專利名稱：一種吸波超材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種吸波材料，尤其涉及一種吸波超材料。
背景技術(shù)：
吸波材料是指能夠吸收和衰減入射電磁波能量,通過材料的介質(zhì)損耗使其電磁能轉(zhuǎn)換成熱能或其他能量形式的一類功能復(fù)合材料。吸波材料在治理電磁污染、制造隱身材料等方面具有巨大的應(yīng)用前景。目前常用的吸波材料有鐵氧體、鈦酸鋇、金屬微粉、石墨、碳化硅、導(dǎo)電纖維等，其中又已鐵氧體吸波材料是研究將多且比較成熟的吸波材料。鐵氧體在高頻下有較高的磁導(dǎo)率和電阻率，電磁波易于進(jìn)入并能快速衰減。但是，以鐵氧體為代表的此類吸波材料存在高溫特性差、面密度大且電磁參數(shù)匹配困難等缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提出一種吸波性能好、質(zhì)量輕、厚度薄且電磁參數(shù)易于調(diào)節(jié)的吸波超材料。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提出一種吸波超材料，其包括具有兩相對(duì)側(cè)表面的基材，該兩相對(duì)側(cè)表面至少一側(cè)表面上附著有周期排列的多個(gè)人造金屬微結(jié)構(gòu)；當(dāng)入射方向垂直于該基材兩相對(duì)側(cè)表面的電磁波通過該超材料時(shí)該超材料的相對(duì)介電常數(shù)和相對(duì)磁導(dǎo)率基本相等。當(dāng)入射方向垂直于該基材兩相對(duì)側(cè)表面的電磁波通過該超材料時(shí)該超材料的相對(duì)介電常數(shù)的虛部和/或相對(duì)磁導(dǎo)率的虛部大于該基材的相對(duì)介電常數(shù)的虛部和/或相對(duì)磁導(dǎo)率的虛部使得該電磁波被吸收。該基材兩相對(duì)側(cè)表面的一側(cè)表面上附著有第一人造金屬微結(jié)構(gòu)，另一側(cè)表面上附著有與該第一人造金屬微結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的第二人造金屬微結(jié)構(gòu)；該第一人造金屬微結(jié)構(gòu)包括相互垂直而連接成“十”字形的兩個(gè)第一金屬分支，分別連接在該第一金屬分支兩端且垂直于該第一金屬分支的第二金屬分支；該第二人造金屬微結(jié)構(gòu)由一邊具有缺口的四邊形狀的第三金屬分支構(gòu)成。該第一人造金屬微結(jié)構(gòu)的每個(gè)該第二金屬分支的中點(diǎn)分別設(shè)于與其連接的該第一金屬分支的端點(diǎn)；該第二人造金屬微結(jié)構(gòu)由一邊中點(diǎn)具有缺口的正方形狀的該第三金屬分支構(gòu)成。該人造金屬微結(jié)構(gòu)包括第一金屬分支，該第一金屬分支構(gòu)成一邊具有缺口的四邊形狀；一端設(shè)于該缺口相對(duì)的四邊形邊上并向該缺口延伸且突出該缺口的第二金屬分支；垂直于該第二金屬分支另一端的第三金屬分支。該人造金屬微結(jié)構(gòu)以該第二金屬分支為對(duì)稱軸成左右對(duì)稱結(jié)構(gòu)。 該基材為片狀基材,該超材料由附著有多個(gè)該人造金屬微結(jié)構(gòu)的該片狀基材疊加。
該基材為高分子聚合物、陶瓷、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料。周期排列的多個(gè)該人造金屬微結(jié)構(gòu)是通過蝕刻、電鍍、鉆刻、光刻、電子刻、離子刻附著于該基材兩相對(duì)側(cè)表面至少一側(cè)表面上。本發(fā)明采用不同于傳統(tǒng)吸波材料的吸波原理，通過將各種人造金屬微結(jié)構(gòu)周期排列于基材上并調(diào)整該人造金屬微結(jié)構(gòu)的尺寸以達(dá)到理想吸波效果，其具有質(zhì)量輕、厚度薄、受外部環(huán)境干擾小且電磁參數(shù)易于調(diào)節(jié)的優(yōu)點(diǎn)。進(jìn)一步地，本發(fā)明通過設(shè)計(jì)獨(dú)特的人造金屬微結(jié)構(gòu)的拓?fù)鋱D案使得僅僅在基材一面附著該人造金屬微結(jié)構(gòu)即可解決本發(fā)明的技術(shù)問題，降低了工藝難度和成本，便于大規(guī)模生產(chǎn)。


