專利名稱：多晶硅材料提純用陶瓷坩堝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及制造多晶硅的坩堝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多晶硅材料提純用陶瓷坩堝。
背景技術(shù)：
陶瓷坩堝的軟化溫度高達(dá)1700°C (多晶硅生產(chǎn)工藝中化料過程溫度為1500°C左右，晶體生長溫度在142(T1440°C)，且在此溫度以下不繁盛翹曲，尺寸的穩(wěn)定性和一致性非常好。所以在多晶硅提純和定向結(jié)晶中使用陶瓷坩堝的效果是較好的。在制備鑄造多晶硅時，在原料熔化，晶體生長過程中，硅熔體和坩堝長時間接觸，會產(chǎn)生黏滯作用，由于兩種材料的熱膨脹系數(shù)不同，如果硅材料和坩堝壁集合緊密，在晶體冷卻時很可能造成晶體硅或坩堝破裂；同時，由于硅熔體和坩堝長時間接觸，會造成陶瓷坩堝的腐蝕，使多晶硅中的氧濃度升高。利用定向凝固技術(shù)生長的鑄造多晶硅，在多數(shù)情況下，坩堝是消耗件，不能重復(fù)循環(huán)使用，即每一爐多晶硅需要一支陶瓷坩堝。

實用新型內(nèi)容鑒于上述不足之處，本實用新型的目的在于提供一種多晶硅材料提純用陶瓷坩堝，能有效的解決黏滯問題，而且還可以降低多晶硅中的氧，碳雜質(zhì)濃度。為了達(dá)到上述目的，本實用新型采用了以下技術(shù)方案一種多晶硅材料提純用陶瓷坩堝，包括陶瓷坩堝本體，所述陶瓷坩堝本體內(nèi)壁涂覆有Si3N4 (氮化硅)涂層。最優(yōu)的Si3N4 (氮化硅)涂層厚度為0. 2mnTlmm。本實用新型的有益效果在于將Si3N4 (氮化硅)涂覆在坩堝的內(nèi)壁，從而隔離了硅熔體和坩堝的直接接觸，不僅能解決黏滯問題，而且可以降低多晶硅中的氧，碳雜質(zhì)濃度； 進(jìn)一步地，利用Si3N4 (氮化硅)涂層，還使得陶瓷坩堝可能得到重復(fù)使用(即可以反復(fù)重新涂覆Si3N4涂層)，陶瓷坩堝的內(nèi)涂層處理恰當(dāng)，陶瓷坩堝可以重復(fù)使用，達(dá)到降低生產(chǎn)成本的目的。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1.陶瓷坩堝本體；2. Si3N4涂層。
具體實施方式
下面我們將結(jié)合附圖對本實用新型做進(jìn)一步的說明。如圖1所示，一種多晶硅材料提純用陶瓷坩堝，包括陶瓷坩堝本體1，陶瓷坩堝本體1內(nèi)壁涂覆有Si3N4涂層2，Si3N4涂層2厚度為0. 5mnTlmm。將Si3N4 (氮化硅)涂覆在坩堝的內(nèi)壁，從而隔離了硅熔體和坩堝的直接接觸，不僅能解決黏滯問題，而且可以降低多晶硅中的氧，碳雜質(zhì)濃度；進(jìn)一步地，利用Si3N4 (氮化硅)涂層，還使得陶瓷坩堝可能得到重復(fù)使用(即可以反復(fù)重新涂覆Si3N4涂層)。
權(quán)利要求1.一種多晶硅材料提純用陶瓷坩堝，包括陶瓷坩堝本體(1)，其特征在于所述陶瓷坩堝本體內(nèi)壁涂覆有Si3N4涂層(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅材料提純用陶瓷坩堝，其特征在于所述Si3N4涂層 (2)厚度為 0. 5mnTlmm。
專利摘要本實用新型公開了一種多晶硅材料提純用陶瓷坩堝，包括陶瓷坩堝本體，其特征在于所述陶瓷坩堝本體內(nèi)壁涂覆有Si3N4涂層；本實用新型的有益效果在于將Si3N4(氮化硅)涂覆在坩堝的內(nèi)壁，從而隔離了硅熔體和坩堝的直接接觸，不僅能解決黏滯問題，而且可以降低多晶硅中的氧，碳雜質(zhì)濃度；進(jìn)一步地，利用Si3N4(氮化硅)涂層，還使得陶瓷坩堝可能得到重復(fù)使用(即可以反復(fù)重新涂覆Si3N4涂層)，陶瓷坩堝的內(nèi)涂層處理恰當(dāng)，陶瓷坩堝可以重復(fù)使用，達(dá)到降低生產(chǎn)成本的目的。
文檔編號C30B11/00GK202204288SQ20112031233
公開日2012年4月25日 申請日期2011年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月25日
發(fā)明者王明云, 羅明樹, 趙振元 申請人:信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院科技工程股份有限公司