèi)壁上的熔射噴覆層M包含有毛細結(jié)構(gòu)層Ml、防水層 242及電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層M3。其中，電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層M3、防水層242與毛細結(jié)構(gòu)層241 依序以熔射噴覆成型法形成于金屬機殼20的內(nèi)壁上，也就是說，首先是電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層 243形成于金屬機殼20的內(nèi)壁上；接著是防水層242形成于電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層243上；最 后才是毛細結(jié)構(gòu)層241形成于防水層242上。于實際應(yīng)用中，熔射噴覆成型法可以是電漿熔射噴覆、電弧熔射噴覆、火焰熔射噴 覆或高速火焰熔射噴覆等不同形式的熔射噴覆成型法，并且可以在高溫環(huán)境或低溫環(huán)境下 進行，而無一定的限制。值得注意的是，熔射噴覆成型法所采用的噴覆材料選擇與均溫板2內(nèi)的工作流體 化學(xué)性質(zhì)兼容且不發(fā)生反應(yīng)的金屬或陶瓷材料。于此實施例中，由于均溫板2采用水作為 工作流體，因此，熔射噴覆成型法即采用與水化學(xué)性質(zhì)兼容且不發(fā)生反應(yīng)的噴覆材料，例如 銅、黃銅、鎳或鈦等材料作為形成熔射噴覆層M的噴覆材料，但不以此為限。于金屬機殼20的內(nèi)壁上形成電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層M3的目的是為了避免因為異質(zhì) 材料的標(biāo)準(zhǔn)電位差所引起的電化學(xué)腐蝕現(xiàn)象，亦即伽凡尼腐蝕((Galvanic corrosion)現(xiàn) 象。于此實施例中，形成電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層243的噴覆材料先被熔融為液狀后，再利用高壓 氣體吹出成直徑10至500納米的陶瓷粉末顆粒M30并高速噴射堆疊于金屬機殼20的內(nèi) 壁上，形成厚度約10至50微米的電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層M3，但不以此為限。
實際上，電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層243的材料可為氮化鋁、氧化鋁、氮化硅或氮化硼材料 或其它具有高導(dǎo)熱系數(shù)且電絕緣的材料。此外，電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層M3的孔隙率小于或等 于10%，并且形成電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層243的陶瓷粉末顆粒M30的尺寸約為10至500納米， 但并不以此為限。于此實施例中，形成防水層M2的噴覆材料先被熔融為液狀后，再利用高壓氣體 吹出成直徑5至200納米的防水層粉末顆粒M20并高速噴射堆疊于電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層243 上，形成厚度約10至50微米的防水層M2。類似地，形成毛細結(jié)構(gòu)層Ml的噴覆材料先被 熔融為液狀后，再利用高壓氣體吹出成直徑35至250微米的毛細結(jié)構(gòu)層粉末顆粒MlO并 高速噴射堆疊于防水層M2的表面上，形成厚度約0. 1至0. 8毫米的粉末式多孔性毛細結(jié) 構(gòu)層對1，但并不以此為限。由圖4A可知，形成于金屬機殼20的內(nèi)壁上的電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層M3的厚度與形 成于電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層243上的防水層242的厚度相當(dāng)，均約為10至50微米的厚度，但并 不以此為限。然而，形成電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層243的陶瓷粉末顆粒對30的尺寸則遠小于形成 防水層242的防水層粉末顆粒M20。至于防水層242的厚度則遠小于形成于防水層242上 的毛細結(jié)構(gòu)層241的厚度，并且形成防水層242的防水層粉末顆粒M20的尺寸遠小于形成 毛細結(jié)構(gòu)層241的毛細結(jié)構(gòu)層粉末顆粒MlO的尺寸。此外，由于毛細結(jié)構(gòu)層Ml的孔隙率約介于30%至70%之間，遠大于防水層242 小于或等于2%的孔隙率以及電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層M3小于或等于10%的孔隙率，故相較于 防水層242及電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層243而言，毛細結(jié)構(gòu)層241有較高的孔隙率而具有多孔性， 并且防水層242能夠有效避免水與防水層242下方的電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層243及金屬機殼20 的內(nèi)壁接觸而產(chǎn)生反應(yīng)。