專利名稱：用于電磁屏蔽的組合物、利用其的裝置及結(jié)構(gòu)制備方法
用于電磁屏蔽的組合物、利用其的裝置及結(jié)構(gòu)制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于電磁屏蔽的組合物，特別是涉及一種具有納米線材與納米粒子的組合物。
背景技術(shù)：
隨著無線通訊科技的進步，無線通訊裝置例如手機等被廣泛地使用。由于無線通訊裝置及其基地臺均會產(chǎn)生電磁波，因此容易造成環(huán)境中充斥著電磁波。此外，許多日常使用的電子產(chǎn)品，例如電腦或微波爐等，也都會產(chǎn)生微量的電磁波。根據(jù)1998年世界衛(wèi)生組織所發(fā)表的報告，長期暴露在高于電磁波標(biāo)準(zhǔn)值的人，容易罹患心血管疾病、糖尿病或癌癥等疾病，或容易導(dǎo)致生殖系統(tǒng)、免疫系統(tǒng)、神經(jīng)系統(tǒng)等的病變，或造成孕婦流產(chǎn)、畸胎或不孕等。長期暴露在高于電磁波標(biāo)準(zhǔn)值的兒童易出現(xiàn)骨胳發(fā)育緩慢、肝臟造血功能下降、視力衰落甚至視網(wǎng)膜脫落等癥狀。由此可知，電磁波對人體的健康影響甚巨。目前傳統(tǒng)遮蔽電磁波的方法是使用金屬塊材或金屬外殼遮蔽電磁波源，但由于其重量重、不易配合所需的形狀來制作，以及在長期使用下，易氧化毀損等，因而無法方便地使用在各類電子產(chǎn)品上。另一種遮蔽電磁波的方法是將金屬顆粒混合于膠體或漆類中，以涂布的方式在本體上形成電磁波遮蔽層。電磁波遮蔽層質(zhì)輕，并可配合各種外形來制作。但為達到一定程度的電磁波遮蔽效果，膠體或漆類中需添加高濃度的金屬顆粒。高濃度的金屬顆粒雖會提高屏蔽效果，但會降低混合材料的可塑性及強度，而失去易加工、重量輕及低成本的優(yōu)點。此外，電磁波遮蔽層一般僅具有單一外形結(jié)構(gòu)的金屬顆粒，為提高屏蔽效果而增加金屬顆粒的含量，通常其電磁遮蔽效率(Shielding Effectiveness ；S. Ε.)的改善有限。此外，傳統(tǒng)的電磁波遮蔽層通常需制備至250微米以上的厚度，方可具有顯著的電磁波遮蔽效果。然而，制備厚的電磁波遮蔽層均勻度不佳，且會浪費較多材料。有鑒于傳統(tǒng)遮蔽電磁波的方法的不足，因此有必要發(fā)展一種具高電磁波遮蔽率、 成本低且容易使用等優(yōu)點的電磁波遮蔽材料。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一種實施方式公開一種用于電磁屏蔽的組合物，其包含載體、多根納米金屬線材及多個納米粒子。多根納米金屬線材散布于該載體中，其中以該組合物為100重量份計，該納米金屬線材為1重量份至95重量份。多個納米粒子散布于該載體中，其中以該組合物為100重量份計，該納米粒子為0. 1重量份至60重量份。本發(fā)明的另一實施方式公開一種用于電磁屏蔽的組合物，其包含載體、多根納米金屬線材，以及多個納米粒子。多根納米金屬線材散布于該載體中。該納米金屬線材的長徑比大于10。該納米金屬線材為金、銀、銅或前述金屬的混合物或前述金屬的合金或前述金屬的氧化物，其中以該組合物為100重量份計，該納米金屬線材為1重量份至95重量份。 多個納米粒子散布于該載體中。該納米粒子小于1000納米。該納米粒子為金、銀、銅、銦、鈀、鋁、鐵、鈷、鎳或前述金屬的混合物、合金或氧化物，其中以該組合物為100重量份計，該納米粒子為0. 1重量份至60重量份。本發(fā)明的另一實施方式公開一種用于電磁屏蔽的組合物，其包含載體、多根納米金屬線材，以及多個納米粒子。多根納米金屬線材散布于該載體中。該納米金屬線材的長徑比大于10。該納米金屬線材為金、銀、銅或前述金屬的混合物、合金或氧化物。多個納米粒子散布于該載體中。該納米粒子小于1000納米。該納米粒子為金、銀、銅、銦、鈀、鋁、鐵、 鈷、鎳或前述金屬的混合物、合金或氧化物。以該組合物為100重量份計，該納米金屬線材為1重量份至11重量份，而該納米粒子為0. 