專利名稱：半導(dǎo)體器件外延生長的隱形結(jié)構(gòu)襯底的制作方法
半導(dǎo)體器件外延生長的隱形結(jié)構(gòu)襯底技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于半導(dǎo)體器件外延生長的新型襯底結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來，以Si、藍寶石、SiC為襯底的半導(dǎo)體器件研究備受科研工作者的關(guān)注，在部分領(lǐng)域取得重大突破及產(chǎn)業(yè)化的應(yīng)用。例如以GaN、InGaN、AlGaN為主的III-V氮化物最為典型的例子，其連續(xù)可變的直接帶隙，優(yōu)異的物理化學(xué)性能，高飽和電子遷移率等特性， 使其成為發(fā)光二極管，激光器，功率器件等光電子器件的優(yōu)選材料。
然而，GaN的單晶制備條件要求高，產(chǎn)業(yè)化比較困難，與GaN外延生長相匹配的材料還沒有找到。目前，GaN —般是以Si、藍寶石、SiC為襯底的異質(zhì)外延器件制備，但是GaN 與這三種襯底存在著不同程度的晶格和熱膨脹失配。例如，與Si的晶格和熱脹失配分別為-16. 96%和3. 9%，與藍寶石的分別為13. 9%和8. 5%等。如此大的晶格和熱膨脹系數(shù)失配使GaN在外延器 件過程中產(chǎn)生巨大的應(yīng)力場，從而影響器件性能，例如LED的有源區(qū)的缺陷密度大，形成非輻射復(fù)合中心，降低內(nèi)量子效率等。其次，應(yīng)力場使器件出現(xiàn)彎曲或者斷裂等不良的現(xiàn)象。因此，解決異質(zhì)外延中生產(chǎn)的應(yīng)力場成為提高GaN器件性能的關(guān)鍵問題。 目前，很多生長技術(shù)用于異質(zhì)或者同質(zhì)外延生長過程產(chǎn)生應(yīng)力場的釋放。例如側(cè)向外延生長，緩沖插入層，超晶格交替生長層，應(yīng)力補償層，摻雜生長和變條件生長等技術(shù)。這些生長技術(shù)在一定程度上減弱了應(yīng)力場對器件等制備的影響。然而，這些技術(shù)的共同特征都是在生長過程中通過改變生長工藝參數(shù)(溫度、時間、流量、壓強等)進行調(diào)節(jié)應(yīng)力場。這些傳統(tǒng)應(yīng)力調(diào)節(jié)的方法在某些領(lǐng)域的器件制備滿足了產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的要求，但由于通過調(diào)節(jié)傳統(tǒng)的應(yīng)力調(diào)節(jié)只能部分釋放應(yīng)力，不能更有效或者完全地進行應(yīng)力釋放，在某些領(lǐng)域因無法完全消除應(yīng)力場而滿足不了應(yīng)用或者高性能的制備要求。一些用于異質(zhì)外延的應(yīng)力釋放的技術(shù)仍然處于探索過程。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目地在于針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種本發(fā)明目的是基于現(xiàn)有的應(yīng)力釋放調(diào)節(jié)技術(shù)基礎(chǔ)上，突破傳統(tǒng)工藝調(diào)節(jié)的思維，以全新的思路來解決目前存在的外延生長中應(yīng)力場問題。
為達到上述目的，本發(fā)明采用以下方案一種半導(dǎo)體器件外延生長的隱形結(jié)構(gòu)襯底，在外延生長過程中，不同材料的晶格失配和熱膨脹系數(shù)等會生產(chǎn)應(yīng)力，其對外延生長產(chǎn)生不良的結(jié)果，為有效地釋放應(yīng)力，在Si、藍寶石、SiC的III-V或者II-VI半導(dǎo)體器件襯底，借助激光、氣氛退火或者化學(xué)濕法對外延襯底或者外延結(jié)構(gòu)層的表面或者內(nèi)部的物理化學(xué)性能進行定位定點處理和改善，使襯底的表面或者內(nèi)部(距離襯底上表面500nm到距離襯底下表面500nm之間)發(fā)生物理或者化學(xué)性能的改變，包括熱膨脹系數(shù)、化學(xué)鍵、晶格常數(shù)、晶相、楊氏模量形成性能改善的準(zhǔn)介質(zhì)層或者介質(zhì)層，為襯底內(nèi)部包含密度、晶格常數(shù)、晶相、熱膨脹系數(shù)和楊氏模量中一種或一種以上任意組合的材料性能改變介質(zhì)層，所述隱形結(jié)構(gòu)襯底包括單層材料、多層復(fù)合材料襯底、 