制造碳化硅襯底的方法和碳化硅襯底的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種制造碳化硅襯底的方法，所述方法包括：準備由單晶碳化硅構(gòu)成的錠的步驟；通過對所述錠進行切片而得到碳化硅襯底(10)的步驟；以及對所述碳化硅襯底(10)的表面進行研磨的步驟。在所述得到襯底(10)的步驟中，以使得在其中在{0001}面上的正交投影中相對于<11-20>方向或<1-100>方向形成的角為15±5°的方向上進行切割的方式對所述錠(1)進行切片。在所述對所述襯底(10)的表面進行研磨的步驟中，在所述襯底(10)的至少一個主表面(10A、10B)的整個表面與研磨表面(30A、40A)接觸的同時，對所述襯底(10)的所述至少一個主表面(10A、10B)進行研磨。
【專利說明】制造碳化娃襯底的方法和碳化娃襯底
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及制造碳化硅襯底的方法和碳化硅襯底，更特別地，涉及制造能夠抑制在主表面處的面取向的變化和翹曲的碳化硅襯底的方法和使得可制造高品質(zhì)半導(dǎo)體裝置的碳化娃襯底。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，為了實現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的更高的擊穿電壓和更低的損耗、其在高溫環(huán)境中的使用等，已經(jīng)越來越多地采用碳化硅作為形成半導(dǎo)體裝置的材料。碳化硅是帶隙比硅更大的寬帶隙半導(dǎo)體，所述硅是常規(guī)上廣泛用作形成半導(dǎo)體裝置的材料。因此，通過采用碳化硅作為形成半導(dǎo)體裝置的材料，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置的更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻等。另外，與采用硅作為材料的半導(dǎo)體裝置相比，采用碳化硅作為材料的半導(dǎo)體裝置還具有在其用于高溫環(huán)境中時，其特性的劣化更小的優(yōu)點。
[0003]例如通過如下制造包含碳化硅作為材料的半導(dǎo)體裝置:在碳化硅襯底上形成外延生長層；在其中制造已經(jīng)引入期望雜質(zhì)的區(qū)域；并形成電極。此處，為了形成高品質(zhì)外延生長層，應(yīng)使用在主表面處的面取向均勻的碳化硅襯底。為此，例如已經(jīng)提出了通過對晶體生長期間的溫度條件進行控制或?qū)w形狀進行控制而得到在主表面處的面取向均勻的碳化硅襯底(參見例如專利文獻I)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1:日本特開2001-294499號公報
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]技術(shù)問題
[0008]專利文獻I中提出的碳化硅襯底在主表面處的面取向均勻，而其襯底的翹曲和厚度的變化大。盡管通過表面研磨等能夠減輕襯底的翹曲，但通過研磨等使翹曲大的襯底的表面平坦化會造成研磨后的主表面處的面取向的變化。
[0009]鑒于上述問題而完成了本發(fā)明且其目的是提供一種制造能夠抑制在主表面處的面取向的變化和翹曲的碳化硅襯底的方法和使得可制造高品質(zhì)半導(dǎo)體裝置的碳化硅襯底。
[0010]解決問題的手段
