布線板及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供布線板及其制造方法，該布線板具有高可靠性。布線板（100）具有：層間樹(shù)脂絕緣層（26a）；導(dǎo)體層（31a），其形成在層間樹(shù)脂絕緣層（26a）上；布線構(gòu)造體（10），其配置在層間樹(shù)脂絕緣層（26a）上，具有絕緣層（110）和該絕緣層（110）上的導(dǎo)體圖案（111）；以及阻焊層（40a），其設(shè)置在層間樹(shù)脂絕緣層（26a）上、導(dǎo)體層（31a）上以及布線構(gòu)造體（10）上，具有開(kāi)口部（44），該開(kāi)口部（44）使得導(dǎo)體層（31a）的至少一部分、以及與導(dǎo)體圖案（111）連接的導(dǎo)體層（36a）的至少一部分開(kāi)放。
【專(zhuān)利說(shuō)明】布線板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及布線板及其制造方法，詳細(xì)地說(shuō)，涉及局部地具有高密度布線的布線板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為用于安裝IC芯片(半導(dǎo)體元件)的多層印刷布線板，公知有如下這樣的布線板:該布線板在具有通孔導(dǎo)體的樹(shù)脂性核心基板上交替地層疊了層間樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層，利用過(guò)孔導(dǎo)體將導(dǎo)體層之間連接。
[0003]隨著近年來(lái)IC芯片的細(xì)微化、高集成化，形成于封裝基板的最上層的焊盤(pán)數(shù)量增多，由于焊盤(pán)數(shù)量的增多，正在推進(jìn)焊盤(pán)的細(xì)間距化。隨著這樣的焊盤(pán)的細(xì)間距化，封裝基板的布線間距也在快速地細(xì)線化(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。
[0004]在該布線板中，在其內(nèi)部局部地形成有高密度的布線。具體地講，在布線板的層間樹(shù)脂絕緣層的內(nèi)部配設(shè)有電子部件，該電子部件在由硅、玻璃等耐熱性基材構(gòu)成的熱膨脹系數(shù)低的基板上，形成有這種高密度的布線層。并且，通過(guò)這種構(gòu)造來(lái)應(yīng)對(duì)上述的焊盤(pán)細(xì)間距化的趨勢(shì)。
[0005]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:國(guó)際公開(kāi)第2007/129545號(hào)
[0006]但是，在該布線板中，與IC芯片連接的精細(xì)布線全都形成在耐熱性基材上。因此，可能由于布線的形狀(體積)等原因而無(wú)法得到期望的電氣特性。
[0007]而且，由于在耐熱性基材的側(cè)方?jīng)]有設(shè)置布線，因此與熱履歷相應(yīng)的樹(shù)脂的收縮和膨脹等變形增大。因此，容易在耐熱性基板上產(chǎn)生應(yīng)力，伴隨于此，可能導(dǎo)致布線的可靠性降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于，提供具有高可靠性的布線板。
[0009]本發(fā)明的布線板的特征在于，該布線板具有:
[0010]第I 絕緣層(26a);
[0011]第I導(dǎo)體圖案(31a)，其形成在所述第I絕緣層(26a)上；以及
[0012]布線構(gòu)造體(10)，其配置在所述第I絕緣層(26a)上，具有第2絕緣層(110)和所述第2絕緣層(110)上的第2導(dǎo)體圖案(111)，
[0013]設(shè)置在所述第I導(dǎo)體圖案(31a)上的電極(36c)的上表面和與所述第2導(dǎo)體圖案
(111)連接的導(dǎo)體層(36a)的上表面位于同一平面上。
[0014]優(yōu)選的是，所述第2導(dǎo)體圖案(111)的圖案寬度比所述第I導(dǎo)體圖案(31a)的圖案
寬度小。
[0015]優(yōu)選的是，相鄰的所述第2導(dǎo)體圖案(111)彼此之間的間隔比相鄰的第I導(dǎo)體圖案(31a)彼此之間的間隔小。
[0016]優(yōu)選的是，所述布線板還具有阻焊層(40a)，該阻焊層(40a)設(shè)置在所述第I絕緣層(26a)上、所述第I導(dǎo)體圖案(31a)上以及所述布線構(gòu)造體(10)上，具有開(kāi)口部(44)，該開(kāi)口部(44)使得所述第I導(dǎo)體圖案(31a)的至少一部分、以及與所述第2導(dǎo)體圖案(111)連接的導(dǎo)體層(36a)的至少一部分開(kāi)放。
[0017]優(yōu)選的是，所述布線構(gòu)造體(10)還具有--第3絕緣層(120)，其形成在所述第2絕緣層(110)上，覆蓋所述第2導(dǎo)體圖案(111);以及過(guò)孔(120a)，其與所述第2導(dǎo)體圖案
(110)連接。
[0018]優(yōu)選的是，在所述第I絕緣層(26a)與所述布線構(gòu)造體(10)之間夾有粘結(jié)層(120c)。
[0019]優(yōu)選的是，設(shè)置在所述第I導(dǎo)體圖案(31a)上的電極(36c)、以及與所述第2導(dǎo)體圖案(111)連接的所述導(dǎo)體層(36a)作為安裝第I半導(dǎo)體元件(50)和第2半導(dǎo)體元件(51)的安裝焊盤(pán)發(fā)揮功能。
[0020]優(yōu)選的是，所述安裝焊盤(pán)具有:第I焊盤(pán)(36e)，其與所述第I半導(dǎo)體元件(50)連接；以及第2焊盤(pán)(36f)，其與所述第2半導(dǎo)體元件(51)連接，
[0021]所述第I焊盤(pán)(36e)彼此之間的間隔比所述第2焊盤(pán)(36f)彼此之間的間隔小。
[0022]優(yōu)選的是，所述第2導(dǎo)體圖案(111)是連接所述第I半導(dǎo)體元件(50)與所述第2半導(dǎo)體元件(51)的信號(hào)線。
[0023]優(yōu)選的是，所述第2導(dǎo)體圖案(111)的L/S(線寬間距)為I μ m/? μ m?5 μ m/5 μ m。
[0024]優(yōu)選的是，在所述第I絕緣層(26a)上形成有開(kāi)口部(45)，所述布線構(gòu)造體(10)收納在所述開(kāi)口部(45)中。
[0025]優(yōu)選的是，在除了收納所述布線構(gòu)造體(10)的所述開(kāi)口部(45)以外的所述第I絕緣層(26a)上形成有阻焊層。
[0026]本發(fā)明的第2觀點(diǎn)的布線板的制造方法的特征在于，具有如下步驟:
[0027]在第I絕緣層(26a)上形成第I導(dǎo)體圖案(31a)；
[0028]在所述第I絕緣層(26a)上配置具有第2絕緣層(110)和所述第2絕緣層(110)上的第2導(dǎo)體圖案(111)的布線構(gòu)造體(10)；
[0029]在所述第I絕緣層(26a)上、所述第I導(dǎo)體圖案(31a)上以及所述布線構(gòu)造體(10)上形成阻焊層(40a)，該阻焊層(40a)具有開(kāi)口部(44)，該開(kāi)口部(44)使得所述第I導(dǎo)體圖案(31a)的至少一部分、以及與所述第2導(dǎo)體圖案(110)連接的導(dǎo)體層(36a)的至少一部分開(kāi)放。
[0030]優(yōu)選的是，還具有在所述第I絕緣層(26a)上形成開(kāi)口部(45)的步驟，
[0031]當(dāng)配置所述布線構(gòu)造體(10)時(shí)，將所述布線構(gòu)造體(10)配置到所述第I絕緣層(26a)上的所述開(kāi)口部(45)內(nèi)。
[0032]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供具有高可靠性的布線板。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0033]圖1A是示出使用了本發(fā)明的第I實(shí)施方式的布線板的封裝基板的剖視圖(下側(cè)的圖示出了作為上側(cè)的圖的要部的區(qū)域A的放大剖視圖)。