5重量份至4重量份，如此使用于電磁屏蔽的該組合物具有大于IOdB的電磁波遮蔽效率值。本發(fā)明的另一實施方式公開一種用于電磁屏蔽的組合物，其包含載體、多根納米金屬線材，以及多個納米粒子。多根納米金屬線材散布于該載體中。該納米金屬線材的長徑比為20到500。該納米金屬線材為金、銀、銅或前述金屬的混合物、合金或氧化物。多個納米粒子散布于該載體中。該納米粒子粒徑為30到1000納米。該納米粒子為金、銀、銅、 銦、鈀、鋁、鐵、鈷、鎳或前述金屬的混合物、合金或氧化物。其中以該組合物為100重量份計，該納米金屬線材為1重量份至3重量份，該納米粒子占該組合物的總重量為0. 5重量份至4重量份，如此使用于電磁屏蔽的該組合物具有大于IOdB的電磁波遮蔽效率值。本發(fā)明的一種實施方式公開一種電磁屏蔽裝置，其包含本體及薄膜，其中薄膜形成于該本體上，以遮蔽電磁波。薄膜包含多根納米金屬線材及多個納米粒子，其中多根納米金屬線材與多個納米粒子分別散布于該薄膜中，而且以該薄膜為100重量份計，該納米金屬線材為1重量份至95重量份；該納米粒子為0. 1重量份至60重量份。本發(fā)明的一種實施方式公開一種抗靜電裝置，其包含基板及薄膜，其中薄膜形成于該基板上。該薄膜包含多根納米金屬線材及多個納米粒子，其中多根納米金屬線材與多個納米粒子分別散布于該薄膜中，而且以該薄膜為100重量份，該納米金屬線材為1重量份至95重量份；該納米粒子為0. 1重量份至60重量份。本發(fā)明另提出一種電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法，其包含下列步驟提供目標(biāo)物；提供混合材料，該混合材料包含多根納米金屬線材，其中該納米金屬線材的長徑比大于50 ； 利用該混合材料，在該目標(biāo)物的表面上形成第一薄膜；以及加熱該第一薄膜至攝氏50度至攝氏250度的溫度。

圖1與圖2顯示本發(fā)明的一種實施方式的具不同四氧化三鐵納米粒子含量的薄膜的電磁波遮蔽效率值對頻率的關(guān)系示意圖；圖3顯示本發(fā)明的一種實施方式的多個薄膜的電磁波遮蔽效率值對頻率的關(guān)系示意圖，其中這些薄膜包含長徑比為80的納米銀線與分別包含不同含量的四氧化三鐵納米粒子；圖4顯示本發(fā)明的一種實施方式的多個薄膜的電磁波遮蔽效率值對頻率的關(guān)系示意圖，其中這些薄膜以包含1. 14重量份的納米銀線與分別包含不同含量的四氧化三鐵納米粒子的組合物所制成；圖5與圖6顯示本發(fā)明的一種實施方式的具有高納米銀線含量的薄膜的電磁波遮
5蔽效率值對頻率的關(guān)系示意圖；圖7顯示本發(fā)明的一種實施方式的具有納米銀線與銀納米粒子薄膜的電磁波遮蔽效率值對頻率的關(guān)系示意圖；圖8顯示本發(fā)明的一種實施方式的表面電阻率對納米線材濃度的關(guān)系圖；圖9顯示在使用長徑比為200的納米銀線的條件下，材料的電磁波遮蔽效率值對表面電阻率的關(guān)系圖；圖10顯示本發(fā)明的一種實施方式的多個薄膜的電磁波遮蔽效率值對頻率的關(guān)系示意圖，其中這些薄膜以包含1. 14、3及10. 45重量份的納米銀線的組合物所制成；圖11顯示具有不同長徑比的材料，其電磁波遮蔽效率值對體積百分比的關(guān)系圖；圖12顯示使用環(huán)氧樹脂為載體且混入不同濃度的納米粒子的組合物，其電磁波遮蔽效率值對頻率的關(guān)系示意圖；圖13顯示本發(fā)明的組合物與現(xiàn)有產(chǎn)品的電磁波遮蔽效率值對頻率的關(guān)系示意圖；圖14顯示本發(fā)明的一種實施方式的電磁屏蔽裝置的示意圖；圖15顯示本發(fā)明的一種實施方式的抗靜電裝置的示意圖；圖16顯示本發(fā)明一實施例的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的示意圖；圖17顯示在本發(fā)明一實施例中以具有2. 43重量份的銀納米線和1. 45重量份的四氧化三鐵粒子的混合材料所制作的薄膜，在頻率0 1800MHz間的電磁波遮蔽效率值的測量圖；圖18顯示在本發(fā)明一實施例中以具有2. 43重量份的銀納米線和1. 45重量份的四氧化三鐵粒子的混合材料所制作的薄膜，在頻率1 18GHz間的電磁波遮蔽效率值的測
