電連接器以及電氣組件的制作方法
【專利摘要】本申請?zhí)峁┮环N電連接器以及電氣組件。在一個(gè)實(shí)例中，電連接器包括第一對導(dǎo)體、第二對導(dǎo)體、至少部分地隔離所述第一對導(dǎo)體與所述第二對導(dǎo)體的電磁干擾(EMI)吸收材料、以及至少部分地包繞第一對導(dǎo)體和第二對導(dǎo)體中的至少一者的導(dǎo)電屏蔽構(gòu)件，該屏蔽構(gòu)件被構(gòu)造為主要通過反射來衰減電磁場。所述第一和第二對導(dǎo)體中的每一對導(dǎo)體均限定差分對或信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對中的一者。所述EMI吸收材料可被構(gòu)造為主要通過吸收來衰減因經(jīng)由所述第一對和第二對導(dǎo)體中的一對導(dǎo)體傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場以降低所述電磁場對于所述第一對和第二對導(dǎo)體中的另一對導(dǎo)體的所述電磁干擾。
【專利說明】電連接器以及電氣組件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電連接器和電連接器組件。
【背景技術(shù)】
[0002]電連接器可允許電路板上的集成電路連接到電纜或電子裝置。當(dāng)電信號傳送到電路板/從電路板傳送電信號時(shí)，這些信號通過電連接器的導(dǎo)體來傳送。在一些實(shí)例中，當(dāng)信號線密度相對較低時(shí)，不難形成電氣互連。此外，當(dāng)設(shè)計(jì)用于相對較慢數(shù)據(jù)速率應(yīng)用的連接器時(shí)，對信號完整性的關(guān)注非常少。然而，設(shè)備制造商和消費(fèi)者總是不斷要求更高的信號線密度和更快的數(shù)據(jù)速率。
[0003]已經(jīng)開發(fā)出可用于高速電路(如，具有至少5GHz的傳輸速率的電路)的具有相對較高信號線密度的電連接器。然而，在使用較高信號線密度和較快數(shù)據(jù)速率的情況下，信號完整性可因例如電路之間增加的干擾而受到不利影響?？捎玫母咚倩ミB解決方案可為復(fù)雜的，使用對于即使小的制造變化都很敏感的精密制造組件設(shè)計(jì)，因此成本高且難以制造。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]一般來講，本發(fā)明涉及電連接器，其包括電磁干擾(EMI)吸收材料以降低電連接器的相鄰信號導(dǎo)體之間的串?dāng)_。例如，可提供EMI吸收材料以主要通過吸收來衰減因經(jīng)由電連接器內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)信號導(dǎo)體傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場。在一些實(shí)例中，電磁場的衰減可降低串?dāng)_或者與經(jīng)由電連接器內(nèi)的導(dǎo)體傳輸電信號相關(guān)的其他干擾，由此來提高在整個(gè)相應(yīng)電連接器上傳輸?shù)男盘柕耐暾浴?br> [0005]在一個(gè)實(shí)例中，本發(fā)明涉及電連接器，其包括第一對導(dǎo)體；第二對導(dǎo)體；至少部分地隔離第一對導(dǎo)體與第二對導(dǎo)體的電磁干擾(EMI)吸收材料，以及至少部分地包繞第一對導(dǎo)體和第二對導(dǎo)體中的至少一者的導(dǎo)電屏蔽構(gòu)件，該屏蔽構(gòu)件被構(gòu)造為主要通過反射來衰減電磁場，其中第一對和第二對導(dǎo)體中的每一對導(dǎo)體限定差分對或信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對中的一者。EMI吸收材料被構(gòu)造為主要通過吸收來衰減因經(jīng)由第一對和第二對導(dǎo)體中的一對導(dǎo)體傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場以降低電磁場對于第一對和第二對導(dǎo)體中的另一對導(dǎo)體的電磁干擾，并且由EMI吸收材料提供的相應(yīng)導(dǎo)體之間的電磁場的任何衰減百分比均小于由隔離第一對導(dǎo)體與第二對導(dǎo)體的EMI吸收材料提供的電磁場的衰減百分比。
[0006]在另一個(gè)實(shí)例中，本發(fā)明涉及電氣組件，其包括第一電連接器；與第一電連接器相配合的第二電連接器；第一對導(dǎo)體和第二對導(dǎo)體，其中第一對和第二對導(dǎo)體中的每一對導(dǎo)體均限定差分對或信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對中的一者；在第一連接器與第二電連接器相配合時(shí)至少部分地隔離第一對導(dǎo)體與第二對導(dǎo)體的電磁干擾(EMI)吸收材料；以及至少部分地包繞第一對導(dǎo)體和第二對導(dǎo)體中的至少一者的導(dǎo)電屏蔽構(gòu)件，該屏蔽構(gòu)件被構(gòu)造為主要通過反射來衰減電磁場。EMI吸收材料被構(gòu)造為主要通過吸收來衰減因經(jīng)由第一對和第二對導(dǎo)體中的一對導(dǎo)體傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場以降低電磁場對于第一對和第二對導(dǎo)體中的另一對導(dǎo)體的電磁干擾，并且由EMI吸收材料提供的相應(yīng)導(dǎo)體之間的電磁場的任何衰減百分比均小于由隔離第一對導(dǎo)體與第二對導(dǎo)體的EMI吸收材料提供的電磁場的衰減百分比。
[0007]在另一個(gè)實(shí)例中，本發(fā)明涉及電連接器，其包括第一對導(dǎo)體，所述第一對導(dǎo)體包括至少部分地由第一接地屏蔽包繞的第一導(dǎo)體以限定第一信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對；隔離第一導(dǎo)體與第一接地屏蔽的第一介電層；第二對導(dǎo)體，所述第二對導(dǎo)體包括至少部分地由第二接地屏蔽包繞的第二導(dǎo)體以限定第二信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對；隔離第二導(dǎo)體與第二接地屏蔽的第二介電層；以及包繞第一和第二對導(dǎo)體的電磁干擾(EMI)吸收材料。