[0034]圖1B是詳細(xì)地示出使用了第I實(shí)施方式的布線板的封裝基板的剖視圖。
[0035]圖2是從Z2方向觀察圖1A時(shí)的俯視圖。[0036]圖3是示出第I實(shí)施方式的布線板的要部的圖，是放大地示出圖1A和圖1B的一部分的剖視圖(下側(cè)的圖示出了作為上側(cè)的圖的要部的區(qū)域B的放大剖視圖)。
[0037]圖4是示出第I實(shí)施方式的布線構(gòu)造體的制造方法的流程圖。
[0038]圖5A是說(shuō)明圖4所示的布線構(gòu)造體的制造方法的工序圖。
[0039]圖5B是說(shuō)明圖4所示的布線構(gòu)造體的制造方法的工序圖。
[0040]圖5C是說(shuō)明圖4所示的布線構(gòu)造體的制造方法的工序圖。
[0041]圖是說(shuō)明圖4所示的布線構(gòu)造體的制造方法的工序圖。
[0042]圖5E是說(shuō)明圖4所示的布線構(gòu)造體的制造方法的工序圖。
[0043]圖5F是說(shuō)明圖4所示的布線構(gòu)造體的制造方法的工序圖。
[0044]圖5G是說(shuō)明圖4所示的布線構(gòu)造體的制造方法的工序圖。
[0045]圖5H是說(shuō)明圖4所示的布線構(gòu)造體的制造方法的工序圖。
[0046]圖51是說(shuō)明圖4所示的布線構(gòu)造體的制造方法的工序圖。
[0047]圖6是示出第I實(shí)施方式的布線板的制造過(guò)程的流程圖。
[0048]圖7A是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0049]圖7B是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0050]圖7C是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0051]圖7D是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0052]圖7E是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0053]圖7F是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0054]圖7G是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0055]圖7H是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0056]圖71是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖(下側(cè)的圖示出了作為上側(cè)的圖的要部的區(qū)域C的放大剖視圖)。
[0057]圖7J是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0058]圖7K是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0059]圖7L是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0060]圖7M是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0061]圖7N是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0062]圖70是說(shuō)明圖6所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0063]圖8是示出第I實(shí)施方式的變形例I的布線板的要部的剖視圖。
[0064]圖9是示出第I實(shí)施方式的變形例2的布線板的要部的剖視圖。
[0065]圖10是示出第I實(shí)施方式的變形例3的布線板的要部的剖視圖。
[0066]圖11是示出第I實(shí)施方式的變形例4的布線板的要部的俯視圖。
[0067]圖12是示出第I實(shí)施方式的變形例5的布線板的要部的剖視圖。
[0068]圖13A是示出使用了本發(fā)明的第2實(shí)施方式的布線板的封裝基板的剖視圖(下側(cè)的圖示出了作為上側(cè)的圖的要部的區(qū)域A的放大剖視圖)。
[0069]圖13B是詳細(xì)地示出使用了第2實(shí)施方式的布線板的封裝基板的剖視圖。
[0070]圖14是從Z2方向觀察圖13A時(shí)的俯視圖。
[0071]圖15是示出第2實(shí)施方式的布線板的要部的圖，是放大地示出圖13A和圖13B的一部分的剖視圖(下側(cè)的圖示出了作為上側(cè)的圖的要部的區(qū)域D的放大剖視圖)。
[0072]圖16是示出第2實(shí)施方式的布線板的制造過(guò)程的流程圖。
[0073]圖17A是說(shuō)明圖16所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0074]圖17B是說(shuō)明圖16所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0075]圖17C是說(shuō)明圖16所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0076]圖17D是說(shuō)明圖16所示的布線板的制造方法的工序圖。
[0077]圖18A是示出第3實(shí)施方式的布線板的要部的剖視圖。
[0078]圖18B是示出第3實(shí)施方式的變形例的布線板的要部的俯視圖。
[0079]圖19A是示出第I實(shí)施方式的變形例6的布線板的要部的剖視圖。
[0080]圖19B是從Z2方向觀察圖19A時(shí)的俯視圖。
[0081]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0082]10布線構(gòu)造體(副布線板)
[0083]20核心基板
[0084]20a 銅箔
[0085]21貫通孔
[0086]23、30a、30b、32a、38b 過(guò)孔導(dǎo)體
[0087]24a,24b,29a,29b,31a,36a,37b 導(dǎo)體層
[0088]25a、25b、26a、26b層間樹(shù)脂絕緣層
[0089]26c、26d過(guò)孔用開(kāi)口部
[0090]34導(dǎo)體平面
[0091]36c 電極
[0092]44、45 開(kāi)口部
[0093]40a、40b 阻焊層
[0094]43a、43b 焊料凸點(diǎn)
[0095]50a、51a 焊盤(pán)
[0096]60母板基板
[0097]80堆疊過(guò)孔
[0098]100布線板
[0099]101層疊部
[0100]110、120 絕緣層
[0101]111導(dǎo)體圖案
[0102]IllaUllb 導(dǎo)體膜
[0103]120絕緣層
[0104]120a過(guò)孔導(dǎo)體
[0105]120b、120c 粘結(jié)層
[0106]200主布線板
[0107]305a 金屬層
[0108]B1、B2 積層(build up)部
[0109]Dl、D2、D3、Da、Db、Dc、Dd 直徑[0110]Fl 第 I 面
[0111]F2 第 2 面
[0112]DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
[0113]Gnd接地端子
[0114]MPU微處理器
[0115]Vdd電源端子
【具體實(shí)施方式】
