專利名稱：布線板以及布線板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有核心板的布線板，所述核心板容納主要由陶瓷制成的陶瓷子核心。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，為了減少半導(dǎo)體集成電路器件(在下文中被稱作“IC芯片”)的開(kāi)關(guān)噪聲并且穩(wěn)定其操作供電電壓，在安裝有IC芯片的布線板中提供電容器。關(guān)于在布線板上安裝電容器的方式，隨著IC芯片和電容器之間的互連的長(zhǎng)度增加，互連的電感成分增加，并且變得難以充分地獲得上述效果。因此盡可能地接近IC芯片布置電容器是所希望的。JP-A-2005-39243提議了一種布線板，在所述布線板中，位于IC芯片正下方的核心板容納并入電容器的陶瓷子核心。

發(fā)明內(nèi)容
順便提及，例如，以下面的方式產(chǎn)生如上所述的核心板。如圖14A所示，在其中形成子核心容納空間(通孔)的核心體CM的第二主表面MP2被具有粘合劑ad的粘合片S覆蓋。通過(guò)以下方式在核心體CM中容納陶瓷子核心CS通過(guò)第一主表面MP1中的開(kāi)口插入陶瓷子核心CS，并且將其固定到粘合劑ad。然后，借助于已知的分配器DS將包括諸如硅石填料之類的無(wú)機(jī)填料的填充樹(shù)脂JJ注入到核心體CM和陶瓷子核心CS之間的間隙中。
然而，在如上所述使用分配器DS注入填充樹(shù)脂JJ的地方，在陶瓷子核心CS的第一主表面MP1一側(cè)出現(xiàn)了以下問(wèn)題。子核心容納空間的形狀以及陶瓷子核心CS的尺寸和定位準(zhǔn)確度具有一定的變化。因此，即使分配器DS注入恒定量的填充樹(shù)脂JJ，如圖14B所示，核心體CM和陶瓷子核心CS之間的間隙中注入的填充樹(shù)脂JJ也會(huì)凸出或凹陷，造成表面上的凸凹不平。在這種情況下，難以在其上形成平坦的絕緣樹(shù)脂層，因?yàn)樗鼈儠?huì)反映那些凸凹不平。
考慮到上述問(wèn)題進(jìn)行了本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的因此就是提供一種布線板，所述布線板具有容納陶瓷子核心的核心板，而且在所述布線板中，在核心板上形成平坦的絕緣樹(shù)脂層。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種布線板，所述布線板裝備有核心板，其具有板狀核心體和陶瓷子核心，所述陶瓷子核心容納在子核心容納空間中，所述子核心容納空間為與所述核心體的主表面相聯(lián)系的通孔或在所述核心體的第一主表面中具有開(kāi)口的凹陷；以及布線疊層，其每個(gè)都是通過(guò)所述核心板的主表面中的每一個(gè)上層疊的樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層形成，其特征在于填充所述核心體和所述陶瓷子核心之間的間隙的凹槽填充部分與所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層構(gòu)成整體；以及連接到所述陶瓷子核心的第一主表面上形成的各個(gè)導(dǎo)體圖形的轉(zhuǎn)接導(dǎo)體(via conductor)穿透所述最低樹(shù)脂絕緣層。
并且，優(yōu)選地，最低樹(shù)脂絕緣層的位于核心體和陶瓷子核心之間的間隙之上的表面小于這樣的表面，所述表面以從核心體的第一主表面傾斜的方式連接核心體的內(nèi)側(cè)表面的頂端和陶瓷子核心的外側(cè)表面的頂端。
使用上述構(gòu)造，由于填充核心體和陶瓷子核心之間的間隙的凹槽填充部分與第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層構(gòu)成整體，所以最低樹(shù)脂絕緣層的表面是平坦的，并且因此使得整個(gè)布線疊層平坦。
關(guān)于最低樹(shù)脂絕緣層的平坦度，優(yōu)選地，位于最大的凸凹不平要不然會(huì)發(fā)生的核心體和陶瓷子核心之間的間隙之上的最低樹(shù)脂絕緣層的那個(gè)表面，與連接核心體的內(nèi)側(cè)表面的頂端和陶瓷子核心的外側(cè)表面的頂端的表面相比，和核心體的第一主表面平行地要高(亦即傾斜地要小)。
