專(zhuān)利名稱(chēng)：?jiǎn)尉t石墨坩堝提升裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及CZ法拉單晶爐石墨坩堝提升裝置。
背景技術(shù)：
單晶硅一般采用CZ法生產(chǎn)。CZ法是依靠加熱器將石墨坩堝內(nèi)的原料硅溶解，再將安裝在籽晶夾頭上的籽晶浸入溶液中。然后，使籽晶夾頭和石墨坩堝相對(duì)逆向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)提拉籽晶夾頭，使晶錠(單晶硅)按照所設(shè)定的直徑及長(zhǎng)度生長(zhǎng)的方法。使用時(shí)一般采用的是盛裝熔液的石墨坩堝和盛放并支撐石墨坩堝的雙重構(gòu)造。為防止石墨坩堝與其中盛放的石墨坩堝因熱膨脹系數(shù)不同而發(fā)生破裂，石墨坩堝被縱向分成了幾部分，其形狀并不固定。在拉晶結(jié)束清掃熱場(chǎng)時(shí)，取出已使用過(guò)的石墨坩堝后，多采用人力將分體式石墨坩堝取出。 拉晶結(jié)束后取出石墨坩堝時(shí)，如果是小型的熱場(chǎng)，即使采用人力也不算費(fèi)力，但是近年熱場(chǎng)正在越來(lái)越大型化，用人力來(lái)對(duì)應(yīng)就變得越來(lái)越難了。另外，為了能夠讓包圍在石墨樹(shù)禍外周的加熱器聞效加熱溶解石墨樹(shù)禍內(nèi)盛放的原料娃，在加熱時(shí)盡量將石墨樹(shù)禍放置在加熱器內(nèi)部。石墨坩堝外表面和加熱器的內(nèi)表面之間的間隙很小。比如通常設(shè)定為只有12毫米左右。此外，通常坩堝軸的行程范圍只能滿(mǎn)足拉晶的最低需要，即確保到達(dá)拉晶用的裝料位置和化料位置等。即使在如此有限的空間里，也能夠用工裝也可將分體式石墨坩堝(瓣?duì)?取出，但是，考慮到實(shí)際的使用情況，就會(huì)發(fā)現(xiàn)這些工裝很難在實(shí)際中廣泛使用、因?yàn)檫@些工裝的結(jié)構(gòu)復(fù)雜、石墨坩堝掉落的危險(xiǎn)性較高，存在各種問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種無(wú)石墨樹(shù)禍掉落的危險(xiǎn)，能夠確保石墨樹(shù)禍周?chē)某渥憧臻g實(shí)現(xiàn)取出，工裝的構(gòu)造簡(jiǎn)單等的單晶爐石墨坩堝提升裝置。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型單晶爐石墨坩堝提升裝置，包括坩堝軸，所述坩堝軸設(shè)置在單晶爐底部；石墨坩堝托盤(pán)，所述石墨坩堝托盤(pán)設(shè)置在所述坩堝軸的頂端；石墨樹(shù)禍，所述石墨樹(shù)禍為分體式石墨樹(shù)禍，所述石墨樹(shù)禍設(shè)直在所述石墨樹(shù)禍托盤(pán)上；石墨坩堝，所述石墨坩堝套設(shè)在所述石墨坩堝托盤(pán)內(nèi)。當(dāng)所述坩堝軸的行程達(dá)到最大值時(shí)，所述石墨坩堝托盤(pán)的水平位置高于加熱器所在平面。所述石墨坩堝托盤(pán)與所述石墨坩堝的接觸面的形狀與所述石墨坩堝的底部的形狀相契合。在所述石墨坩堝托盤(pán)的邊緣設(shè)有搭肩。本實(shí)用新型單晶爐石墨坩堝提升裝置確保了石墨坩堝周?chē)湓５目臻g，使分體式石墨坩堝取出工裝的設(shè)計(jì)變得更為容易，工裝的構(gòu)造也將變得更加簡(jiǎn)單。另外，不是依靠工裝，而是依靠下方設(shè)置的石墨坩堝托盤(pán)來(lái)保持分體式石墨坩堝形狀。這樣能夠大幅降低石墨坩堝掉落的危險(xiǎn)。也能對(duì)應(yīng)大型化的熱場(chǎng)，提高工作效率。由于能立即將處于高溫狀態(tài)下的石墨坩堝取出，節(jié)省了熱場(chǎng)冷卻的時(shí)間，因此清潔時(shí)間大幅縮短。

[0008]圖I為本實(shí)用新型單晶爐石墨坩堝提升裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型單晶爐石墨坩堝提升裝置坩堝軸上升示意圖；本實(shí)用新型單晶爐石墨坩堝提升裝置及其使用方法附圖中附圖標(biāo)記說(shuō)明I-單晶爐2_ 甘禍軸3_石墨 甘禍托盤(pán)4-石墨坩堝 5-石墨坩堝6-加熱器