[0011]根據(jù)本發(fā)明的制造碳化硅襯底的方法包括:準備由單晶碳化硅構(gòu)成并具有2英寸以上的直徑的錠的步驟；通過對所述錠進行切片而得到襯底的步驟；以及對所述襯底的表面進行研磨的步驟。在得到襯底的步驟中，以使得在其中在{0001}面上的正交投影中相對于〈11-20〉方向或〈1-100〉方向形成的角為15±5°的方向上進行切割的方式對錠進行切片。在對襯底的表面進行研磨的步驟中，在襯底的至少一個主表面的整個表面與研磨表面接觸的同時，對襯底的所述至少一個主表面進行研磨。
[0012]此處，襯底的主表面的整個表面與研磨表面接觸的狀態(tài)是指如下狀態(tài):襯底的主表面因襯底的翹曲或波動的校正而基本在整個區(qū)域上與研磨表面接觸，且其不僅包含襯底的主表面的整個表面與研磨表面在所有區(qū)域中都完全接觸的狀態(tài)，還包含襯底的主表面的一部分與研磨表面分離的狀態(tài)。另外，研磨表面是指在表面與襯底的主表面接觸的條件下進行研磨的表面，且例如是指磨石的表面、平板的表面等。
[0013]關(guān)于抑制在由碳化硅構(gòu)成的襯底的主表面處的面取向的變化和翹曲的途徑，本發(fā)明人進行了詳細的研究。因此，首先，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過在對由單晶碳化硅構(gòu)成的錠進行切割的階段中在相對于碳化硅晶體的解理方向成特定角度的方向上進行切割，可以抑制襯底的翹曲。然而，如果在不采取任何措施的條件下對仍殘留翹曲的襯底進行研磨，則在保持晶面彎曲的狀態(tài)的同時進行研磨并因此造成在研磨后的主表面處的面取向的變化。相反，通過本發(fā)明人進行的研究已經(jīng)揭示，通過在襯底的至少一個主表面的整個表面與研磨表面接觸的同時對襯底進行研磨，可以在所述至少一個主表面的面取向的變化受到抑制的條件下，進一步減輕襯底的翹曲。
[0014]在根據(jù)本發(fā)明的制造碳化硅襯底的方法中，通過以在{0001}面上的正交投影中相對于〈11-20〉方向或〈1-100〉方向形成的角為15±5°的方向上進行切割，能夠得到翹曲受到抑制的襯底，所述〈11-20〉方向或〈1-100〉方向為碳化硅晶體的解理方向。然后，在至少一個主表面的整個表面與研磨表面接觸的同時對得到的襯底進行研磨。因此，可以在襯底的至少一個主表面處的面取向的變化受到抑制的同時，進一步減輕襯底的翹曲。由此，根據(jù)本發(fā)明的制造碳化硅襯底的方法，能夠抑制在襯底主表面處的面取向的變化和翹曲。
[0015]在上述制造碳化硅襯底的方法中，在得到襯底的步驟中，可以以使得相對于所述至少一個主表面的{0001}面的偏離角為50°以上且80°以下的方式對錠進行切片。由此，能夠更有效地抑制得到的襯底的翹曲。
[0016]在上述制造碳化硅襯底的方法中，在對襯底的表面進行研磨的步驟中，可以在襯底的相反主表面的整個表面與研磨表面接觸的同時對襯底的相反主表面進行研磨。通過這樣做，能夠有效地對襯底的表面進行研磨。
[0017]在上述制造碳化硅襯底的方法中，對襯底的表面進行研磨的步驟可以包括:以使得襯底的相反主表面的整個表面與研磨表面接觸的方式對襯底進行校正；以及對經(jīng)校正的襯底的相反主表面進行研磨。另外，在對經(jīng)校正的襯底的相反主表面進行研磨的步驟中，可以在供給比對襯底進行校正的步驟中更大量的松散磨粒的同時對相反主表面進行研磨。
[0018]由此，因為在以使得襯底的相反主表面的整個表面與研磨表面接觸的方式對襯底進行校正之后在供給大量松散磨粒的條件下對襯底的相反主表面進行研磨，所以在校正完成之后研磨速率提高并因此能夠更可靠地抑制在襯底主表面處的面取向的變化。
[0019]在上述制造碳化硅襯底的方法中，在對襯底的表面進行研磨的步驟中，可以對與襯底的一個主表面不同的另一個主表面進行固定以與保持構(gòu)件的平坦表面接觸。于是，可以在襯底的所述一個主表面的整個表面與研磨表面接觸的同時對襯底的所述一個主表面進行研磨。
[0020]由此，能夠可靠地對襯底的所述一個主表面的整個表面進行研磨。結(jié)果，能夠抑制在襯底的所述一個主表面處的面取向的變化。