量圖；圖19顯示以具有2. 43重量份的銀納米線和1. 45重量份的四氧化三鐵粒子的混合材料所制作的薄膜，其電磁波遮蔽效率值與加熱時間的關(guān)系圖；圖20顯示以具有2. 43重量份的銀納米線和1. 45重量份的四氧化三鐵粒子的混合材料所制作的薄膜，其電磁波遮蔽效率值與加熱溫度間的關(guān)系圖；圖21顯示在本發(fā)明一實施例中以具有3. 49重量份的銀納米粒子和2. 18重量份的四氧化三鐵粒子的混合材料所制作的薄膜，在頻率0 1800MHz間的電磁波遮蔽效率值的測量圖；圖22顯示在本發(fā)明一實施例中以具有3. 49重量份的銀納米粒子和2. 18重量份的四氧化三鐵粒子的混合材料所制作的薄膜，在頻率1 18GHz間的電磁波遮蔽效率值的測量圖；圖23顯示在本發(fā)明一實施例中以具有2. 1重量份的銀納米線和0. 55重量份的四氧化三鐵粒子的混合材料所制作的薄膜，經(jīng)不同加熱時間與加熱溫度后，其在頻率0 1800MHz間的電磁波遮蔽效率值的測量圖；圖M顯示在本發(fā)明一實施例中以具有1. 09重量份的銀納米粒子和3. 69重量份的四氧化三鐵粒子的混合材料所制作的薄膜，在不同的加熱溫度下，其在頻率100 1800MHz間的電磁波遮蔽效率值的測量圖；圖25顯示測量未具有抗電磁干擾的薄膜的硬碟所得的電磁強度與頻率間的關(guān)系圖；圖沈顯示測量具有抗電磁干擾的薄膜的硬碟所得的電磁場強度與頻率間的關(guān)系圖；圖27顯示未具有抗電磁干擾的薄膜的錄放影機，在水平方向上對其進行測量，所得的電磁場強度與頻率間的關(guān)系圖；圖觀顯示具有抗電磁干擾的薄膜的硬碟，在水平方向上對其進行測量，所得的電磁場強度與頻率間的關(guān)系圖；圖四顯示未具有抗電磁干擾的薄膜的錄放影機，在垂直方向上對其進行測量，所得的電磁場強度與頻率間的關(guān)系圖；及圖30顯示具有抗電磁干擾的薄膜的硬碟，在垂直方向上對其進行測量，所得的電磁場強度與頻率間的關(guān)系圖。主要附圖標(biāo)記的說明
10電磁屏蔽裝置
20抗靜電裝置
30電磁屏蔽結(jié)構(gòu)
11本體
12薄膜
13表面
21基板
22薄膜
23表面
31目標(biāo)物
32薄膜
33粘膠層
具體實施方式本發(fā)明的一種實施方式公開一種用于電磁屏蔽的組合物，其包含載體、多根納米金屬線材及多個納米/微米粒子。多根納米金屬線材分散在載體內(nèi)；多個納米/微米粒子分散在載體內(nèi)；而多根納米金屬線材與多個納米/微米粒子則彼此相混合。在一實施例中，以該組合物為100重量份計，多根納米金屬線材的含量為1重量份至95重量份之間，而以該組合物為100重量份計，多個納米/微米粒子的含量為0. 1重量份至60重量份，在另一實施例中，納米/微米粒子的含量為0. 3重量份至40重量份，在另一實施例中，納米/微米粒子的含量為0. 5重量份至20重量份，在另一實施例中，納米/微米粒子的含量為0. 5重量份至4重量份，在另一實施例中，納米/微米粒子的含量為0. 5重量份至2重量份。在一實施例中，以該組合物為100重量份計，多根納米金屬線材的含量為1重量份至95重量份之間，而以該組合物為100重量份計，多個納米/微米粒子的含量為0. 5重量份至60重量份。在一實施例中，多根納米金屬線材與多個納米/微米粒子的含量比可大于0. 1。