于實際應(yīng)用中，形成防水層242與毛細結(jié)構(gòu)層241的噴覆材料可以是同一材料 (例如均為銅)，抑或是不同材料(例如分別為鎳及黃銅)，并無一定的限制，但以同一材料 為較佳。至于電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層對3的材料則以氮化鋁為較佳，但并不以此為限。請參照圖4B，圖4B所示為圖2中的區(qū)域R2的放大視圖。如圖4B所示，于區(qū)域R2 中，形成于均溫板2的上蓋板22內(nèi)壁上的熔射噴覆層M包含有毛細結(jié)構(gòu)層Ml、防水層242 及電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層M3。其中，電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層M3、防水層242與毛細結(jié)構(gòu)層241依 序以熔射噴覆成型法形成于上蓋板22的內(nèi)壁上。至于熔射噴覆層M所包含的毛細結(jié)構(gòu)層 Ml、防水層242及電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層M3的詳細結(jié)構(gòu)及其形成方式，則如同前述實施例的 相關(guān)說明，于此不另行贅述。根據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例為一種均溫板制造方法。于實際應(yīng)用中，上述制造 方法所制造的均溫板應(yīng)用于電子裝置，并與電子裝置的金屬機殼進行整合。其中，電子裝置 可以是數(shù)碼相機、手機、筆記本電腦或臺式電腦，但并不以此為限。至于金屬機殼的材料則 可為鋁鎂合金、鋁合金、鎂合金、鋁、鋼或鐵材料，但亦不以此為限。請參照圖5，圖5所示為上述均溫板制造方法的流程圖。如圖5所示，首先，執(zhí)行步 驟S10，以壓鑄成型法制作電子裝置的金屬機殼。接著，執(zhí)行步驟S11，以壓鑄成型法制作上 蓋板。然后，執(zhí)行步驟S 12，對與工作流體接觸的金屬機殼及上蓋板的表面進行噴砂粗糙化 及陽極處理。實際上，上述與工作流體接觸的表面包含上蓋板及金屬機殼的內(nèi)壁，也就是說，步驟S12是針對上蓋板及金屬機殼的內(nèi)壁進行噴砂粗糙化及陽極處理等程序。接下來，依序執(zhí)行步驟S13至步驟S15，以熔射噴覆成型法依序于上述這些表面上 形成電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層、防水層及銅質(zhì)多孔毛細結(jié)構(gòu)層。其中，步驟S13形成電絕緣導(dǎo)熱陶 瓷層于上蓋板及金屬機殼的內(nèi)壁上；步驟S14形成防水層于電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層上；步驟S15 形成銅質(zhì)多孔毛細結(jié)構(gòu)層于防水層上。于實際應(yīng)用中，熔射噴覆成型法可以是電漿熔射噴 覆、電弧熔射噴覆、火焰熔射噴覆或高速火焰熔射噴覆等不同形式的熔射噴覆成型法，并且 可以在高溫環(huán)境或低溫環(huán)境下進行，而無一定的限制。值得注意的是，熔射噴覆成型法所采用的噴覆材料選擇與均溫板內(nèi)的工作流體化 學(xué)性質(zhì)兼容且不發(fā)生反應(yīng)的金屬或陶瓷材料。于此實施例中，由于均溫板系采用水作為工 作流體，因此，熔射噴覆成型法即采用與水化學(xué)性質(zhì)兼容且不發(fā)生反應(yīng)的噴覆材料，例如 銅、黃銅、鎳或鈦等材料作為形成電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層、防水層及銅質(zhì)多孔毛細結(jié)構(gòu)層的噴覆 材料，但不以此為限。于步驟S13中，形成電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層的噴覆材料先被熔融為液狀后，再利用高 壓氣體吹出成直徑10至500納米的粉末顆粒并高速噴射堆疊于上蓋板及金屬機殼的內(nèi)壁 上，以形成厚度約10至50微米的電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層，但不以此為限。實際上，電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層的材料可以選擇自由氮化鋁、氧化鋁、氮化硅及氮化硼 材料所組成的群組或其它具有高導(dǎo)熱系數(shù)且電絕緣的材料。此外，電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層的孔 隙率小于或等于10%，并且形成電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層的陶瓷粉末顆粒的尺寸約為10至500納 米，但并不以此為限。于步驟S14中，形成防水層的噴覆材料先被熔融為液狀后，再利用高壓氣體吹出 成直徑5至200納米的粉末顆粒并高速噴射堆疊于電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層上，以形成厚度約10 至50微米的防水層。類似地，于步驟S15中，形成毛細結(jié)構(gòu)層的噴覆材料先被熔融為液狀 后，再利用高壓氣體吹出成直徑35至250微米的粉末顆粒并高速噴射堆疊于防水層的表面 上，以形成厚度約0. 1至0. 8毫米的粉末式多孔性毛細結(jié)構(gòu)層，但并不以此為限。