周期性材料襯底、漸變襯底(熱膨脹系數(shù)或者楊氏模量的漸變的Si、藍寶石、SiC)，其具有位錯阻斷、偏轉(zhuǎn)、應(yīng)力場釋放與互補等效果；利用激光、氣氛退火或者化學(xué)濕法對襯底進行物理或者化學(xué)腐蝕，使其形成中空的準(zhǔn)介質(zhì)層，實現(xiàn)阻斷或者緩沖應(yīng)力場；或利用激光、氣氛退火或者化學(xué)濕法對襯底進行物理或者化學(xué)等方面的性能進行處理和改善，使其在材質(zhì)等方面的性能發(fā)生改變，形成介質(zhì)層，從而達到與應(yīng)力釋放所要求匹配的性能。
在其中一些實施例中，所述介質(zhì)層為空氣隙，隱形結(jié)構(gòu)襯底中的空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層性能根據(jù)外延層與襯底之間的實際性能進行設(shè)計和技術(shù)處理，空氣隙的厚度、大小，材質(zhì)的形狀(三角形、梯形、矩形、正方形、多邊形等)、熱性能(熱膨脹系數(shù))和力學(xué)性能(楊氏模量)。
在其中一些實施例中，所述襯底中的材質(zhì)性能改變包括介質(zhì)層在襯底中的位置、 層數(shù)和性能，介質(zhì)層在襯底中的位置位于表面或者內(nèi)部(距離襯底上表面500nm到距離襯底下表面500nm之間)、層數(shù)(1-20層可變)、厚度、熱性能(熱膨脹系數(shù))和力學(xué)性能(楊氏模量)。
在其中一些實施例中，所述隱形結(jié)構(gòu)襯底表面層存在空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層，而且襯底內(nèi)部也存在空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層，所述隱形結(jié)構(gòu)襯底的空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層的位置處于襯底表面或者襯底內(nèi)部，其準(zhǔn)介質(zhì)層的層數(shù)是單層或者多層(1-20層)，排列可以是按規(guī)則或者準(zhǔn)介質(zhì)層的性能漸變(厚度、微觀形狀、熱膨脹系數(shù)、楊氏模量等)的規(guī)則排列。
在其中一些實施例中，所述隱形結(jié)構(gòu)襯底的空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層中的空氣隙的形狀 (三角形、梯形、矩形、正方形、多邊形等)、大小、密度、厚度特征是可變的；隱形結(jié)構(gòu)襯底表面層存在空氣隙，襯底內(nèi)部存在周期性地空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層，其周期性主要表現(xiàn)準(zhǔn)介質(zhì)層與本征襯底的規(guī)則相間排列。
在其中一些實施例中，所述襯底通過技術(shù)處理，改變襯底某一位置，其位置位于襯底表面或者內(nèi)部(距離襯底上表面500nm到距離襯底下表面500nm之間)，改變襯底該位置的密度、晶格系數(shù)，熱膨脹系數(shù)、化學(xué)鍵的物理化學(xué)性能，從而形成另一種介質(zhì)層，其各介質(zhì)層的物理和化學(xué)等結(jié)構(gòu)性能的具體參數(shù)是根據(jù)計算或者實際需要進行設(shè)計和技術(shù)處理(激光、氣氛退火或者化學(xué)濕法)，最終形成另一類隱形結(jié)構(gòu)襯底。
在其中一些實施例中，直接在常規(guī)襯底上進行技術(shù)處理和改善，形成符合要求的隱形結(jié)構(gòu)襯底，然后再進行器件制備應(yīng)用在其中一些實施例中，先在常規(guī)襯底上生長一層外延層，然后進行對外延復(fù)合襯底進行加技術(shù)處理和改善，從而形成隱形襯底結(jié)構(gòu)，然后進行器件制備應(yīng)用。
