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      一種3mm波段屏蔽腔體的制作方法

      文檔序號:8193426閱讀:760來源:國知局
      專利名稱:一種3mm波段屏蔽腔體的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及一種屏蔽腔體,具體涉及一種用于3_波段的屏蔽腔體。
      背景技術
      微波和毫米波電路,無論是有源電路還是無源電路,一般都需要放置在屏蔽腔體中,以避免電路產生的輻射干擾其它電路。通常要求屏蔽腔體的截止頻率高于微波或毫米波電路的工作頻率,避免在屏蔽腔體內產生波導模式惡化電路的性能(包括產生有害諧振,惡化帶內增益平坦度,惡化隔離度等)。然而,隨著工作頻率的提高,屏蔽腔體的尺寸變得越來越小,以至于無法安裝電路。為了有足夠的空間安裝電路,在3mm波段電路的屏蔽腔體的截止頻率一般都在工作頻率以下。通常采用在屏蔽腔體的內部加載吸波材料的方法,減小屏蔽腔體內電路輻射的影響。然而,由于吸收材料的加入,會增加電路的損耗;此外,由于吸收材料吸收效率有限,這種方法對電路性能的改善有限。

      發(fā)明內容
      發(fā)明目的本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術的不足,提供一種能有效減小電路輻射的影響,避免屏蔽腔體內產生波導模式惡化電路的性能,同時又有足夠的空間安放電路的3mm波段的屏蔽腔體。技術方案本發(fā)明所述的一種3mm波段屏蔽腔體,包括蓋腔和底座,所述蓋腔扣合在所述底座上,所述底座上面設置有安放電路板的凹槽,所述蓋腔底面在與所述凹槽相對應的位置設置有底面寬度與所述凹槽寬度相同的空腔,所述空腔內部設有兩組或兩組以上關于所述空腔軸線橫向對稱的金屬齒組,所述金屬齒組位于所述空腔的頂面和兩個側面上并且沿所述空腔的軸向等距離分布;通過優(yōu)化金屬齒的外形尺寸及金屬齒組之間的距離,使所述空腔不能滿足3mm波段上電磁場傳輸和諧振所需要的邊界條件,因此所述屏蔽腔體可以效減小電路輻射的影響,避免屏蔽腔體內產生波導模式惡化電路的性能。進一步,所述空腔內部截面寬度為3mm,高度為I. 5mm。進一步,所述金屬齒組由兩個外形尺寸相同的金屬齒組成,所述金屬齒的截面為矩形。進一步,所述金屬齒的長、寬及厚度分別為1mm、Imm及O. 8mm。進一步,所述凹槽的深度為電路板的厚度。進一步,所述金屬齒組間的距離為O. 5mm。本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比,其有益效果是本發(fā)明能有效減小電路輻射的影響,避免屏蔽腔體內產生波導模式惡化電路的性能,同時又有足夠的空間安放電路。


      圖I為本發(fā)明結構示意圖。圖2為本發(fā)明蓋腔結構示意圖。
      圖3為本發(fā)明底座結構示意圖。
      具體實施方式
      下面對本發(fā)明技術方案進行詳細說明,但是本發(fā)明的保護范圍不局限于所述實施例。如圖I至3所示的3mm波段屏蔽腔體采用銅材或者鋁材制作,包括蓋腔I和底座2兩部分,所述蓋腔I扣合在所述底座2上,所述底座2上面設置有安放電路板的凹槽3,所述凹槽3的深度為電路板的厚度,所述蓋腔I底面在與所述凹槽3相對應的位置設置有底面寬度與所述凹槽3寬度相同的空腔4,所述空4內部截面寬度為3mm,高度為I. 5mm,所述空腔4內部設有八組關于所述空腔軸線橫向對稱的金屬齒組5,所述金屬齒組5位于所述空腔4的頂面和兩個側面上并且沿所述空腔4的軸向等距離分布,所述金屬齒組5由兩個外形尺寸相同的金屬齒組成,所述金屬齒的截面為矩形,所述金屬齒的長、寬及厚度分別為
      及O. 8mm,所述金屬齒組5間的距離為O. 5_。如上所述,盡管參照特定的優(yōu)選實施例已經表示和表述了本發(fā)明,但其不得解釋為對本發(fā)明自身的限制。在不脫離所附權利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍前提下,可對其在形式上和細節(jié)上作出各種變化。
      權利要求
      1.一種3mm波段屏蔽腔體,其特征在于,包括蓋腔和底座,所述蓋腔扣合在所述底座上,所述底座上面設置有安放電路板的凹槽,所述蓋腔底面在與所述凹槽相對應的位置設置有底面寬度與所述凹槽寬度相同的空腔,所述空腔內部設有兩組或兩組以上關于所述空腔軸線橫向對稱的金屬齒組,所述金屬齒組位于所述空腔的頂面和兩個側面上并且沿所述空腔的軸向等距離分布。
      2.根據權利要求I所述的3mm波段屏蔽腔體,其特征在于,所述空腔內部截面寬度為3mm,高度為 I. 5mm。
      3.根據權利要求I所述的3mm波段屏蔽腔體,其特征在于,所述金屬齒組由兩個外形尺寸相同的金屬齒組成,所述金屬齒的截面為矩形。
      4.根據權利要求3所述的3mm波段屏蔽腔體,其特征在于,所述金屬齒的長、寬及厚度分別為 1mm、Imm 及 O. 8mm。
      5.根據權利要求I所述的3mm波段屏蔽腔體,其特征在于,所述凹槽的深度為電路板的厚度。
      6.根據權利要求I所述的3mm波段屏蔽腔體,其特征在于,所述金屬齒組間的距離為O.5mmο
      全文摘要
      本發(fā)明公開一種3mm波段屏蔽腔體,包括蓋腔和底座,所述蓋腔扣合在所述底座上,所述底座上面設置有安放電路板的凹槽,所述蓋腔底面在與所述凹槽相對應的位置設置有底面寬度與所述凹槽寬度相同的空腔,所述空腔內部設有兩組或兩組以上關于所述空腔軸線橫向對稱的金屬齒組,所述金屬齒組位于所述空腔的頂面和兩個側面上并且沿所述空腔的軸向等距離分布;本發(fā)明能有效減小電路輻射的影響,避免屏蔽腔體內產生波導模式惡化電路的性能,同時又有足夠的空間安放電路。
      文檔編號H05K9/00GK102638961SQ20121006325
      公開日2012年8月15日 申請日期2012年3月12日 優(yōu)先權日2012年3月12日
      發(fā)明者崔寅杰, 徐杰, 童燁, 許正彬, 郭健, 錢澄 申請人:東南大學
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