可以在核心體和陶瓷子核心之間的間隙、陶瓷子核心以及核心體上提供最低樹(shù)脂絕緣層，并且最低樹(shù)脂絕緣層的表面可以小于以從核心體的第一主表面傾斜的方式連接核心體的內(nèi)側(cè)表面的頂端和陶瓷子核心的外側(cè)表面的頂端的表面。
亦即，從使得整個(gè)最低樹(shù)脂絕緣層平坦的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選地，不僅位于核心體和陶瓷子核心之間的間隙之上的最低樹(shù)脂絕緣層的那個(gè)表面，而且位于陶瓷子核心和核心體之上的最低樹(shù)脂絕緣層的那些表面，與連接核心體的內(nèi)側(cè)表面的頂端和陶瓷子核心的外側(cè)表面的頂端的表面相比，和核心體的第一主表面平行地要高。
例如，能夠通過(guò)以下方式產(chǎn)生與凹槽填充部分構(gòu)成整體的最低樹(shù)脂絕緣層在陶瓷子核心容納在子核心容納空間中的狀態(tài)下，使用橡膠滾軸(squeegee)或類似物，在陶瓷子核心和核心體的第一主表面上印刷樹(shù)脂漿。
根據(jù)本發(fā)明的布線板的第一特定形式是這樣的在第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層中，穿透最低樹(shù)脂絕緣層的轉(zhuǎn)接導(dǎo)體是穿透多層的各個(gè)多層穿透轉(zhuǎn)接導(dǎo)體的部分，所述多層為最低樹(shù)脂絕緣層和鄰近于最低樹(shù)脂絕緣層的樹(shù)脂絕緣層，并且將陶瓷子核心的第一主表面上形成的導(dǎo)體圖形連接到相鄰樹(shù)脂絕緣層上形成的導(dǎo)體層。
這種構(gòu)造使得可以用在線性膨脹系數(shù)方面小于相鄰樹(shù)脂絕緣層的材料形成最低樹(shù)脂絕緣層。具體地，最低樹(shù)脂絕緣層能夠由這樣的材料制成，所述材料的線性膨脹系數(shù)處于相鄰樹(shù)脂絕緣層和陶瓷子核心的線性膨脹系數(shù)之間的中途(halfway)，這提供了在厚度方向上吸收線性膨脹系數(shù)差異的效果。更加具體地，最低樹(shù)脂絕緣層可以由這樣的材料制成，所述材料的室溫到200℃的范圍內(nèi)的平均線性膨脹系數(shù)(在下文中被簡(jiǎn)稱作“線性膨脹系數(shù)”)小于或等于35ppm/℃(優(yōu)選地，小于或等于33ppm/℃)。如果最低樹(shù)脂絕緣層的線性膨脹系數(shù)超過(guò)了這個(gè)上限，那么它就和主要由聚合材料制成的布線疊層的處于相同的水平，并且因此可能不會(huì)令人滿意地獲得上述效果。為了獲得這樣的線性膨脹系數(shù)，最低樹(shù)脂絕緣層可以由這樣的材料制成，所述材料在填料含量方面高于相鄰樹(shù)脂絕緣層。更加具體地，最低樹(shù)脂絕緣層的填料含量可以設(shè)置在50到80wt％。
根據(jù)本發(fā)明的布線板的第二特定形式是這樣的在第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層中，穿透最低樹(shù)脂絕緣層的轉(zhuǎn)接導(dǎo)體將陶瓷子核心的第一主表面上形成的導(dǎo)體圖形連接到最低樹(shù)脂絕緣層上形成的導(dǎo)體層。這種構(gòu)造使得可以形成沒(méi)有臺(tái)階的良好通孔，這依次使通過(guò)良好轉(zhuǎn)接導(dǎo)體連接成為可能。
進(jìn)而，本發(fā)明提供了一種布線板，所述布線板裝備有核心板，其具有板狀核心體和陶瓷子核心，所述陶瓷子核心容納在子核心容納空間中，所述子核心容納空間為與所述核心體的主表面相聯(lián)系的通孔或在所述核心體的第一主表面中具有開(kāi)口的凹陷；以及布線疊層，其每個(gè)都是通過(guò)所述核心板的主表面中的每一個(gè)上層疊的樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層形成，其特征在于填充所述核心體和所述陶瓷子核心之間的間隙的凹槽填充部分與所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層構(gòu)成整體；以及連接到所述陶瓷子核心的第一主表面上形成的各個(gè)導(dǎo)體圖形的轉(zhuǎn)接導(dǎo)體穿透所述最低樹(shù)脂絕緣層。