[0021]上述制造碳化硅襯底的方法可還包括在對襯底的表面進行研磨的步驟之前對襯底的固定狀態(tài)進行檢查的步驟。[0022]由此，能夠更可靠地對襯底的所述一個主表面的整個表面進行研磨。結(jié)果，能夠更可靠地抑制在襯底的所述一個主表面處的面取向的變化。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的碳化硅襯底具有2英寸以上的直徑。另外，在中央?yún)^(qū)域中SORI為30 μ m以下，所述中央?yún)^(qū)域為從至少一個主表面的中心延伸至多I英寸的區(qū)域。而且，在所述中央?yún)^(qū)域中X射線衍射的峰位置的變化為0.3°以下。
[0024]由于根據(jù)本發(fā)明的碳化硅襯底在主表面處的面取向的變化和翹曲受到抑制，所以能夠容易地在主表面上形成具有高結(jié)晶性的外延生長層。因此，利用根據(jù)本發(fā)明的碳化硅襯底，能夠制造高品質(zhì)的半導(dǎo)體裝置。
[0025]在上述碳化硅襯底中，在除了從外周延伸2mm的區(qū)域之外的區(qū)域(B)中X射線衍射的峰位置的變化為0.3°以下。
[0026]由此，能夠更容易地在上述碳化硅襯底的主表面上形成具有高結(jié)晶性的外延生長層。
[0027]發(fā)明的有利效果
[0028]根據(jù)上述說明可清楚，根據(jù)本發(fā)明的制造碳化硅襯底的方法和碳化硅襯底，能夠提供制造能夠抑制在主表面處的面取向的變化和翹曲的碳化硅襯底的方法和使得可制造高品質(zhì)半導(dǎo)體裝置的碳化硅襯底。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1是示意性顯示制造碳化硅襯底的方法的流程圖。
[0030]圖2是說明制造碳化硅襯底的方法的示意圖。
[0031]圖3是說明制造碳化硅襯底的方法的示意圖。
[0032]圖4是說明制造碳化硅襯底的方法的示意圖。
[0033]圖5是說明制造碳化硅襯底的方法的示意圖。
[0034]圖6是說明制造碳化硅襯底的方法的示意圖。
[0035]圖7是顯示碳化硅襯底的方法的示意圖。
[0036]圖8是示意性顯示實施方式2的制造碳化硅襯底的方法的流程圖。
[0037]圖9是說明實施方式2的制造碳化硅襯底的方法的示意圖。
[0038]圖10是說明實施方式2的制造碳化硅襯底的方法的示意圖。
【具體實施方式】
[0039]下文中參考附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。應(yīng)注意，在下述附圖中，對相同或相應(yīng)的部分具有分配相同的參考符號且不再重復(fù)其說明。另外，單獨取向、集合取向、單獨面和集合面在本文中分別以[]、〈>、()和H顯示。而且，在結(jié)晶學(xué)方面，負指數(shù)應(yīng)由在其上具有橫杠的數(shù)字來表示，然而，在本文中負號在數(shù)字之前。
[0040](實施方式I)
[0041]首先，對實施方式I的制造碳化硅襯底的方法和碳化硅襯底進行說明，所述實施方式I是本發(fā)明的一個實施方式。首先，參考圖1?6對本實施方式的制造碳化娃襯底的方法進行說明。參考圖1，在本實施方式的制造碳化硅襯底的方法中，首先，作為步驟(S10)，實施錠準備步驟。在該步驟(SlO)中，例如利用下述升華法，制造由單晶碳化硅構(gòu)成并具有2英寸以上的直徑的錠。
[0042]首先，將由單晶碳化硅構(gòu)成的籽晶和由碳化硅構(gòu)成的原料粉末放入由石墨構(gòu)成的容器中。然后，對作為原料粉末的碳化硅升華物進行加熱并將碳化硅重結(jié)晶在籽晶上。此處，在引入諸如氮的期望雜質(zhì)的同時進行重結(jié)晶。由此，如圖2中所示，得到由單晶碳化硅構(gòu)成的錠I。應(yīng)注意，通過將錠I的生長方向設(shè)定為如圖2中所示的〈0001〉方向，能夠有效地制造錠I。