[0008]在另一個(gè)實(shí)例中，本發(fā)明涉及電連接器，其包括第一多個(gè)導(dǎo)體；鄰近第一多個(gè)導(dǎo)體的第二多個(gè)導(dǎo)體；電磁干擾(EMI)吸收材料；和接地屏蔽構(gòu)件，其中第一多個(gè)導(dǎo)體和接地屏蔽構(gòu)件形成第一多個(gè)信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對并且第二多個(gè)導(dǎo)體和接地屏蔽構(gòu)件形成第二多個(gè)信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對。第一多個(gè)導(dǎo)體和第二多個(gè)導(dǎo)體由接地屏蔽構(gòu)件和EMI吸收材料來隔離，并且第一多個(gè)導(dǎo)體中的各個(gè)導(dǎo)體彼此由EMI吸收材料來隔離。
[0009]在另一個(gè)實(shí)例中，本發(fā)明涉及如下方法，其包括經(jīng)由本發(fā)明所述的電連接器和電連接器組件中的一個(gè)或多個(gè)來傳輸數(shù)據(jù)。經(jīng)由本發(fā)明的電連接器和電連接器組件的數(shù)據(jù)傳輸可包括經(jīng)由電連接器和電連接器組件中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體的電信號傳輸。
[0010]本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)在附圖和以下【具體實(shí)施方式】中說明。通過【具體實(shí)施方式】和附圖以及權(quán)利要求書，本發(fā)明的其他特征、目標(biāo)和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為示出實(shí)例電連接器的概念框圖。
[0012]圖2A-2E為示出包括EMI吸收材料的多種實(shí)例電連接器構(gòu)型的示意圖。
[0013]圖3為示出包括EMI吸收材料的另一個(gè)實(shí)例電連接器構(gòu)型的示意圖。
[0014]圖4為示出包括EMI吸收材料的另一個(gè)實(shí)例電連接器構(gòu)型的示意圖。
[0015]圖5為示出實(shí)例多層屏蔽和EMI吸收材料構(gòu)型的示意圖。
[0016]圖6和7為分別示出不具有和具有EMI吸收材料的實(shí)例電連接器的示意圖。
[0017]圖8A和8B為示出從圖6和7的實(shí)例電連接器上執(zhí)行的仿真中獲得的S參數(shù)測量值相對信號頻率的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]圖1為示出實(shí)例電連接器10的概念框圖。電連接器10包括至少部分地位于電連接器18的外部殼體18內(nèi)的第一對導(dǎo)體12和第二對導(dǎo)體14。一般來講，電連接器10可用于將兩個(gè)或更多個(gè)電路彼此電連接在一起。電連接器10可將兩根或更多根電線或電纜中的導(dǎo)體彼此電連接在一起，或者可將一根或多根電線或電纜電連接到電氣端子。電連接器10可提供兩個(gè)或更多個(gè)電路之間的永久性或臨時(shí)性連接。
[0019]電連接器10并不限于任何特定類型的電連接器構(gòu)型或標(biāo)準(zhǔn)，而且可為任何合適的電連接器，所述電連接器包括兩對或更多對導(dǎo)體以用于傳送電信號，由此例如在整個(gè)電連接器10上傳輸數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)例中，電連接器10可被構(gòu)造為背板連接器。在其他實(shí)例中，其可為電路板到電路板或者電纜到電路板的連接器。在一些實(shí)例中，電連接器10可支持高于大約10Gb/s的數(shù)據(jù)傳送速率，例如，介于大約10Gb/s和大約20Gb/s之間的速率。此夕卜，盡管電連接器10示為包括兩對導(dǎo)體12和14，但本發(fā)明的實(shí)例并不限于此。在一些實(shí)例中，電連接器10可包括不止兩對導(dǎo)體，例如三對、四對、五對、或多于五對導(dǎo)體。
[0020]電信號可傳送穿過每對導(dǎo)體12和14以經(jīng)由電連接器10來傳輸數(shù)據(jù)。在一些實(shí)例中，第一對導(dǎo)體12和第二對導(dǎo)體14中的每一對均可被構(gòu)造為差分對或信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對。例如，第一對導(dǎo)體12和第二對導(dǎo)體14可限定差分對或信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對，或者第一對導(dǎo)體12可限定差分對并且第二對導(dǎo)體16可限定信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對。
[0021]對于其中第一對導(dǎo)體12和/或第二對導(dǎo)體14限定差分導(dǎo)體對的情況而言，差分導(dǎo)體對可允許采用差分信號傳輸技術(shù)來經(jīng)由電連接器10傳輸數(shù)據(jù)。差分信號傳輸涉及通過一對導(dǎo)體傳輸兩個(gè)互補(bǔ)信號，并且可用于模擬信號傳輸和數(shù)字信號傳輸。可通過接收裝置來接收傳導(dǎo)的電信號，所述接收裝置讀取例如由導(dǎo)體12和/或14中的相應(yīng)導(dǎo)體傳送的兩個(gè)信號之間的電壓差。
[0022]作為另外一種選擇，對于其中第一對導(dǎo)體12和/或第二對導(dǎo)體14限定信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對的情況而言，信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對可允許采用單端信號傳輸來經(jīng)由電連接器10傳輸數(shù)據(jù)。單端信號傳輸涉及使用導(dǎo)體對中的一個(gè)導(dǎo)體來傳送表征數(shù)據(jù)信號的可變電壓同時(shí)另一個(gè)導(dǎo)體接地以充當(dāng)參考電壓?？苫诮拥貙?dǎo)體的參考電壓來讀取信號導(dǎo)體所傳送的電壓變化。
[0023]無論第一對導(dǎo)體12和第二對導(dǎo)體14限定差分對還是信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對，均可在第一對導(dǎo)體12和第二對導(dǎo)體14之間經(jīng)歷串?dāng)_。串?dāng)_可被定義為一個(gè)導(dǎo)體(在一些情況下稱為“受擾導(dǎo)體”)因暴露于流過另一個(gè)導(dǎo)體(在一些情況下稱為“侵?jǐn)_導(dǎo)體”)的能量所產(chǎn)生的電磁場而被感應(yīng)的任何無用信號。在圖1的實(shí)例中，在通過電連接器10傳輸數(shù)據(jù)的過程中，在第一對導(dǎo)體12中的導(dǎo)體內(nèi)流動(dòng)的能量可產(chǎn)生電磁場，所述電磁場在第二對導(dǎo)體14中的一個(gè)或兩個(gè)導(dǎo)體內(nèi)感應(yīng)出無用信號,反之亦然。