于此實施例中，電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層的厚度與形成于電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層上的防水層 的厚度相當(dāng)，均約為10至50微米的厚度，但并不以此為限。然而，形成電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層 的陶瓷粉末顆粒的尺寸則遠小于形成防水層的粉末顆粒。至于防水層的厚度則遠小于形成 于防水層上的毛細結(jié)構(gòu)層的厚度，并且形成防水層的粉末顆粒的尺寸遠小于形成毛細結(jié)構(gòu) 層的粉末顆粒的尺寸。此外，由于毛細結(jié)構(gòu)層的孔隙率約介于30%至70%之間，遠大于防水層小于或等 于2%的孔隙率及電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層小于或等于10%的孔隙率，故相較于防水層及電絕緣 導(dǎo)熱陶瓷層而言，毛細結(jié)構(gòu)層有較高的孔隙率而具有多孔性，并且防水層能夠有效避免水 與防水層下方的電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層以及金屬機殼的內(nèi)壁接觸而產(chǎn)生反應(yīng)。于實際應(yīng)用中，形成防水層與毛細結(jié)構(gòu)層的噴覆材料可以是同一材料(例如均為 銅)，抑或是不同材料(例如分別為鎳及黃銅)，并無一定的限制，但以同一材料為較佳。至 于電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層的材料則以氮化鋁為較佳，但并不以此為限。之后，執(zhí)行步驟S16，將上蓋板設(shè)置于金屬機殼的內(nèi)壁上，以定義容置空間。接著， 執(zhí)行步驟S17，激光焊接密封上蓋板與金屬機殼。然后，執(zhí)行步驟S 18，充填工作流體至容 置空間內(nèi)。最后，執(zhí)行步驟S19及步驟S20，抽真空除氣密封均溫板，并對均溫板進行性能測試及尺寸檢驗。綜上所述，相較于先前技術(shù)，根據(jù)本發(fā)明的均溫板及其制造方法將均溫板與電子 裝置的金屬機殼整合為一體，并將電子裝置的金屬機殼當(dāng)作均溫板的底座，故可省去先前 技術(shù)中均溫板與金屬機殼之間所采用的熱傳導(dǎo)系數(shù)甚低的熱傳界面材料，除了能夠節(jié)省熱 傳界面材料及均溫板的底座的成本外，還可以達到降低熱阻以提升整體熱傳性能的功效。此外，本發(fā)明還可通過熔射噴覆技術(shù)在均溫板的內(nèi)壁依序形成電絕緣導(dǎo)熱陶瓷 層、防水層及粉末式多孔性毛細結(jié)構(gòu)層，使得均溫板能夠采用于常溫下具有較佳熱傳輸能 力的水作為其冷卻用的工作流體，用以大幅提升整合均溫板的金屬機殼的散熱效果，還可 利用電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層避免因異質(zhì)材料標(biāo)準(zhǔn)電位差引起電化學(xué)腐蝕的現(xiàn)象。利用以上較佳具體實施例的詳述，希望能更清楚描述本發(fā)明的特征與精神，并非 以上述所揭露的較佳具體實施例對本發(fā)明的保護范圍加以限制。相反，其目的是希望能涵 蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所附權(quán)利要求書所限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種均溫板，應(yīng)用于電子裝置，上述電子裝置包含金屬機殼，其特征是，上述均溫板 包含上蓋板，設(shè)置于上述電子裝置的上述金屬機殼的內(nèi)壁上，以定義容置空間；工作流體，填充于上述容置空間內(nèi)；防水層，形成于上述容置空間的內(nèi)壁上；以及毛細結(jié)構(gòu)層，形成于上述防水層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均溫板，其特征是，上述均溫板還包含電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層，形成于上述防水層與上述容置空間的內(nèi)壁之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的均溫板，其特征是，上述電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層、上述防水層及上 述毛細結(jié)構(gòu)層經(jīng)由熔射噴覆成型法依序形成于上述金屬機殼的內(nèi)壁上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的均溫板，其特征是，上述電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層的材料為氮化鋁、 氧化鋁、氮化硅或氮化硼材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的均溫板，其特征是，上述電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層的孔隙率小于或 等于10%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均溫板，其特征是，上述金屬機殼的材料為鋁鎂合金、鋁合 金、鎂合金、鋁、鋼或鐵材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均溫板，其特征是，上述上蓋板的材料為金屬材料，上述金屬 材料未鋁鎂合金、鋁合金、鎂合金、鋁、鋼或鐵材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均溫板，其特征是，上述工作流體為水。