本發(fā)明的一種實施方式公開一種固化體，其由前述的組合物固化而成。在一實施例中，前述的固化體可為在電磁屏蔽裝置上的薄膜或在抗靜電裝置中的薄膜。納米金屬線材可形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，使固化體可實質(zhì)地導(dǎo)電。根據(jù)推論，加入納米/微米粒子可改變電磁波的光程差，因此其在該固化體內(nèi)可損耗電磁波能量，所以將納米/微米粒子混入納米金屬線材，可明顯提高固化體的電磁遮蔽效率。本發(fā)明公開的多個納米粒子的粒徑可小于1000納米。在一實施例中，納米粒子可為導(dǎo)電粒子。在另一實施例中，納米粒子可為納米金屬粒子，其材料可為金、銀、銅、銦、鈀、鋁、鐵、鈷、鎳或前述金屬的混合物或前述金屬的合金或前述金屬的氧化物，其中以該組合物為100重量份計，納米金屬粒子占該組合物的總重量為0. 5重量份至2重量份之間。在又一實施例中，納米粒子可為金包覆銀納米粒子、銀包覆金納米粒子、金包覆銅納米粒子、銅包覆金納米粒子、銀包覆銅納米粒子、銅包覆銀納米粒子或前述的組合。在一實施例中，納米粒子可為導(dǎo)磁粒子，且其可包含鐵磁性元素。在另一實施例中，納米粒子可為絕緣導(dǎo)磁粒子，其材料可包含四氧化三鐵，其中以該組合物為100重量份計，該納米粒子可為0. 5重量份至4重量份或0. 5重量份至2重量份。在一實施例中，納米粒子可為納米銀粒子、納米四氧化三鐵粒子或前述粒子的混合，其中以該組合物為100重量份計，該納米粒子可為0. 5重量份至4重量份或0. 5重量份至2重量份。在一實施例中，納米粒子的粒徑可大于10納米，或例如介于30納米至1000納米之間。在一實施例中，納米粒子的粒徑可介于30納米至500納米之間。組合物固化成固化體，多根納米金屬線材可均勻地分布在固化體中。在一實施例中，多根納米金屬線材可在固化體內(nèi)形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，使固化體具低的表面電阻率(surface resistivity)，例如小于10歐姆/平方(Ω /sqr)。在另一實施例中，組合物包含少量的納米金屬線材，且當(dāng)組合物固化成固化體后， 多根納米金屬線材可在固化體內(nèi)形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)或類網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，其中該網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)或類網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)讓固化體具較高的表面電阻率值，例如介于10至IO6歐姆/平方(Ω/sqr)之間。在又一實施例中，組合物包含少量的納米金屬線材，且當(dāng)組合物固化成固化體后， 多根納米金屬線材可在固化體內(nèi)形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)或類網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，其中該網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)或類網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)讓固化體具較高的表面電阻率值，例如介于IO4至IO12歐姆/平方(Ω/sqr)之間，使得該固化體可應(yīng)用在抗靜電的場合。組合物可包含具高長徑比(high aspect ratio)的納米金屬線材。使用高長徑比的納米金屬線材可大幅提高固化體的電磁遮蔽效率。此外，使用高長徑比的納米金屬線材可進一步減少納米金屬線材的使用量。在一實施例中，納米金屬線材的長徑比可大于10，或例如介于20至500之間，或例如介于50至300之間。在一實施例中，該納米金屬線材可為金、銀、銅、銦、鈀、鋁、鐵、鈷、鎳或前述金屬的混合物、合金或氧化物。在另一實施例中，納米金屬線材可為金包覆銀納米線材、銀包覆金納米線材、金包覆銅納米線材、銅包覆金納米線材、銀包覆銅納米線材、銅包覆銀納米線材或前述的組合。載體可包含高分子材料。高分子材料可包含熱塑性塑膠，例如壓克力樹脂 (acrylic resins)；或者包含熱固性塑膠，例如環(huán)氧樹脂。