并且，優(yōu)選地，最低樹(shù)脂絕緣層的位于核心體和陶瓷子核心之間的間隙以及陶瓷子核心之上的表面基本上平行于核心體的第一主表面。
使用上述構(gòu)造，由于填充核心體和陶瓷子核心之間的間隙的凹槽填充部分與第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層構(gòu)成整體，所以最低樹(shù)脂絕緣層的表面基本上平行于核心體的第一主表面，并且跟隨核心體的平坦的第一主表面而平坦。這樣一來(lái)就使得整個(gè)布線疊層平坦。
本發(fā)明提供了布線板的第一制造方法，所述布線板裝備有核心板，在所述核心板中，子核心容納空間，其為與板狀核心體的主表面相聯(lián)系的通孔或在所述核心體的第一主表面中具有開(kāi)口的凹陷，形成在所述核心體中，并且陶瓷子核心容納在所述子核心容納空間中；以及布線疊層，其每個(gè)都是通過(guò)所述核心板的主表面中的每一個(gè)上交替層疊的樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層形成，其特征在于包括按書(shū)寫(xiě)順序執(zhí)行的如下步驟通過(guò)所述子核心容納空間的所述第一主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口在所述子核心容納空間中容納所述陶瓷子核心的子核心容納步驟；以及通過(guò)從所述核心體的所述第一主表面和所述陶瓷子核心的第一主表面的一側(cè)壓印(pressure-print)樹(shù)脂漿將所述樹(shù)脂漿充滿到所述核心體和所述陶瓷子核心之間的間隙中的壓印步驟。
根據(jù)所述根據(jù)本發(fā)明的布線板的第一制造方法，通過(guò)將樹(shù)脂漿壓印(充滿)到陶瓷子核心和核心體之間的間隙中，用于填充陶瓷子核心和核心體之間的間隙并且將它們相互固定的充滿樹(shù)脂部分能夠令人滿意地形成而不形成空隙。
優(yōu)選地，樹(shù)脂漿的粘度在室溫(例如25℃)到120℃的溫度范圍內(nèi)為3到60Pa·s(更優(yōu)選地粘度為5到58Pa·s)。為了執(zhí)行壓印，優(yōu)選地粘度高于下限。另一方面，如果粘度高于上限，則甚至通過(guò)壓印也不可以令人滿意地充滿樹(shù)脂漿，因?yàn)樗牧鲃?dòng)性變得太低。為了獲得這樣的粘度，優(yōu)選地，樹(shù)脂漿的填料含量為50到80wt％(更優(yōu)選地填料含量為52到78wt％)。
在根據(jù)本發(fā)明的布線板的第一制造方法中，優(yōu)選地，在所述壓印步驟中，通過(guò)至少在陶瓷子核心的第一主表面上直接而不介入掩模地壓印樹(shù)脂漿，將樹(shù)脂漿充滿到核心體和陶瓷子核心之間的間隙中，并且和間隙中充滿的樹(shù)脂漿連續(xù)的層被形成為充滿樹(shù)脂連續(xù)層，以便至少覆蓋陶瓷子核心的第一主表面。這種制造方法能夠簡(jiǎn)化過(guò)程，因?yàn)橹辽僭谔沾勺雍诵牡牡谝恢鞅砻嫔蠄?zhí)行壓印而不使用掩模。進(jìn)而，能夠在將樹(shù)脂漿充滿到核心體和陶瓷子核心之間的間隙中的同時(shí)形成充滿樹(shù)脂連續(xù)層。
在根據(jù)本發(fā)明的布線板的第一制造方法中，在所述壓印步驟中，通過(guò)在陶瓷子核心和核心體的第一主表面上直接而不介入掩模地壓印樹(shù)脂漿，可以將樹(shù)脂漿充滿到核心體和陶瓷子核心之間的間隙中，并且和間隙中充滿的樹(shù)脂漿連續(xù)的層可以被形成為充滿樹(shù)脂連續(xù)層，以便整個(gè)地覆蓋陶瓷子核心和核心體的第一主表面。這種制造方法能夠簡(jiǎn)化過(guò)程，因?yàn)閳?zhí)行壓印而不使用掩模。進(jìn)而，由于充滿樹(shù)脂連續(xù)層被形成以便覆蓋核心板的整個(gè)第一主表面，所以這種制造方法有助于平整產(chǎn)生的布線板。
