專利名稱：內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及使用該結(jié)構(gòu)的裝置、線路結(jié)構(gòu)與方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)、具有該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的裝置、以及防護(hù)內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電磁干擾(EMI)的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有襯底上連通孔的角色是提供連線(interconnection)間的垂直路徑。在低工作頻率運(yùn)作時(shí)，這些連通孔所形成的路徑并不太需要進(jìn)行阻抗控制，因?yàn)槠湎鄬?duì)尺寸對(duì)于低工作頻率的波長(λ)來說實(shí)在是相當(dāng)?shù)亩?例如< O. I λ)，因此，這些連通孔可以被視為一個(gè)純粹的電氣連接點(diǎn)，此時(shí)連通孔的長度可以被忽略，因此其對(duì)電路上的影響微乎其微。但當(dāng)工作頻率增加時(shí)，連通孔的物理尺寸已經(jīng)開始接近工作頻率的波長時(shí)(例如 I入)，則此時(shí)連通孔對(duì)電路而言已經(jīng)是一個(gè)額外的元件(Component)，此電路中的額外連通孔元件需要被設(shè)計(jì)及掌握，使電路功能能夠正常地工作。傳統(tǒng)連通孔(Via)只能連接到一端點(diǎn)(Terminal)，要完成信號(hào)的傳輸必須要有回路(Return Path)的設(shè)計(jì)。因此，傳統(tǒng)連通孔完成信號(hào)傳遞過程中，往往需要至少兩個(gè)連通孔，其中一為信號(hào)連通孔(Signal Via)，另一為接地連通孔(Ground Via)和/或電源連通孔(Power Via),其達(dá)到的效果是提供回路(Return Path),并改善信號(hào)傳遞完整性等相關(guān)問題，如圖IA與IB所示。圖IA中，例如一個(gè)4層的印刷電路板,包括上下信號(hào)層120與150,以及位于兩信號(hào)層之間的接地層130與電源層140。在上信號(hào)層120與下信號(hào)層150之間有一信號(hào)連通孔 (Signal Via) 110。在圖IA中，包括從信號(hào)源到負(fù)載的電流路徑102與電流的回路104。為了改善信號(hào)傳遞的完整性，在設(shè)計(jì)上往往需要至少兩個(gè)連通孔，如圖IB所示，其中之一為信號(hào)連通孔(Signal Via) 110,另一為接地連通孔(Ground Via)和/或電源連通孔(Power Via),在此例子中是以接地連通孔160完成回路,此設(shè)計(jì)可以減少回路(Return Path)的長度，以及改善信號(hào)完整性。實(shí)際上，回路需要被有效的設(shè)計(jì)，以達(dá)到阻抗匹配、減少電磁干擾 (Electromagneticlnterference,簡稱 EMI)等的設(shè)計(jì)要求。

發(fā)明內(nèi)容
在一實(shí)施例中，提出一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)(Interconnection structure),設(shè)置于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，其中第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電實(shí)際上相互平行。所述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層分別包括第一信號(hào)線與第二信號(hào)線。該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電柱與遮蔽墻柱。 所述導(dǎo)電柱穿行于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，并電性連接到第一信號(hào)線與第二信號(hào)線。所述遮蔽墻柱設(shè)置于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，并電性連接到一參考導(dǎo)線，其中， 遮蔽墻圍繞導(dǎo)電柱位于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到導(dǎo)電柱。在一實(shí)施例中，提出一種線路結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、參考導(dǎo)線、導(dǎo)電柱與遮蔽墻柱。所述第一導(dǎo)電層，包括一第一信號(hào)線。第二導(dǎo)電層包括一第二信號(hào)線，其中第二導(dǎo)電層實(shí)際上平行于第一導(dǎo)電層。參考導(dǎo)線位于第、第二導(dǎo)電層之間。導(dǎo)電柱則穿行于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，導(dǎo)電柱連接第一導(dǎo)電層的第一信號(hào)線與第二信號(hào)線，而與參考導(dǎo)線電性隔離。遮蔽墻柱設(shè)置于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，并電性連接到參考導(dǎo)線，其中，遮蔽墻柱圍繞導(dǎo)電柱外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到導(dǎo)電柱。本發(fā)明上述內(nèi)連線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以依照需求改變導(dǎo)電柱以及遮蔽墻柱的形狀，增加其電磁屏蔽效果，并達(dá)到阻抗控制及設(shè)計(jì)的效果。為讓本發(fā)明的上述特征能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。


圖IA與IB分別說明一個(gè)傳統(tǒng)四層的印刷電路板結(jié)構(gòu)與電流路徑示意圖。圖2A 2C為說明在連通孔結(jié)構(gòu)與信號(hào)完整性的問題的說明示意圖。圖3A 3D為說明本發(fā)明所提出內(nèi)連線結(jié)構(gòu)與信號(hào)完整性的說明示意圖，其中圖 3B與圖3C為說明電場的分布強(qiáng)度示意圖。圖3E與3F分別說明本發(fā)明所提供的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中，一實(shí)施例的導(dǎo)電柱與遮蔽墻柱的配置剖面與立體側(cè)視圖。圖4A與4B為說明本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，運(yùn)用在三層導(dǎo)體層的一實(shí)施例示意圖。圖5A與5B為說明本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，運(yùn)用在三層導(dǎo)體層的一實(shí)施例示意圖。圖6A與6B為說明本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，運(yùn)用在三層導(dǎo)體層的一實(shí)施例示意圖。圖7A與7B為說明本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，運(yùn)用在四層導(dǎo)體層的一實(shí)施例示意圖。圖8(A) 圖8(E)為分別說明本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電柱與對(duì)應(yīng)的不同遮蔽墻柱布局。圖9A 9H為說明本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)制造方法剖面示意圖。圖91為說明本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)剖面示意圖。主要元件符號(hào)說明102、104:電流路徑110 :信號(hào)連通孔(Signal Via)120、150:信號(hào)層130 :接地層140 電源層160 :接地連通孔210 :信號(hào)線路(Signal Trace)212:導(dǎo)電柱214、216:電力線
220 :遮蔽墻柱
230 :區(qū)域
310 :信號(hào)線路(Signal Trace)
312 :導(dǎo)電柱
314 :電力線
320 :遮蔽墻柱
330 :區(qū)域
340 :導(dǎo)電柱
350 :遮蔽墻柱
352,354 :側(cè)壁
A :測量點(diǎn)
Z :區(qū)域
F、R :面積
410,412 :非導(dǎo)體材料層
420 :接地層
422 :反接地環(huán)(Ground anti-ring)
430,450 :信號(hào)線路(Signal Trace)
432,436 :導(dǎo)電柱墊
434 :導(dǎo)電柱
440 :遮蔽墻柱墊