圖Ia為本發(fā)明一種吸波超材料第一較佳實(shí)施例中附著于基材一側(cè)表面的第一人造金屬微結(jié)構(gòu)圖； 圖Ib為本發(fā)明一種吸波超材料第一較佳實(shí)施例中附著于基材另一側(cè)表面的第二人造金屬微結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明一種吸波超材料第二較佳實(shí)施例中人造金屬微結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明一種吸波超材料第二較佳實(shí)施例中人造金屬微結(jié)構(gòu)對(duì)入射電磁波電場(chǎng)和磁場(chǎng)響應(yīng)的分解原理圖；圖4為本發(fā)明一種吸波超材料相對(duì)介電常數(shù)ε與電磁波頻率f的ε-f關(guān)系示意圖；圖5為本發(fā)明一種吸波超材料相對(duì)磁導(dǎo)率μ與電磁波頻率f的μ _f關(guān)系示意圖；圖6為本發(fā)明一種吸波超材料第二較佳實(shí)施例中人造金屬微結(jié)構(gòu)被附著在基材一側(cè)表面的計(jì)算機(jī)仿真效果圖。
具體實(shí)施例方式吸波材料的基本物理原理是材料對(duì)入射電磁波實(shí)現(xiàn)有效吸收，將電磁波能量轉(zhuǎn)換為熱能或其他形式的能量而耗散掉，該材料應(yīng)具備兩個(gè)特性即阻抗匹配特性和衰減特性。阻抗匹配特性是指從自由空間入射到吸波材料表面的電磁波被吸波材料表面反射而形成的反射特性。理想的吸波材料要達(dá)到完美阻抗匹配特性時(shí)應(yīng)使得從自由空間入射的電磁波在理想吸波材料表面形成零反射，即電磁波全部進(jìn)入理想吸波材料內(nèi)部。由于自由空
間阻抗Z= 1，根據(jù)公式Z=「可知，當(dāng)該吸波材料的相對(duì)介電常數(shù)ε和相對(duì)磁導(dǎo)率μ相
等時(shí)即可達(dá)到理想阻抗匹配特性。其中由于吸波材料存在損耗，所以相對(duì)介電常數(shù)ε =ε ’ _j ε ”，相對(duì)磁導(dǎo)率μ = μ ’ _j μ ”。衰減特性是指進(jìn)入材料內(nèi)部的電磁波產(chǎn)生損耗而被吸收的現(xiàn)象，損耗大小可用電損耗因子tanSe= ε ”/ε ’和磁損耗因子tan δ m = μ ”/μ ’來表征。既滿足阻抗匹配特性又滿足盡可能大的衰減特性是各類吸波材料追求的目標(biāo)。超材料是由具有一定圖案形狀的人造金屬微結(jié)構(gòu)按照特定方式周期排列于基材中而構(gòu)成。人造金屬微結(jié)構(gòu)不同的圖案形狀和排列方式使得超材料具有不同的介電常數(shù)和不同的磁導(dǎo)率從而使得超材料具有不同的電磁響應(yīng)。
本發(fā)明利用超材料上述原理設(shè)計(jì)一種能強(qiáng)烈吸收特定頻段電磁波的超材料。該超材料包括具有兩相對(duì)側(cè)表面的基材，在該兩相對(duì)側(cè)表面的至少一側(cè)表面上附著有多個(gè)周期排列的人造金屬微結(jié)構(gòu)。當(dāng)基材表面未附著人造金屬微結(jié)構(gòu)時(shí)，其對(duì)電磁場(chǎng)表現(xiàn)出具有初始相對(duì)介電常數(shù)h和初始相對(duì)磁導(dǎo)率μ 1;當(dāng)基材表面附著有人造金屬微結(jié)構(gòu)后，人造金屬微結(jié)構(gòu)會(huì)對(duì)入射電磁場(chǎng)產(chǎn)生響應(yīng)從而使得基材和人造金屬微結(jié)構(gòu)整體構(gòu)成一種超材料，超材料對(duì)電磁場(chǎng)的響應(yīng)會(huì)因人造金屬微結(jié)構(gòu)尺寸的變化而變化，即超材料的相對(duì)介電常數(shù)ε和相對(duì)磁導(dǎo)率μ會(huì)因人造金屬微結(jié)構(gòu)尺寸的變化而變化。