根據(jù)本發(fā)明的布線板的第一制造方法可以進(jìn)一步包括作為在所述子核心容納步驟之前執(zhí)行的步驟的封閉步驟用在一個(gè)表面上具有粘合劑的薄片，以粘合劑暴露在子核心容納空間里面的方式，封閉作為與核心體的主表面相聯(lián)系的通孔的子核心容納空間的第二主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口；并且在所述子核心容納步驟中，陶瓷子核心可以通過(guò)子核心容納空間的第一主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口容納，并且固定到粘合劑。在這種狀態(tài)下執(zhí)行所述壓印步驟。在子核心容納空間為通孔的地方，這種制造方法使得可以在借助于薄片表面上的粘合劑固定陶瓷子核心的狀態(tài)下執(zhí)行壓印步驟。
根據(jù)本發(fā)明的布線板的第一制造方法可以進(jìn)一步包括作為在所述壓印步驟之后執(zhí)行的如下步驟最低介電層形成步驟，在充滿樹(shù)脂連續(xù)層上形成第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層；多層穿透通孔形成步驟，形成多層穿透通孔，其穿透最低樹(shù)脂絕緣層和充滿樹(shù)脂連續(xù)層，并從而在多層穿透通孔里面暴露陶瓷子核心的第一主表面上形成的導(dǎo)體焊盤(pán)；以及多層穿透轉(zhuǎn)接導(dǎo)體形成步驟，通過(guò)充滿在各個(gè)多層穿透通孔中形成多層穿透轉(zhuǎn)接導(dǎo)體。即使充滿樹(shù)脂連續(xù)層存在于陶瓷子核心和陶瓷子核心的第一主表面上形成的布線疊層之間，這種制造方法也通過(guò)形成多層穿透轉(zhuǎn)接導(dǎo)體使陶瓷子核心上的導(dǎo)體焊盤(pán)和布線疊層中的互連之間的傳導(dǎo)成為可能。
通過(guò)上述制造方法產(chǎn)生的根據(jù)本發(fā)明的布線板是這樣的布線板，所述布線板裝備有核心板，在所述核心板中，子核心容納空間，其為與由聚合材料制成的板狀核心體的主表面相聯(lián)系的通孔或在所述核心體的一個(gè)主表面中具有開(kāi)口的凹陷，形成在所述核心體中，并且由陶瓷制成的板狀陶瓷子核心容納在所述子核心容納空間中；以及布線疊層，其每個(gè)都通過(guò)所述核心板的主表面中的每一個(gè)上交替層疊的由聚合材料制成的介電層和導(dǎo)體層形成，其特征在于與填充所述核心體和所述陶瓷子核心之間的間隙的充滿樹(shù)脂部分相連續(xù)的充滿樹(shù)脂連續(xù)層，夾在所述陶瓷子核心和它的主表面上形成的所述布線疊層之間；以及穿透所述布線疊層的最低介電層和所述充滿樹(shù)脂連續(xù)層的多層穿透轉(zhuǎn)接導(dǎo)體，連接到所述陶瓷子核心的所述主表面上形成的導(dǎo)體焊盤(pán)。
根據(jù)這種根據(jù)本發(fā)明的布線板的制造方法，由于與充滿樹(shù)脂部分相連續(xù)的充滿樹(shù)脂連續(xù)層形成在陶瓷子核心和它的主表面上形成的布線疊層之間，所以陶瓷子核心的線性膨脹系數(shù)(在厚度方向上)和布線疊層(以及在其上安裝的IC芯片)的之間的差，能夠被充滿樹(shù)脂連續(xù)層的彈性變形所吸收。這防止了如陶瓷子核心周?chē)幕ミB的斷線那樣的麻煩。充滿樹(shù)脂連續(xù)層可以覆蓋核心板的整個(gè)主表面，這不僅提供了上述效果，而且還有助于布線板的平整。
充滿樹(shù)脂連續(xù)層可以由在線性膨脹系數(shù)方面小于介電層的材料制成。具體地，充滿樹(shù)脂連續(xù)層的線性膨脹系數(shù)可以處于陶瓷子核心和介電層的線性膨脹系數(shù)之間的中途。這允許在厚度方向上吸收線性膨脹系數(shù)之間的差異的上述效果被令人滿意地獲得。更加具體地，充滿樹(shù)脂連續(xù)層可以由這樣的材料制成，所述材料的室溫(例如25℃)到200℃的范圍內(nèi)的平均線性膨脹系數(shù)(在下文中被簡(jiǎn)稱作“線性膨脹系數(shù)”)小于或等于35ppm/℃(優(yōu)選地，小于或等于33ppm/℃，除了0之外)。如果充滿樹(shù)脂連續(xù)層的線性膨脹系數(shù)超過(guò)了這個(gè)上限，那么它就和布線疊層的處于相同的水平，所述布線疊層主要由聚合材料制成，并且因此可能不會(huì)令人滿意地獲得上述效果。為了獲得這樣的線性膨脹系數(shù)，充滿樹(shù)脂連續(xù)層可以由這樣的材料制成，所述材料在填料含量方面高于介電層。更加具體地，充滿樹(shù)脂連續(xù)層的填料含量可以設(shè)置在50到80wt％。