442 :遮蔽墻柱
462、464 :電力線
510 :非導(dǎo)體材料層
512 :非導(dǎo)體材料層
520 :接地層
522 :反接地環(huán)(Ground anti-ring)
530.550 .信號(hào)線路(SignalTrace)
532、536、552 :導(dǎo)電柱墊
534,554 :導(dǎo)電柱
540,560 :遮蔽墻柱墊
542、562 :遮蔽墻柱
610,612 :非導(dǎo)體材料層
620 :接地層
622 :反接地環(huán)
630,650 :信號(hào)線路(SignalTrace)
632、636、652 :導(dǎo)電柱墊
634、654 :導(dǎo)電柱
640,660 :遮蔽墻柱墊
642、662 :遮蔽墻柱
730,760 :信號(hào)線路(Signal Trace)
720與724 :接地層
732、736、762、766 :導(dǎo)電柱墊
734、754、764 :導(dǎo)電柱
740、743、745、748 :遮蔽墻柱墊
742、744、746 :遮蔽墻柱
810a、810b、810c、810d、810e :導(dǎo)電柱
820a、822a、824a、826a :遮蔽墻柱
820b、822b :遮蔽墻柱
820c > 822c > 824c > 826c :遮蔽墻柱
820d、820e :遮蔽墻柱
830、832、834、836 :遮蔽墻柱
910、911、910a :娃襯底(Silicon Wafer)
912,914 :孔洞
920、940 :絕緣層
921,923 :絕緣層表面
930與934 :凸塊主體
934、938、974、978 :導(dǎo)電柱墊
935,975 :導(dǎo)電柱
936、939、976、979 :遮蔽墻柱墊
937,977 :遮蔽墻柱
950,952 :信號(hào)線路
954 :導(dǎo)體
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有襯底上的信號(hào)傳遞過程都需要有相對(duì)應(yīng)的回程電流路徑，因此在垂直傳遞信號(hào)過程中需要信號(hào)連通孔(Signal Via)與接地連通孔(GroundVia)和/或電源連通孔 (Power Via),由于信號(hào)線路(Signal Trace)附近有與之對(duì)應(yīng)的接地面(Ground Plane),該接地面與信號(hào)線路的距離固定，因此能夠經(jīng)由設(shè)計(jì)達(dá)到阻抗控制。然而，當(dāng)信號(hào)傳遞到信號(hào)連通孔時(shí)，由于并沒有相對(duì)應(yīng)的另一垂直式的接地端 (Ground terminal)或是接地路徑(Ground path)來控制流經(jīng)信號(hào)連通孔上的信號(hào)，因此信號(hào)在流經(jīng)信號(hào)連通孔時(shí)，將因無直接可就近使用的接地端或是接地路徑，而導(dǎo)致阻抗無法匹配的問題。該問題將衍生種種信號(hào)完整性的問題，包括反射(Reflection)、EMI、不連續(xù)(Discontinuity)、相互干擾(Crosstalk)等等問題。即便是以接地連通孔鄰近于信號(hào)連通孔的設(shè)計(jì)方式，依然會(huì)有部分漏電場(Leakage Field)的穿透,造成EMI的問題, 該現(xiàn)象在襯底具有低絕緣性介質(zhì)時(shí)尤為嚴(yán)重，例如娃中介層襯底(Silicon Interposer Substrate)。請參照圖2A 2C，用于說明上述信號(hào)完整性的問題。信號(hào)線路210連接到一信號(hào)連通孔212，而側(cè)邊包括例如一接地連通孔220。一般在設(shè)計(jì)上，可以采用固定口徑或尺寸等的接地連通孔來達(dá)到減少回程電流路徑的目的。但是，由于傳統(tǒng)連通孔的形狀在信號(hào)、電源與接地信號(hào)上都是一樣為圓形，因此無法避免電場(E-Field)散亂或散射的現(xiàn)象，該現(xiàn)象即是引發(fā)EMI效應(yīng)的元兇之一，例如圖2A所示，信號(hào)連通孔212與接地連通孔220之間，除了耦合的電力線214(例如以實(shí)線示意)外，更包括其它穿透或雜散的電力線216(例如以虛線示意)，造成電場的散亂。如圖2B所示，由于部分漏電場(Leakage Field)的穿透，造成EMI的問題，而導(dǎo)致在接地連通孔220右側(cè)區(qū)域230會(huì)產(chǎn)生不弱的電場分布。請參照圖2C進(jìn)一步說明，由于電場是以梯度(Gradient)強(qiáng)度分布，因此，為方便說明，電場的分布以強(qiáng)度劃分為不同的區(qū)域，而將信號(hào)連通孔212與接地連通孔220產(chǎn)生的電場劃分為例如I、II VII七個(gè)強(qiáng)度分布區(qū)域說明。例如在區(qū)域I的電場強(qiáng)度為
I.7098e+004V/m 到 3. 5440e+004V/m 之間，也就是 17098 35440V/m 之間。區(qū)域 II 的電場強(qiáng)度為 8. 2485e+003V/m 到 I. 7098e+004V/m 之間，也就是 8248. 5 17098V/m 之間。接地連通孔220右側(cè)區(qū)域230的電場分布例如包括區(qū)域III、區(qū)域IV、區(qū)域V、及區(qū)域VII，強(qiáng)度分布從大到小，分別為 3. 9794e+003 8. 2485e+003V/m、I. 9198e+003 3. 9794e+003V/ m、9. 2617e+002 I. 9198e+003V/m、4. 4682e002 9. 2617e+002V/m、2. 1556e+002
4.4682e002V/m階梯式地遞減。如圖2C中的位置A，位于區(qū)域III的強(qiáng)度分布，約在3. 9794e+003V/m到
8.2485e+003V/m 之間，取其中間值約為 6. 1140e+003V/m。本發(fā)明在于提供一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。在一實(shí)施例中，提出一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu) (Interconnection structure),設(shè)置于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間,其中第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電實(shí)際上相互平行。所述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層分別包括第一信號(hào)線與第二信號(hào)線。該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電柱(Conductor Pillar)與遮蔽墻柱(Shielding Wall Pillar)。 所述導(dǎo)電柱穿行于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，并電性連接到第一信號(hào)線與第二信號(hào)線。所述遮蔽墻柱設(shè)置于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，并電性連接到一參考導(dǎo)線，其中， 遮蔽墻圍繞導(dǎo)電柱位于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到導(dǎo)電柱。本發(fā)明在于提供一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，包括導(dǎo)電柱以及遮蔽墻柱，采用成對(duì)或成組式架構(gòu)。其上除了可以作為信號(hào)連通孔的導(dǎo)電柱之外，還加上對(duì)應(yīng)與導(dǎo)電柱形狀不同的遮蔽墻柱，例如連接到接地層或是電源層。這不同于導(dǎo)電柱形狀的接地遮蔽墻柱或電源遮蔽墻柱，將依其特殊形狀設(shè)計(jì)將使得該導(dǎo)電柱成為具備阻抗設(shè)計(jì)及控制能力的連線，并可以例如解決垂直連通孔上的信號(hào)完整性等相關(guān)問題。本發(fā)明所提供的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在多個(gè)實(shí)施例其中之一，位于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間。上述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電實(shí)際上相互平行，第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層分別包括一第一信號(hào)線與一第二信號(hào)線。該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電柱與一遮蔽墻柱。該導(dǎo)電柱穿行于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，而電性連接到第一信號(hào)線與第二信號(hào)線。