當(dāng)超材料用作吸波材料時(shí)，需要結(jié)合基材的初始相對(duì)介電常數(shù)ε ,和初始相對(duì)磁導(dǎo)率μ i設(shè)計(jì)初始人造金屬結(jié)構(gòu)的拓?fù)鋱D案和尺寸使之達(dá)到吸波材料的設(shè)計(jì)要求，即阻抗匹配特性和衰減特性均十分優(yōu)良。因?yàn)槿嗽旖饘傥⒔Y(jié)構(gòu)需對(duì)入射電磁波的電場(chǎng)和磁場(chǎng)均產(chǎn)生響應(yīng)，因此人造金屬微結(jié)構(gòu)所在平面必須存在電場(chǎng)和磁場(chǎng)分量，根據(jù)電磁場(chǎng)理論，當(dāng)電磁波入射方向垂直于人造金屬微結(jié)構(gòu)所在表面時(shí)即可滿足要求。并且為了更好的滿足衰減特性的要求，本發(fā)明的基材采用對(duì)電磁波損耗大的各類常見材料，例如高分子聚合物、陶瓷、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料等，其中高分子聚合物優(yōu)選FR-4或F4B材料。 下面結(jié)合幾種人造金屬微結(jié)構(gòu)拓?fù)鋱D案詳細(xì)說明本發(fā)明設(shè)計(jì)原理。本發(fā)明第一較佳實(shí)施例中，在基材兩相對(duì)側(cè)表面附著有不同的兩種人造金屬微結(jié)構(gòu)，如圖Ia和圖Ib所示?；囊粋?cè)表面的第一人造金屬微結(jié)構(gòu)10包括相互垂直而連接成“十”字形的兩個(gè)第一金屬分支101，分別連接在每個(gè)第一金屬分支101兩端且垂直于第一金屬分支101的第二金屬分支102?；牧硪粋?cè)表面的第二人造金屬微結(jié)構(gòu)20包括第三金屬分支201，該第三金屬分支201構(gòu)成一邊具有缺口 2011的四邊形狀。該兩個(gè)人造金屬微結(jié)構(gòu)在基材兩相對(duì)側(cè)表面對(duì)應(yīng)。優(yōu)選地，第一人造金屬微結(jié)構(gòu)10的第二金屬分支102中點(diǎn)分別設(shè)于其所連接的該第一金屬分支101的端點(diǎn)，第二人造金屬微結(jié)構(gòu)20由一邊中點(diǎn)具有缺口 2011的正方形狀的第三金屬分支201構(gòu)成。當(dāng)入射方向垂直于基材兩相對(duì)側(cè)表面的電磁波該超材料時(shí)，第一人造金屬微結(jié)構(gòu)
10的第二金屬分支102分別聚集正負(fù)電子形成等效容性元件。根據(jù)公式ε= I可知，其
中ε為超材料相對(duì)介電常數(shù)、S為第二金屬分支面積、d為第二金屬分支間隔、k為常數(shù)、C為等效電容量，超材料的相對(duì)介電常數(shù)ε可通過調(diào)整第二金屬分支102的面積S與第二金屬分支102的間距d來調(diào)整，第二金屬分支102的間距d即為第一金屬分支101的長度；第二人造金屬微結(jié)構(gòu)20的第三金屬分支201上形成環(huán)形電流，根據(jù)右手螺旋定則，環(huán)形電流產(chǎn)生磁場(chǎng)從而影響超材料的相對(duì)磁導(dǎo)率μ。分別調(diào)節(jié)第一人造金屬微結(jié)構(gòu)10和第二人造金屬微結(jié)構(gòu)20的金屬分支的尺寸和間隔即可調(diào)節(jié)人造金屬微結(jié)構(gòu)對(duì)入射電場(chǎng)和入射磁場(chǎng)的響應(yīng)從而調(diào)節(jié)超材料整體的相對(duì)介電常數(shù)ε和相對(duì)磁導(dǎo)率μ。超材料整體的相對(duì)介電常數(shù)ε和相對(duì)磁導(dǎo)率μ的與電磁波頻率f的關(guān)系圖如圖