[0116]以下，參照附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，在圖中，箭頭Z1、Z2分別表示相當(dāng)于布線板的主面(正面和背面)的法線方向的布線板的層疊方向(或布線板的厚度方向)。另一方面，箭頭X1、X2和Y1、Y2分別表不與層疊方向正交的方向(或各層的側(cè)方)。布線板的主面為X-Y平面。另外，布線板的側(cè)面為X-Z平面或Y-Z平面。在層疊方向上，將離布線板的核心近的一側(cè)稱(chēng)為下層，將離核心遠(yuǎn)的一側(cè)稱(chēng)為上層。
[0117]在以下實(shí)施方式中，導(dǎo)體層是由一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體圖案構(gòu)成的層。有時(shí)導(dǎo)體層包含構(gòu)成電路的導(dǎo)體圖案、例如布線(也包含地線)、焊盤(pán)或連接盤(pán)(land)等，還有時(shí)，導(dǎo)體層包含不構(gòu)成電路的面狀的導(dǎo)體圖案等。
[0118]關(guān)于開(kāi)口部，除了孔和槽以外，還包含切口和縫隙等。
[0119]在形成于開(kāi)口部?jī)?nèi)的導(dǎo)體中，將形成于過(guò)孔(via hole)內(nèi)的導(dǎo)體稱(chēng)為過(guò)孔導(dǎo)體，將形成于通孔(throug h hole)內(nèi)的導(dǎo)體稱(chēng)為通孔導(dǎo)體，將開(kāi)口部中填充的導(dǎo)體稱(chēng)為填充導(dǎo)體。
[0120]連接盤(pán)(land)是形成在孔(過(guò)孔或通孔等)的上方或緣部處的導(dǎo)體，連接盤(pán)的至少一部分與孔內(nèi)的導(dǎo)體(過(guò)孔導(dǎo)體或通孔導(dǎo)體等)形成為一體。
[0121]堆疊(stack)是指過(guò)孔導(dǎo)體形成于在其下層形成的過(guò)孔導(dǎo)體的連接盤(pán)上的方式。即，如果過(guò)孔導(dǎo)體的底面不從其下層的過(guò)孔導(dǎo)體的連接盤(pán)露出，就是進(jìn)行了堆疊。
[0122]在鍍覆中，除了電鍍或化學(xué)鍍等濕法鍍覆以外，還包含PVD (Physical VaporDeposition:物理氣相沉積)或CVD (Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)等干法鍍覆。
[0123]對(duì)于層間材料(層間樹(shù)脂絕緣層)，使用層間絕緣膜(味之素(株式會(huì)社)制:商品名為 ABF-GX13)。
[0124]孔或柱體(突起)的“寬度(或粗細(xì))”沒(méi)有特別指定，在圓形的情況下表示直徑，在圓形以外的情況下表示2 7(截面積/^)。不過(guò)，在寫(xiě)明是指其他尺寸的情況下，不受此限制。另外，在尺寸不均勻的情況下(存在凹凸的情況或?yàn)殄F形的情況等)，作為原則，使用其尺寸的平均值(將異常值排除在外的僅有效值的平均)。但是，在寫(xiě)明使用最大值等、平均值以外的值的情況下，不受此限制。
[0125]〈第I實(shí)施方式〉
[0126]本實(shí)施方式的布線板100例如是圖1A、圖1B所示的多層印刷布線板。本實(shí)施方式的布線板100是具有核心基板的積層的多層層疊布線板。但是，本發(fā)明的布線板不限于具有核心基板的積層的多層層疊布線板，例如也可以是不具有核心基板的無(wú)芯布線板。另外，在布線板100中，可以在本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)，任意地變更導(dǎo)體層和絕緣層的尺寸、層數(shù)等。
[0127]如圖1A、圖1B、圖2所示，在布線板100上安裝配置有作為第I半導(dǎo)體元件的微處理器MPU(Micro-Processing Unit)50和作為第2半導(dǎo)體元件的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)51,構(gòu)成了封裝基板2000。如圖1B所不,布線板100安裝配置在母板基板60上。用底部填充樹(shù)脂70將布線板100與MPU50、DRAM51之間密封。
[0128]布線板100具有:核心基板20 ;層間樹(shù)脂絕緣層25a、26a、25b、26b ;導(dǎo)體層24a、29a、31a、24b、29b、37d ;過(guò)孔導(dǎo)體23、30a、32a、30b、38d ；以及形成于最表層的阻焊層40a、40b。
[0129]核心基板20具有第I面Fl (Zl側(cè))及其相反側(cè)的第2面F2 (Z2側(cè))，過(guò)孔導(dǎo)體23貫通核心基板20。核心基板20、過(guò)孔導(dǎo)體23以及導(dǎo)體層24a、24b相當(dāng)于核心部。另外，在核心基板20的第I面Fl上形成有積層部BI (第I層疊部)，在核心基板20的第2面F2上形成有積層部B2 (第2層疊部)。積層部BI包含兩組層間樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層(層間樹(shù)脂絕緣層25a、26a和導(dǎo)體層24a、29a、31a)，積層部B2包含兩組層間樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層(層間樹(shù)脂絕緣層25b、26b和導(dǎo)體層24b、29b、37d)。
[0130]在核心基板20的第I面Fl側(cè)，從下方(Z2側(cè))起，交替地層疊有3層的導(dǎo)體層24a、29a、31a和2層的層間樹(shù)脂絕緣層25a、26a。層間樹(shù)脂絕緣層25a、26a分別形成在導(dǎo)體層24a.29a.31a的各層之間。另外，在核心基板20的第I面Fl側(cè)的最上層的表面上配置有阻焊層40a。
[0131]在核心基板20的第2面F2側(cè)，交替地層疊有三層的導(dǎo)體層24b、29b、37d和兩層的層間樹(shù)脂絕緣層25b、26b。層間樹(shù)脂絕緣層25b、26b分別形成在導(dǎo)體層24b、29b、37d的各層之間。另外，在核心基板20的第2面F2側(cè)的最上層的表面上配置有阻焊層40b。
[0132]在核心基板20上形成有貫通核心基板20的貫通孔21 (參照?qǐng)D7B)。過(guò)孔導(dǎo)體23是填充導(dǎo)體，是在貫通孔21中填充金屬等導(dǎo)體而構(gòu)成的。核心基板20的第I面Fl上形成的導(dǎo)體層24a與核心基板20的第2面F2上形成的導(dǎo)體層24b經(jīng)由過(guò)孔導(dǎo)體23而彼此電連接。
[0133]核心基板20例如是對(duì)芯材進(jìn)行了樹(shù)脂浸潰而成的。核心基板20例如是通過(guò)使環(huán)氧樹(shù)脂浸潰到玻璃纖維布中并進(jìn)行熱硬化處理，進(jìn)而成型為板狀而得到的。但是不限于此，核心基板20的材料是任意的。
[0134]過(guò)孔導(dǎo)體23的形狀例如是從核心基板20的第I面Fl和第2面F2朝向中央部縮徑的鼓形圓柱。另外，過(guò)孔導(dǎo)體23的平面形狀(X-Y平面)例如為正圓。但是不限于此，過(guò)孔導(dǎo)體23的形狀是任意的。
[0135]在層間樹(shù)脂絕緣層25a、26a、25b、26b的內(nèi)部，分別形成有過(guò)孔導(dǎo)體30a、32a、30b、38d。這些過(guò)孔導(dǎo)體都是填充導(dǎo)體，是在貫通各層間樹(shù)脂絕緣層的各個(gè)過(guò)孔中填充導(dǎo)體而成的。過(guò)孔導(dǎo)體30a、32a、30b、38d的形狀例如分別是以向著核心基板20縮徑的方式逐漸變細(xì)的錐形圓柱(圓錐臺(tái))，其平面形狀(X-Y平面)例如為正圓。但是不限于此，過(guò)孔導(dǎo)體30a等的形狀是任意的。另外，在層間樹(shù)脂絕緣層26a上，形成有被阻焊層40a覆蓋的電極36c。