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的均溫板，其特征是，上述防水層及上述毛細結(jié)構(gòu)層為與水不 發(fā)生反應(yīng)的材料，其材料為銅、黃銅、鎳或鈦材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均溫板，其特征是，上述毛細結(jié)構(gòu)層為粉末式多孔性毛細結(jié) 構(gòu)層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均溫板，其特征是，上述毛細結(jié)構(gòu)層的厚度大于上述防水層 的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均溫板，其特征是，上述防水層的孔隙率小于或等于2%。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均溫板，其特征是，上述毛細結(jié)構(gòu)層的孔隙率介于30%至 70%之間。
14.一種均溫板制造方法，其特征是，包含下列步驟于電子裝置的金屬機殼的內(nèi)壁上形成上蓋板，以定義容置空間；于上述容置空間的內(nèi)壁上形成防水層；于上述防水層上形成毛細結(jié)構(gòu)層；于上述容置空間內(nèi)填充工作流體；以及密封上述容置空間。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的均溫板制造方法，其特征是，上述均溫板制造方法還包含 下列步驟于上述防水層與上述容置空間的內(nèi)壁之間形成電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的均溫板制造方法，其特征是，上述的于上述防水層與上述 容置空間的內(nèi)壁之間形成上述電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層的步驟經(jīng)由熔射噴覆成型法來完成。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的均溫板制造方法，其特征是，上述電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層的材料為氮化鋁、氧化鋁、氮化硅或氮化硼材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的均溫板制造方法，其特征是，上述電絕緣導(dǎo)熱陶瓷層的孔 隙率小于或等于10%。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的均溫板制造方法，其特征是，上述的于上述容置空間的內(nèi) 壁上形成上述防水層與上述的于上述防水層上形成上述毛細結(jié)構(gòu)層的步驟均經(jīng)由熔射噴 覆成型法來完成。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的均溫板制造方法，其特征是，上述金屬機殼的材料為鋁鎂 合金、鋁合金、鎂合金、鋁、鋼或鐵材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的均溫板制造方法，其特征是，上述上蓋板的材料為金屬材 料，上述金屬材料為鋁鎂合金、鋁合金、鎂合金、鋁、鋼或鐵材料。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的均溫板制造方法，其特征是，上述工作流體為水。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的均溫板制造方法，其特征是，上述防水層及上述毛細結(jié)構(gòu) 層為與水不發(fā)生反應(yīng)的材料，其材料為銅、黃銅、鎳或鈦材料。
24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的均溫板制造方法，其特征是，上述毛細結(jié)構(gòu)層為粉末式多 孔性毛細結(jié)構(gòu)層。
25.根據(jù)權(quán)利要求14所述的均溫板制造方法，其特征是，上述毛細結(jié)構(gòu)層的厚度大于 上述防水層的厚度。
26.根據(jù)權(quán)利要求14所述的均溫板制造方法，其特征是，上述防水層的孔隙率小于或等于2%。
27.根據(jù)權(quán)利要求14所述的均溫板制造方法，其特征是，上述毛細結(jié)構(gòu)層的孔隙率介 于30%至70%之間。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種均溫板及其制造方法。均溫板應(yīng)用于電子裝置。電子裝置包含金屬機殼。均溫板包含上蓋板、工作流體、防水層及毛細結(jié)構(gòu)層。上蓋板設(shè)置于金屬機殼的內(nèi)壁上，以定義容置空間。工作流體填充于容置空間內(nèi)。防水層形成于容置空間的內(nèi)壁上。毛細結(jié)構(gòu)層形成于防水層上。
文檔編號H05K7/20GK102131368SQ201010004648
公開日2011年7月20日 申請日期2010年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月20日
發(fā)明者劉睿凱, 鐘兆才 申請人:和碩聯(lián)合科技股份有限公司