4、圖5所示。在圖4和圖5中我們可以發(fā)現(xiàn)，相對(duì)介電常數(shù)ε和相對(duì)磁導(dǎo)率μ在遠(yuǎn)離諧振頻點(diǎn)處，其變化是微小的，因此調(diào)整人造金屬微結(jié)構(gòu)金屬尺寸改變相對(duì)介電常數(shù)ε和相對(duì)磁導(dǎo)率μ所起到的作用也十分微小。但是在接近諧振頻點(diǎn)的頻段處，相對(duì)介電常數(shù)ε和相對(duì)磁導(dǎo)率μ均成指數(shù)變化，此時(shí)調(diào)整人造金屬微結(jié)構(gòu)金屬尺寸將極大影響超材料整體的相對(duì)介電常數(shù)ε和相對(duì)磁導(dǎo)率μ，因此可以達(dá)到本發(fā)明的阻抗匹配要求，即一頻段處相對(duì)介電常數(shù)ε和相對(duì)磁導(dǎo)率μ相等。因此，本發(fā)明所需的電磁波頻段通常為偏離人造金屬微結(jié)構(gòu)諧振頻點(diǎn)且可使相對(duì)介電常數(shù)ε和相對(duì)磁導(dǎo)率μ成指數(shù)衰減的頻段。當(dāng)然，此段說明僅為描述本發(fā)明實(shí)驗(yàn)過程中的規(guī)律，并非用以限定本發(fā)明電磁波入射頻段。當(dāng)人造金屬微結(jié)構(gòu)的尺寸使得具有一頻段的入射電磁波通過超材料時(shí)，超材料的相對(duì)介電常數(shù)ε和相對(duì)磁導(dǎo)率μ基本相等時(shí)即滿足本發(fā)明阻抗匹配的設(shè)計(jì)要求。所謂基本相等是指相對(duì)介電常數(shù)ε和相對(duì)磁導(dǎo)率μ只存在不影響阻抗匹配效果的誤差。同時(shí)，為了達(dá)到優(yōu)良的吸波性能還需要繼續(xù)調(diào)整人造金屬微結(jié)構(gòu)的尺寸使超材料對(duì)入射電磁波有最大的能量損耗。能量損耗主要是通過電損耗因子tan δ e和磁損耗因子tan δ m來表征，不同的基材對(duì)應(yīng)不同的主要損耗因子，例如鐵電材料主要為電損耗因子、鐵磁材料主要為磁損耗因子而鐵氧材料則兩者皆有。人造金屬微結(jié)構(gòu)對(duì)超材料整體衰減特性的影響是通過改善基材的衰減特性即提高超材料整體的相對(duì)介電常數(shù)和/或相對(duì)磁導(dǎo)率的虛部從而提高超材料整體的衰減特性?？梢岳斫獾?，調(diào)整人造金屬微結(jié)構(gòu)的尺寸使超材料滿足相對(duì)介電常數(shù)ε和相對(duì)磁導(dǎo)率μ基本相等以及改善基材衰減特性的過程是交互的，并非調(diào)整完一個(gè)條件以后再在原有基礎(chǔ)上調(diào)整第二個(gè)條件。 基材可選取高分子聚合物、陶瓷、聚四氟乙烯、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料等 能量損耗大的材料。基材通常采用片狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)片狀基材根據(jù)設(shè)計(jì)要求在兩相對(duì)側(cè)表面其中之一表面上或兩相對(duì)側(cè)表面每一表面上附著多個(gè)人造金屬微結(jié)構(gòu)，多個(gè)片狀基材無間隙的疊加而緊密結(jié)合構(gòu)成一個(gè)整體。在基材表面上附著人造金屬微結(jié)構(gòu)的制造工藝有多種,例如蝕刻、電鍍、鉆亥lj、光亥IJ、電子刻、離子刻等，其中蝕刻是較優(yōu)的制造工藝，其步驟是在設(shè)計(jì)好合適的人造金屬微結(jié)構(gòu)的平面圖案后，先將一張金屬箔片整體地附著在基材上，然后通過蝕刻設(shè)備，利用溶劑與金屬的化學(xué)反應(yīng)去除掉人造金屬微結(jié)構(gòu)預(yù)設(shè)圖案以外的箔片部分，余下的即可得到陣列排布的人造金屬微結(jié)構(gòu)。上述金屬箔片的材質(zhì)可以是銅、銀等任何金屬。圖2為本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的人造金屬微結(jié)構(gòu)圖。