[0136]層間樹(shù)脂絕緣層25a (第I層疊部的最下層的層間樹(shù)脂絕緣層)、層間樹(shù)脂絕緣層25b (第2層疊部的最下層的層間樹(shù)脂絕緣層)以及比它們更靠上層的層間樹(shù)脂絕緣層26a、26b分別由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成，含有容易溶解于后述的粗化溶液的成分和難以溶解于該粗化溶液的成分。但是不限于此，各絕緣層的材料是任意的。
[0137]在布線板100的最上層配置有焊料凸點(diǎn)43a，焊料凸點(diǎn)43a經(jīng)由焊盤(pán)50a、5Ia與MPU50.DRAM51 電連接。
[0138]在本實(shí)施方式中，布線板100包括主布線板200、以及配置在該主布線板200內(nèi)部的布線構(gòu)造體(副布線板)10。布線構(gòu)造體10不是按照多層印刷布線板的布線規(guī)則，而是如之后詳細(xì)敘述的那樣，按照IC或LSI等半導(dǎo)體元件的布線規(guī)則進(jìn)行了布線設(shè)計(jì)，該布線構(gòu)造體10被設(shè)計(jì)成，作為布線密度指標(biāo)的表示線寬與間距之比的L/S (線寬間距)比主布線板200更精細(xì)。這里，線寬表示圖案寬度，間距表示圖案間的間隙，表示圖案寬度中心之間的距離。具體地講，以表示線寬與間距之比的L/S (線寬間距)為I μ m/Ι μ m?5 μ m/5 μ m、優(yōu)選為3 μ m/3 μ m?5 μ m/5 μ m的方式,形成為高布線密度。這與包含本實(shí)施方式的主布線板200在內(nèi)的一般的多層印刷布線板的L/S為10 μ m/10 μ m左右的情況相比，是更加精細(xì)的級(jí)別。因此，相鄰的導(dǎo)體層36a彼此之間的間隔比相鄰的電極36c彼此之間的間隔小。
[0139]主布線板200包含向作為半導(dǎo)體元件的MPU50和DRAM51的電源端子Vdd供電的供電線、和信號(hào)的傳輸線(參照?qǐng)D2)。
[0140]在層間樹(shù)脂絕緣層26a (第I樹(shù)脂絕緣層)與布線構(gòu)造體10之間，設(shè)置有粘結(jié)層120c (參照?qǐng)D1A)。布線構(gòu)造體10隔著該粘結(jié)層120c固定到層間樹(shù)脂絕緣層26a上，并且被阻焊層40a覆蓋。
[0141]布線構(gòu)造體10具有:絕緣層110 ;形成在絕緣層110上的導(dǎo)體圖案111 ;以覆蓋導(dǎo)體圖案111的方式設(shè)置的絕緣層120 ;以及過(guò)孔導(dǎo)體120a，其設(shè)置在絕緣層120的內(nèi)部，將上下的導(dǎo)體圖案彼此連接。
[0142]對(duì)于絕緣層110、120，可以使用聚酰亞胺、苯酚類(lèi)樹(shù)脂、聚苯并惡唑類(lèi)樹(shù)脂中的任意一種。另外，布線構(gòu)造體10上形成的導(dǎo)體層36a與層間樹(shù)脂絕緣層26a上形成的電極36c處于同一平面上。
[0143]布線構(gòu)造體10不包含電源的供電線，而僅包含信號(hào)的傳輸線，用于MPU50與DRAM51之間的信號(hào)傳輸。
[0144]詳細(xì)地講，導(dǎo)體圖案111被用于MPU50與DRAM51之間的信號(hào)傳輸，而不用于對(duì)MPU50和DRAM51的供電。MPU50、DRAM51的電源端子Vdd與主布線板200內(nèi)的堆疊過(guò)孔80(圖3參照)電連接，從外部的直流電源得到供電。MPU50、DRAM51的接地端子Gnd (參照?qǐng)D2)經(jīng)由主布線板200內(nèi)的其他堆疊過(guò)孔與地線連接。
[0145]作為粘結(jié)層120c中使用的材料，例如可以使用環(huán)氧樹(shù)脂類(lèi)、丙烯酸樹(shù)脂類(lèi)、硅樹(shù)脂類(lèi)等粘結(jié)劑。在絕緣層120上形成有用于形成過(guò)孔導(dǎo)體120a的小徑的孔，孔被導(dǎo)體填充，構(gòu)成了作為填充過(guò)孔的過(guò)孔導(dǎo)體120a。
[0146]過(guò)孔導(dǎo)體120a與上層的導(dǎo)體層36a電連接。導(dǎo)體層36a經(jīng)由上層的焊料凸點(diǎn)43a、焊盤(pán)50a、51a分別與MPU50、DRAM51電連接。另外，在本實(shí)施方式的布線板100中，絕緣層110介于導(dǎo)體圖案111與粘結(jié)層120c之間。即，布線構(gòu)造體10為3層結(jié)構(gòu)。但是不限于此，也可以是不配置絕緣層110，而在粘結(jié)層120c上直接形成了導(dǎo)體圖案111的2層結(jié)構(gòu)。另外，參照?qǐng)D1A，在與布線構(gòu)造體10的導(dǎo)體圖案111連接的導(dǎo)體焊盤(pán)36a內(nèi)，與MPU50連接的導(dǎo)體焊盤(pán)36e (第I焊盤(pán))彼此之間的間隔比與DRAM51連接的導(dǎo)體焊盤(pán)36f (第2焊盤(pán))彼此之間的間隔小。另外，相鄰的導(dǎo)體圖案111彼此之間的間隔比相鄰的導(dǎo)體層31a彼此之間的間隔小。
[0147]過(guò)孔導(dǎo)體120a的直徑為Ιμπι以上IOym以下，優(yōu)選為0.5 μ m以上5 μ m以下。通過(guò)使過(guò)孔導(dǎo)體120a的直徑成為這樣微小的尺寸，能夠提高布線構(gòu)造體10中的導(dǎo)體圖案111的布線處理的自由度，例如，能夠在僅形成于I層的絕緣層120上的導(dǎo)體圖案111中，從布線構(gòu)造體10的左邊右邊中的一邊側(cè)取出多個(gè)布線。另外，由于導(dǎo)體圖案111僅形成為I層，因此能夠減少布線構(gòu)造體10中的布線總數(shù)。
[0148]如圖3所示，過(guò)孔導(dǎo)體32a例如隔著由銅箔等金屬箔、銅的化學(xué)鍍膜以及銅的電鍍層構(gòu)成的金屬層305a配置在層間樹(shù)脂絕緣層26a的過(guò)孔內(nèi)。
[0149]在圖3所示的過(guò)孔導(dǎo)體等的尺寸中，電極36c的上表面的直徑(寬度)D2例如為62 μ m，焊料凸點(diǎn)43a的直徑Dl例如為46 μ m。另外，布線構(gòu)造體10的絕緣層的厚度tl例如為25 μ m,布線構(gòu)造體10的粘結(jié)層120c的厚度t2例如為10 μ m,阻焊層40a的厚度t4例如為15 μ m。這樣，通過(guò)使布線構(gòu)造體10的粘結(jié)層120c的厚度t2成為IOym左右，能夠與主布線板200之間得到充分的粘結(jié)力，擴(kuò)大了粘結(jié)層120c中使用的材料的選擇范圍。另夕卜，布線構(gòu)造體10上的導(dǎo)體層36a的直徑D3為15?25 μ m。
[0150]焊料凸點(diǎn)43a在阻焊層40a、40b的開(kāi)口部(SRO) 44內(nèi)，配置在導(dǎo)體層36a上。在焊料凸點(diǎn)43a與導(dǎo)體層36a之間，形成有鍍鎳層41a和鍍金層42a。當(dāng)阻焊層40a、40b的開(kāi)口部44的直徑Da變大時(shí)，一般而言，制造時(shí)的公差精度變嚴(yán)，但對(duì)于布線構(gòu)造體10而言，由于過(guò)孔導(dǎo)體120a的直徑小至Iym以上10 μ m以下，因此具有如下優(yōu)點(diǎn)，即:擴(kuò)大了即使將布線構(gòu)造體10搭載到主布線板200上時(shí)發(fā)生了錯(cuò)位也能確保電連接的范圍。
[0151]在本實(shí)施方式的布線板100上，沒(méi)有形成貫通主布線板200的所有層的通孔。但是不限于此，也可以形成貫通主布線板200的所有層的通孔，將表層部的導(dǎo)體層彼此電連接，用于向布線板100上的半導(dǎo)體元件傳輸信號(hào)和供電。
[0152]在本實(shí)施方式中，形成在核心基板20上的所有過(guò)孔導(dǎo)體30a、32a、30b、38d具有彼此大致相同的尺寸。根據(jù)這種構(gòu)造，能夠更容易地使得電氣特性或制造條件等一致。