在一實施例中，載體亦可為光交聯(lián)(photo-crosslinking)或熱交聯(lián)(thermally crosslinking polymer)高分子材料。使用具有金屬或?qū)Т判约{米材料的混合材料，在目標(biāo)物(target)上形成薄膜，可使該目標(biāo)物具電磁遮蔽效果。若對該薄膜施以光能或熱能，可進一步提高薄膜的電磁遮蔽效率。由于薄膜的電磁遮蔽效率提升，因此在不減損所需的電磁波遮蔽效果的情況下，可降低薄膜的厚度。厚度降低可使薄膜更為均勻，并減少使用材料。薄膜可加熱至攝氏50度至攝氏250度的溫度。混合材料可包含納米材料及載體，其中載體可為高分子材料，而納米材料可為納米金屬線材，而該納米金屬線材的長徑比可大于50。在一實施例中，載體亦可為光交聯(lián)或熱交聯(lián)高分子材料。薄膜可被加熱至攝氏50度至攝氏250度的溫度，并維持一段時間(至少5分鐘以上)，可使薄膜在頻率30M至16G之間的電磁遮蔽效率提升至少5dB。在一實施例中，薄膜在攝氏60度至攝氏250度的溫度，加熱至少5分鐘以上。在一實施例中，加熱至少1小時以上。在一實施例中，薄膜在攝氏60度至攝氏200度的溫度，加熱5分鐘至2小時。納米金屬線材的材料可為金、銀、銅、銦、鈀、鋁、鐵、鈷或鎳。納米金屬線材的材料亦可為金、銀、銅、銦、鈀、鋁、鐵、鈷、鎳或前述金屬的混合物，或者為金、銀、銅、銦、鈀、鋁、 鐵、鈷、鎳或前述金屬的氧化物。在一實施例中，薄膜可另包含多個納米粒子，其中該納米粒子為金屬納米粒子、導(dǎo)磁性納米粒子或其混合物。金屬納米粒子可為銀粒子。導(dǎo)磁性納米粒子可為四氧化三鐵粒子。納米粒子小于1000納米(例如介于30納米至1000納米之間或介于30納米至500納米之間)。以該薄膜為100重量份，納米粒子的含量可介于0. 1至60重量份之間、0. 3至40 重量份之間、0. 5至20重量份之間、0. 5至4重量份之間或0. 5至2重量份之間。目標(biāo)物上可形成相疊設(shè)置的兩薄膜，其中一薄膜包含納米金屬線材，而另一薄膜包含金屬或?qū)Т判约{米粒子。目標(biāo)物可視應(yīng)用而定。例如應(yīng)用于電子裝置上時，目標(biāo)物可為電子裝置的殼體、 電子裝置上的電路板或電子裝置上需電磁遮蔽的部件。此外，目標(biāo)物亦可為承載薄膜的基板。以下列舉多個實例，以對本發(fā)明作更加詳細的說明。實驗例1以下描述的制備方法可用于調(diào)配不同納米金屬線材與納米粒子的組合物。在每一樣本中，首先，合成長徑比大于20的納米銀線。納米銀線的制備方法可為激光消溶法 (laser ablation method)、金屬氣相合成法(metal vapor synthesis method)、化學(xué)還原法(chemical reduction method)或多元醇法(polyol method)。前述的制備方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，故不再于此贅述。其次，將合成后的納米銀線與納米粒子加入高分子材料內(nèi)，以獲得組合物。組合物可利用超聲波震蕩裝置與行星式離心攪拌機(planetary centrifugal mixer)，將納米銀線與納米粒子均勻分散于高分子材料中。然后，將組合物適當(dāng)成形固化后，獲得固化體。最后，測試固化體的電磁波遮蔽效率值。電磁波遮蔽效率值的測試可利用標(biāo)準(zhǔn)電磁波測試方法，例如ASTM D4935-99等。通常，電磁波遮蔽效率值(S. E.)可以下列公式表示。^.￡. = -10 χ Iog^
in