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型單晶爐石墨坩堝提升裝置及其使用方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。如圖I、圖2所示，本實(shí)用新型單晶爐石墨坩堝提升裝置，包括坩堝軸2，坩堝軸2設(shè)置在單晶爐I底部的中心位置，當(dāng)坩堝軸2的行程達(dá)到最大值時(shí)，石墨坩堝托盤(pán)3的水平位置高于加熱器6所在平面；石墨坩堝托盤(pán)3設(shè)置在坩堝軸2的頂端，在石墨坩堝托盤(pán)3的邊緣設(shè)有搭肩；分體式石墨坩堝4設(shè)置在石墨坩堝托盤(pán)3上，石墨坩堝托盤(pán)3與石墨坩堝4的接觸面的形狀與石墨坩堝4的底部的形狀相契合；石墨坩堝5，石墨坩堝5套設(shè)在石墨坩堝托盤(pán)3內(nèi)。本實(shí)用新型單晶爐石墨坩堝提升裝置確保了石墨坩堝周?chē)湓５目臻g，使分體式石墨坩堝取出工裝的設(shè)計(jì)變得更為容易，工裝的構(gòu)造也將變得更加簡(jiǎn)單。另外，不是依靠工裝，而是依靠下方設(shè)置的石墨坩堝托盤(pán)來(lái)保持分體式石墨坩堝形狀。這樣能夠大幅降低石墨坩堝掉落的危險(xiǎn)。也能對(duì)應(yīng)大型化的熱場(chǎng)，提高工作效率。由于能立即將處于高溫狀態(tài)下的石墨坩堝取出，節(jié)省了熱場(chǎng)冷卻的時(shí)間，因此清潔時(shí)間大幅縮短。以上已對(duì)本實(shí)用新型創(chuàng)造的較佳實(shí)施例進(jìn)行了具體說(shuō)明，但本實(shí)用新型并不限于實(shí)施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本實(shí)用新型創(chuàng)造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請(qǐng)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.單晶爐石墨坩堝提升裝置，其特征在于，包括 坩堝軸，所述坩堝軸設(shè)置在單晶爐底部； 石墨坩堝托盤(pán)，所述石墨坩堝托盤(pán)設(shè)置在所述坩堝軸的頂端； 石墨樹(shù)禍，所述石墨樹(shù)禍為分體式石墨樹(shù)禍，所述石墨樹(shù)禍設(shè)直在所述石墨樹(shù)禍托盤(pán)上; 石墨相■禍,所述石墨相'禍套設(shè)在所述石墨相'禍托盤(pán)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的單晶爐石墨坩堝提升裝置，其特征在于，所述石墨坩堝托盤(pán)與所述石墨坩堝的接觸面的形狀與所述石墨坩堝的底部的形狀相契合。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的單晶爐石墨坩堝提升裝置，其特征在于，當(dāng)所述坩堝軸的行程達(dá)到最大值時(shí)，所述石墨坩堝托盤(pán)的水平位置高于加熱器所在平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的單晶爐石墨坩堝提升裝置，其特征在于，在所述石墨坩堝托盤(pán)的邊緣設(shè)有搭肩。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型單晶爐石墨坩堝提升裝置，包括坩堝軸，所述坩堝軸設(shè)置在坩堝底部的中心位置；石墨坩堝托盤(pán)，所述石墨坩堝托盤(pán)設(shè)置在所述坩堝軸的頂端；石墨坩堝，所述石墨坩堝為分體式石墨坩堝，所述石墨坩堝設(shè)置在所述石墨坩堝托盤(pán)上；石墨坩堝，所述石墨坩堝套設(shè)在所述石墨坩堝托盤(pán)內(nèi)。本實(shí)用新型單晶爐石墨坩堝提升裝置確保了石墨坩堝周?chē)湓５目臻g，使分體式石墨坩堝取出工裝的設(shè)計(jì)變得更為容易，工裝的構(gòu)造也將變得更加簡(jiǎn)單。另外，不是依靠工裝，而是依靠下方設(shè)置的石墨坩堝托盤(pán)來(lái)保持分體式石墨坩堝形狀。這樣能夠大幅降低石墨坩堝掉落的危險(xiǎn)。也能對(duì)應(yīng)大型化的熱場(chǎng)，提高工作效率。
文檔編號(hào)C30B15/30GK202643902SQ20122019292
公開(kāi)日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月28日
發(fā)明者舟橋啟 申請(qǐng)人:上海漢虹精密機(jī)械有限公司