[0024]受擾導(dǎo)體可經(jīng)受的串?dāng)_水平可與下述因素直接相關(guān):侵?jǐn)_導(dǎo)體所傳送的變化信號的電壓隨時(shí)間變化的斜率、以及受擾導(dǎo)體相對侵?jǐn)_導(dǎo)體的接近度。在其中信號可以高速率(如，高于10Gb/s)切換并且信號導(dǎo)體可被布置為彼此相對較為靠近(如，小于2mm的間距)的高速數(shù)字通信應(yīng)用中，串?dāng)_水平可超過驅(qū)動(dòng)信號水平的20%以上的水平。
[0025]在一些實(shí)例中，為了解決此串?dāng)_現(xiàn)象，可在相鄰信號線之間提供接地屏蔽導(dǎo)體。此行為的目的在于提供電場線的端接表面以降低與受擾導(dǎo)體的電容耦合以及提供接地電流返回路徑以有助于消除與受擾導(dǎo)體的磁場耦合。在一些情況下，這種屏蔽可實(shí)際上消除侵?jǐn)_導(dǎo)體和受擾導(dǎo)體之間的電容耦合。然而，如果所使用的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(例如同軸結(jié)構(gòu))不能精確地消除或阻斷由侵?jǐn)_導(dǎo)體產(chǎn)生的磁場形式，則仍可通過受擾導(dǎo)體觀察到磁感應(yīng)串?dāng)_。因?yàn)閷τ诋a(chǎn)生實(shí)際上完美的信號-地消除或禁閉結(jié)構(gòu)存在較少選擇，則可能有利的是衰減逸出屏蔽結(jié)構(gòu)的任何時(shí)變磁場，以進(jìn)一步地降低對于鄰近受擾導(dǎo)體的串?dāng)_。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)例，如圖1所示，電連接器10還可包括電磁干擾(EMI)吸收材料16。EMI吸收材料16可將電連接器10內(nèi)的第一對導(dǎo)體12和第二對導(dǎo)體14彼此至少部分地隔離。當(dāng)相對于第一對導(dǎo)體12和第二對導(dǎo)體14進(jìn)行設(shè)置時(shí)，EMI吸收材料16可衰減因經(jīng)由第一對和第二對導(dǎo)體12、14中的一對導(dǎo)體傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場，以降低電磁場對于第一對和第二對導(dǎo)體12、14中的另一對導(dǎo)體產(chǎn)生的電磁干擾。例如，EMI吸收材料16可衰減因能量流過第一對導(dǎo)體12中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體產(chǎn)生的電磁場，由此降低所產(chǎn)生的電磁場對于第二對導(dǎo)體14引起的電磁干擾，反之亦然。以此方式，EMI吸收材料16可降低第一對導(dǎo)體12和第二對導(dǎo)體14之間的串?dāng)_。
[0027]EMI吸收材料16可主要通過吸收所產(chǎn)生的電磁場來衰減由第一對導(dǎo)體12和/或第二對導(dǎo)體14產(chǎn)生的電磁信號。與這種機(jī)制形成對照的是，屏蔽材料可主要反射電磁場而非吸收電磁場。如將在下文所述，在一些實(shí)例中，這種屏蔽材料可與EMI吸收材料16結(jié)合使用以降低第一對導(dǎo)體12和第二對導(dǎo)體14之間的干擾。在任何情況下，EMI吸收材料16可衰減因經(jīng)由第一對導(dǎo)體12和/或第二對導(dǎo)體14傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場，由此可例如通過降低或基本上消除由“侵?jǐn)_導(dǎo)體”的電磁場在“受擾導(dǎo)體”內(nèi)感應(yīng)的無用信號來降低相應(yīng)對之間的干擾。
[0028]EMI吸收材料16可為任何合適的材料，所述材料能夠主要通過吸收來衰減由流過第一對導(dǎo)體12和/或第二對導(dǎo)體14中的一個(gè)或兩個(gè)導(dǎo)體的能量所產(chǎn)生的電磁場。在一些實(shí)例中，EMI吸收材料16可具有如下介電材料，所述介電材料具有大于I的磁導(dǎo)率并且具有不可忽略不計(jì)的磁損耗角正切。不可忽略不計(jì)的磁損耗角正切可指大于大約0.1的損耗角正切值。EMI吸收材料16可具有類似于電子應(yīng)用中所用的電解質(zhì)的介電常數(shù)(如，大于大約2的值)以及相對較高的電阻率(如，大約100歐姆/平方或更大的值)。
[0029]實(shí)例EMI吸收材料包括但不限于鐵磁材料，如鐵氧體材料。鐵酸鹽材料可由包括Fe2O3和/或Fe3O4以及其他金屬氧化物的非導(dǎo)電鐵、氧化物化合物形成。在一些實(shí)例中，EMI吸收材料16可被形成為聚合物樹脂層，所述聚合物樹脂層包括粘結(jié)在樹脂材料內(nèi)的鐵磁體粉末。在一些實(shí)例中，EMI吸收材料16的組成和結(jié)構(gòu)可被選擇為吸收一個(gè)或多個(gè)頻率的電磁波，所述一個(gè)或多個(gè)頻率的電磁波通常與第一對導(dǎo)體12和/或第二導(dǎo)體流在以預(yù)定速率傳輸數(shù)據(jù)的過程中所產(chǎn)生的電磁場相關(guān)。
[0030]EMI吸收材料16可具有單層或多層結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)例中，EMI吸收材料16可包括具有不同組成的多個(gè)層。層的不同組成可被選擇為吸收不同頻率的電磁波。這樣，復(fù)合的EMI吸收材料16相比于單一的EMI吸收材料而言可吸收較寬頻率范圍的電磁波。如將在下文所述，在一些實(shí)例中，可將EMI吸收材料16的一個(gè)或多個(gè)層與屏蔽材料的一個(gè)或多個(gè)層相結(jié)合以提供如下復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合結(jié)構(gòu)吸收和反射電磁波以衰減由電信號在第一對導(dǎo)體12和/或第二對導(dǎo)體14內(nèi)的傳輸所產(chǎn)生的電磁場，由此降低相應(yīng)對之間的干擾。