遮蔽墻柱設(shè)置于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，并電性連接到一參考導(dǎo)線，其中，遮蔽墻圍繞導(dǎo)電柱位于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到導(dǎo)電柱。在多個(gè)實(shí)施例其中之一，參考導(dǎo)線電性連接到接地層或電源層其中之一。在多個(gè)實(shí)施例中，所述的接地層或電源層位于第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層其中之一或兩者實(shí)際上平行，可以位于所述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，或是位于與所述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層實(shí)質(zhì)平行的任一位置。而在其中一實(shí)施例中，參考導(dǎo)線可以位于第一與/或第二導(dǎo)電層相同平面上，并與第二信號(hào)線電性隔離，但電性連接到接地或電源電位其中之一。上述內(nèi)連線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以依照需求改變導(dǎo)電柱以及遮蔽墻柱的形狀，增加其電磁屏蔽效果，并達(dá)到阻抗控制及設(shè)計(jì)的效果。請參照圖3A，為多個(gè)實(shí)施例其中之一，信號(hào)線路310連接到一導(dǎo)電柱312，而側(cè)邊包括例如采半圓弧形設(shè)計(jì)的遮蔽墻柱320。請參照圖3B，不同的信號(hào)線路310A連接到導(dǎo)電柱312，而側(cè)邊包括例如采半圓弧形設(shè)計(jì)的遮蔽墻柱320。傳統(tǒng)圓形接地連通孔無法有效地?fù)踝‰妶?E-Field)，因此，造成遮蔽墻柱右側(cè)有將大量電場的產(chǎn)生。本發(fā)明所提供的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，如圖3A的遮蔽墻柱320，電性耦合 (Electrical Coupling)到導(dǎo)電柱312，而遮蔽墻柱320，可以為遮蔽墻柱的結(jié)構(gòu)，用于遮蔽導(dǎo)電柱312到遮蔽墻柱320之間的電力線314。圖3A的遮蔽墻柱320也具有相同的結(jié)構(gòu)。上述導(dǎo)電柱312與遮蔽墻柱320之間的配置，可以具有遮蔽電場的效果，以便控制散亂的電場，使漏電場(Leakage Field)大幅降低，例如圖3C與圖3D所示，在遮蔽墻柱320 右側(cè)區(qū)域330的電場強(qiáng)度會(huì)大幅降低。在多個(gè)實(shí)施例其中之一，所提供的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用半彎月型的遮蔽墻柱形狀，將整個(gè)導(dǎo)電柱包覆將近一半，控制信號(hào)在流經(jīng)導(dǎo)電柱時(shí)的電場方向及強(qiáng)度，減少擴(kuò)散至遮蔽墻柱右邊的電場能量，達(dá)成接地遮蔽(Ground Shielding)的效果，圖3C與放大的圖3D 所示。請參照圖3D，在此將電場的分布以強(qiáng)度劃分為不同的區(qū)域，而將導(dǎo)電柱312與遮蔽墻柱320產(chǎn)生的電場劃分為例如I VII七個(gè)強(qiáng)度分布區(qū)域說明。遮蔽墻柱320右側(cè)區(qū)域330的電場分布最強(qiáng)的區(qū)域VII，強(qiáng)度介于2. 1556e+002V/m到4. 4682e+002V/m之間，也就是215. 56V/m到446. 82V/m強(qiáng)度區(qū)域。若以在圖2C中的位置A為例說明，則圖2C中的位置A位于區(qū)域III的強(qiáng)度分布， 取中間值約為6. 1140e+003V/m。而若是在3D中的相同位置A，則是位于區(qū)域VII，強(qiáng)度介于
2.1556e+002V/m 到 4. 4682e+002V/m 之間，也就是 215. 56V/m 到 446. 82V/m 強(qiáng)度區(qū)域，若取中間值則為3. 3119e+002V/m。從上述的比較可知，電場在遮蔽墻柱320遮蔽電場下，相同位置的電場強(qiáng)度可以從6. 1140e+003V/m降到3. 3119e+002V/m。本發(fā)明所提供的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電柱以及遮蔽墻柱為成對(duì)或成組式配置，除了具有導(dǎo)電柱之外，還加上對(duì)應(yīng)導(dǎo)電柱幾何形狀不同的遮蔽墻柱，電性連接到接地層或是電源層，可以作為例如接地連通孔或電源連通孔。與導(dǎo)電柱形狀(通常為圓形)不同的遮蔽墻柱，將使得此導(dǎo)電柱成為具備阻抗設(shè)計(jì)及控制能力的垂直連線，若以作為信號(hào)連通孔為例，則可以例如解決垂直連通孔上的信號(hào)完整性等相關(guān)問題。該遮蔽墻柱配置并環(huán)繞上述導(dǎo)電柱側(cè)壁，而電性耦合到上述導(dǎo)電柱側(cè)壁表面至少一環(huán)繞面積。該環(huán)繞面積的大小決定于導(dǎo)電柱在通過電流時(shí)所產(chǎn)生的電場分布。而遮蔽墻柱電性耦合到導(dǎo)電柱側(cè)壁表面的環(huán)繞面積的大小，也就是耦合面積的大小，必須大到足以(large Sufficiently enough)遮蔽(Shielding)或是阻隔(Isolating)位于遮蔽墻柱面對(duì)導(dǎo)電柱的另一側(cè)面的電場強(qiáng)度。如圖3E與3F所示,分別說明本發(fā)明所提供的內(nèi)連線(Interconnection)結(jié)構(gòu)中， 一實(shí)施例的導(dǎo)電柱與遮蔽墻柱的配置剖面與立體側(cè)視圖。遮蔽墻柱350配置并環(huán)繞導(dǎo)電柱340側(cè)壁。而導(dǎo)電柱340面對(duì)遮蔽墻柱350的投射面積為F，而遮蔽墻柱350面向?qū)щ娭?340側(cè)壁352的面積為R。其中R大于F，并且必須大于一定程度，而使導(dǎo)電柱340與遮蔽墻柱350之間稱合的面積大于F,而使遮蔽墻柱350面對(duì)導(dǎo)電柱340的另一方向區(qū)域,如圖所示，位于遮蔽墻柱350的另一側(cè)壁354面對(duì)的區(qū)域Z上任何一位置點(diǎn)，都具有降低電場強(qiáng)度的效果，而使得導(dǎo)電柱340與遮蔽墻柱350之間的配置能成為具備阻抗設(shè)計(jì)及控制能力的連線，并可以例如解決垂直連通孔上的信號(hào)完整性等相關(guān)問題。以下將以本發(fā)明中多個(gè)實(shí)施例其中的部分，并配合圖示加以說明，但并非以此為限制。圖4A與圖4B的實(shí)施例請參照圖4A與4B，為說明本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，運(yùn)用在三層導(dǎo)體層的一實(shí)施例示意圖。三層導(dǎo)體層構(gòu)建在一絕緣板中，而此三層導(dǎo)體層由上而下分別為第一、第二及第三導(dǎo)電層。中間的第二導(dǎo)電層可以為電源層(Power Layer)或是接地層(Ground Layer) 兩者其中之一。第一、第三導(dǎo)電層實(shí)際上相互平行，并且分別包括微帶線式傳輸線，例如參照圖示，在第一導(dǎo)電層包括信號(hào)線路(Signal Trace) 430，在第三層導(dǎo)電層包括信號(hào)線路 450。第二導(dǎo)電層則以接地層420為例說明，此接地層420在此實(shí)施例中位于第一及第三導(dǎo)電層之間，但在其它選擇實(shí)施例，可以位于其間或其外任何平行的位置。信號(hào)線路430與接地層420之間為一非導(dǎo)體材料層410，而在接地層420與信號(hào)線路450之間為另一非導(dǎo)體材料層412。而此絕緣板可以包括硅、玻璃、印刷電路板或陶瓷(ceramic)襯底其中之一。 在另一實(shí)施例中，此絕緣材料板也可以包括有機(jī)襯底(OrganicSubstrate)或是軟性襯底 (Flexible Substrate)。在信號(hào)線路430的末端包括一導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)。該導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)一端為導(dǎo)電柱墊 (Conductor Pillar Land) 432，中間為貫穿絕緣層410的導(dǎo)電柱434，另一端則為另一導(dǎo)電柱墊436。導(dǎo)電柱墊436位于接地層420的同高度位置，但包括一反接地環(huán)(Ground anti-ring)422，用于與接地層420進(jìn)行電性隔離。由于傳輸線結(jié)構(gòu)為微帶線式傳輸線，因此信號(hào)傳遞是由第一導(dǎo)電層的信號(hào)線路430通過導(dǎo)電柱434直接貫穿絕緣板(包括非導(dǎo)體材料層410與412)，而傳到第三導(dǎo)電層的信號(hào)線路450。