[0043]然后，作為步驟(S20)，實施切割步驟。在該步驟(S20)中，參考圖3和4，通過對制造的錠I進行切片而得到碳化硅襯底10。具體地，首先，以使得其側(cè)面的一部分被支持臺2支持的方式設(shè)置錠I。然后，在線9在沿錠I的直徑方向的方向行進的同時，線9沿作為垂直于行進方向的方向的切割方向α接近錠I，從而使得線9與錠I相互接觸。然后，隨著線9繼續(xù)沿切割方向α移動，對錠I進行切割。
[0044]將對該步驟(S20)進行更具體的說明。例如，將諸如漿料的切割液體供給至由例如含鐵和鎳的合金構(gòu)成的線9以與錠I接觸的方式行進并且線9與錠I相互接觸的區(qū)域中，由此對錠I進行切割，其中在所述漿料中已經(jīng)對充當(dāng)松散磨粒的單晶金剛石和切割油進行了混合。由此，對錠I進行切片并得到如圖4中所示的碳化硅襯底10。
[0045]另外，在該步驟(S20)中，如圖3中所示，以使得在其中在{0001}面上的正交投影中相對于〈11-20〉方向或〈1-100〉方向形成的角為15±5°的方向上進行切割的方式，對錠I進行切片。具體地，例如如圖3中所示，將在錠I的〈11-20〉方向與切割方向α之間形成的角β設(shè)置為15±5°。由此,減輕由解理方向?qū)€9造成的影響且碳化娃襯底10的翹曲受到抑制。而且，碳化硅襯底10的厚度變化減輕到例如IOym以下。
[0046]此外，在該步驟(S20)中，可以以使得相對于碳化硅襯底10的主表面IOA的{0001}面的偏離角為50°以上且80°以下的方式對錠I進行切片。由此，能夠更有效地抑制得到的碳化硅襯底10的翹曲。
[0047]然后，作為步驟(S30)，實施研磨步驟。在該步驟(S30)中，在實施下述步驟(S31)?(S33)時，對碳化硅襯底10的相反主表面進行研磨。應(yīng)注意，如上所述，盡管通過在步驟(S20)中對錠I進行切片而得到的碳化硅襯底10的翹曲受到抑制，但尚未完全消除。因此，通過在該步驟(S30)中對碳化硅襯底10的相反主表面進行研磨，可進一步減輕碳化硅襯底10的翹曲。
[0048]首先，作為步驟(S31)，實施襯底設(shè)置步驟。在該步驟(S31)中，參考圖5，首先，將碳化硅襯底10設(shè)置在具有由例如銅構(gòu)成的研磨表面30Α的下平板30上，使得主表面IOA的一部分與研磨表面30Α接觸。然后，將具有由例如銅構(gòu)成的研磨表面40Α的上平板40設(shè)置在碳化硅襯底10上，使得研磨表面40Α與主表面IOB的一部分接觸。由此，以位于下平板30和上平板40之間的方式布置碳化硅襯底10。應(yīng)注意，下平板30和上平板40不僅可以為如上所述具有由銅構(gòu)成的研磨表面30Α、40Α的平板，還可以為在其表面上布置固定有磨粒的磨石的平板，所述磨粒由硬度比碳化硅更高的材料如金剛石構(gòu)成。
[0049]然后，作為步驟(S32)，實施襯底校正步驟。在該步驟(S32)中，參考圖6，在下平板30和上平板40相互相對旋轉(zhuǎn)的同時，上平板40在相對于下平板30接近的方向上運行。由此，如圖6中所示，碳化硅襯底10的主表面10Α、IOB的整個表面與各研磨表面30Α、40Α接觸。另外，在該步驟(S32)中，開始在研磨表面30Α與研磨表面40Α之間通過供給管50供給加工液體60。加工液體60可以為易于進行主表面10AU0B的研磨的切割油等，并且其可以包含由例如金剛石等構(gòu)成的松散磨粒。
[0050]然后，作為步驟(S33)，實施相反表面的研磨步驟。在該步驟(S33)中，在主表面10A、IOB的整個表面與各研磨表面30A、40A接觸且通過供給管50供給包含比步驟(S32)中更大量的松散磨粒的加工液體60的同時，對碳化硅襯底10的主表面10AU0B的整個表面進行研磨。
