專利名稱：低碳太陽能單晶硅片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種低碳太陽能單晶硅片。
技術(shù)背景隨著全世界環(huán)境保護(hù)意識的高漲，地球升溫所造成的自然災(zāi)害日益嚴(yán)重，全世界十億以上住在無電或缺電地區(qū)的人口用電量需求日益增長，太陽能電池市場將會繼續(xù)快速的成長。目前全世界太陽能電池的發(fā)電量還不到傳統(tǒng)能源發(fā)電量的萬分之一，其主要是太陽能電池發(fā)電的成本是傳統(tǒng)能源發(fā)電成本的2-3倍。世界光伏組件產(chǎn)量上世紀(jì)未10年的平均增長率為20%，從1991年的55瓦增長到2000年的287瓦，而進(jìn)入2000年以后，全世界光伏組件的年均增長率高達(dá)30%以上，2003年全球的產(chǎn)量達(dá)到744瓦。光伏產(chǎn)業(yè)成為世界上發(fā)展最快的新興行業(yè)之一，太陽能電池需球量年均增長率高達(dá)30%，可預(yù)見其高速增長將持續(xù)下去。但現(xiàn)有技術(shù)中，高純度單晶硅片的產(chǎn)品四個圓角磨去，去掉的原料無法回收利用，原料浪費大。

實用新型內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本實用新型的目的在于提供一種低碳太陽能單晶硅片的技術(shù)方案。所述的低碳太陽能單晶硅片，包括硅片本體，所述硅片本體的四角設(shè)為圓弧倒角。所述的低碳太陽能單晶娃片，所述圓弧倒角的圓心角為45±10度，圓弧半徑為15 + 0. Smnin所述的低碳太陽能單晶娃片，所述娃片本體的邊長為125mm±0. 5mm。所述的低碳太陽能單晶硅片，所述硅片本體的最長對角線長度為165mm。所述的低碳太陽能單晶硅片，所述硅片本體的厚度為200μπι±20μπι。所述的低碳太陽能單晶硅片，所述硅片本體的氧含量小于等于lX1018atmS/cm3，碳含量小于等于4X IO16 atms/cm3。所述的低碳太陽能單晶硅片，所述硅片本體的電阻率范圍為I. 0-3. O Ω. Cm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，原有單晶硅片的碳含量一般小于等于5X1016atmS/cm3，而本實用新型單晶硅片的碳含量小于等于4X1016 atms/cm3,由于單晶硅制成的光伏電池的衰減性與單晶硅片的氧碳含量有關(guān)，減少硅片的碳含量，對于電池組件的壽命有決定性意義。

圖I為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合說明書附圖對本實用新型做進(jìn)一步說明低碳太陽能單晶硅片，包括硅片本體1，硅片本體I的四角設(shè)為圓弧倒角，硅片本體的邊長為125mm±0. 5mm,娃片本體的厚度為200 μ m±20 μ m,娃片本體的最長對角線長度為165mm,最長對角線一定,其圓弧倒角的大小就定下來了，因此圓弧倒角的圓心角為45±10度，圓弧半徑為15±0. 5mm。娃片本體的氧含量小于等于I X 1018atms/cm3,碳含量小于等于4X IO16 atms/cm3，硅片本體的電阻率范圍為I. 0-3. 0Ω. cm。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，原有單晶硅片的碳含量一般小于等于5X1016atmS/cm3，而本實用新型單晶硅片的碳含量小于等于4X1016 atms/cm3,由于單晶硅制成的光伏電池的衰減性與單晶硅片的氧碳含量有夫，減少硅片的碳含量，對于電池組件的壽命有決定性意義。
權(quán)利要求1.低碳太陽能單晶硅片，包括硅片本體，其特征在于所述硅片本體的四角設(shè)為圓弧倒角。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低碳太陽能單晶硅片，其特征在于所述圓弧倒角的圓心角為45±10度，圓弧半徑為15±0. 5_。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低碳太陽能單晶硅片，其特征在于所述硅片本體的邊長為125mm + 0. 5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低碳太陽能單晶硅片，其特征在于所述硅片本體的最長對角線長度為165mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低碳太陽能單晶硅片，其特征在于所述硅片本體的厚度為200 μ m±20 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低碳太陽能單晶硅片，其特征在于所述硅片本體的氧含量小于等于I X 1018atms/cm3,碳含量小于等于4X IO16 atms/cm3。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低碳太陽能單晶硅片，其特征在于所述硅片本體的電阻率范圍為 I. 0-3. 0Ω. cm。
專利摘要本實用新型涉及一種低碳太陽能單晶硅片。本實用新型硅片本體的四角設(shè)為圓弧倒角，硅片本體的最長對角線長度為165mm，圓弧倒角的圓心角為45±10度,圓弧半徑為15±0.5mm，硅片本體的邊長為125mm±0.5mm，硅片本體的厚度為200μm±20μm，碳含量小于等于4×1016atms/cm3，硅片本體的電阻率范圍為1.0-3.0Ω.cm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，原有單晶硅片的碳含量一般小于等于5×1016atms/cm3，而本實用新型單晶硅片的碳含量小于等于4×1016atms/cm3，由于單晶硅制成的光伏電池的衰減性與單晶硅片的氧碳含量有關(guān)，減少硅片的碳含量，對于電池組件的壽命有決定性意義。
文檔編號C30B29/64GK202643911SQ20122025918
公開日2013年1月2日 申請日期2012年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月4日
發(fā)明者孫明祥 申請人:浙江好亞能源股份有限公司