本發(fā)明提供了布線板的第二制造方法，所述布線板裝備有核心板，在所述核心板中，子核心容納空間，其為與板狀核心體的主表面相聯(lián)系的通孔或在所述核心體的第一主表面中具有開(kāi)口的凹陷，形成在所述核心體中，并且主要由陶瓷制成的板狀陶瓷子核心容納在所述子核心容納空間中；以及布線疊層，其每個(gè)都是通過(guò)所述核心板的主表面中的每一個(gè)上交替層疊的樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層形成，其特征在于包括按書(shū)寫(xiě)順序執(zhí)行的如下步驟通過(guò)所述子核心容納空間的所述第一主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口在所述子核心容納空間中容納所述陶瓷子核心的子核心容納步驟；以及膜形成和充滿步驟通過(guò)從所述第一主表面一側(cè)將樹(shù)脂材料粘貼到所述核心體和所述陶瓷子核心，形成所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層，并且通過(guò)將所述樹(shù)脂材料充滿到所述核心體和所述陶瓷子核心之間的間隙中，形成與所述最低樹(shù)脂絕緣層相連續(xù)的凹槽填充部分。
通過(guò)上述制造方法產(chǎn)生的根據(jù)本發(fā)明的布線板是這樣的布線板，所述布線板裝備有核心板，在所述核心板中，子核心容納空間，其為與板狀核心體的主表面相聯(lián)系的通孔或在所述核心體的第一主表面中具有開(kāi)口的凹陷，形成在所述核心體中，并且主要由陶瓷制成的板狀陶瓷子核心容納在所述子核心容納空間中；以及布線疊層，其每個(gè)都通過(guò)所述核心板的主表面中的每一個(gè)上交替層疊的樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層形成，其特征在于填充所述核心體和所述陶瓷子核心之間的間隙的凹槽填充部分與所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層相連續(xù)；以及在所述最低樹(shù)脂絕緣層中形成轉(zhuǎn)接導(dǎo)體，用于所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的所述單層的最低樹(shù)脂絕緣層下面的所述核心體或所述陶瓷子核心的所述第一主表面上形成的導(dǎo)體圖形和所述最低樹(shù)脂絕緣層上形成的導(dǎo)體層之間的傳導(dǎo)。
根據(jù)這種根據(jù)本發(fā)明的布線板的制造方法，第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層以及填充核心體和陶瓷子核心之間的間隙的凹槽填充部分被一起形成，以便成為連續(xù)的并且相互構(gòu)成整體。因此，上述充滿樹(shù)脂部分不是必須的。由于在陶瓷子核心上沒(méi)有重疊地形成具有不同特性的兩個(gè)層，所以能夠令人滿意地形成通孔。由于最低樹(shù)脂絕緣層和凹槽填充部分是一起形成的，所以核心板上形成的最低樹(shù)脂絕緣層給出了均勻的厚度分布。進(jìn)一步，由于省略了傳統(tǒng)過(guò)程中的注入填充樹(shù)脂的步驟，所以制造過(guò)程能夠被簡(jiǎn)化。更進(jìn)一步，由于產(chǎn)生的布線板的最低樹(shù)脂絕緣層和凹槽填充部分是連續(xù)的并且相互構(gòu)成整體，所以核心板和布線疊層之間的附著力增加。由于陶瓷子核心被凹槽填充部分包圍，所以核心體和陶瓷子核心之間的附著力增加。