[0051]盡管在根據(jù)本發(fā)明的制造碳化硅襯底的方法中在步驟(S32)與步驟(S33)之間松散磨粒的供給量的變化不是必須的，但是通過這樣做，在碳化硅襯底10的校正完成之后研磨速率提高，因此能夠更可靠地抑制在碳化硅襯底10的主表面10AU0B處的面取向的變化。
[0052]由此，在上述步驟(S30)中，在已經(jīng)以使得碳化硅襯底10的主表面10AU0B的整個表面與各研磨表面30A、40A接觸的方式校正碳化硅襯底10的狀態(tài)下對主表面10AU0B進行研磨并由此可以更可靠地抑制在碳化硅襯底10的主表面10AU0B處的面取向的變化。由于實施上述步驟(SlO)?(S30)，所以制造了碳化硅襯底10并完成了根據(jù)本實施方式的制造碳化娃襯底的方法。
[0053]然后，將對根據(jù)本實施方式的碳化硅襯底進行說明。例如利用上述本實施方式的制造碳化娃襯底的方法制造根據(jù)本實施方式的碳化娃襯底10。
[0054]碳化硅襯底10具有2英寸以上的直徑。另外，參考圖7，在中央?yún)^(qū)域A中SORI為30 μ m以下，所述中央?yún)^(qū)域為碳化硅襯底10中的從主表面10AU0B的中心延伸I英寸以下的區(qū)域。而且，在中央?yún)^(qū)域A中X射線衍射的峰位置的變化為0.3°以下。
[0055]由此，由于在根據(jù)本實施方式的碳化硅襯底10的主表面10AU0B處的面取向的變化和翹曲受到抑制，所以能夠容易地在主表面10AU0B上形成結(jié)晶性高的外延生長層。因此，利用根據(jù)本實施方式的碳化硅襯底10，能夠制造高品質(zhì)半導(dǎo)體裝置。
[0056]另外，在根據(jù)上述本實施方式的碳化硅襯底10中，更優(yōu)選地，在除了從外周延伸2mm的區(qū)域之外的區(qū)域B中X射線衍射的峰位置的變化為0.3°以下。由此，能夠更容易地在碳化硅襯底10的主表面10AU0B上形成結(jié)晶性高的外延生長層。
[0057](實施方式2)
[0058]現(xiàn)在將對實施方式2的制造碳化硅襯底的方法和碳化硅襯底進行說明，所述實施方式2是本發(fā)明的另一個實施方式?；旧吓c上述實施方式I的制造碳化硅襯底的方法類似地實施本實施方式的制造碳化硅襯底的方法并實現(xiàn)了類似的效果。另外，本實施方式的碳化硅襯底基本上與上述實施方式I中類似并實現(xiàn)了類似的效果。然而，本實施方式的制造碳化娃襯底的方法與上述實施方式I的制造碳化娃襯底的方法的不同之處在于，對碳化娃襯底的一個主表面而不是相反主表面進行研磨。
[0059]下文中參考圖8?10對本實施方式的制造碳化硅襯底的方法進行說明。參考圖8，首先，作為步驟(SlO)，實施錠準備步驟。在該步驟(SlO)中，與實施方式I中一樣，制造由單晶碳化硅構(gòu)成并具有2英寸以上的直徑的錠I。
[0060]然后，作為步驟(S20)，實施切割步驟。在該步驟(S20)中，與實施方式I中一樣，通過對錠I進行切片而得到碳化硅襯底10。
[0061]然后，作為步驟(S30)，實施研磨步驟。該步驟(S30)包括下述步驟(S31)?(S35)并對碳化硅襯底10的一個主表面的整個表面進行研磨。
[0062]首先，作為步驟(S31)，實施襯底形狀檢查步驟。在該步驟(S31)中，例如，在碳化硅襯底10的主表面內(nèi)的任意5個點處對碳化硅襯底10的厚度進行測定。
[0063]然后，作為步驟(S32)，實施襯底固定步驟。在該步驟(S32)中，參考圖9，將在步驟(S31)中已經(jīng)對其厚度進行檢查的碳化硅襯底10固定到保持構(gòu)件20。具體地，使用膠粘劑如蠟，將碳化硅襯底10固定到保持構(gòu)件20，使得與待研磨的主表面IOA不同的主表面IOB與保持構(gòu)件20的平坦表面20A接觸。