[0153]根據(jù)本實(shí)施方式的布線板100，由于在主布線板200中內(nèi)置有比主布線板200的布線密度高的、用于半導(dǎo)體元件間的信號(hào)傳輸?shù)牟季€構(gòu)造體10，因此能夠提高作為多層印刷布線板的布線板100的設(shè)計(jì)自由度。例如，能夠避免電源系統(tǒng)和信號(hào)系統(tǒng)的布線全部集中于布線板的特定部位處。另外，能夠避免成為例如在電子部件周邊的不存在電子部件的區(qū)域中，不存在導(dǎo)體而僅存在樹(shù)脂的構(gòu)造。
[0154]以下，對(duì)本實(shí)施方式的布線板100的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。布線板100的制造過(guò)程由布線構(gòu)造體10的制造過(guò)程、以及主布線板200的制造過(guò)程構(gòu)成，其中，主布線板200的制造過(guò)程包括將布線構(gòu)造體10安裝到主布線板200上的工序。
[0155]布線構(gòu)造體10例如通過(guò)圖4所示的過(guò)程來(lái)制造。
[0156]<布線構(gòu)造體10的制造過(guò)程>
[0157]在圖4的步驟Sll中，如圖5A所示，準(zhǔn)備支撐板1001。支撐板1001例如由表面平坦的玻璃構(gòu)成。并且，在支撐板1001上形成粘結(jié)層1002。
[0158]在圖4的步驟S12中，在支撐板1001上隔著粘結(jié)層1002形成層疊部。該層疊部是交替地層疊樹(shù)脂絕緣層與導(dǎo)體圖案(導(dǎo)體層)而構(gòu)成的。
[0159]具體地講，如圖5B所示，在粘結(jié)層1002上配置例如由樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣層110 (樹(shù)脂絕緣層)。絕緣層110與粘結(jié)層1002例如通過(guò)加熱處理而粘結(jié)。
[0160]接著，如圖5C所示,例如通過(guò)半加成(SAP:Sem1-Additive Process)法,在絕緣層110上形成導(dǎo)體圖案111。導(dǎo)體圖案111由第I導(dǎo)體膜11 Ia和第2導(dǎo)體膜11 Ib構(gòu)成(參照?qǐng)D3)。更詳細(xì)地說(shuō)，第I導(dǎo)體膜Illa由TiN層(下層)、Ti層(中間層)以及Cu層(上層)這3層構(gòu)成。這些金屬層例如分別通過(guò)濺射法來(lái)進(jìn)行制膜，因此能夠確保精細(xì)化的導(dǎo)體圖案111與基材之間的良好的密接性。另外，第2導(dǎo)體膜Illb由Cu層上的化學(xué)鍍銅膜和化學(xué)鍍銅膜上的電鍍膜構(gòu)成。
[0161]導(dǎo)體圖案111以表示線寬與間距之比的L/S (線寬間距:Line Space)為Ιμηι/Ιμηι?5μηι/5μ m、優(yōu)選為3μηι/3μηι?5 μ m/5 μ m的方式,形成為高布線密度。這里，線寬表示圖案寬度，間距表示圖案間的間隙，表示圖案寬度中心之間的距離。這里的布線密度是按照與在 IC (Integrated Circuit)或 LSI (Large Scale Integrated Circuit)等半導(dǎo)體元件上形成布線時(shí)同等的布線規(guī)則而形成的。
[0162]接著，如圖所示，在絕緣層110上，例如通過(guò)層壓等形成絕緣層120。絕緣層120以覆蓋導(dǎo)體圖案111的方式形成。
[0163]接著，例如通過(guò)激光，在絕緣層120上形成用于形成過(guò)孔導(dǎo)體120a的孔(過(guò)孔)?？椎竭_(dá)導(dǎo)體圖案111，使其一部分露出。這里的孔的直徑為Iym以上10 μ m以下、優(yōu)選為
0.5μπι以上5μπι以下的微小尺寸。之后，根據(jù)需要進(jìn)行去鉆污和軟刻蝕。
[0164]接著，例如通過(guò)半加成(SAP)法，在孔內(nèi)形成過(guò)孔導(dǎo)體120a(填充導(dǎo)體)。導(dǎo)體圖案111和過(guò)孔導(dǎo)體120a分別由第I導(dǎo)體膜Illa和第2導(dǎo)體膜Illb這2層構(gòu)成(參照?qǐng)D3)。更詳細(xì)地講，第I導(dǎo)體膜Illa由TiN層(下層)、Ti層(中間層)以及Cu層(上層)這3層構(gòu)成。另外，第2導(dǎo)體膜Illb由Cu層上的化學(xué)鍍銅膜和化學(xué)鍍銅膜上的電鍍膜構(gòu)成。
[0165]由此，如圖5E所示，在支撐板1001上得到由絕緣層110、120以及導(dǎo)體圖案111構(gòu)成的層疊部101，該層疊部101在絕緣層120上形成有過(guò)孔導(dǎo)體120a。
[0166]在圖4的步驟S13中，如圖5F所示，準(zhǔn)備其他支撐板1003。支撐板1003與支撐板1001同樣，例如由表面平坦的玻璃構(gòu)成。并且，將支撐板1003隔著粘結(jié)層120b層疊到層疊部101上。
[0167]在圖4的步驟S14中，拆除支撐板1001。具體地講，如圖5G所示，例如照射激光而使粘結(jié)層1002軟化，之后，使支撐板1001在X方向(或Y方向)上滑動(dòng)，由此從層疊部101的第2主面上剝離支撐板1001。另外，在從層疊部101上剝離了支撐板1001之后，例如在層疊部101的第2主面上殘留有粘結(jié)層1002的情況下，進(jìn)行清洗，去除該粘結(jié)層1002。于是，成為如圖5H所示的、在支撐板1003上形成有層疊部101的狀態(tài)。另外，支撐板1001例如可進(jìn)行清洗等而重復(fù)利用。
[0168]在圖4的步驟S15中，在層疊部101上形成粘結(jié)層120c。具體地講，粘結(jié)層120c例如通過(guò)如下方式形成:利用層壓機(jī)在層疊部101上以均勻的厚度層壓粘結(jié)劑。
[0169]在圖4的步驟S16中，如圖51所示,例如通過(guò)劃片機(jī)(Dicing Saw),沿著預(yù)定的劃片線進(jìn)行切割，將布線構(gòu)造體10單片化。由此，能夠得到多個(gè)布線構(gòu)造體(第2布線板)10。這里得到的布線構(gòu)造體10在支撐板1003上隔著粘結(jié)層120b形成有層疊部101，而且在層疊部101上形成有粘結(jié)層120c。
[0170]在本實(shí)施方式的布線構(gòu)造體10的制造方法中，由于使用了表面平坦的玻璃板作為支撐板1001、1003，因此適合于布線構(gòu)造體10的制造。利用這樣的制造方法，能夠得到表面平坦、且翹曲得到抑制的高品質(zhì)的布線構(gòu)造體10。
[0171]接著，制造主布線板200，并且在主布線板200上安裝布線構(gòu)造體10，制造本實(shí)施方式的布線板100。布線板100例如通過(guò)圖6所示的過(guò)程來(lái)制造。
[0172]<布線板100的制造過(guò)程>
[0173]首先，在圖6的步驟S21中，如圖7A所示，準(zhǔn)備核心基板20，該核心基板20是使樹(shù)脂浸潰到加強(qiáng)材料中而成的。在核心基板20的第I面F上和第2面S上，通過(guò)層壓而形成銅箔20a。核心基板20的厚度例如是0.4?0.7mm。作為加強(qiáng)材料，例如可以使用玻璃纖維織物、芳綸纖維、玻璃纖維等。作為樹(shù)脂，例如可以使用環(huán)氧樹(shù)脂、BT (雙馬來(lái)酰亞胺三嗪，Bismaleimide-Triazine)樹(shù)脂等。而且,在樹(shù)脂中含有由氫氧化物構(gòu)成的粒子。作為氫氧化物，可以列舉出氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣、氫氧化鋇等金屬氫氧化物。氫氧化物受熱分解而生成水。因此，認(rèn)為氫氧化物能夠從構(gòu)成核心基板的材料中奪取熱量。即，可以推測(cè)，通過(guò)使核心基板含有氫氧化物，能夠提高激光的加工性。