本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)實(shí)施例，對(duì)于導(dǎo)電柱以及遮蔽墻柱為成對(duì)或成組式配置。因此，除了具有導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)外，還加上對(duì)應(yīng)與導(dǎo)電柱幾何形狀不同的遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)。如圖所示，該遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)包括蔽墻柱墊440、遮蔽墻柱442、以及另一位于第三導(dǎo)電層的蔽墻柱墊(未顯示)。上述蔽墻柱墊與遮蔽墻柱的尺寸在實(shí)際應(yīng)用上會(huì)有大小尺寸不同的情況，一般都是蔽墻柱墊比蔽墻柱的尺寸大。而電柱墊與導(dǎo)電柱的情況一樣，尺寸在實(shí)際應(yīng)用上會(huì)有大小尺寸不同的情況。另外，導(dǎo)電柱與遮蔽墻柱可以為中空式、或是填滿式、或是加入不同材質(zhì)的可導(dǎo)電填充物，都屬本發(fā)明所涵蓋的范圍之一，并非以此為限。第一、第三導(dǎo)電層與中間的接地層之間的電性耦合，如圖4A所示，信號(hào)線路430到接地層420的電場方向如標(biāo)號(hào)為462的箭頭所示，而信號(hào)線路450到接地層420的電場方向如標(biāo)號(hào)為464的箭頭所示。而對(duì)于導(dǎo)電柱及遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)，如果運(yùn)用在信號(hào)連通孔與接地連通孔，如前所述， 當(dāng)工作頻率增加時(shí)，連通孔的物理尺寸已經(jīng)開始接近工作頻率的波長時(shí)(例如I λ)，則此時(shí)連通孔于電路而言已經(jīng)是一個(gè)額外的元件(Component),此電路中的額外連通孔元件當(dāng)然需要被設(shè)計(jì)及掌握，已使電路功能能夠正常地工作。因此，對(duì)于第一、第三導(dǎo)電層與中間接地層間的垂直方向，導(dǎo)電柱434與遮蔽墻柱442成組搭配。該遮蔽墻柱442在切面的幾何形狀，在此實(shí)施例中，采用半月形的形狀。該半月形的凹處面向或背向?qū)щ娭?34，則導(dǎo)電柱434與遮蔽墻柱442電性的耦合，可以具有遮蔽部分導(dǎo)電柱434在垂直方向的電場分布。圖5A與圖5B的實(shí)施例請參照圖5A與5B，為說明本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，運(yùn)用在三層導(dǎo)體層的一實(shí)施例示意圖。三層導(dǎo)體層構(gòu)建在一絕緣板中，而此三層導(dǎo)體層由上而下包括第一、第二及第三導(dǎo)電層。第一、第三導(dǎo)電層實(shí)際上相互平行，并且分別包括對(duì)稱式的上下微帶線架構(gòu)。第二導(dǎo)電層可以為電源層(Power Layer)或是接地層(Ground Layer)兩者其中之一，以下僅以接地層為例說明，但并非以此為限。請參照圖標(biāo)，第一導(dǎo)電層包括信號(hào)線路530，第三導(dǎo)電層包括信號(hào)線路550，而接地層520位于其間。信號(hào)線路530與接地層520之間為一非導(dǎo)體材料層510，而在接地層520與信號(hào)線路550之間為另一非導(dǎo)體材料層512。而該絕緣板可以包括硅、玻璃、印刷電路板或陶瓷(ceramic)襯底其中之一。在另一實(shí)施例中，該絕緣板也可以包括有機(jī)襯底(Organic Substrate)或是軟性襯底(Flexible Substrate)。在信號(hào)線路530的末端包括一導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)。該導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)一端為導(dǎo)電柱墊532與貫穿非導(dǎo)體材料層510的導(dǎo)電柱534,另一端則為另一導(dǎo)電柱墊536。導(dǎo)電柱墊536位于接地層520相同的位置，但包括一反接地環(huán)522，用于與接地層520進(jìn)行電性隔離。在信號(hào)線路550的末端也包括一導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu),包括導(dǎo)電柱墊552與中間為貫穿非導(dǎo)體材料層512的導(dǎo)電柱554，而另一端則是連接到導(dǎo)電柱墊536。上述導(dǎo)電柱534與導(dǎo)電柱554可以為同一導(dǎo)電柱,直接穿行于非導(dǎo)體材料層510 與512，而電性連接到第一導(dǎo)電層的信號(hào)線路530以及第三導(dǎo)電層的信號(hào)線路550。由于傳輸線結(jié)構(gòu)為對(duì)稱式的上下微帶線架構(gòu)，因此在X-Y平面上的信號(hào)傳遞過程，是通過信號(hào)線路530加上中間的接地層520構(gòu)成電流回路(Current Return Path),以進(jìn)行信號(hào)傳遞。本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)實(shí)施例，對(duì)于導(dǎo)電柱及遮蔽墻柱為成對(duì)或成組式配置。因此，如圖5A與5B所示，導(dǎo)電柱534對(duì)應(yīng)配置第一遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)，而導(dǎo)電柱554對(duì)應(yīng)配置第二遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)。該第一遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)包括遮蔽墻柱墊540與遮蔽墻柱542。第二遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)包括遮蔽墻柱墊560與遮蔽墻柱562。該遮蔽墻柱542與遮蔽墻柱562在切面的幾何形狀，可以采用各種不同的幾何形狀。在此實(shí)施例中，采用半月形的形狀。該半月形的凹處分別面向或背向?qū)щ娭?34與導(dǎo)電柱554,導(dǎo)電柱與遮蔽墻柱電性的I禹合,可以具有遮蔽導(dǎo)電柱在垂直方向的電場分布。圖6A與圖6B的實(shí)施例請參照圖6A與6B，為說明本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，運(yùn)用在三層導(dǎo)體層的一實(shí)施例示意圖。三層導(dǎo)體層構(gòu)建在一絕緣板中，而此三層導(dǎo)體層由上而下包括第一、第二及第三導(dǎo)電層。第一、第三導(dǎo)電層實(shí)際上相互平行，并且分別包括對(duì)稱式的上下微帶線架構(gòu)。第二導(dǎo)電層可以為電源層(Power Layer)或是接地層(Ground Layer)兩者其中之一，以下僅以接地層為例說明，但并非以此為限。請參照圖示，第一導(dǎo)電層包括信號(hào)線路630，第三導(dǎo)電層包括信號(hào)線路650，而接地層620位于其間。信號(hào)線路630與接地層620之間為一非導(dǎo)體材料層610，而接地層 620與信號(hào)線路650之間為另一非導(dǎo)體材料層612。而該絕緣板可以包括娃、玻璃、印刷電路板或陶瓷(ceramic)襯底其中之一。在另一實(shí)施例中，該絕緣板也可以包括有機(jī)襯底 (OrganicSubstrate)或是軟性襯底(Flexible Substrate)。在信號(hào)線路630的末端包括第一導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)。該第一導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)一端為導(dǎo)電柱墊 632與貫穿非導(dǎo)體材料層610的導(dǎo)電柱634,另一端則為另一導(dǎo)電柱墊636。導(dǎo)電柱墊636 位于接地層620相同的位置，但包括一反接地環(huán)622，用于與接地層620進(jìn)行電性隔離。在信號(hào)線路650的末端也包括一第二導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)電柱墊(未顯示)與中間為貫穿非導(dǎo)體材料層612的導(dǎo)電柱(未顯示)，而另一端則是連接到與第一導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)共享的導(dǎo)電柱墊 636。上述導(dǎo)電柱634與導(dǎo)電柱654可以為同一導(dǎo)電柱，直接穿行于非導(dǎo)體材料層610 與612，而電性連接到第一導(dǎo)電層的信號(hào)線路630以及第三導(dǎo)電層的信號(hào)線路650。由于傳輸線結(jié)構(gòu)為微帶線式傳輸線，因此信號(hào)傳遞是由第一導(dǎo)電層的信號(hào)線路 630，由如圖X-Y-Z坐標(biāo)中的負(fù)Y方向，經(jīng)由導(dǎo)電柱634直接貫穿襯底(包括非導(dǎo)體材料層 610與612),而傳到第三導(dǎo)電層的信號(hào)線路650,并朝正Y方向完成信號(hào)的傳輸。