[0031]當(dāng)設(shè)置在電連接器10內(nèi)時(shí),EMI吸收材料16可至少部分地隔尚第一對導(dǎo)體12和第二對導(dǎo)體14。在一些實(shí)例中，EMI吸收材料16可直接地設(shè)置在第一導(dǎo)體對12和第二導(dǎo)體對14之間以隔離第一導(dǎo)電對12和第二導(dǎo)電對14。一般來講,EMI吸收材料16相對于第一對導(dǎo)體12和第二對導(dǎo)體14的位置可允許EMI吸收材料16衰減由第一對導(dǎo)體14所產(chǎn)生的電磁場的全部或一部分，由此降低第二對導(dǎo)體14內(nèi)的BO干擾，反之亦然。在一些實(shí)例中，EMI吸收材料16可至少部分地或基本上完全地包繞第一對導(dǎo)體12以及第二對導(dǎo)體14。在其中EMI吸收材料16基本上完全包繞一對導(dǎo)體的構(gòu)型中，EMI吸收材料16可吸收來自基本上所有方向的電磁場。這種構(gòu)型可用于電連接器10包括不止兩對導(dǎo)體的實(shí)施例中，其中可從電連接器10內(nèi)的不同方向產(chǎn)生多個(gè)不同的電磁場。
[0032]如將在下文所示，電連接器10還可包括隔離形成一對導(dǎo)體的各個(gè)導(dǎo)體的介電絕緣體材料。介電絕緣體材料可將EMI吸收材料16與第一對導(dǎo)體12和第二對導(dǎo)體14中的每個(gè)導(dǎo)體隔離。用于包繞各個(gè)導(dǎo)體的實(shí)例介電絕緣體材料包括但不限于樹脂，例如液晶聚合物(LCP)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚對苯二甲酸環(huán)己二甲酯(PCT)、和高溫尼龍(HTN)。
[0033]如本文所述，EMI吸收材料16因衰減電磁場而提供的降低干擾可取決于多個(gè)因素，例如，經(jīng)由第一和第二對導(dǎo)體傳輸數(shù)據(jù)的速率以及導(dǎo)體對之間的接近度。在一些實(shí)例中，可利用第一對導(dǎo)體和/或第二對導(dǎo)體14以大于lGb/s的速率傳輸數(shù)據(jù)。在這種實(shí)例中，可將EMI吸收材料16設(shè)置在電連接器10內(nèi)以在數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪^程中將第一和第二對導(dǎo)體12、14之間的串?dāng)_水平降低至少3dB。在一些實(shí)例中，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)體12與第二對導(dǎo)體14的距離在大約6毫米(mm)之內(nèi)(例如，在大約4mm之內(nèi)或者在大約2mm和大約0.5mm之間)時(shí)，可提供這種降低水平。
[0034]在一些實(shí)例中，EMI吸收材料16并不隔離形成電連接器10內(nèi)的導(dǎo)體對的相應(yīng)導(dǎo)體。例如，第一對導(dǎo)體12可在限定第一對導(dǎo)體12的相應(yīng)導(dǎo)體之間基本上不含EMI吸收材料16。在一些情況下，僅上述介電材料可隔離相應(yīng)導(dǎo)體。在其他實(shí)例中，可在導(dǎo)體對中的相應(yīng)導(dǎo)體之間的某個(gè)水平處提供EMI吸收材料16。然而，在各個(gè)構(gòu)型中，由EMI吸收材料提供的相應(yīng)導(dǎo)體之間的電磁場的任何衰減小于由隔離第一對導(dǎo)體與第二對導(dǎo)體的EMI吸收材料提供的電磁場的衰減。
[0035]如上文所述，在一些實(shí)例中，電連接器10可任選地包括由電磁屏蔽材料形成的屏蔽構(gòu)件。屏蔽構(gòu)件可對于因電信號經(jīng)由第一對和第二對導(dǎo)體12、14中的一對導(dǎo)體的傳輸所產(chǎn)生的電磁場提供額外的衰減，以降低電磁場對于第一對和第二對導(dǎo)體12、14中的另一對導(dǎo)體的電磁干擾。與主要通過吸收來衰減電磁場的EMI吸收材料16不同，由電磁屏蔽材料形成的屏蔽構(gòu)件可主要通過反射電磁場來衰減所產(chǎn)生的電磁場。在一些實(shí)例中，可將這種屏蔽材料與EMI吸收材料16相結(jié)合，這樣所提供的總體電磁場衰減的水平高于單獨(dú)由屏蔽材料和EMI吸收材料16提供的衰減水平。
[0036]如上文所述，在一些實(shí)例中，屏蔽材料可與EMI吸收材料一起提供以形成多層結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)例中，屏蔽材料可設(shè)置在包繞第一對導(dǎo)體12的EMI吸收材料16的外面。在這種構(gòu)型中，因信號經(jīng)由一對導(dǎo)體中的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體的傳輸所產(chǎn)生的任何電磁波可被屏蔽材料反向反射到EMI吸收材料例如以供EMI吸收材料16進(jìn)一步地吸收，而不允許電磁場干擾第二對導(dǎo)體14。除此之外或作為另外一種選擇，屏蔽材料可設(shè)置在電連接器10內(nèi)的一對導(dǎo)體與EMI吸收材料16之間。可提供主要通過反射的屏蔽材料，以將電磁場容納在產(chǎn)生電磁場的導(dǎo)電對內(nèi)以及將相同導(dǎo)體對與任何外部電磁場(例如由電連接器10中的另一個(gè)導(dǎo)體對產(chǎn)生的電磁場)屏蔽開。
[0037]實(shí)例電磁屏蔽材料可包括導(dǎo)電材料(例如，具有大于IX 106S/m的電導(dǎo)率的材料)，例如Cu、Al、或具有任何合適電導(dǎo)率的其他金屬、以及它們的合金。在一些實(shí)例中，屏蔽材料可包括鍍Ni的Cu材料并且可包括Sn、SnPb、或貴金屬的鍍層。
[0038]在一些實(shí)例中，電連接器10可由兩個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)形成，所述兩個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)被構(gòu)造為彼此相配合以形成電連接器組件。例如，電連接器10可包括第一凸型電連接器和第二凹型電連接器，其中第一凸型電連接器包括多個(gè)銷軸導(dǎo)體，所述多個(gè)銷軸導(dǎo)體被構(gòu)造為接納在限定于第二電連接器中的相應(yīng)插座內(nèi)。對于其中電連接器10包括多個(gè)可連接結(jié)構(gòu)的實(shí)例而言，相應(yīng)結(jié)構(gòu)彼此可永久性或臨時(shí)性地配合在一起。當(dāng)相應(yīng)結(jié)構(gòu)彼此相配合時(shí)，電連接器10限定由EMI吸收材料16至少部分地隔離的第一對導(dǎo)體12和第二對導(dǎo)體14，如上文所述。
