專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光元件及其制造方法以及發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用有機(jī)材料的場(chǎng)致發(fā)光現(xiàn)象的發(fā)光元件及其制造方法以及發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，研究、開(kāi)發(fā)不斷進(jìn)展的有機(jī)電致發(fā)光元件(下面，記載為“有機(jī)EL元件”。) 是利用了有機(jī)材料的場(chǎng)致發(fā)光現(xiàn)象的發(fā)光元件。有機(jī)EL元件具有在陽(yáng)極與陰極之間夾插 了有機(jī)發(fā)光層的構(gòu)成，是通過(guò)從陽(yáng)極注入空穴、從陰極注入電子而在有機(jī)發(fā)光層內(nèi)使空穴 與電子再結(jié)合(復(fù)合)從而取出光的器件。另外，發(fā)光層通過(guò)由絕緣材料形成的提(bank) 來(lái)規(guī)定形狀。在陽(yáng)極與有機(jī)發(fā)光層之間，例如根據(jù)需要夾插有空穴注入層、空穴輸送層或者空 穴注入兼輸送層，在陰極與有機(jī)發(fā)光層之間，例如根據(jù)需要夾插有電子注入層、電子輸送層 或者電子注入兼輸送層(下面，將空穴注入層、空穴輸送層、空穴注入兼輸送層、電子注入 層、電子輸送層以及電子注入兼輸送層總稱(chēng)并記載為“電荷注入輸送層”)。在以往的有機(jī)EL元件中，電荷注入輸送層使用由[化學(xué)式1]表示的PEDOT(聚噻 吩與聚苯乙烯磺酸的混合物)等的導(dǎo)電性高分子材料形成(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1等)。[化學(xué)式1]
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光元件，所述發(fā)光元件在第1電極與第2電極之間，至少夾插有電荷注入輸送 層與發(fā)光層的層疊體，并且具有規(guī)定所述發(fā)光層的形狀的提，所述第1電極是包含被氧化而成的一方的表面?zhèn)炔糠趾蜎](méi)有被氧化而剩余的部分的 層中的所述沒(méi)有被氧化而剩余的金屬層；所述電荷注入輸送層是所述被氧化而成的金屬氧化物層，在由所述提規(guī)定的區(qū)域形成 為上面下沉的凹入結(jié)構(gòu)；所述電荷注入輸送層的凹部的邊緣由所述提的一部分被覆。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，所述金屬氧化物層被在形成所述提時(shí)所使用的液體侵蝕。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，所述提的一部分到達(dá)所述電荷注入輸送層的凹入結(jié)構(gòu)的凹部的底面； 所述提的側(cè)面從到達(dá)所述凹部的底面的到達(dá)點(diǎn)到頂點(diǎn)為上升斜面。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，所述提的一部分沒(méi)有到達(dá)所述電荷注入輸送層的凹入結(jié)構(gòu)的凹部的底面。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，所述第1電極為至少包含所述金屬層的單層結(jié)構(gòu)或者層疊結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，所述第1電極為具有可見(jiàn)光的反射率為60%以上的下層和設(shè)置在所述下層上的作為 所述金屬層的上層的層疊結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，所述第1電極為具有作為包含鋁和銀之中的至少一種的合金的下層和設(shè)置在所述下 層上、且包含鉬、鉻、釩、鎢、鎳、銥之中的至少一種的作為所述金屬層的上層的層疊結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，所述第1電極中的所述金屬層的膜厚為20nm以下。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件， 所述發(fā)光層為有機(jī)EL層。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，所述電荷注入輸送層沿著所述提的底面向所述提的側(cè)方延伸出去。
11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，所述電荷注入輸送層的凹部的邊緣是由在所述電荷注入輸送層的上面上沒(méi)有凹入的 區(qū)域和所述凹部的側(cè)面形成的凸角部分。