[0174]接著，向銅箔20a 的表面施加含有 NaOH (10g/l),NaClO2 (40g/l)、Na3PO4 (6g/l)的水溶液，實(shí)施基于黑化浴(氧化浴)的黑化處理。
[0175]接著，在圖6的步驟S22中，如圖7B所示，利用CO2激光從核心基板20的第I面F(上表面)側(cè)和第2面S (下表面)側(cè)照射激光而形成貫通核心基板20的貫通孔21。具體地講，利用CO2激光，從核心基板20的第I面F側(cè)和第2面S (下表面)側(cè)，交替地照射激光，由此使得從第I面F側(cè)和第2面S側(cè)穿設(shè)的孔連通，形成貫通孔21。
[0176]接著，將核心基板20浸潰到含有預(yù)定濃度的高錳酸的溶液中，進(jìn)行去鉆污處理。此時(shí)，可以按照核心基板20的重量減少度為1.0%重量百分比以下、優(yōu)選為0.5%重量百分比以下的方式進(jìn)行處理。核心基板20是使樹(shù)脂浸潰到玻璃纖維織物等增強(qiáng)材料中而成的，當(dāng)通過(guò)去鉆污處理溶解了樹(shù)脂時(shí)，玻璃纖維織物會(huì)突出到貫通孔內(nèi)，但是在核心基板20的重量減少度處于如上這樣的范圍的情況下，玻璃纖維織物的突出受到抑制，防止了在貫通孔內(nèi)填充鍍覆材料時(shí)殘留有氣孔的情況。之后，向核心基板20的表面提供鈀催化劑。
[0177]接著，如圖7C所示，將核心基板20浸潰到化學(xué)鍍?nèi)芤褐?，在核心基?0的第I面F上、第2面S上以及貫通孔21的內(nèi)壁上形成化學(xué)鍍膜22。作為形成化學(xué)鍍膜22的材料，可以列舉出銅、鎳等。將該化學(xué)鍍膜22作為種子層，在化學(xué)鍍膜22上形成電鍍膜23。貫通孔21被電鍍膜23填充。
[0178]接著，如圖7D所示，在基板表面的電鍍膜23上形成預(yù)定圖案的抗蝕劑，去除未形成抗蝕劑的部分中的化學(xué)鍍膜22、電鍍膜23以及銅箔20a。之后，去除抗蝕劑，由此在核心基板20的第I面F上形成導(dǎo)體層24a，在核心基板20的第2面S上形成導(dǎo)體層24b。這些導(dǎo)體層24a與導(dǎo)體層24b通過(guò)貫通孔21內(nèi)的電鍍膜23 (通孔導(dǎo)體)彼此連接。
[0179]接著，在圖6的步驟S23中，如圖7E所示，在核心基板20的兩面F、S上層疊層間絕緣膜(味之素(株式會(huì)社)制:商品名為ABF-45SH)，形成層間樹(shù)脂絕緣層25a、25b。
[0180]接著，如圖7F所示，利用CO2氣體激光，在層間樹(shù)脂絕緣層25a、25b上分別形成過(guò)孔用開(kāi)口部26c、26d。進(jìn)而，將基板浸潰到高錳酸鹽等氧化劑等中，進(jìn)行去鉆污處理。
[0181]接著，如圖7G所示，向?qū)娱g樹(shù)脂絕緣層25a、25b的表面提供鈀等催化劑，并將基板浸潰到化學(xué)鍍?nèi)芤褐?，由此形成化學(xué)鍍膜27a、27b。之后，在化學(xué)鍍膜27a、27b上形成鍍覆阻擋層。然后，在從鍍覆阻擋層露出的化學(xué)鍍膜27a、27b上，形成電鍍膜28a、28b。之后，使用含有單乙醇胺(monoethanolamine)的溶液來(lái)去除鍍覆阻擋層。通過(guò)蝕刻來(lái)去除電鍍膜間的化學(xué)鍍膜，由此形成導(dǎo)體層29a、29b和過(guò)孔導(dǎo)體30a、30b。接著，在導(dǎo)體層29a、29b的表面實(shí)施Sn鍍覆，形成SnCu層。在該SnCu層上涂布硅烷偶聯(lián)劑。
[0182]接著，在圖6的步驟S24中，如圖7H、圖71所示，重復(fù)上述的工序。由此，在層間樹(shù)脂絕緣層25a、25b上，從核心基板20的第I面F側(cè)和第2面S (下表面)側(cè)，層疊層間樹(shù)脂絕緣層26a、26b，在層間樹(shù)脂絕緣層26a、26b上形成導(dǎo)體層31a、37d和過(guò)孔導(dǎo)體32a、38d(參照?qǐng)D7J)。
[0183]接著，在圖6的步驟S25中，如圖7K所示，在層間樹(shù)脂絕緣層26a、26b上的預(yù)定區(qū)域中隔著粘結(jié)層120c搭載布線構(gòu)造體10。并且，在導(dǎo)體層31a和過(guò)孔導(dǎo)體32a上形成電極36c。由此，成為圖7L所示的狀態(tài)。在圖7L中，電極36c的上表面與布線構(gòu)造體10的導(dǎo)體層36a的上表面位于同一平面上。
[0184]接著，如圖7M所示，剝離支撐板1003。
[0185]接著，在圖6的步驟S26中，如圖7N所示，在主布線板200的兩面形成具有開(kāi)口部44的阻焊層40a、40b。這里，從開(kāi)口部44露出的導(dǎo)體層36a、36c、過(guò)孔導(dǎo)體38d的上表面作為焊盤(pán)發(fā)揮作用。
[0186]之后，如圖70所示，在焊盤(pán)上形成鍍鎳層41a、41b，進(jìn)而在鍍鎳層41a、41b上形成鍍金層42a、42b。也可以形成鎳-鈀-金層來(lái)代替鎳-金層。之后，在開(kāi)口部44內(nèi)搭載焊料凸點(diǎn)，進(jìn)行回流，由此在第I面(上表面)側(cè)形成焊料凸點(diǎn)43a，在第2面(背面)側(cè)形成焊料凸點(diǎn)43b，完成作為多層印刷布線板的布線板100。
[0187]本實(shí)施方式的布線板的制造方法不限于上述實(shí)施方式，可以在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)進(jìn)行變形。以下對(duì)本實(shí)施方式的變形例的一例進(jìn)行說(shuō)明。
[0188]〈變形例1>
[0189]在上述實(shí)施方式中，布線構(gòu)造體10配置在從上方起第一層的層間樹(shù)脂絕緣層26a上，在上方與布線構(gòu)造體10連接的導(dǎo)體層36a、電極36c、導(dǎo)體層32a都形成在從上方起第一層的阻焊層40a中。但是不限于此，如圖8所示，也可以在相同的絕緣層(在圖8中為阻焊層40a)內(nèi)，僅形成布線構(gòu)造體10、以及在上方與布線構(gòu)造體10連接的導(dǎo)體層36a、電極36c。除此以外的結(jié)構(gòu)和各構(gòu)成要素的尺寸與上述實(shí)施方式相同。另外，關(guān)于布線板100的制造過(guò)程，除了僅將布線構(gòu)造體10、以及在上方與布線構(gòu)造體10連接的導(dǎo)體層36a、電極36c形成在相同的絕緣層內(nèi)這一點(diǎn)以外，與上述實(shí)施方式相同。
[0190]〈變形例2>
[0191]在上述實(shí)施方式中，布線構(gòu)造體10形成在第一層的層間樹(shù)脂絕緣層26a的表面上。但是，不限于此，如圖9所示，布線構(gòu)造體10也可以收納在從上方起第一層的層間樹(shù)脂絕緣層26a上形成的開(kāi)口部45內(nèi)。此時(shí)，布線構(gòu)造體10被開(kāi)口部45中填充的阻焊層40a覆蓋。除此以外的結(jié)構(gòu)和各構(gòu)成要素的尺寸與上述實(shí)施方式相同。另外，關(guān)于布線板100的制造過(guò)程，除了將布線構(gòu)造體10收納到從上方起第一層的層間樹(shù)脂絕緣層26a上形成的開(kāi)口部45內(nèi)，并用開(kāi)口部45中填充的阻焊層40a進(jìn)行覆蓋這一點(diǎn)以外，與上述實(shí)施方式相同。
[0192]〈變形例3>[0193]在上述變形例2中，如圖9所示，布線構(gòu)造體10在開(kāi)口部45內(nèi)，直接配置在層間樹(shù)脂絕緣層25a上。但是，不限于此，也可以如圖10所示，在開(kāi)口部45的底面形成導(dǎo)體平面34，布線構(gòu)造體10的粘結(jié)層120c粘結(jié)在包含導(dǎo)體平面34的開(kāi)口部45的底面，由此將布線構(gòu)造體10搭載在開(kāi)口部45內(nèi)部。除此以外的結(jié)構(gòu)和各構(gòu)成要素的尺寸與上述變形例2相同。另外，關(guān)于布線板100的制造過(guò)程，除了在層間樹(shù)脂絕緣層26a的開(kāi)口部45內(nèi)配置導(dǎo)體平面34，并隔著導(dǎo)體平面34將布線構(gòu)造體10收納在開(kāi)口部45內(nèi)這一點(diǎn)以外，與上述實(shí)施方式相同。