通過本發(fā)明，實現(xiàn)一種新型的隱形結(jié)構(gòu)襯底，突破了傳統(tǒng)通過調(diào)節(jié)常規(guī)工藝來釋放應(yīng)力場的思維。本發(fā)明的應(yīng)用對象材料主要有Si、藍寶石、SiC等III-V或者II-VI半導(dǎo)體化合物。隱形結(jié)構(gòu)襯底為質(zhì)異外延器件生長的應(yīng)力場問題提供可行性的解決方案，為制備高質(zhì)量和高性能半導(dǎo)體器件奠定基礎(chǔ)。


圖I所示實施例的隱形結(jié)構(gòu)襯底制備技術(shù)路線。
圖2所不實施例的隱形結(jié)構(gòu)襯底方案一。
圖3所示實施例的隱形結(jié)構(gòu)襯底方案二。
圖4所示實施例的隱形結(jié)構(gòu)襯底方案三。
圖5所示實施例的隱形結(jié)構(gòu)襯底方案四。
圖6所示實施例的隱形結(jié)構(gòu)襯底方案五。
圖7所示實施例的隱形結(jié)構(gòu)襯底方案六。
具體實施方式
為能進一步了解本發(fā)明的特征、技術(shù)手段以及所達到的具體目地、功能，解析本發(fā)明的優(yōu)點與精神，藉由以下通過實施例對本發(fā)明做進一步的闡述。
本發(fā)明實施例的效果圖參見附圖I、附圖2，本發(fā)明的隱形結(jié)構(gòu)襯底，襯底內(nèi)部包含密度、晶格常數(shù)、晶相、熱膨脹系數(shù)和楊氏模量中一種或一種以上任意組合的材料性能改變介質(zhì)層。
隱形結(jié)構(gòu)襯底中的介質(zhì)層可以為空氣隙；隱形結(jié)構(gòu)襯底中的材質(zhì)性能改變的介質(zhì)層在襯底中的位置、層數(shù)和性能是可變的。隱形結(jié)構(gòu)襯底的空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層的位置可以處于襯底表面或者襯底內(nèi)部。其類介質(zhì)層的層數(shù)可以是單層或者多層，排列可以是按規(guī)則或者不規(guī)則的排列。隱形結(jié)構(gòu)襯底的空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層中的空氣隙的形狀、大小、密度、厚度等特征是可變的。隱形結(jié)構(gòu)襯底中的材質(zhì)性能改變的介質(zhì)層的位置可以處于襯底表面或者襯底內(nèi)部。其介質(zhì)層的層數(shù)可以是單層或者多層，排列可以是按規(guī)則或者不規(guī)則的排列。
本發(fā)明提出借助某些技術(shù)對外延襯底或者外延結(jié)構(gòu)層等物理化學(xué)等性能進行處理和改善，例如熱膨脹系數(shù)、化學(xué)鍵、晶格常數(shù)、晶相、楊氏模量等，從而形成性能發(fā)生改變的介質(zhì)層或者準(zhǔn)介質(zhì)層，進而形成隱形結(jié)構(gòu)襯底，以滿足應(yīng)力場的釋放要求，其方案示意圖如圖I所示。一種思路是直接在常規(guī)襯底上進行技術(shù)處理和改善，形成符合要求的隱形結(jié)構(gòu)襯底，然后再進行器件制備應(yīng)用。另一種思路是根據(jù)要求先在常規(guī)襯底上生長一層外延層，然后進行對外延復(fù)合襯底進行加技術(shù)處理和改善，從而形成隱形襯底結(jié)構(gòu)，然后進行器件制備應(yīng)用。
本發(fā)明所提供的隱形結(jié)構(gòu)襯底以III-V或者II-VI的半導(dǎo)體化合物為對象。隱形結(jié)構(gòu)襯底包含兩方面的應(yīng)力釋放機理一方面利用某些技術(shù)對襯底進行物理或者化學(xué)腐蝕，使其形成中空的準(zhǔn)介質(zhì)層，實現(xiàn)阻斷或者緩沖應(yīng)力場；另一方面利用某些技術(shù)對襯底進行物理或者化學(xué)等方面的性能進行處理和改善，使其在材質(zhì)等方面的性能發(fā)生改變，形成介質(zhì)層，從而達到與應(yīng)力釋放所要求匹配的性能。例如襯底的熱膨脹系數(shù)、晶格常數(shù)、晶相、 楊氏模量等。本發(fā)明的隱形結(jié)構(gòu)襯底能有效地解決在各類襯底上進行半導(dǎo)體器件所遇到的應(yīng)力場問題。