本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)實(shí)施例，對(duì)于導(dǎo)電柱及遮蔽墻柱為成對(duì)或成組式配置。因此，如圖6A與6B所不，導(dǎo)電柱634對(duì)應(yīng)配置第一遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)，而導(dǎo)電柱654對(duì)應(yīng)配置第二遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)。該第一遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)包括遮蔽墻柱墊640與遮蔽墻柱642。第二遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)包括遮蔽墻柱墊660與遮蔽墻柱662。該遮蔽墻柱642與遮蔽墻柱662在切面的幾何形狀，可以采用各種不同的幾何形狀。在此實(shí)施例中，采用半月形的形狀。該半月形的凹處面向?qū)щ娭?34與導(dǎo)電柱654，導(dǎo)電柱與遮蔽墻柱電性的耦合，可以具有遮蔽導(dǎo)電柱在垂直方向的電場分布。要實(shí)現(xiàn)如圖6A與6B包括三層導(dǎo)體層的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，有很多種制造方法。在其中之一，可以采用雙面板作為一核板(Core)。該核板包括上下整片的金屬層，而中間夾一絕緣介質(zhì)。在此雙面板上經(jīng)由連通孔鉆孔(ViaDrilling)或是刻蝕步驟，形成多個(gè)孔洞。而后對(duì)孔洞進(jìn)行洞壁處理，例如膠渣與平整度的處理。接著，對(duì)貫穿孔洞壁進(jìn)行金屬注入，例如采用派射工藝(Sputtering process),而后進(jìn)行導(dǎo)電柱的電鍍(Plating)后,進(jìn)行圖案化的定義(Pattern define)與圖案化刻蝕(Pattern etching),以便完成包括中間層的接地層 (Ground Layer)與第三導(dǎo)電層的信號(hào)線路(Signal Trace)與貫穿核板的導(dǎo)電柱及遮蔽墻柱元件。隨后，再以增層或壓合工藝的方式，完成第一導(dǎo)電層的信號(hào)線路(Signal Trace), 導(dǎo)電柱與遮蔽墻柱。圖7A與圖7B所示的實(shí)施例請參照圖7A與7B，為說明本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，運(yùn)用在四層導(dǎo)體層的一實(shí)施例立體示意圖。四層導(dǎo)體層構(gòu)建在一絕緣板中，而此四層導(dǎo)體層從上而下包括第一、第二、第三與第四導(dǎo)電層。位于中間的第二與第三導(dǎo)電層可以為電源層或是接地層兩種其中之一或其組合。而第一、第四導(dǎo)電層為對(duì)稱式的上下微帶線架構(gòu)，例如參照圖示，第一導(dǎo)電層包括信號(hào)線路730，第四導(dǎo)電層包括信號(hào)線路760，而中間的第二與第三導(dǎo)電層，在此實(shí)施例，接地層720與724為例說明，但并非以此為限制。而絕緣板可以包括硅、玻璃、印刷電路板或陶瓷(ceramic)襯底其中之一。在另一實(shí)施例中，該絕緣板也可以包括有機(jī)襯底或是軟性襯底。在信號(hào)線路730的一端包括導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)。該導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電柱墊732、導(dǎo)電柱 734、導(dǎo)電柱墊736、導(dǎo)電柱754、導(dǎo)電柱墊766、導(dǎo)電柱764與導(dǎo)電柱墊762。上述導(dǎo)電柱734、導(dǎo)電柱754與導(dǎo)電柱764可以為同一導(dǎo)電柱,直接穿行于絕緣板, 而分別電性連接到第一導(dǎo)電層的信號(hào)線路730以及第四導(dǎo)電層的信號(hào)線路760。由于傳輸線結(jié)構(gòu)為微帶線式傳輸線，因此信號(hào)傳遞是由第一導(dǎo)電層的信號(hào)線路 730通過導(dǎo)電柱墊732、導(dǎo)電柱734、導(dǎo)電柱墊736、導(dǎo)電柱754、導(dǎo)電柱墊766、導(dǎo)電柱764與導(dǎo)電柱墊762，直接貫穿此絕緣板，而傳到第四導(dǎo)電層的信號(hào)線路760。本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)實(shí)施例，對(duì)于導(dǎo)電柱及遮蔽墻柱為成對(duì)或成組式配置。因此，如圖7A與7B所示，導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)配置一遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)。該遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)包括遮蔽墻柱墊740與遮蔽墻柱742、遮蔽墻柱墊743、遮蔽墻柱744、遮蔽墻柱墊745、遮蔽墻柱 746、遮蔽墻柱墊748。在此實(shí)施例中，遮蔽墻柱742、744與746，在切面的幾何形狀，可以采用各種不同的幾何形狀。在此實(shí)施例中，采用半月形的形狀。該半月形的凹處分別面向或背向?qū)щ娭?734、導(dǎo)電柱754與導(dǎo)電柱764，則導(dǎo)電柱與遮蔽墻柱電性的耦合，可以具有遮蔽導(dǎo)電柱在垂直方向的電場分布。這里包括四層導(dǎo)體層的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的制造方法，是利用中間兩層的電源層或是接地層作為核板，在核板上先完成連通孔的工藝，隨后通過適當(dāng)?shù)哪z材(P^preg)以壓合 (Lamination)方式。并上下對(duì)壓一銅箔(CopperFoil),以便完成第一層與第四層的銅箔注入。隨后，經(jīng)過刻蝕、導(dǎo)電柱鉆孔(Drilling)或是刻蝕(Etching)步驟，完成信號(hào)線路 (Signal Trace)與連通孔等元件。圖8 (A) 圖 8 (E)本發(fā)明所提供的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電柱及遮蔽墻柱為成對(duì)或成組式配置，除了具有導(dǎo)電柱之外，還加上對(duì)應(yīng)與導(dǎo)電柱幾何形狀不同的遮蔽墻柱，可以作為例如接地連通孔或電源連通孔。請參照圖8(A) 圖8(E)，為分別說明導(dǎo)電柱810a SlOe與對(duì)應(yīng)的不同遮蔽墻柱布局。如圖8(A)，導(dǎo)電柱穿行于實(shí)際上平行的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的剖面為圓形的導(dǎo)電柱810a，在其四周也可以配置多個(gè)剖面為半月形的遮蔽墻柱820a、822a、824a、 826a。這些導(dǎo)電柱成為具備阻抗設(shè)計(jì)及控制能力的連線，若是上述導(dǎo)電柱作為信號(hào)連通孔， 則可以例如解決垂直連通孔上的信號(hào)完整性等相關(guān)問題。而遮蔽墻柱820a、822a、824a、 826a電性耦合到導(dǎo)電柱810a側(cè)壁表面的環(huán)繞面積的大小，也就是耦合面積的大小,必須大于導(dǎo)電柱810a投影到該些遮蔽墻柱820a、822a、824a、826a表面面積，而具有遮蔽或是阻隔位于遮蔽墻柱820a、822a、824a、826a的凹面另一側(cè)面的電場強(qiáng)度。如圖8(B)，剖面為圓形的導(dǎo)電柱810b，在其四周也可以配置兩個(gè)剖面為凹面向?qū)щ娭?10b的遮蔽墻柱820b與822b。如圖8 (C)，剖面為圓形的導(dǎo)電柱810c，在其四周也可以配置四個(gè)剖面為長方形的遮蔽墻柱820c、822c、824c、826c。圖8(D)則是導(dǎo)電柱SlOd與遮蔽墻柱820剖面形狀近似半月形的幾何形狀，而各自的凹面對(duì)面相面。而圖8(E)則是剖面形狀近似半月形的導(dǎo)電柱810e與遮蔽墻柱820面對(duì)面配置，而在其周圍更加上四個(gè)剖面形狀近似半月形的遮蔽墻柱830、832、834、836。