本發(fā)明提供了布線板的第三制造方法，所述布線板裝備有核心板，在所述核心板中，子核心容納空間，其為與板狀核心體的主表面相聯(lián)系的通孔，形成在所述核心體中，并且主要由陶瓷制成的板狀陶瓷子核心容納在所述子核心容納空間中；以及布線疊層，其每個(gè)都是通過(guò)所述核心板的主表面中的每一個(gè)上交替層疊的樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層形成，其特征在于包括按書(shū)寫(xiě)順序執(zhí)行的如下步驟在所述子核心容納空間中容納所述陶瓷子核心的子核心容納步驟；以及膜形成和充滿步驟通過(guò)從所述兩個(gè)主表面?zhèn)葘?shù)脂材料順序地粘貼到所述核心體和所述陶瓷子核心，形成所述兩個(gè)各自主表面?zhèn)鹊乃霾季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層，并且通過(guò)將所述樹(shù)脂材料充滿到所述核心體和所述陶瓷子核心之間的間隙中，形成與所述兩個(gè)主表面?zhèn)鹊乃鲎畹蜆?shù)脂絕緣層相連續(xù)的凹槽填充部分。
通過(guò)上述制造方法產(chǎn)生的根據(jù)本發(fā)明的布線板是這樣的布線板，所述布線板裝備有核心板，在所述核心板中，子核心容納空間，其為與板狀核心體的主表面相聯(lián)系的通孔，形成在所述核心體中，并且主要由陶瓷制成的板狀陶瓷子核心容納在所述子核心容納空間中；以及布線疊層，其每個(gè)都通過(guò)所述核心板的主表面中的每一個(gè)上交替層疊的樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層形成，其特征在于填充所述核心體和所述陶瓷子核心之間的間隙的凹槽填充部分，與所述各個(gè)布線疊層的最低樹(shù)脂絕緣層相連續(xù)；以及在所述最低樹(shù)脂絕緣層中形成轉(zhuǎn)接導(dǎo)體，用于所述兩個(gè)主表面?zhèn)戎忻恳粋€(gè)的所述布線疊層的所述單層的最低樹(shù)脂絕緣層下面的所述核心體或所述陶瓷子核心的每個(gè)主表面上形成的導(dǎo)體圖形和所述最低樹(shù)脂絕緣層上形成的導(dǎo)體層之間的傳導(dǎo)。
根據(jù)這種根據(jù)本發(fā)明的布線板的制造方法，兩個(gè)主表面?zhèn)戎忻恳粋€(gè)的布線疊層的最低樹(shù)脂絕緣層以及填充核心體和陶瓷子核心之間的間隙的凹槽填充部分被形成以便成為連續(xù)的并且相互構(gòu)成整體。因此，上述充滿樹(shù)脂部分不是必須的。由于在陶瓷子核心上沒(méi)有重疊地形成具有不同特性的兩個(gè)層，所以能夠令人滿意地形成通孔。由于凹槽填充部分是和至少一個(gè)最低樹(shù)脂絕緣層一起形成的，所以核心板上形成的(一個(gè)或多個(gè))最低樹(shù)脂絕緣層給出了均勻的厚度分布。進(jìn)一步，由于省略了傳統(tǒng)過(guò)程中的注入填充樹(shù)脂的步驟，所以制造過(guò)程能夠被簡(jiǎn)化。更進(jìn)一步，由于產(chǎn)生的布線板的每個(gè)主表面?zhèn)鹊淖畹蜆?shù)脂絕緣層和凹槽填充部分是連續(xù)的并且相互構(gòu)成整體，所以核心板和布線疊層之間的附著力增加。由于陶瓷子核心被凹槽填充部分包圍，所以核心體和陶瓷子核心之間的附著力增加。
根據(jù)本發(fā)明的布線板的第二或第三制造方法可以進(jìn)一步包括在所述膜形成和充滿步驟之后執(zhí)行的下述步驟在所述最低樹(shù)脂絕緣層中形成轉(zhuǎn)接導(dǎo)體，用于所述/每個(gè)布線疊層的所述單層的最低樹(shù)脂絕緣層下面的所述核心體或所述陶瓷子核心的所述/每個(gè)主表面上形成的導(dǎo)體圖形和所述最低樹(shù)脂絕緣層上形成的導(dǎo)體層之間的傳導(dǎo)。
在根據(jù)本發(fā)明的布線板的第二或第三制造方法中，所述膜形成和充滿步驟可以包括以下步驟以這樣的方式，形成第一最低樹(shù)脂絕緣層作為所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的所述最低樹(shù)脂絕緣層，并且形成與所述第一最低樹(shù)脂絕緣層相連續(xù)的第一凹槽填充部分，所述方式為，在從所述子核心容納空間中的第二主表面?zhèn)戎翁沾勺雍诵牡臓顟B(tài)下，所述子核心容納空間為與所述核心體的所述主表面相聯(lián)系的所述通孔，通過(guò)從所述第一主表面?zhèn)葘?shù)脂膜壓力接合到所述核心體和所述陶瓷子核心，至少所述核心體和所述陶瓷子核心之間的所述間隙的第一主表面?zhèn)鹊牟糠直惶畛湟运龅谝话疾厶畛洳糠?