[0039]在一些實(shí)例中，電連接器10的相應(yīng)結(jié)構(gòu)可包括EMI吸收材料16的基本上全部、一部分、或基本上不包括EMI吸收材料16。例如，對于處于非配合構(gòu)型的兩個(gè)連接器組件，第一連接器可包括EMI吸收材料16的基本上全部并且第二連接器可基本上不包括EMI吸收材料16。作為另外一種選擇，第一連接器和第二連接器中的每一個(gè)可包括EMI吸收材料16的部分。無論情況如何，這兩個(gè)連接器在彼此相配合時(shí)均限定由EMI吸收材料16隔離的第一和第二對導(dǎo)體12、14，所述EMI吸收材料16呈現(xiàn)如下構(gòu)型:其被構(gòu)造為主要通過吸收來衰減因經(jīng)由第一對和第二對導(dǎo)體12、14中的一對導(dǎo)體傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場，以降低電磁場對于第一對和第二對導(dǎo)體12、14中的另一對導(dǎo)體的電磁干擾，反之亦然。除了 HMI吸收材料16之外，形成電連接器10的電連接器可包括類似形式的電磁屏蔽材料。在一些實(shí)例中，沒有一個(gè)單獨(dú)連接器包括具有能夠根據(jù)需要來衰減所產(chǎn)生的電磁場的數(shù)量或構(gòu)型的EMI吸收材料16或者EMI吸收材料16和屏蔽材料的組合。相反，電連接器部分僅以配合構(gòu)型才能形成電連接器10，由此通過吸收或者吸收和反射來衰減所產(chǎn)生的電磁場，以將電連接器10內(nèi)的干擾降至所需水平，如本文所述。
[0040]圖2A-2E為示出包括EMI吸收材料16的多種實(shí)例電連接器構(gòu)型的示意圖。每個(gè)實(shí)例連接器均以沿著基本上垂直于實(shí)例連接器中的導(dǎo)體的縱向軸線的平面的橫截面視圖示出。為了便于闡述，示出的實(shí)例主要包括兩對導(dǎo)體。然而，這些實(shí)例構(gòu)型可在包括兩對或更多對導(dǎo)體的任何電連接器中來實(shí)施。
[0041]如將在下文所述，每個(gè)實(shí)例電連接器均包括至少兩對彼此由EMI吸收材料16至少部分地隔離的導(dǎo)體，其中每對導(dǎo)體限定信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對或差分對。按照本文的提供，EMI吸收材料16被構(gòu)造為主要通過吸收來衰減因經(jīng)由第一對和第二對導(dǎo)體中的一對導(dǎo)體傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場，以降低電磁場對于第一對和第二對導(dǎo)體中的另一對導(dǎo)體的電磁干擾。就EMI吸收材料衰減形成任何實(shí)例構(gòu)型中的導(dǎo)電對的相應(yīng)導(dǎo)體之間的電磁場而言，該衰減百分比小于由隔離一對導(dǎo)體和另一對導(dǎo)體的EMI吸收材料所提供的電磁場的衰減百分比。
[0042]如圖2A所示，電連接器20包括導(dǎo)體22、24、26、和28。導(dǎo)體22和24限定第一對導(dǎo)體25并且導(dǎo)體26和28限定第二對導(dǎo)體29。具體地講，導(dǎo)體22和24、以及導(dǎo)體26和28可各自被構(gòu)造為信號導(dǎo)體，在這種情況下，電連接器20可包括兩個(gè)差分導(dǎo)體對。作為另外一種選擇，導(dǎo)體22和導(dǎo)體24中的一者可被構(gòu)造為信號導(dǎo)體并且導(dǎo)體22和導(dǎo)體24中的另一者可被構(gòu)造為接地導(dǎo)體以限定信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對。相似地，在一些實(shí)例中，導(dǎo)體26和導(dǎo)體28中的一者可被構(gòu)造為信號導(dǎo)體并且導(dǎo)體26和導(dǎo)體28中的另一者可被構(gòu)造為接地導(dǎo)體以限定信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對。
[0043]電連接器20還包括介電絕緣材料30，所述介電絕緣材料30將第一對25和第二對29中的各個(gè)相應(yīng)導(dǎo)體彼此隔離并且還將EMI吸收材料與導(dǎo)體22、24、26、和28隔離。EMI吸收材料16包繞導(dǎo)體22和24以包封由導(dǎo)體22和24限定的第一導(dǎo)電對25。EMI吸收材料16還包繞導(dǎo)體26和28以包封由導(dǎo)體26和28限定的第二導(dǎo)電對29。如圖所示，EMI吸收材料將由導(dǎo)體22和24限定的第一導(dǎo)體對25與由導(dǎo)體26和28限定的第二導(dǎo)體對29至少部分地隔離。在這種構(gòu)型中，EMI吸收材料可衰減因經(jīng)由限定第一導(dǎo)體對25的導(dǎo)體22和24傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場，由此降低電磁場對于由導(dǎo)體26和28限定的第二導(dǎo)體對29所產(chǎn)生的干擾，反之亦然。
[0044]盡管在圖2a中電連接器20示為在導(dǎo)體26和28之間以及在導(dǎo)體22和24之間不包括EMI吸收材料16，但在其他實(shí)例中，EMI吸收材料16可設(shè)置在導(dǎo)體22和24之間和/或?qū)w26和28之間。然而，在具有這種構(gòu)型的一些實(shí)例中，就EMI吸收材料衰減形成導(dǎo)電對的相應(yīng)導(dǎo)體(如，導(dǎo)體22和24)之間的電磁場而言，該衰減百分比小于由隔離一對導(dǎo)體(如，導(dǎo)體22和24)和另一對導(dǎo)體(如，導(dǎo)體26和28)的EMI吸收材料所提供的電磁場的衰減百分比。即，在其中EMI吸收材料16設(shè)置在導(dǎo)體22和24之間的實(shí)例中，就導(dǎo)體22和24之間的EMI吸收材料衰減電磁場而言，這種衰減百分比小于隔離由導(dǎo)體22和24形成的導(dǎo)體對與由導(dǎo)體26和28形成的導(dǎo)體對的EMI吸收材料16所提供的電磁場的衰減百分比。
[0045]示于圖2B中的電連接器32包括導(dǎo)體22、24、26、和28、介電材料30、以及EMI吸收材料16，并且可基本上類似于電連接器20 (圖2A)。然而，在電連接器32中，EMI吸收材料16包括包繞相應(yīng)導(dǎo)體對25和29的兩個(gè)單獨(dú)部分。EMI吸收材料16的部分各自被介電絕緣材料34包繞，所述介電絕緣材料34還用于隔離HMI吸收材料16的兩個(gè)部分。介電絕緣材料34可為任何合適的介電絕緣材料(例如，上文所述的那些材料)并且可為介電材料30的相同或不同組合物。