此遮蔽墻柱配置并環(huán)繞上述導(dǎo)電柱側(cè)壁，而電性耦合到上述導(dǎo)電柱側(cè)壁表面至少一環(huán)繞面積。該環(huán)繞面積的大小決定于導(dǎo)電柱在通過電流時(shí)所產(chǎn)生的電場分布。而遮蔽墻柱電性耦合到導(dǎo)電柱側(cè)壁表面的環(huán)繞面積的大小，也就是耦合面積的大小，必須大于導(dǎo)電柱投影到遮蔽墻柱表面的面積，而具有遮蔽或是阻隔位于遮蔽墻柱面對(duì)導(dǎo)電柱的另一側(cè)面的電場強(qiáng)度。圖9A 9H硅襯底實(shí)施例本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括成對(duì)或成組式配置的導(dǎo)電柱及遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)，其制造方法的多個(gè)實(shí)施例其中之一，請參照圖9A 9H。在此是以硅襯底為實(shí)施例，而形成多個(gè)導(dǎo)電柱及遮蔽墻柱成對(duì)或成組的結(jié)構(gòu)，以達(dá)到本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。請參照圖9A，提供一硅襯底(Silicon Wafer) 910，通過掩膜(Mask)工藝，將所需要刻蝕的部分露出來，并進(jìn)行刻蝕步驟(Etching Process)后，形成多個(gè)孔洞，其中至少包括用于形成導(dǎo)電柱與遮蔽墻柱的孔洞912與914。而后再移除掩膜。采用上述的步驟，可以定義出不同形狀的導(dǎo)電柱及遮蔽墻柱外型。因此，可以達(dá)成本發(fā)明所提出的連通孔結(jié)構(gòu)。請參照圖9B,進(jìn)行絕緣層的注入，例如使用熱氧化工藝(ThermalOxidation Process)。該步驟包括在娃襯底910上進(jìn)行氧化(Oxidation)流程，在表面上形成一層二氧化硅(SiO2)層。在另一實(shí)施例中，也可以采用等離子體輔助化學(xué)氣相沉積 (Plasma-Enhanced Chemical VaporDeposition, PECVD)法進(jìn)行例如二氧化娃(SiO2)層的沉積與成形。經(jīng)過絕緣層的注入，在孔洞912與914內(nèi)形成一絕緣層920。接著請參照圖9C，在孔洞912與914內(nèi)形成導(dǎo)體，例如使用濺射方式形成銅種子層(Copper Seed),包括銅(Cu)與鈦(Ti)。而后利用電鍍工藝(Plating process)將孔洞 912內(nèi)的金屬鍍滿。電鍍的過程中，可以通過掩膜工藝，將需要電鍍的部分裸露出來，在進(jìn)行完電鍍步驟后再將掩膜移除，并隨后以微刻蝕(Micro-etching)方法將正表面很薄的金屬種子層(Seed Metal)去除，形成連通孔凸塊主體930與932。而后，如圖9D，為了獲得平坦的TSV表面及較薄的表面導(dǎo)體厚度，可以視需要在工藝中通過化學(xué)機(jī)械研磨工藝(Chemical MechanicalPolishing, CMP)工藝進(jìn)行研磨工藝將 TSV表面導(dǎo)體的厚度磨薄。接著如圖9E，將硅襯底910底部背面(形成絕緣層920的另一對(duì)應(yīng)表面)進(jìn)行研磨，例如采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝(CMP)工藝，使研磨后硅襯底910a的導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)與遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)底部表面裸露，例如導(dǎo)電柱935與遮蔽墻柱937的底部裸露。這樣可以將整個(gè)芯片的厚度減少相當(dāng)多，減少到達(dá)例如50微米(μ m),甚至到達(dá)25微米(μ m)或更薄。隨后如圖9F，進(jìn)行氧化(Oxidation)步驟，在硅襯底910a底部背面形成一層絕緣層940，例如二氧化硅(SiO2)層。此時(shí)，在原來的硅襯底910a表面(原形成絕緣層920的表面)，必須以掩膜或是其它暫時(shí)的載體(Temporary Carrier)保護(hù)，以免對(duì)原來已經(jīng)形成的圖案(Pattern)有所影響或損壞。而后，在硅襯底910a底部背面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝(CMP)工藝，導(dǎo)電柱935與遮蔽墻柱937的底部裸露再次露出，以便作為導(dǎo)電柱935與遮蔽墻柱937另一端的導(dǎo)電柱墊與遮蔽墻柱墊，以作為電性連接的用途。而后如圖9H，在導(dǎo)電柱935與遮蔽墻柱937的底部形成導(dǎo)電柱墊938與遮蔽墻柱墊939。通過上述圖9A 9H的工藝，可以形成本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，包括一或多對(duì)或多組導(dǎo)電柱及遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)。而如圖91所示，為說明硅襯底的多層結(jié)構(gòu)中，包括本發(fā)明多個(gè)實(shí)施例其中之一的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。與圖9A 9H相同的元件采用相同的標(biāo)號(hào)表示，不再贅述。在該娃襯底911中，內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括形成于絕緣層920其中的一表面921上的信號(hào)線路950，而絕緣層920的另一表面面向硅襯底911內(nèi)部。內(nèi)連線結(jié)構(gòu)更包括位于絕緣層 922其中的一表面923上的信號(hào)線路952，而絕緣層922的另一表面面向硅襯底911內(nèi)部。 信號(hào)線路950電性連接到第一導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)，信號(hào)線路952電性連接到第二導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)。該第一導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電柱935與其兩端的導(dǎo)電柱墊934與938。第二導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電柱975與其兩端的導(dǎo)電柱墊974與978。而第一導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)與第二導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)體 954電性連接。前述本發(fā)明所提出的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，包括一或多對(duì)或多組導(dǎo)電柱及遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)。 因此，第一導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)具有對(duì)應(yīng)的一第一遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)，而第二導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)具有對(duì)應(yīng)的一第二遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)。如圖所示，第一遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)包括遮蔽墻柱937以及兩端的遮蔽墻柱墊936與939。第二遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)包括遮蔽墻柱977以及兩端的遮蔽墻柱墊976與979。而第一遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)與第二遮蔽墻柱結(jié)構(gòu)電性連接到一參考導(dǎo)電層，例如電源層或是接地層兩種其中之一。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開如上，然其并非用于限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作細(xì)微的更改與修正，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，設(shè)置于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，其中該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電相互平行，該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層分別包括一第一信號(hào)線與一第二信號(hào)線，該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電柱，穿行于該第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，該導(dǎo)電柱電性連接到該第一信號(hào)線與該第二信號(hào)線；以及一遮蔽墻柱，設(shè)置于該第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，并電性連接到一參考導(dǎo)線，其中，該遮蔽墻圍繞該導(dǎo)電柱位于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到該導(dǎo)電柱。