[0064]然后，作為步驟(S33)，實施襯底形狀檢查步驟。在該步驟(S33)中，在按上述將碳化硅襯底10固定到保持構(gòu)件20之后，在與在步驟(S31)中測定厚度的任意5個點相同的位置處測定碳化硅襯底10的厚度。由此，檢查碳化硅襯底10到保持構(gòu)件20的固定精確度。在本實施方式中，以5μπι以下的固定精確度將碳化硅襯底10固定到保持構(gòu)件20。
[0065]然后，作為步驟(S34)，實施襯底設(shè)置步驟。在該步驟(S34)中，參考圖10，將固定到保持構(gòu)件20的碳化硅襯底10設(shè)置在下平板30上，使得待研磨的主表面IOA的整個表面與研磨表面30Α接觸。
[0066]然后，作為步驟(S35)，實施一個表面研磨步驟。在該步驟(S35)中，在碳化硅襯底10的主表面IOA的整個表面與研磨表面30Α接觸的同時，通過相互相對旋轉(zhuǎn)保持構(gòu)件20和下平板30對主表面IOA的整個表面進行研磨。
[0067]由此，在該步驟(S30)中，因為在對碳化硅襯底10的主表面IOA進行研磨之前對碳化硅襯底10的厚度進行檢查，所以能夠更可靠地對主表面IOA的整個表面進行研磨。因此，能夠更可靠地抑制在碳化硅襯底10的主表面IOA處的面取向的變化。因為實施上述步驟(SlO)?(S30),所以制造了碳化娃襯底10并完成了根據(jù)本實施方式的制造碳化娃襯底的方法。應(yīng)注意，可以根據(jù)需要，與主表面IOA類似地對主表面IOB進行研磨。
[0068]如上所述，在根據(jù)本發(fā)明實施方式的制造碳化硅襯底的方法中，通過在使得在{0001}面上的正交投影中相對于〈11-20〉方向或〈1-100〉方向形成的角為15±5°的方向上進行切片，能夠得到翹曲受到抑制的碳化硅襯底10，所述〈I 1-20〉方向或〈1-100〉方向為碳化硅晶體的解理方向。然后，在主表面10Α、10Β中的至少一個主表面的整個表面與研磨表面30Α、40Α接觸的同時，對得到的碳化硅襯底10進行研磨。因此，能夠在抑制碳化硅襯底10的主表面10AU0B中的至少一個主表面處的面取向的變化的同時，進一步減輕碳化硅襯底10的翹曲。由此，根據(jù)本發(fā)明的制造碳化硅襯底的方法，能夠抑制在碳化硅襯底10的主表面處的面取向的變化和翹曲。
[0069]另外，在根據(jù)本發(fā)明的制造碳化硅襯底的方法中，可以按實施方式I中所示對碳化硅襯底10的相反主表面10Α、10Β的整個表面進行研磨。通過這樣做,能夠有效地對碳化娃襯底10的表面進行研磨。
[0070]而且，在根據(jù)本發(fā)明的制造碳化硅襯底的方法中，可以按實施方式2中所示對作為碳化硅襯底10的一個主表面的主表面IOA的整個表面進行研磨。由此，能夠可靠地對碳化硅襯底10的主表面IOA的整個表面進行研磨。結(jié)果，能夠抑制在碳化硅襯底10的主表面IOA處的面取向的變化。
[0071]應(yīng)理解，本文中公開的實施方式在各個方面都是示例性的且不是限制性的。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書的范圍限定，而不是由上述說明限定，且旨在包括在與權(quán)利要求書的范圍等價的范圍和含義內(nèi)的所有變更。
[0072]產(chǎn)業(yè)實用性
[0073]根據(jù)本發(fā)明的制造碳化硅襯底的方法和碳化硅襯底特別有利地適用于制造要求在碳化硅襯底的主表面上形成高品質(zhì)外延生長層的碳化硅襯底的方法和碳化硅襯底。
[0074]附圖標記
[0075]1:錠；2:支持臺；9:線；10:碳化硅襯底；10AU0B:主表面；20:保持構(gòu)件；20A:平坦表面；30:下平板；40:上平板；30A、40A:研磨表面；50:供給管；以及60:加工液體。
【權(quán)利要求】