[0046]示于圖2C中的電連接器36包括導(dǎo)體22、24、26、和28、介電材料30、以及EMI吸收材料16，并且同樣可基本上類似于電連接器20 (圖2A)。然而，在電連接器36中，屏蔽材料38包繞第一對導(dǎo)體25和第二對導(dǎo)體29，并且設(shè)置在導(dǎo)體22、24、26、28與EMI吸收材料16之間。屏蔽材料38可為任何合適的電磁屏蔽材料，例如，上文所述的那些材料。按照本文的提供，屏蔽材料38可主要通過反射來衰減因電信號經(jīng)由第一對導(dǎo)體25的傳輸所產(chǎn)生的電磁場，以降低電磁場對于第二對導(dǎo)體29的電磁干擾，反之亦然。這種衰減可補(bǔ)充由EMI吸收材料提供的衰減(其可主要通過吸收而非通過反射來衰減所產(chǎn)生的電磁場)。在一些實(shí)例中，屏蔽材料38可接地并且可用作一個(gè)或多個(gè)信號導(dǎo)體的參考導(dǎo)體以限定一個(gè)或多個(gè)信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對。
[0047]示于圖2D中的電連接器40包括導(dǎo)體22、24、26、和28、介電材料30、EMI吸收材料16、以及屏蔽材料38，并且可基本上類似于電連接器36 (圖2D)。然而，在電連接器40中，EMI吸收材料16包括包繞相應(yīng)導(dǎo)體對25和29的兩個(gè)單獨(dú)部分((類似于電連接器32 (圖2B))。EMI吸收材料16的部分各自被介電絕緣材料42包繞，所述介電絕緣材料42還用于隔離EMI吸收材料16的兩個(gè)部分。介電絕緣材料42可為任何合適的介電絕緣材料(例如，上文所述的那些介電絕緣材料)，并且可為介電材料30的相同或不同組合物。
[0048]不于圖2E中的電連接器44包括第一多個(gè)導(dǎo)體45、第二多個(gè)導(dǎo)體47、介電材料30、EMI吸收材料16、以及屏蔽材料38。屏蔽材料38可為接地的，以使得第一多個(gè)導(dǎo)體45中的各個(gè)導(dǎo)體與屏蔽材料38的相鄰部分限定信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對。相似地，第二多個(gè)導(dǎo)體47中的各個(gè)導(dǎo)體與屏蔽材料38的相鄰部分可限定信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對。作為另外一種選擇，第一多個(gè)導(dǎo)體45可限定兩個(gè)差分導(dǎo)體對。相似地，第二多個(gè)導(dǎo)體47可限定兩個(gè)差分導(dǎo)體對。
[0049]在圖2E所示的構(gòu)型中，至少部分地由第一多個(gè)導(dǎo)體45限定的每個(gè)導(dǎo)體對與至少部分地由第二多個(gè)導(dǎo)體47限定的每個(gè)導(dǎo)體對由EMI吸收材料16以及屏蔽材料38隔離。這樣，EMI吸收材料16和/或屏蔽材料38可衰減因經(jīng)由第一多個(gè)導(dǎo)體45傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場，以降低所產(chǎn)生的電磁場對于至少部分地由第二多個(gè)導(dǎo)體47限定的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體對的干擾，反之亦然。還可設(shè)想到其中不存在屏蔽38的連接器44的替代實(shí)例。
[0050]圖3為示出包括EMI吸收材料16的另一個(gè)實(shí)例電連接器46的示意圖。為清楚起見，電連接器46以沿著基本上垂直于導(dǎo)體48、50的縱向軸線的平面截取的橫截面視圖示出。
[0051]電連接器46包括導(dǎo)體48和50、介電絕緣材料30、屏蔽材料38、以及EMI吸收材料16。介電絕緣材料30包繞導(dǎo)體48和導(dǎo)體50中的每一個(gè)。屏蔽材料38包括兩個(gè)單獨(dú)部分，所述兩個(gè)單獨(dú)部分各自包繞導(dǎo)體48和導(dǎo)體50中的一者以及包繞相應(yīng)導(dǎo)體的介電材料30。在每種情況下，屏蔽材料38可為接地的。這樣，導(dǎo)體48和包繞導(dǎo)體48的屏蔽材料38部分可限定信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對，并且導(dǎo)體50和包繞導(dǎo)體50的屏蔽材料38部分也可限定信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對。由導(dǎo)體48、導(dǎo)體50與接地屏蔽材料38限定的每個(gè)信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對均被EMI吸收材料16包繞。
[0052]如圖所示，電連接器46包括導(dǎo)體48，所述導(dǎo)體48由接地屏蔽38的第一部分包繞以形成限定信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對的導(dǎo)體對。介電材料30將導(dǎo)體48與接地屏蔽38的第一部分隔離開。相似地，電連接器46包括導(dǎo)體50，所述導(dǎo)體50由接地屏蔽38的第二部分包繞以形成限定信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對的導(dǎo)體對。盡管導(dǎo)體48和50各自被示為完全由屏蔽材料38的相應(yīng)部分包繞，但在一些實(shí)例中，屏蔽材料38可僅部分地包繞導(dǎo)體48和50中的一者或兩者。介電材料30將導(dǎo)體50與接地屏蔽38隔離開。電連接器46還包括EMI吸收材料16，所述EMI吸收材料16包繞由導(dǎo)體48、50與屏蔽材料38限定的第一和第二對導(dǎo)體。
[0053]在電連接器46中，EMI吸收材料16至少部分地隔離由導(dǎo)體48、50與屏蔽材料38限定的相應(yīng)導(dǎo)體對。按照本文的構(gòu)造，在經(jīng)由信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對中的一者或兩者傳輸電信號的過程中，EMI吸收材料16可主要通過吸收來衰減源自電信號傳輸?shù)碾姶艌?，由此降低相對相?yīng)導(dǎo)體對之間的干擾。在一些情況下，電連接器46內(nèi)的電磁場可由屏蔽材料38主要通過反射來進(jìn)一步地衰減，以進(jìn)一步地降低相應(yīng)導(dǎo)體對之間的干擾。