本發(fā)明示例一，如圖2所示，鏤空襯底表面層存在一層空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層，由于類似懸空的接觸，此結(jié)構(gòu)可以有效地減少由于襯底與外延層的晶格失配或者熱膨脹失配所產(chǎn)生的應(yīng)力場對外延層的影響。這是由于外延層與襯底處于準(zhǔn)接觸狀態(tài)，引入了準(zhǔn)介質(zhì)層，其改變了襯底的熱脹系數(shù)等方面的熱學(xué)性能，以達到與外延層匹配，這樣可以緩沖由熱應(yīng)力場引起的襯底彎曲，從而達到釋放應(yīng)力的狀態(tài)。隱形結(jié)構(gòu)襯底中的空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層性能可以根據(jù)外延層與襯底之間的實際性能進行設(shè)計和技術(shù)處理。例如空氣隙的厚度、大小，材質(zhì)的形狀和熱性能等。
本發(fā)明示例二，如圖3所示，隱形結(jié)構(gòu)襯底不僅表面層存在空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層，而且襯底內(nèi)部也存在空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層，這樣可以進一步改變襯底物理化學(xué)等方面性能，從而更好地實現(xiàn)襯底與外延層之間的各種性能的匹配。
本發(fā)明示例三，如圖4所示，隱形結(jié)構(gòu)襯底除了表面層存在空氣隙，襯底內(nèi)部存在周期性地空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層，有利用于進一步改變襯底的熱脹系數(shù)等方面的性能，從而更好地實現(xiàn)襯底的應(yīng)力場釋放和互補。發(fā)明中所提到的空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層可以根據(jù)實際的需要利用不同形狀、大小、厚度等參數(shù)的空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層來滿足應(yīng)力場釋放要求。
本發(fā)明示例四、五、六，與圖5、圖6、圖7所示的結(jié)構(gòu)思路相同，不同的是沒有引入簡單的空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層，而是通過技術(shù)處理，改變襯底某一位置的物理化學(xué)性能，例如密度，晶格系數(shù)，熱膨脹系數(shù)、化學(xué)鍵能等，從而形成另一種介質(zhì)層，其各介質(zhì)層的物理和化學(xué)等結(jié)構(gòu)性能的具體參數(shù)是根據(jù)計算或者實際需要進行設(shè)計和技術(shù)處理，最終形成另一類隱形結(jié)構(gòu)襯底，從而實現(xiàn)應(yīng)力場的釋放。性能改善的介質(zhì)層結(jié)構(gòu)以多種結(jié)構(gòu)方式實現(xiàn)，如圖6 所示。
通過本發(fā)明，實現(xiàn)一種新型的隱形結(jié)構(gòu)襯底，突破了傳統(tǒng)通過調(diào)節(jié)常規(guī)工藝來釋放應(yīng)力場的思維。本發(fā)明的應(yīng)用對象材料主要有Si、藍寶石、SiC等III-V或者II-VI半導(dǎo)體化合物。隱形結(jié)構(gòu)襯底為質(zhì)異外延器件生長的應(yīng)力場問題提供可行性的解決方案，為制備高質(zhì)量和高性能半導(dǎo)體器件奠定基礎(chǔ)。