其中，Iin為入射測試樣品的電磁波強度；I。ut為通過測試樣品的電磁波強度。表1例示6種不同濃度的組合物。組合物(樣本1至樣本幻是將相同重量份的納米銀線(Ag nanowire ；AgNW)但不同重量份的四氧化三鐵納米粒子(Fe304nano particle ； Fe3O4NP)混入高分子溶液中制備而成，其中以組合物為100重量份計，納米銀線的含量為 1. 22重量份，而四氧化三鐵納米粒子的含量介于0 1. 88重量份之間，而前述的高分子材料為ETERS0L 6515不飽和聚酯樹脂(來源長興化學(xué)工業(yè)股份有限公司公司(ETERNAL CHEMICAL CO.，LTD)，臺灣)。高分子材料包含聚甲基丙烯酸甲酯水溶液。若以高分子材料為100重量份計，甲基丙烯酸甲酯的含量約為45 55重量份，而水約為55 45重量份。另外，前述的納米銀線的長徑比為250，而四氧化三鐵納米粒子的粒徑為100納米。樣本6則僅將四氧化三鐵粒子混入高分子溶液中，其中四氧化三鐵納米粒子的含量為9. 09重量份。樣本1 6混合均勻后，再分別以其制備成50微米厚的薄膜， 最后再測試該薄膜的電磁波遮蔽率。表 權(quán)利要求
1.一種用于電磁屏蔽的組合物，其包含載體；多根納米金屬線材，散布于該載體中，其中以該組合物為100重量份計，該納米金屬線材為1重量份至95重量份；以及多個納米粒子，散布于該載體中，其中以該組合物為100重量份計，該納米粒子為0. 1重量份至60重量份。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中該納米粒子為金屬或金屬氧化物，且該納米粒子為 0. 5重量份至20重量份。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中該納米粒子為金、銀、銅、銦、鈀、鋁、鐵、鈷、鎳或前述金屬的混合物、合金或氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的組合物，其中該納米粒子為納米銀粒子、納米四氧化三鐵粒子或前述粒子的混合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中該納米金屬線材為1重量份至11重量份。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中該納米金屬線材的長徑比大于10。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中該納米粒子的粒徑小于1000納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中該納米金屬線材與該納米粒子含量比大于0.1。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中該納米金屬線材為金、銀、銅或前述金屬的混合物、 合金或氧化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中該納米金屬線材為金包覆銀納米線材、銀包覆金納米線材、金包覆銅納米線材、銅包覆金納米線材、銀包覆銅納米線材、銅包覆銀納米線材或前述的組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中該納米粒子為金包覆銀納米粒子、銀包覆金納米粒子、金包覆銅納米粒子、銅包覆金納米粒子、銀包覆銅納米粒子、銅包覆銀納米粒子或前述的組合。
12.一種用于電磁屏蔽的組合物，其包含載體；多根納米金屬線材，散布于該載體中，該納米金屬線材的長徑比大于10，該納米金屬線材為金、銀、銅或前述金屬的混合物或前述金屬的合金或前述金屬的氧化物，其中以該組合物為100重量份計，該納米金屬線材為1重量份至95重量份；以及多個納米粒子，散布于該載體中，該納米粒子小于1000納米，該納米粒子為金、銀、銅、 銦、鈀、鋁、鐵、鈷、鎳或前述金屬的混合物、合金或氧化物，其中該納米粒子為0. 1重量份至 60重量份。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的組合物，其中該納米金屬線材為1重量份至11重量份，該納米粒子為0. 5重量份至10重量份，如此使用于電磁屏蔽的該組合物具有大于IOdB的電磁波遮蔽效率值。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的組合物，其中該納米金屬線材的長徑比為20到500；該納米粒子粒徑為10到1000納米；以及該納米金屬線材為1重量份至3重量份，其中該納米粒子占該組合物的總重量為0. 5重量份至2重量份，如此使用于電磁屏蔽的該組合物具有大于 IOdB的電磁波遮蔽效率值。