；以及以這樣的方式，形成第二最低樹(shù)脂絕緣層作為所述第二主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的所述最低樹(shù)脂絕緣層，并且形成與所述第二最低樹(shù)脂絕緣層相連續(xù)的第二凹槽填充部分，所述方式為，在所述第一最低樹(shù)脂絕緣層和所述第一凹槽填充部分從所述第一主表面?zhèn)戎嗡鎏沾勺雍诵牡臓顟B(tài)下，通過(guò)從所述第二主表面?zhèn)葘?shù)脂膜壓力接合到所述核心體和所述陶瓷子核心，所述核心體和所述陶瓷子核心之間的所述間隙的未被填充以所述第一凹槽填充部分的剩余部分，被填充以所述第二凹槽填充部分。
根據(jù)本發(fā)明的這種制造方法，通過(guò)從第一主表面?zhèn)葔毫雍蠘?shù)脂膜，第一最低樹(shù)脂絕緣層和第一凹槽填充部分被一起形成，以便成為連續(xù)的并且相互構(gòu)成整體。然后，通過(guò)從第二主表面?zhèn)葔毫雍蠘?shù)脂膜，第二最低樹(shù)脂絕緣層和第二凹槽填充部分被一起形成，以便成為連續(xù)的并且相互構(gòu)成整體。第一凹槽填充部分和第二凹槽填充部分一起組合成上述凹槽填充部分。以上述方式壓力接合樹(shù)脂膜，使得可以以這樣的方式和第一或第二凹槽填充部分一起形成具有均勻厚度分布的第一或第二最低樹(shù)脂絕緣層它們是連續(xù)的并且相互構(gòu)成整體。進(jìn)而，將第一凹槽填充部分和第二凹槽填充部分一起組合成凹槽填充部分，能夠既增加第一又增加第二主表面?zhèn)鹊奶沾勺雍诵牡母街Α?br> 在根據(jù)本發(fā)明的布線板的第二或第三制造方法中，在所述膜形成和充滿步驟中，在第一最低樹(shù)脂絕緣膜和第一凹槽填充部分尚未充分固化(為半凝固)的狀態(tài)下，通過(guò)從第二主表面?zhèn)葔毫雍蠘?shù)脂膜，可以形成第二最低樹(shù)脂絕緣層和第二凹槽填充部分。
根據(jù)本發(fā)明的這種制造方法，由于第二最低樹(shù)脂絕緣層和第二凹槽填充部分可以在第一最低樹(shù)脂絕緣膜和第一凹槽填充部分尚未充分固化(為半凝固)的狀態(tài)下通過(guò)從第二主表面?zhèn)葔毫雍蠘?shù)脂膜而形成，所以第一凹槽填充部分和第二凹槽填充部分成為連續(xù)的并且相互構(gòu)成整體，并從而變成凹槽填充部分。因此，核心板和布線疊層之間的附著力進(jìn)一步增加。
在根據(jù)本發(fā)明的布線板的第二或第三制造方法中，制造方法可以進(jìn)一步包括作為在所述子核心容納步驟之前執(zhí)行的步驟的以下步驟用在一個(gè)表面上具有粘合劑的薄片，以粘合劑暴露在子核心容納空間里面的方式，封閉作為與核心體的主表面相聯(lián)系的通孔的子核心容納空間的第二主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口；并且在所述子核心容納步驟中，可以通過(guò)以下方式從第二主表面?zhèn)戎翁沾勺雍诵耐ㄟ^(guò)子核心容納空間的第一主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口容納陶瓷子核心，并且將陶瓷子核心固定到粘合劑。
根據(jù)本發(fā)明的這種制造方法，由于陶瓷子核心是通過(guò)將其固定到帶有粘合劑的薄片而容納在子核心容納空間中的，所以陶瓷子核心能夠在形成所述最低樹(shù)脂絕緣層和所述(第一)凹槽填充部分之前被容易地并且準(zhǔn)確地安置。
根據(jù)本發(fā)明的布線板的第二或第三制造方法可以進(jìn)一步包括作為在所述子核心容納步驟之前執(zhí)行的步驟的以下步驟僅在核心體的兩個(gè)主表面上形成的導(dǎo)體圖形之中的第一主表面?zhèn)鹊膶?dǎo)體圖形上執(zhí)行用于增加對(duì)樹(shù)脂材料的附著力的表面化學(xué)處理，以及以下步驟通過(guò)用薄片封閉子核心容納空間的第二主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口，用粘合劑覆蓋沒(méi)有經(jīng)受表面化學(xué)處理的第二主表面?zhèn)