本發(fā)明提供一種新型的隱形結(jié)構(gòu)襯底。在外延生長過程中，不同材料的晶格失配和熱膨脹系數(shù)等會生產(chǎn)應(yīng)力，其對外延生長產(chǎn)生不良的結(jié)果。利用隱形結(jié)構(gòu)襯底能夠有效地釋放應(yīng)力，為制備高性能器件提供了必要的基礎(chǔ)。本發(fā)明對象包括以Si、藍寶石、SiC等常規(guī)半導(dǎo)體器件襯底，經(jīng)過某種技術(shù)對常規(guī)襯底進行定位定點地處理，使襯底的某一位置發(fā)生物理或者化學(xué)等性能的改變，形成性能改善的準(zhǔn)介質(zhì)層或者介質(zhì)層，例如熱膨脹系數(shù)、 化學(xué)鍵、晶格常數(shù)、晶相、楊氏模量等，最終形成符合要求的隱形結(jié)構(gòu)襯底。所述的隱形結(jié)構(gòu)襯底包括單層材料、多層復(fù)合材料襯底、周期性材料襯底、漸變襯底等，其具有位錯阻斷、偏轉(zhuǎn)、應(yīng)力場釋放與互補等效果。本發(fā)明改變傳統(tǒng)的調(diào)節(jié)外延工藝釋放應(yīng)力的思維，提供一種新型的外延應(yīng)力釋放思路，克服生長過程中由于應(yīng)力過大而產(chǎn)生的不良影響，從而實現(xiàn)高質(zhì)量高性能的半導(dǎo)體器件制備。
以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的具體實施方式
，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的技術(shù)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此， 本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件外延生長的隱形結(jié)構(gòu)襯底，在外延生長過程中，不同材料的晶格失配和熱膨脹系數(shù)等會生產(chǎn)應(yīng)力，其對外延生長產(chǎn)生不良的結(jié)果，為有效地釋放應(yīng)力，其特征在于，在Si、藍寶石、SiC的III-V或者II-VI半導(dǎo)體器件襯底，借助激光、氣氛退火或者化學(xué)濕法對外延襯底或者外延結(jié)構(gòu)層的表面或者內(nèi)部的物理化學(xué)性能進行定位定點處理和改善，使襯底的表面或者內(nèi)部發(fā)生物理或者化學(xué)性能的改變，包括熱膨脹系數(shù)、化學(xué)鍵、晶格常數(shù)、晶相、楊氏模量形成性能改善的準(zhǔn)介質(zhì)層或者介質(zhì)層，襯底內(nèi)部包含密度、晶格常數(shù)、晶相、熱膨脹系數(shù)和楊氏模量中一種或一種以上組合的材料性能改變介質(zhì)層，所述隱形結(jié)構(gòu)襯底包括單層材料、多層復(fù)合材料襯底、周期性材料襯底、Si、藍寶石、SiC的III-V或者II-VI楊氏模量漸變的襯底，其具有位錯阻斷、偏轉(zhuǎn)、應(yīng)力場釋放與互補效果； 利用激光、氣氛退火或者化學(xué)濕法對襯底進行物理或者化學(xué)腐蝕，使其形成中空的準(zhǔn)介質(zhì)層，實現(xiàn)阻斷或者緩沖應(yīng)力場； 或利用激光、氣氛退火或者化學(xué)濕法對襯底進行物理或者化學(xué)等方面的性能進行處理和改善，使其在材質(zhì)等方面的性能發(fā)生改變，形成介質(zhì)層，從而達到與應(yīng)力釋放所要求匹配的性能。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件外延生長的隱形結(jié)構(gòu)襯底，其特征在于，所述介質(zhì)層為空氣隙，隱形結(jié)構(gòu)襯底中的空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層性能根據(jù)外延層與襯底之間的實際性能進行設(shè)計和技術(shù)處理，包括空氣隙的厚度、大小、材質(zhì)的形狀、熱性能或力學(xué)性能； 所述空氣隙的形狀是三角形、梯形、矩形、正方形、多邊形，所述空氣隙的熱性能是熱膨脹系數(shù)，所述空氣隙的力學(xué)性能是楊氏模量。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件外延生長的隱形結(jié)構(gòu)襯底，其特征在于，所述襯底中的材質(zhì)性能改變包括介質(zhì)層在襯底中的位置、層數(shù)和性能，介質(zhì)層在襯底中的位置位于表面; 或者介質(zhì)層在襯底中的位置位于內(nèi)部，距離襯底上表面500nm到距離襯底下表面500nm之間； 介質(zhì)層的層數(shù)為1-20層，性能表現(xiàn)在熱膨脹系數(shù)和楊氏模量的改變。