15.一種電磁屏蔽裝置，包含 本體，具有一表面；以及薄膜，形成于該本體的該表面上以遮蔽電磁波，該薄膜包含多根納米金屬線材，散布于該薄膜中，其中以該薄膜為100重量份計，該納米金屬線材為1重量份至95重量份；及多個納米粒子，散布于該薄膜中，其中以該薄膜為100重量份計，該納米粒子為0. 1重量份至60重量份。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的電磁屏蔽裝置，其中該納米粒子為絕緣導(dǎo)磁粒子，且該絕緣導(dǎo)磁粒子為0. 5重量份至2重量份。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的電磁屏蔽裝置，其中該納米金屬線材為1重量份至11重量份。
18.一種抗靜電裝置，包含 基板；以及薄膜，形成于該基板上，該薄膜包含多根納米金屬線材，散布于該薄膜中，其中以該薄膜為100重量份計，該納米金屬線材為1重量份至95重量份；及多個納米粒子，散布于該薄膜中，其中以該薄膜為100重量份計，該納米粒子為0. 1重量份至60重量份。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的抗靜電裝置，其中該納米粒子為絕緣導(dǎo)磁粒子，且該絕緣導(dǎo)磁粒子為0.5重量份至2重量份。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的抗靜電裝置，其中該納米金屬線材為1重量份至11重量份。
21.一種電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法，其包含下列步驟 提供目標(biāo)物；提供混合材料，該混合材料包含多根納米金屬線材，其中該納米金屬線材的長徑比大于50 ；利用該混合材料，在該目標(biāo)物的表面上形成第一薄膜；以及加熱該第一薄膜至攝氏50度至攝氏250度的溫度。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的制備方法，其中該納米金屬線材的材料為金、銀、銅、銦、鈀、鋁、 鐵、鈷、鎳或前述材料的混合物或氧化物。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的制備方法，其中該混合材料包含多個納米粒子，其中該納米粒子為銀粒子、四氧化三鐵粒子或其混合物。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的制備方法，其中該納米粒子占該第一薄膜總重的0.1至5重量份。
25.根據(jù)權(quán)利要求23的制備方法，其中該納米粒子小于1000納米。
26.根據(jù)權(quán)利要求21的制備方法，其還包含第二薄膜，該第二薄膜包含多個納米粒子， 其中該第一薄膜與該第二薄膜相疊設(shè)置。
27.根據(jù)權(quán)利要求21的制備方法，其中加熱該第一薄膜至攝氏50度至攝氏250度的溫度使該第一薄膜在頻率4G至16G之間能提升遮蔽率。
全文摘要
一種用于電磁屏蔽的組合物包含載體、多根納米金屬線材及多個納米粒子。多根納米金屬線材散布于該載體中，其中以該組合物為100重量份計，該納米金屬線材為1至95重量份。多個納米粒子散布于該載體中，其中以該組合物為100重量份計，該納米粒子為0.5至60重量份。
文檔編號H05K9/00GK102337101SQ20111013002
公開日2012年2月1日 申請日期2011年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月16日
發(fā)明者周春雄, 孫文賢, 張明智, 張高德, 王裕銘 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院