[0194]〈變形例4>
[0195]在本變形例4中，如圖11所示，使用了主布線板202、上述第I實(shí)施方式中的布線構(gòu)造體10、以及形成在阻焊層40a內(nèi)的電氣布線55。電氣布線55將導(dǎo)體層36a與電極36c電連接，用于信號(hào)的傳輸。在布線構(gòu)造體10上，不設(shè)置焊料凸點(diǎn)，而是通過(guò)設(shè)置在電氣布線55上的焊料凸點(diǎn)43a與外部的半導(dǎo)體芯片、例如圖11所示的DRAM 51電連接。關(guān)于除此以外的結(jié)構(gòu)和功能，除了以下說(shuō)明的內(nèi)容以外，與第I實(shí)施方式及其變形例相同，在對(duì)應(yīng)的部位標(biāo)注對(duì)應(yīng)的符號(hào)而省略詳細(xì)的說(shuō)明。
[0196]在本變形例4中，如圖11所示，例如，存儲(chǔ)器(DRAM)的中心部分的端子55a與布線構(gòu)造體10上的端子55b通過(guò)電氣布線55電連接。
[0197]〈變形例5>
[0198]在本變形例5中，如圖12所示，在主布線板203中，使用了兩個(gè)(多個(gè))布線構(gòu)造體10，通過(guò)該布線構(gòu)造體10來(lái)連接MPU50與兩個(gè)DRAM51a、51b，除此以外，除了以下說(shuō)明的內(nèi)容以外，與第I實(shí)施方式及其變形例相同，在對(duì)應(yīng)的部位標(biāo)注對(duì)應(yīng)的符號(hào)而省略詳細(xì)的說(shuō)明。
[0199]通過(guò)采用如上所述的連接方式，與僅使用單一的布線構(gòu)造體10的情況相比，提高了 MPU50與兩個(gè)DRAM51a、51b之間的電連接的可靠性。S卩，例如，可以使用與DRAM51a、51b的特性(布線間距、布線寬度等)對(duì)應(yīng)的專(zhuān)用布線構(gòu)造體10，電連接的精度提高。其結(jié)果，能夠最大限度地發(fā)揮與MPU50連接的DRAM51a、51b的性能。
[0200]<變形例6>
[0201]在上述變形例2中，如圖9所示，在層間樹(shù)脂絕緣層26a上，在收納布線構(gòu)造體10的開(kāi)口部45中也形成有阻焊層40a。但是不限于此，也可以如圖19A和圖19B所示，不在層間樹(shù)脂絕緣層26a上的開(kāi)口部45中形成阻焊層40a，而是在層間樹(shù)脂絕緣層26a上的除了開(kāi)口部45以外的區(qū)域中形成阻焊層40a。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠避免由于阻焊劑在開(kāi)口部45中的填充不完全引起的布線板100的可靠性降低。此外，在布線構(gòu)造體10中作為導(dǎo)體焊盤(pán)發(fā)揮作用的導(dǎo)體層36a的寬度(尺寸)小的情況下，也能夠避免為了露出導(dǎo)體層36a、從而組焊層40a上形成的孔的狀態(tài)不完全所引起的布線板100的可靠性降低。除此以外的結(jié)構(gòu)和各構(gòu)成要素與上述變形例2相同。另外，關(guān)于布線板100的制造過(guò)程，除了只是未在層間樹(shù)脂絕緣層26a上的開(kāi)口部45中形成組焊層40a以外，與上述實(shí)施方式相同。
[0202]〈第2實(shí)施方式>
[0203]在上述第I實(shí)施方式中，如圖1A、圖1B、圖3所示，布線構(gòu)造體10形成在層間樹(shù)脂絕緣層26a的一部分區(qū)域內(nèi)。與此相對(duì)，在第2實(shí)施方式的情況下，如圖13A、圖13B、圖14、圖15所示，布線構(gòu)造體10也可以形成在層間樹(shù)脂絕緣層26a上的全部區(qū)域內(nèi)。[0204]在第2實(shí)施方式中，也是在布線構(gòu)造體10中僅存在信號(hào)的傳輸線，不存在電源的供電線。如圖13A所示，MPU50、DRAM51的電源是經(jīng)由形成在主布線板200上的堆疊過(guò)孔80而提供的。該堆疊過(guò)孔80以貫通布線構(gòu)造體10的方式形成。
[0205]在第2實(shí)施方式中，除此以外的結(jié)構(gòu)和各構(gòu)成要素的尺寸與上述第I實(shí)施方式相同。
[0206]以下，對(duì)本實(shí)施方式的布線板100的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。與第I實(shí)施方式同樣，布線板100的制造過(guò)程由布線構(gòu)造體10的制造過(guò)程和主布線板200的制造過(guò)程構(gòu)成，其中，主布線板200的制造過(guò)程包含將布線構(gòu)造體10安裝到主布線板200上的工序。
[0207]<布線構(gòu)造體10的制造過(guò)程>
[0208]布線構(gòu)造體10例如與第I實(shí)施方式同樣地，按照如圖4所示的過(guò)程來(lái)制造。但是，不進(jìn)行圖4中的步驟S16，在圖5H所示的狀態(tài)下，搭載到主布線板200上。另外，也不使用支撐板1003。
[0209]接著，制造主布線板200，并且在主布線板200上安裝布線構(gòu)造體10，制造本實(shí)施方式的布線板100。布線板100例如通過(guò)圖16所示的過(guò)程來(lái)制造。
[0210]<布線板100的制造過(guò)程>
[0211]關(guān)于布線板100，截止于第I實(shí)施方式的圖6的工藝流程中的步驟S24 (在本實(shí)施方式中，是截止于圖16的步驟S34)，與第I實(shí)施方式同樣地制造布線板。即，從圖7A?圖7J，同樣地進(jìn)行制造，因此省略說(shuō)明。
[0212]在圖16的步驟S34 (圖6的步驟S24)之后，在圖16的步驟S35中，如圖17A所示，隔著粘結(jié)層120c將布線構(gòu)造體10 (不具有支撐板1003)搭載(粘貼)到層間樹(shù)脂絕緣層26a上的整個(gè)區(qū)域上。由此，成為圖17B所示的狀態(tài)。
[0213]接著，在圖16的步驟S36中，如圖17C所示，在形成于布線構(gòu)造體10的孔內(nèi)，形成電極36c。然后，在主布線板200的兩面形成具有開(kāi)口部44的阻焊層40a、40b。這里，從開(kāi)口部44露出的導(dǎo)體層36a、38d和電極36c的上表面作為焊盤(pán)來(lái)發(fā)揮作用。
[0214]之后，如圖17D所示，在焊盤(pán)上形成鍍鎳層41a、41b，進(jìn)而在鍍鎳層41a、41b上形成鍍金層42a、42b。也可以形成鎳-鈀-金層來(lái)代替鎳-金層。之后，在開(kāi)口部44內(nèi)搭載焊料凸點(diǎn)，進(jìn)行回流，由此在第I面(上表面)側(cè)形成焊料凸點(diǎn)43a，在第2面(背面)側(cè)形成焊料凸點(diǎn)43b，完成作為多層印刷布線板的布線板100。
[0215]〈變形例〉
[0216]在本變形例中，如圖18A、圖18B所示，將第I實(shí)施方式或其變形例中使用的布線構(gòu)造體10埋入到主布線板204的最上層中形成的絕緣層46內(nèi)，并且作為針對(duì)該絕緣層46上配設(shè)的IC芯片61的專(zhuān)用布線構(gòu)造體10來(lái)使用。這里，在圖18A中，布線構(gòu)造體10被埋入到主布線板204的最上層中形成的絕緣層46內(nèi)，在圖18B中，布線構(gòu)造體10以收納在開(kāi)口部45內(nèi)的狀態(tài)埋入到絕緣層46內(nèi)，所述開(kāi)口部45形成于從主布線板204的最上層的絕緣層46起算的第二個(gè)絕緣層46a上。