[0054]圖4為示出包括EMI吸收材料16的另一個(gè)實(shí)例電連接器52的示意圖。電連接器52包括第一多個(gè)導(dǎo)體45、第二多個(gè)導(dǎo)體47、介電材料30、EMI吸收材料16、和屏蔽材料38。第一多個(gè)導(dǎo)體45和第二多個(gè)導(dǎo)體47各自布置成彼此相鄰的帶狀線構(gòu)型。第一多個(gè)導(dǎo)體45和第二多個(gè)導(dǎo)體47由EMI吸收材料16和屏蔽材料38隔離開。屏蔽材料38可為接地的，以使得第一和第二多個(gè)導(dǎo)體45、47中的相應(yīng)導(dǎo)體與屏蔽材料38限定信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對。
[0055]如圖所示，電連接器52的構(gòu)型可基本上類似于圖2E所示的電連接器44的構(gòu)型。然而，與電連接器44 (圖2E)的構(gòu)型不同，第一多個(gè)導(dǎo)體45和第二多個(gè)導(dǎo)體47中的每一者的相應(yīng)導(dǎo)體彼此由EMI吸收材料16的部分隔離開。按照本文的構(gòu)造，在經(jīng)由通過電連接器52限定的信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對中的一者或兩者傳輸電信號的過程中，EMI吸收材料16可主要通過吸收來衰減源自電信號傳輸?shù)碾姶艌?，由此降低電連接器52中的其他導(dǎo)體對之間的干擾。在一些情況下，電連接器52內(nèi)的電磁場可由屏蔽材料38主要通過反射來進(jìn)一步地衰減，以進(jìn)一步地降低相應(yīng)導(dǎo)體對之間的干擾。
[0056]圖5為示出包括屏蔽材料38和EMI吸收材料16的實(shí)例多層構(gòu)型54的示意圖。如上文所述，在一些實(shí)例中，可使用EMI吸收材料16和屏蔽材料38的組合來代替僅EMI吸收材料16，例如，以至少部分地隔離電連接器中的兩對或更多對導(dǎo)體。EMI吸收材料16和屏蔽材料38的組合可用于衰減電連接器內(nèi)產(chǎn)生的電磁場。在操作中，EMI吸收材料16可主要通過吸收來衰減因經(jīng)由一對導(dǎo)體傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場，而屏蔽材料38可主要通過反射來衰減因經(jīng)由一對導(dǎo)體傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場。在一些實(shí)例中，EMI吸收材料16和屏蔽材料38的組合所提供的電磁場的衰減程度可高于由每種材料單獨(dú)提供的電磁場的衰減程度。
[0057]在圖5所示的實(shí)例中，多層構(gòu)型54包括由EMI吸收材料16隔離開的兩層屏蔽材料38。然而，可設(shè)想到其他構(gòu)型。在一些實(shí)例中，可通過屏蔽材料38隔離開兩層EMI吸收材料16，或者可將單層EMI吸收材料16與屏蔽材料層相組合，所述屏蔽材料層位于相對由EMI吸收材料16層包繞的一對導(dǎo)體而言的前側(cè)和/或背側(cè)。在一些實(shí)例中，通過在EMI吸收材料16的背側(cè)包括一層或多層屏蔽材料38，未被EMI吸收材料16層吸收的電磁波可由屏蔽材料38反射回EMI吸收材料16層以供EMI吸收材料16進(jìn)一步地吸收。實(shí)例并不限于兩層或三層構(gòu)型，而且可在EMI吸收材料16和屏蔽材料38上包括任何合適數(shù)量的呈交替構(gòu)型的層。
[0058]如圖5所示，在一些實(shí)例中，一層或兩層屏蔽材料38可為穿孔層，所述穿孔層具有延伸穿過屏蔽材料38的層的多個(gè)小孔。一般來講，屏蔽材料38的層中的穿孔可用于散射以及反射電磁波以衰減電磁場。電磁場的散射可用于將多層結(jié)構(gòu)衰減的電磁場離域到較大面積上。這樣，EMI吸收材料16對電磁波的吸收可因相鄰屏蔽材料38的層對EMI波的散射而得到增強(qiáng)，由此可改善由EMI吸收材料16主要通過吸收來提供的整體衰減。
[0059]對于其中一層屏蔽材料38為穿孔的情況而言，可將小孔以任何合適的圖案和尺寸設(shè)置在屏蔽材料層中。例如，可將小孔以網(wǎng)格狀圖案設(shè)置在屏蔽材料38的層中。在一些情況下，屏蔽材料層中的小孔的尺寸可小于旨在被屏蔽材料38反射的電磁波的波長。在一些實(shí)例中，小孔的中心至中心間距可為旨在被屏蔽材料38反射的電磁波的波長的大約四分之一。
[0060]可使用任何合適的技術(shù)來形成描述于本發(fā)明中的實(shí)例電連接器。在一些實(shí)例中，可利用模塑、注射、涂布、和/或膜施用技術(shù)來將EMI吸收材料16施用到實(shí)例構(gòu)型中的電連接器上。
[0061]SM
[0062]下述實(shí)例示出了本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，但并不限定本發(fā)明的范圍。
[0063]為了評價(jià)EMI吸收材料對于包括多個(gè)導(dǎo)體對的電連接器內(nèi)的信號完整性的影響，構(gòu)造出兩個(gè)實(shí)例電連接器。這兩個(gè)電連接器的構(gòu)型為基本上相同的，不同的是一個(gè)電連接器包括根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)例的EMI吸收材料，而另一個(gè)電連接器不包括EMI吸收材料。然后按照下文所述來評價(jià)每個(gè)電連接器的串?dāng)_特性。
[0064]圖6為示出不包括EMI吸收材料的實(shí)例電連接器56的示意圖，并且圖7為示出確實(shí)包括EMI吸收材料16的實(shí)例電連接器58的示意圖。如圖所示，每個(gè)電連接器包括由介電絕緣體材料30和屏蔽材料38隔離開的成列的多個(gè)信號導(dǎo)體(如，導(dǎo)體57和59)。然而，在圖7所示的構(gòu)型中，電連接器58還包括隔離成列的信號導(dǎo)體和屏蔽材料38的EMI吸收材料16。用于電連接器58中的EMI吸收材料16為3M AB3010EMI Absorber (由明尼蘇達(dá)州梅普爾伍德(Maplewood，MN)的3M生產(chǎn))，其為羰基鐵粉基材料。EMI吸收材料的厚度為大約8密耳。屏蔽材料為Cu并且介電絕緣體材料30為具有大約3.4的介電常數(shù)的液晶聚合物。
[0065]為了便于舉例說明，在圖6和7中示出了僅兩列的四個(gè)導(dǎo)體。實(shí)際上，用于實(shí)例仿真中的實(shí)例電連接器包括設(shè)置成四列的八行導(dǎo)體。表1和表2表示兩個(gè)實(shí)例電連接器的實(shí)際構(gòu)型。表1表示差分近端端口，并且表2表示用于下文的S參數(shù)測量中的差分遠(yuǎn)端端口。表1和2中的數(shù)字和陰影表示兩個(gè)電連接器構(gòu)型中的差分對。使用第3列中的CD對和第4列中的EF對之間的耦合來評價(jià)電連接器56和58相對于彼此的串?dāng)_性能。