該人造金屬微結(jié)構(gòu)30包括第一金屬分支301,該第一金屬分支301構(gòu)成一邊具有缺口 3011的四邊形狀；一端設(shè)于缺口 3011相對(duì)的四邊形邊上并向缺口 3011延伸且突出缺口 3011的第二金屬分支302 ;垂直于第二金屬分支302另一端的第三金屬分支303。人造金屬微結(jié)構(gòu)30附著于基材兩相對(duì)側(cè)表面其中之一表面上，優(yōu)選地，為了取得更好的吸波效果在基材兩相對(duì)側(cè)表面上均附著有人造金屬微結(jié)構(gòu)30且兩相對(duì)側(cè)表面的人造金屬微結(jié)構(gòu)成鏡像對(duì)稱，更優(yōu)選地，每一側(cè)表面的人造金屬微結(jié)構(gòu)30以第二金屬分支302為對(duì)稱軸成左右對(duì)稱結(jié)構(gòu)。本較佳實(shí)施例中人造金屬微結(jié)構(gòu)30相當(dāng)于結(jié)合了第一較佳實(shí)施例中的第一人造金屬微結(jié)構(gòu)10和第二人造金屬微結(jié)構(gòu)20,其對(duì)垂直入射的電磁波的電磁響應(yīng)原理與第一較佳實(shí)施例相同，即相對(duì)的金屬分支等效為電容元件從而調(diào)整超材料的相對(duì)介電常數(shù)ε，環(huán)形金屬分支上感生的電流根據(jù)右手螺旋定則感生磁場(chǎng)從而調(diào)整超材料的相對(duì)磁導(dǎo)率μ。具體到本實(shí)施例可表現(xiàn)為，如圖3所示，人造金屬微結(jié)構(gòu)30拆分為呈“工”字形的第一部分30’以及呈一邊缺口的四邊形狀的第二部分30”，第一部分30’的金屬分支分別聚集正負(fù)電荷形成等效容性元件從而調(diào)整超材料的相對(duì)介電常數(shù)，第二部分30”的金屬分支形成環(huán)形電流并感生磁場(chǎng)從而調(diào)整超材料的相對(duì)磁導(dǎo)率。同時(shí)，由于本較佳實(shí)施例對(duì)人造金屬微結(jié)構(gòu)獨(dú)特的圖案設(shè)計(jì)使得基材上附著一面人造金屬微結(jié)構(gòu)即可滿足設(shè)計(jì)要求。
基材以及在基材上附著人造金屬微結(jié)構(gòu)的工藝與第一較佳實(shí)施例相同，在此不再贅述。圖6為本較佳實(shí)施例的人造金屬微結(jié)構(gòu)30被附著在基材一側(cè)表面的計(jì)算機(jī)仿真效果圖。在計(jì)算機(jī)仿真中，用S11表示材料的反射系數(shù)即阻抗匹配特性，用S12表示材料的透射系數(shù)即衰減特性。在圖4中可以看出，在17GHZ附近S11有明顯吸收峰，S21在很大帶寬附近都能小于-15dB，即阻抗匹配特性和衰減特性都較好，能實(shí)現(xiàn)電磁波的吸收。上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的具體實(shí)施方式
，上述的具體實(shí)施方式
僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出 很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種吸波超材料，其特征在于包括具有兩相對(duì)側(cè)表面的基材，該兩相對(duì)側(cè)表面至少一側(cè)表面上附著有周期排列的多個(gè)人造金屬微結(jié)構(gòu)；當(dāng)入射方向垂直于該基材兩相對(duì)側(cè)表面的電磁波通過該超材料時(shí)該超材料的相對(duì)介電常數(shù)和相對(duì)磁導(dǎo)率基本相等。
2.如權(quán)利要求I所述的吸波超材料，其特征在于當(dāng)入射方向垂直于該基材兩相對(duì)側(cè)表面的電磁波通過該超材 料時(shí)該超材料的相對(duì)介電常數(shù)的虛部和/或相對(duì)磁導(dǎo)率的虛部大于該基材的相對(duì)介電常數(shù)的虛部和/或相對(duì)磁導(dǎo)率的虛部使得該電磁波被吸收。