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件外延生長的隱形結(jié)構(gòu)襯底，其特征在于，所述隱形結(jié)構(gòu)襯底的空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層的位置處于襯底表面或者襯底內(nèi)部，其準(zhǔn)介質(zhì)層的層數(shù)是單層或者多層，排列是按規(guī)則或者準(zhǔn)介質(zhì)層的性能漸變的規(guī)則排列； 隱形結(jié)構(gòu)襯底表面層存在空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層，而且襯底內(nèi)部也存在空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件外延生長的隱形結(jié)構(gòu)襯底，其特征在于，所述隱形結(jié)構(gòu)襯底的空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層中的空氣隙的形狀、大小、密度、厚度特征是可變的； 所述隱形結(jié)構(gòu)襯底表面層存在空氣隙，襯底內(nèi)部存在周期性地空氣隙準(zhǔn)介質(zhì)層，其周期性表現(xiàn)準(zhǔn)介質(zhì)層與本征襯底的規(guī)則相間排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件外延生長的隱形結(jié)構(gòu)襯底，其特征在于，所述襯底通過技術(shù)處理，改變襯底某一位置，其位置位于襯底表面或者內(nèi)部，改變襯底該位置的密度、晶格系數(shù)，熱膨脹系數(shù)、化學(xué)鍵的物理化學(xué)性能，從而形成另一種介質(zhì)層，最終形成另一類隱形結(jié)構(gòu)襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件外延生長的隱形結(jié)構(gòu)襯底，其特征在于，所述襯底直接進行技術(shù)處理和改善，形成符合要求的隱形結(jié)構(gòu)襯底，然后再進行器件制備應(yīng)用。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件外延生長的隱形結(jié)構(gòu)襯底，其特征在于，所述襯底先生長一層外延層，然后進行對外延復(fù)合襯底進行加技術(shù)處理和改善，從而形成隱形襯底結(jié)構(gòu)，然后進行器件制備應(yīng)用。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件外延生長的隱形結(jié)構(gòu)襯底，解決目前存在的外延生長中應(yīng)力場問題。本發(fā)明在Si、藍寶石、SiC的III-V或者II-VI半導(dǎo)體器件襯底，對常規(guī)襯底進行定位定點地處理，對外延襯底或者外延結(jié)構(gòu)層的物理化學(xué)性能進行處理和改善，使襯底的發(fā)生物理或者化學(xué)性能的改變，為襯底內(nèi)部包含密度、晶格常數(shù)、晶相、熱膨脹系數(shù)和楊氏模量中一種或一種以上任意組合的材料性能改變介質(zhì)層所述的隱形結(jié)構(gòu)襯底。通過本發(fā)明，隱形結(jié)構(gòu)襯底為質(zhì)異外延器件生長的應(yīng)力場問題提供可行性的解決方案，為制備高質(zhì)量和高性能半導(dǎo)體器件奠定基礎(chǔ)。
文檔編號C30B25/18GK102978695SQ20121053412
公開日2013年3月20日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者羅睿宏, 梁智文, 張國義 申請人:東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司