1.一種制造碳化娃襯底的方法，包括: 準備由單晶碳化硅構(gòu)成并具有2英寸以上的直徑的錠(I)的步驟； 通過對所述錠(I)進行切片而得到襯底(10)的步驟；以及 對所述襯底(10)的表面進行研磨的步驟， 在所述得到襯底(10)的步驟中，以使得在其中在{0001}面上的正交投影中相對于〈11-20〉方向或〈1-100〉方向形成的角為15±5°的方向上進行切割的方式對所述錠⑴進行切片，且在所述對所述襯底(10)的表面進行研磨的步驟中，在所述襯底(10)的至少一個主表面(10A、10B)的整個表面與研磨表面(30A、40A)接觸的同時，對所述襯底(10)的所述至少一個主表面(10AU0B)進行研磨。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造碳化硅襯底的方法，其中 在所述得到襯底(10)的步驟中，以使得相對于所述至少一個主表面(10AU0B)的{0001}面的偏離角為50°以上且80°以下的方式對所述錠(I)進行切片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造碳化硅襯底的方法，其中 在所述對所述襯底(10)的表面進行研磨的步驟中，在所述襯底(10)的相反主表面(10AU0B)的整個表面與所述研磨表面(30A、40A)接觸的同時對所述襯底(10)的相反主表面(10AU0B)進行研磨。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造碳化硅襯底的方法，其中 所述對所述襯底(10)的表面進行研磨的步驟包括: 以使得所述襯底(10)的所述相反主表面(10AU0B)的整個表面與所述研磨表面(30A、40A)接觸的方式對所述襯底(10)進行校正的步驟；以及 對經(jīng)校正的所述襯底(10)的所述相反主表面(10AU0B)進行研磨的步驟，且在所述對經(jīng)校正的所述襯底(10)的所述相反主表面(10AU0B)進行研磨的步驟中，在供給比所述對所述襯底(10)進行校正的步驟中更大量的松散磨粒的同時對所述相反主表面(10AU0B)進行研磨。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造碳化硅襯底的方法，其中 在所述對所述襯底(10)的表面進行研磨的步驟中，對與所述襯底(10)的一個主表面(IOA)不同的另一個主表面(IOB)進行固定以與保持構(gòu)件(20)的平坦表面(20A)接觸，并在所述襯底(10)的所述一個主表面(IOA)的整個表面與所述研磨表面(30A)接觸的同時對所述襯底(10)的所述一個主表面(IOA)進行研磨。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造碳化硅襯底的方法，還包括在對所述襯底(10)的表面進行研磨的步驟之前對所述襯底(10)的固定狀態(tài)進行檢查的步驟。
7.—種碳化娃襯底(10),具有 2英寸以上的直徑， 在中央?yún)^(qū)域(A)中SORI為30μπι以下，所述中央?yún)^(qū)域為從至少一個主表面(10Α、10Β)的中心延伸至多I英寸的區(qū)域，且 在所述中央?yún)^(qū)域(A)中X射線衍射的峰位置的變化為0.3°以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳化硅襯底(10)，其中 在除了從外周延伸2_的區(qū)域之外的區(qū)域(B)中X射線衍射的峰位置的所述變化為0.3°以下。
【文檔編號】C30B33/00GK103828027SQ201280046517
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2012年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月24日
【發(fā)明者】佐佐木信 申請人:住友電氣工業(yè)株式會社