3.如權(quán)利要求2所述的吸波超材料，其特征在于該基材兩相對(duì)側(cè)表面的一側(cè)表面上附著有第一人造金屬微結(jié)構(gòu)，另一側(cè)表面上附著有與該第一人造金屬微結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的第二人造金屬微結(jié)構(gòu)；該第一人造金屬微結(jié)構(gòu)包括相互垂直而連接成“十”字形的兩個(gè)第一金屬分支，分別連接在該第一金屬分支兩端且垂直于該第一金屬分支的第二金屬分支；該第二人造金屬微結(jié)構(gòu)由一邊具有缺口的四邊形狀的第三金屬分支構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3所述的吸波超材料，其特征在于該第一人造金屬微結(jié)構(gòu)的每個(gè)該第二金屬分支的中點(diǎn)分別設(shè)于與其連接的該第一金屬分支的端點(diǎn)；該第二人造金屬微結(jié)構(gòu)由一邊中點(diǎn)具有缺口的正方形狀的該第三金屬分支構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求I所述的吸波超材料，其特征在于該人造金屬微結(jié)構(gòu)包括第一金屬分支，該第一金屬分支構(gòu)成一邊具有缺口的四邊形狀；一端設(shè)于該缺口相對(duì)的四邊形邊上并向該缺口延伸且突出該缺口的第二金屬分支；垂直于該第二金屬分支另一端的第三金屬分支。
6.如權(quán)利要求5所述的吸波超材料，其特征在于該人造金屬微結(jié)構(gòu)以該第二金屬分支為對(duì)稱軸成左右對(duì)稱結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求I或2所述的吸波超材料，其特征在于該基材為片狀基材，該超材料由附著有多個(gè)該人造金屬微結(jié)構(gòu)的該片狀基材疊加而成。
8.如權(quán)利要求I或2所述的吸波超材料，其特征在于該基材為高分子聚合物、陶瓷、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料。
9.如權(quán)利要求I或2所述的吸波超材料，其特征在于周期排列的多個(gè)該人造金屬微結(jié)構(gòu)是通過蝕刻、電鍍、鉆刻、光刻、電子刻、離子刻附著于該基材兩相對(duì)側(cè)表面至少一側(cè)表面上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種吸波超材料，其包括具有兩相對(duì)側(cè)表面的基材，該兩相對(duì)側(cè)表面至少一側(cè)表面上附著有周期排列的多個(gè)人造金屬微結(jié)構(gòu)；當(dāng)入射方向垂直于該基材兩相對(duì)側(cè)表面的電磁波通過該超材料時(shí)該超材料的相對(duì)介電常數(shù)和相對(duì)磁導(dǎo)率基本相等。本發(fā)明采用不同于傳統(tǒng)吸波材料的吸波原理，通過將各種人造金屬微結(jié)構(gòu)周期排列于基材上并調(diào)整該人造金屬微結(jié)構(gòu)以達(dá)到理想吸波效果，其具有質(zhì)量輕、厚度薄且電磁參數(shù)易于調(diào)節(jié)的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H05K9/00GK102892278SQ20111008084
公開日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2011年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月31日
發(fā)明者劉若鵬, 欒琳, 趙治亞, 王文劍 申請(qǐng)人:深圳光啟高等理工研究院, 深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司