12.一種發(fā)光裝置，具備多個(gè)權(quán)利要求1 11的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件。
13.一種發(fā)光元件的制造方法，所述發(fā)光元件在第1電極與第2電極之間，至少夾插有 電荷注入輸送層與發(fā)光層的層疊體，并且具有規(guī)定所述發(fā)光層的形狀的提，包括第1工序，形成金屬層；第2工序，通過(guò)將所述金屬層的一方的表面?zhèn)炔糠诌M(jìn)行氧化而形成金屬氧化物層； 第3工序，在所述金屬氧化物層上形成由構(gòu)成提的材料構(gòu)成的提材料層； 第4工序，通過(guò)除去所述提材料層的一部分，來(lái)除去對(duì)應(yīng)區(qū)域的金屬氧化物層，使在所 述第2工序中沒(méi)有被氧化而剩余的金屬層的一部分露出；第5工序，通過(guò)將所述金屬層的所述露出的表面氧化，在所述對(duì)應(yīng)區(qū)域形成由金屬氧 化物層構(gòu)成的電荷注入輸送層，將沒(méi)有被氧化而剩余的金屬層作為第1電極； 第6工序，對(duì)所述電荷注入輸送層上的所述提材料層的殘留部實(shí)施熱處理；和 第7工序，在所述第6工序后，在形成于所述對(duì)應(yīng)區(qū)域的所述電荷注入輸送層上形成發(fā) 光層，所述電荷注入輸送層由將被在除去所述提材料層的一部分時(shí)所使用的液體侵蝕的材 料構(gòu)成，所述電荷注入輸送層的所述對(duì)應(yīng)區(qū)域的露出面，通過(guò)所述液體的侵蝕而形成為從所述 提材料層的殘留部底面的水平面下沉的凹入結(jié)構(gòu)，在所述第6工序中，通過(guò)對(duì)所述提材料層的殘留部賦予流動(dòng)性，使構(gòu)成所述提的材料 從所述殘留部延伸到所述凹入結(jié)構(gòu)的凹部的邊緣。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光元件的制造方法，所述氧化為通過(guò)暴露在大氣中進(jìn)行的自然氧化或者通過(guò)氧化處理進(jìn)行的氧化的任一種。
15.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光元件的制造方法， 所述氧化為通過(guò)暴露在大氣中進(jìn)行的自然氧化。
16.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光元件的制造方法， 所述第1電極為單層結(jié)構(gòu)或者層疊結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光元件的制造方法，在所述第1工序中，準(zhǔn)備可見(jiàn)光的反射率為60%以上的下層，在所述下層上形成所述金屬層，通過(guò)執(zhí)行所述第5工序，形成具有所述下層和層疊在所述下層上的由所述金屬層構(gòu)成 的上層的層疊結(jié)構(gòu)的所述第1電極。
18.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光元件的制造方法，在所述第1工序中，準(zhǔn)備作為包含鋁和銀之中的至少一種的合金的下層，在所述下層 上形成包含鉬、鉻、釩、鎢、鎳、銥之中的至少一種的所述金屬層，通過(guò)執(zhí)行所述第5工序，形成具有所述下層和層疊在所述下層上的由所述金屬層部分 構(gòu)成的上層的層疊結(jié)構(gòu)的所述第1電極。
19.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光元件的制造方法， 所述第1電極中的所述金屬層的膜厚為20nm以下。
全文摘要
在有機(jī)EL元件(100a～100c)的各元件中，在基板(101)上依次層疊形成有陽(yáng)極(102)、包含電荷注入輸送層(103)和有機(jī)發(fā)光層(105)的功能層、陰極(107)，有機(jī)發(fā)光層(105)的形狀由堤(104)規(guī)定。在這里，空穴注入輸送層(103)為將由金屬層構(gòu)成的陽(yáng)極(102)的表面氧化而成的金屬氧化物層。另外，空穴注入輸送層(103)形成為由堤(104)規(guī)定的區(qū)域下沉的凹入結(jié)構(gòu)(凹部結(jié)構(gòu)(103a))，凹部結(jié)構(gòu)(103a)的凹部邊緣(103c)由堤(104)的一部分(被覆部(104d))被覆。
文檔編號(hào)H05B33/26GK102077689SQ201080001855
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月31日
發(fā)明者竹內(nèi)孝之, 西山誠(chéng)司 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社