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電柱穿行于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的形狀為一第一幾何形狀，該遮蔽墻柱穿行于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的形狀為一第二幾何形狀，其中該第一幾何形狀不同于該第二幾何形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電柱穿行于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的形狀為圓形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一幾何形為圓形，而該第二幾何形狀為半月形，該半月形的凹處面向或背向該導(dǎo)電柱。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該遮蔽墻柱面向該導(dǎo)電柱至少一第一面積，其中該第一面積大于該導(dǎo)電柱投射到該遮蔽墻柱的一第二面積，其中，該第一面積具有遮蔽除了該導(dǎo)電柱面向該遮蔽墻柱方向在該第二面積上的電場之外其它的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該參考導(dǎo)線位于接地層或電源層其中之一，該接地層或該電源層平形于該第一導(dǎo)電層或該第二導(dǎo)電層兩者或其中之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該參考導(dǎo)線位于該第二導(dǎo)電層，并與該第二信號(hào)線電性隔離，但電性連接到接地或電源電位其中之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括多個(gè)該些遮蔽墻柱，其中，該些遮蔽墻柱圍繞該導(dǎo)電柱外圍。
9.一種裝置，包括一介質(zhì)板以及如權(quán)利要求I所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)配置在該介質(zhì)板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，該介質(zhì)板包括硅、玻璃、印刷電路板或陶瓷襯底其中之一。
11.一種裝置，其特征在于，包括一硅板以及如權(quán)利要求I所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中，該娃板包括一第一絕緣層與一第二絕緣層，在該硅板的一第一平面與一第二表面，其中該第一表面與該第二表面互相平行，其中，該第一導(dǎo)電層配置在該第一絕緣層的一側(cè)，而相對(duì)另一側(cè)則面向該硅板內(nèi)，該第一導(dǎo)電層配置在該第一絕緣層上，其中，該第二導(dǎo)電層配置在該第二絕緣層的一側(cè)，而相對(duì)另一側(cè)則面向該硅板內(nèi)，該第二導(dǎo)電層配置在該第二絕緣層上；一第一穿孔與一第二穿孔，其中該導(dǎo)電柱配置于該第一穿孔內(nèi)，而該遮蔽墻柱配置位于該第二穿孔內(nèi)；一第一絕緣介質(zhì)，介于該第一穿孔側(cè)壁與該導(dǎo)電柱之間；以及一第二絕緣介質(zhì)，介于該第二穿孔側(cè)壁與該遮蔽墻柱之間，其中，該第一穿孔、第二穿孔穿行于該娃板之間的形狀分別為一第一幾何形狀與一第二幾何形狀，其中該第一幾何形狀不同于該第二幾何形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，該第一幾何形狀為圓形。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，該第一幾何形為圓形，而該第二幾何形狀為半月形，該半月形的凹處面向或背向該導(dǎo)電柱。
14.一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，設(shè)置于相互平行的一第一導(dǎo)電層與一第二導(dǎo)電層之間，其中該第一導(dǎo)電層包括一信號(hào)線，該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電柱，穿行于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間，該導(dǎo)電柱連接該第一導(dǎo)電層的該信號(hào)線；以及一遮蔽墻柱，設(shè)置于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間，該遮蔽墻柱圍繞該導(dǎo)電柱外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到該導(dǎo)電柱。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電柱穿行于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的形狀為一第一幾何形狀，該遮蔽墻柱穿行于該第一、第二導(dǎo)電層與該參考導(dǎo)電層之間的形狀為一第二幾何形狀，其中該第一幾何形狀不同于該第二幾何形狀。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電柱穿行于該第一、第二導(dǎo)電層與該參考導(dǎo)電層之間的形狀為圓形。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一幾何形為圓形，而該第二幾何形狀為半月形，該半月形的凹處面向或背向該導(dǎo)電柱。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括多個(gè)該些遮蔽墻柱，其中，該些遮蔽墻柱圍繞該導(dǎo)電柱外圍。
19.一種線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一第一導(dǎo)電層，包括一第一信號(hào)線；一第二導(dǎo)電層，包括一第二信號(hào)線，其中該第二導(dǎo)電層平行于該第一導(dǎo)電層；一參考導(dǎo)線，位于該第一、第二導(dǎo)電層之間；一導(dǎo)電柱，穿行于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間，該導(dǎo)電柱連接該第一導(dǎo)電層的該第一信號(hào)線與該第二信號(hào)線，而與該參考導(dǎo)線電性隔離；以及一遮蔽墻柱，設(shè)置于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間，并電性連接到該參考導(dǎo)線，其中，該遮蔽墻柱圍繞該導(dǎo)電柱外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到該導(dǎo)電柱。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電柱穿行于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的形狀為一第一幾何形狀，該遮蔽墻柱穿行于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的形狀為一第二幾何形狀，其中該第一幾何形狀不同于該第二幾何形狀。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電柱穿行于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的形狀為圓形。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一幾何形為圓形，而該第二幾何形狀為半月形，該半月形的凹處面向或背向該導(dǎo)電柱。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該參考導(dǎo)線位于接地層或電源層其中之一，而該接地層或該電源層介于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該參考導(dǎo)線位于該第二導(dǎo)電層，并與該第二信號(hào)線電性隔離，但電性連接到接地或電源電位其中之一。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括多個(gè)該些遮蔽墻柱，其中，該些遮蔽墻柱圍繞該導(dǎo)電柱外圍。