[0066]
【權(quán)利要求】
1.一種電連接器，包括: 第一對導(dǎo)體； 第二對導(dǎo)體； 至少部分地隔離所述第一對導(dǎo)體與所述第二對導(dǎo)體的電磁干擾吸收材料；以及至少部分地包繞所述第一對導(dǎo)體和所述第二對導(dǎo)體中的至少一者的導(dǎo)電屏蔽構(gòu)件，所述屏蔽構(gòu)件被構(gòu)造為主要通過反射來衰減電磁場， 其中所述第一對和第二對導(dǎo)體中的每一對導(dǎo)體限定差分對或信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對中的一者， 其中所述電磁干擾吸收材料被構(gòu)造為主要通過吸收來衰減因經(jīng)由所述第一對和第二對導(dǎo)體中的一對導(dǎo)體傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場以降低所述電磁場對于所述第一對和第二對導(dǎo)體中的另一對導(dǎo)體的電磁干擾，并且 其中由所述電磁干擾吸收材料提供的相應(yīng)導(dǎo)體之間的電磁場的任何衰減百分比小于由隔離所述第一對導(dǎo)體與所述第二對導(dǎo)體的所述電磁干擾吸收材料提供的所述電磁場的衰減百分比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中所述屏蔽構(gòu)件被構(gòu)造為在經(jīng)由所述第一對導(dǎo)體和第二對導(dǎo)體傳輸電信號的過程中降低所述第一對導(dǎo)體和第二對導(dǎo)體之間的串?dāng)_，其中所述電磁干擾吸收材料被構(gòu)造為與所述屏蔽構(gòu)件相結(jié)合來將所述第一對導(dǎo)體和第二對導(dǎo)體之間的串?dāng)_降低到所需水平，所述電磁干擾吸收材料與所述屏蔽構(gòu)件相結(jié)合產(chǎn)生的降低的程度超過僅由所述屏蔽構(gòu)件提供的降低。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中所述屏蔽構(gòu)件包括包繞所述第一對導(dǎo)體的第一屏蔽構(gòu)件和包繞所述第二對導(dǎo)體的第二屏蔽構(gòu)件，其中所述電磁干擾吸收材料夾置在所述第一屏蔽構(gòu)件和第二屏蔽構(gòu)件之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中所述第一和第二對導(dǎo)體被構(gòu)造為以大于IGb/s的速率傳輸數(shù)據(jù)，其中所述電磁干擾吸收材料被構(gòu)造為在傳輸所述數(shù)據(jù)的過程中將所述第一和第二對導(dǎo)體之間的串?dāng)_改善至少3dB。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，還包括屏蔽材料，其中所述電磁干擾吸收材料和所述屏蔽材料形成多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包括至少部分地隔離所述第一對導(dǎo)體與所述第二對導(dǎo)體的電磁干擾吸收材料和所述屏蔽材料的交替層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電連接器，其中由所述電磁干擾吸收材料提供的相應(yīng)導(dǎo)體之間的電磁場的任何衰減小于由隔離所述第一對導(dǎo)體與所述第二對導(dǎo)體的所述電磁干擾吸收材料提供的電磁場的衰減。
7.—種電氣組件,包括: 第一電連接器； 與所述第一電連接器相配合的第二電連接器； 第一對導(dǎo)體與第二對導(dǎo)體，其中所述第一對和第二對導(dǎo)體中的每一對導(dǎo)體限定差分對或信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對中的一者； 在所述第一連接器與所述第二電連接器相配合時(shí)至少部分地隔離所述第一對導(dǎo)體與所述第二對導(dǎo)體的電磁干擾吸收材料；以及 至少部分地包繞所述第一對導(dǎo)體和所述第二對導(dǎo)體中的至少一者的導(dǎo)電屏蔽構(gòu)件，所述屏蔽構(gòu)件被構(gòu)造為主要通過反射來衰減電磁場， 其中所述電磁干擾吸收材料被構(gòu)造為主要通過吸收來衰減因經(jīng)由所述第一對和第二對導(dǎo)體中的一對導(dǎo)體傳輸電信號所產(chǎn)生的電磁場以降低所述電磁場對于所述第一對和第二對導(dǎo)體中的另一對導(dǎo)體的電磁干擾，并且 其中由所述電磁干擾吸收材料提供的相應(yīng)導(dǎo)體之間的電磁場的任何衰減百分比小于由隔離所述第一對導(dǎo)體與所述第二對導(dǎo)體的所述電磁干擾吸收材料提供的電磁場的衰減百分比。
8.—種電連接器,包括: 第一對導(dǎo)體，所述第一對導(dǎo)體包括至少部分地由第一接地屏蔽包繞的第一導(dǎo)體以限定第一信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對； 隔離所述第一導(dǎo)體與所述第一接地屏蔽的第一介電層； 第二對導(dǎo)體，所述第二對導(dǎo)體包括至少部分地由第二接地屏蔽包繞的第二導(dǎo)體以限定第二信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對； 隔離所述第二導(dǎo)體與所述第二接地屏蔽的第二介電層；以及 包繞所述第一和第二對導(dǎo)體的電磁干擾吸收材料。
9.一種電連接器，包括: 第一多個(gè)導(dǎo)體； 鄰近所述第一多個(gè)導(dǎo)體的第二多個(gè)導(dǎo)體； 電磁干擾吸收材料；和 接地屏蔽構(gòu)件， 其中所述第一多個(gè)導(dǎo)體和所述接地屏蔽構(gòu)件形成第一多個(gè)信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對并且所述第二多個(gè)導(dǎo)體和所述接地屏蔽構(gòu)件形成第二多個(gè)信號導(dǎo)體/接地導(dǎo)體對， 其中所述第一多個(gè)導(dǎo)體與所述第二多個(gè)導(dǎo)體由所述接地屏蔽構(gòu)件和所述電磁干擾吸收材料隔離開，并且 其中所述第一多個(gè)導(dǎo)體中的相應(yīng)導(dǎo)體彼此由所述電磁干擾吸收材料隔離開。
【文檔編號】H05K9/00GK203722002SQ201190000938
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2011年12月8日 優(yōu)先權(quán)日:2010年12月15日
【發(fā)明者】亞歷山大·W·巴爾 申請人:3M創(chuàng)新有限公司