[0217]這里，主布線板204是在核心基板20上按順序依次層疊層間樹(shù)脂絕緣層47、絕緣層46的結(jié)構(gòu)。
[0218]在本變形例中，通過(guò)與主布線板204獨(dú)立的專(zhuān)用制造工序來(lái)制作布線構(gòu)造體10，并且將布線構(gòu)造體10埋入到主布線板204內(nèi)。由此，可以在按照每個(gè)IC芯片61的特性(布線間距，布線寬度等)，設(shè)計(jì)、制造了專(zhuān)用的布線構(gòu)造體10的基礎(chǔ)上，埋入到主布線板204中，用于與IC芯片61電連接。其結(jié)果，能夠降低布線構(gòu)造體10的不良率，能夠提高制造布線板時(shí)的成品率。
[0219]此外，本發(fā)明的布線板的制造方法不限于上述各實(shí)施方式和變形例中示出的順序和內(nèi)容，可以在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)任意地變更順序和內(nèi)容。另外，還可以根據(jù)用途等，適當(dāng)?shù)厥÷圆恍枰墓ば颉?br> [0220]另外，在上述各實(shí)施方式和變形例中，示出了形成于核心基板20的第I面Fl側(cè)的導(dǎo)體層的層數(shù)與形成于核心基板20的第2面F2側(cè)的導(dǎo)體層的層數(shù)分別為兩層的情況。但是，不限于此，應(yīng)用了上述構(gòu)造的布線板的層數(shù)(導(dǎo)體層的數(shù)量)可以在可實(shí)施的范圍內(nèi)任意地變更。
[0221]此外，本發(fā)明的布線板的制造過(guò)程不限于上述各實(shí)施方式和變形例中所示的順序和內(nèi)容，可以在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)任意地變更順序和內(nèi)容。另外，還可以根據(jù)用途等，適當(dāng)?shù)厥÷圆恍枰墓ば颉?br> [0222]可以任意地組合上述各實(shí)施方式和變形例?？梢愿鶕?jù)用途等選擇適當(dāng)?shù)慕M合。
[0223]以上，雖然對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但是應(yīng)理解為，根據(jù)設(shè)計(jì)上的情況和其他因素而需要的各種修正和組合，都包含在記載于“權(quán)利要求”中的發(fā)明、以及與記載于“【具體實(shí)施方式】”中的具體例對(duì)應(yīng)的發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0224]本發(fā)明的布線板適合用于搭載有多個(gè)半導(dǎo)體元件(裸片)的封裝基板。另外，本發(fā)明的布線板的制造方法適合于這種封裝基板的制造。
【權(quán)利要求】
1.一種布線板，其特征在于，該布線板具有: 第I絕緣層； 第I導(dǎo)體圖案，其形成在所述第I絕緣層上；以及 布線構(gòu)造體，其配置在所述第I絕緣層上，具有第2絕緣層和所述第2絕緣層上的第2導(dǎo)體圖案， 設(shè)置在所述第I導(dǎo)體圖案上的電極的上表面和與所述第2導(dǎo)體圖案連接的導(dǎo)體層的上表面位于同一平面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線板，其特征在于， 所述第2導(dǎo)體圖案的圖案寬度比所述第I導(dǎo)體圖案的圖案寬度小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的布線板，其特征在于， 相鄰的所述第2導(dǎo)體圖案彼此之間的間隔比相鄰的第I導(dǎo)體圖案彼此之間的間隔小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的布線板，其特征在于， 該布線板還具有阻焊層，該阻焊層設(shè)置在所述第I絕緣層上、所述第I導(dǎo)體圖案上以及所述布線構(gòu)造體上，并具有開(kāi)口部，所述開(kāi)口部使得所述第I導(dǎo)體圖案的至少一部分、以及與所述第2導(dǎo)體圖案連接的導(dǎo)體層的至少一部分開(kāi)放。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的布線板，其特征在于， 所述布線構(gòu)造體還具有:第3絕`緣層，其形成在所述第2絕緣層上，覆蓋所述第2導(dǎo)體圖案；以及過(guò)孔，其與所述第2導(dǎo)體圖案連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的布線板，其特征在于， 在所述第I絕緣層與所述布線構(gòu)造體之間夾有粘結(jié)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的布線板，其特征在于， 設(shè)置在所述第I導(dǎo)體圖案上的電極、以及與所述第2導(dǎo)體圖案連接的所述導(dǎo)體層作為安裝第I半導(dǎo)體元件和第2半導(dǎo)體元件的安裝焊盤(pán)發(fā)揮作用。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的布線板，其特征在于， 所述安裝焊盤(pán)具有:第I焊盤(pán)，其與所述第I半導(dǎo)體元件連接；以及第2焊盤(pán)，其與所述第2半導(dǎo)體元件連接， 所述第I焊盤(pán)彼此之間的間隔比所述第2焊盤(pán)彼此之間的間隔小。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的布線板，其特征在于， 所述第2導(dǎo)體圖案是連接所述第I半導(dǎo)體元件與所述第2半導(dǎo)體元件的信號(hào)線。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的布線板，其特征在于， 所述第2導(dǎo)體圖案的線寬間距L/S為Ιμπι/?μπι?5μηι/5μηι。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的布線板，其特征在于， 在所述第I絕緣層上形成有開(kāi)口部，所述布線構(gòu)造體收納在所述開(kāi)口部中。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的布線板，其特征在于， 在除了收納所述布線構(gòu)造體的所述開(kāi)口部以外的所述第I絕緣層上形成有阻焊層。
13.—種布線板的制造方法，其特征在于，該制造方法具有以下步驟: 在第I絕緣層上形成第I導(dǎo)體圖案； 在所述第I絕緣層上，配置具有第2絕緣層和所述第2絕緣層上的第2導(dǎo)體圖案的布線構(gòu)造體；以及在所述第I絕緣層上、所述第I導(dǎo)體圖案上以及所述布線構(gòu)造體上形成具有開(kāi)口部的阻焊層，所述開(kāi)口部使得所述第I導(dǎo)體圖案的至少一部分、以及與所述第2導(dǎo)體圖案連接的導(dǎo)體層的至少一部分開(kāi)放。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的布線板的制造方法，其特征在于， 該制造方法還具有在所述第I絕緣層 上形成開(kāi)口部的步驟， 當(dāng)配置所述布線構(gòu)造體時(shí)，將所述布線構(gòu)造體配置到所述第I絕緣層上的所述開(kāi)口部中。
【文檔編號(hào)】H05K1/11GK103428993SQ201310183621
【公開(kāi)日】2013年12月4日 申請(qǐng)日期:2013年5月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月18日
【發(fā)明者】閑野義則, 高橋延也, 中入久幸, 伊井明日香 申請(qǐng)人:揖斐電株式會(huì)社