26.—種防護(hù)內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電磁干擾的方法,其特征在于,包括在一硅板形成一第一穿孔與一第二穿孔，其中該第一穿孔與該第二穿孔穿行于該硅板的一第一平面與第二平面之間，其中，該第一平面與該第二平面互相平行；在該第一穿孔內(nèi)形成一導(dǎo)電柱與介于該第一穿孔側(cè)壁與該導(dǎo)電柱之間的一第一絕緣介質(zhì)；在該第二穿孔內(nèi)形成一遮蔽墻柱與介于該第二穿孔側(cè)壁與該遮蔽墻柱之間的一第二絕緣介質(zhì)；以及在該硅板的該第一平面與該第二平面分別形成一第一導(dǎo)電線層與一第二導(dǎo)電層，其中該第一導(dǎo)電層包括一第一信號(hào)線，該第二導(dǎo)電層包括一第二信號(hào)線；以及在該硅板內(nèi)形成一參考導(dǎo)線，其中該遮蔽墻柱電性連接到該參考導(dǎo)線，其中，該導(dǎo)電柱連接該第一導(dǎo)電層的該第一信號(hào)線與該第二導(dǎo)電層的該第二信號(hào)線， 該遮蔽墻柱圍繞該導(dǎo)電柱外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到該導(dǎo)電柱。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的防護(hù)內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電磁干擾的方法，其特征在于，該第一穿孔用于連通的穿孔形狀為一第一幾何形狀，而該第二穿孔用于連通的穿孔形狀為一第二幾何形狀，而該第一幾何形狀不同該第二幾何形狀。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的防護(hù)內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電磁干擾的方法，其特征在于，該參考導(dǎo)線位于接地層或電源層其中之一，而該接地層或該電源層介于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該參考導(dǎo)線位于該第二導(dǎo)電層，并與該第二信號(hào)線電性隔離，但電性連接到接地或電源電位其中之一。
30.一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，設(shè)置于第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層與第三導(dǎo)電層之間， 其中該第一導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電相互平行，該第一導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層分別包括一第一信號(hào)線與一第二信號(hào)線，該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電柱，穿行于該第一、第二與第三導(dǎo)電層之間，該導(dǎo)電柱電性連接到該第一信號(hào)線與該第二信號(hào)線；以及一第一遮蔽墻柱，設(shè)置于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間，并電性連接到該第二導(dǎo)電層，其中，該遮蔽墻圍繞該導(dǎo)電柱位于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到該導(dǎo)電柱；以及一第二遮蔽墻柱，設(shè)置于該第二導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層之間，并電性連接到該第二導(dǎo)電層，其中，該遮蔽墻圍繞該導(dǎo)電柱位于該第二導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層之間外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到該導(dǎo)電柱。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電柱穿行于該第一、第二與第三導(dǎo)電層之間的形狀為一第一幾何形狀，該第一遮蔽墻柱穿行于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的形狀為一第二幾何形狀，該第二遮蔽墻柱穿行于該第二導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層之間的形狀為一第三幾何形狀，其中該第一幾何形狀不同于該第二、第三幾何形狀。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一幾何形為圓形，而該第二、第三幾何形狀為半月形，其中該半月形的凹處面向或背向該導(dǎo)電柱。
33.一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，設(shè)置于第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層與第四導(dǎo)電層之間，其中該第一導(dǎo)電層與該第四導(dǎo)電相互平行，該第一導(dǎo)電層與該第四導(dǎo)電層分別包括一第一信號(hào)線與一第二信號(hào)線，該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電柱，穿行于該第一、第二、第三與第四導(dǎo)電層之間，該導(dǎo)電柱電性連接到該第一信號(hào)線與該第二信號(hào)線，并與該第二、第三導(dǎo)電層電性隔離；以及一第一遮蔽墻柱，設(shè)置于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間，并電性連接到該第二導(dǎo)電層，該第一遮蔽墻圍繞該導(dǎo)電柱位于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到該導(dǎo)電柱；以及一第二遮蔽墻柱，設(shè)置于該第二導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層之間，并電性連接到該第二導(dǎo)電層或該第三導(dǎo)電層其中之一，該第二遮蔽墻圍繞該導(dǎo)電柱位于該第二導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層之間外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到該導(dǎo)電柱；以及一第三遮蔽墻柱，設(shè)置于該第三導(dǎo)電層與該第四導(dǎo)電層之間，并電性連接到該第三導(dǎo)電層，該第三遮蔽墻圍繞該導(dǎo)電柱位于該第三導(dǎo)電層與該第四導(dǎo)電層之間外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到該導(dǎo)電柱。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電柱穿行于該第一、第二、 第三與第四導(dǎo)電層之間的形狀為一第一幾何形狀，該第一遮蔽墻柱穿行于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間的形狀為一第二幾何形狀，該第二遮蔽墻柱穿行于該第二導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層之間的形狀為一第三幾何形狀，該第三遮蔽墻柱穿行于該第三導(dǎo)電層與該第四導(dǎo)電層之間的形狀為一第四幾何形狀，其中該第一幾何形狀不同于該第二、第三、第四幾何形狀。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一幾何形為圓形，而該第二、第三、第四幾何形狀為半月形，其中該半月形的凹處面向或背向該導(dǎo)電柱。
全文摘要
內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及使用該結(jié)構(gòu)的裝置、線路結(jié)構(gòu)與方法。本發(fā)明公開了一內(nèi)連線(Interconnection)結(jié)構(gòu)。該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)置于實(shí)際上相互平行的一第一導(dǎo)電層與一第二導(dǎo)電層之間，其中所述導(dǎo)電層包括一信號(hào)線。該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電柱以及一遮蔽墻柱。該導(dǎo)電柱穿行于所述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，而導(dǎo)電柱連接第一導(dǎo)電層的信號(hào)線。遮蔽墻柱設(shè)置于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，該遮蔽墻柱圍繞導(dǎo)電柱外圍的局部區(qū)域，并且電性耦合到導(dǎo)電柱。該導(dǎo)電柱以及遮蔽墻柱為成對(duì)或成組式架構(gòu)。該不同于導(dǎo)電柱形狀的遮蔽墻柱，將依其特殊形狀設(shè)計(jì)將使得該導(dǎo)電柱成為具備阻抗設(shè)計(jì)及控制能力的連線。
文檔編號(hào)H05K1/11GK102612253SQ201110036528
公開日2012年7月25日 申請日期2011年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月24日
發(fā)明者吳仕先 申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院