鹊膶?dǎo)體圖形，并且所述制造方法可以是這樣的在所述子核心容納步驟中，其中表面化學(xué)處理已僅在陶瓷子核心的兩個(gè)主表面上形成的導(dǎo)體圖形之中的第一主表面?zhèn)鹊膶?dǎo)體圖形上執(zhí)行過(guò)的陶瓷子核心容納在子核心容納空間中；并且在所述膜形成和充滿步驟中，通過(guò)從第一主表面?zhèn)葘?shù)脂膜壓力接合到核心體和陶瓷子核心而形成第一最低樹(shù)脂絕緣層和第一凹槽填充部分的步驟，將薄片剝離核心體和陶瓷子核心的第二主表面并且在核心體上形成的第二主表面?zhèn)鹊膶?dǎo)體圖形和陶瓷子核心上形成的第二主表面?zhèn)鹊膶?dǎo)體圖形上同時(shí)執(zhí)行表面化學(xué)處理的步驟，以及通過(guò)從第二主表面?zhèn)仍诤诵捏w和陶瓷子核心上壓力接合樹(shù)脂膜而形成第二最低樹(shù)脂絕緣層和第二凹槽填充部分的步驟，按照上述順序執(zhí)行。
在密封件通過(guò)使粘合劑接觸經(jīng)受了用于增加對(duì)樹(shù)脂材料的附著力的表面化學(xué)處理(例如粗糙處理)的核心板或陶瓷子核心上的導(dǎo)體圖形而被粘貼到核心體或陶瓷子核心的地方，密封件的粘貼可能造成下述情況在密封件被剝離之后，導(dǎo)體圖形喪失了表面化學(xué)處理的效果(例如，粗糙表面的凸凹不平被粘合劑撫平)。通過(guò)按照根據(jù)本發(fā)明的上述制造方法的順序在核心體和陶瓷子核心上的導(dǎo)體圖形上執(zhí)行表面化學(xué)處理，能夠避免這樣的情況。


圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的布線板的構(gòu)造的示意性截面圖；圖2顯示了布置在半導(dǎo)體集成電路器件(IC芯片)和主板(例如母板)之間的布線板；圖3顯示了布線板的第一主表面；圖4顯示了布線板的制造步驟；圖5顯示了圖4的制造步驟之后的制造步驟；圖6顯示了圖5的制造步驟之后的制造步驟；圖7顯示了圖6的制造步驟之后的制造步驟；圖8顯示了圖7的制造步驟之后的制造步驟；圖9(圖9A和9B)是陶瓷子核心(疊片陶瓷電容器)的水平截面圖；圖10顯示了陶瓷子核心(疊片陶瓷電容器)的制造過(guò)程；圖11是步驟5(子核心容納步驟)剛剛完成狀態(tài)下的板的頂視圖；圖12是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的布線板的構(gòu)造的示意性截面圖；圖13(圖13A和13B)是根據(jù)本發(fā)明的布線板的重要部分的放大圖；圖14(圖14A和14B)顯示了傳統(tǒng)布線板的制造過(guò)程；圖15顯示了布線板的另一個(gè)制造過(guò)程的制造步驟；圖16顯示了圖15的制造步驟之后的制造步驟；圖17顯示了圖16的制造步驟之后的制造步驟；圖18顯示了圖17的制造步驟之后的制造步驟；圖19顯示了圖18的制造步驟之后的制造步驟；
圖20顯示了第一實(shí)施例的修改，其中，在陶瓷子核心中沒(méi)有提供疊片陶瓷電容器；圖21顯示了第二實(shí)施例的修改，其中，僅在陶瓷子核心的第一主表面一側(cè)提供了疊片陶瓷電容器；圖22顯示了薄膜電容器部分的制造步驟；圖23顯示了圖22的制造步驟之后的制造步驟；圖24(圖24A和24B)是過(guò)程中的薄膜電容器部分的頂視圖。
符號(hào)說(shuō)明1A、1B、1C、1D布線板2核心體25子核心容納空間(通孔)25A第一主表面?zhèn)乳_(kāi)口25B第二主表面?zhèn)乳_(kāi)口3陶瓷子核心(疊片陶瓷電容器)31導(dǎo)體焊盤(pán)32穿透導(dǎo)體33陶瓷層36、37電極導(dǎo)體層4凹槽填充部分6、65轉(zhuǎn)接導(dǎo)體7焊料凸起(電源端7a、接地端7b、信號(hào)端7s)CB核心板CR核心部分L(L1、L2)布線疊層B樹(shù)脂絕緣層B0、B10第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層B11鄰近于最低樹(shù)脂絕緣層的樹(shù)脂絕緣層(相鄰樹(shù)脂絕緣層)M導(dǎo)體層M11核心體和陶瓷子核心的第一主表面上形成的導(dǎo)體圖形
M12最低樹(shù)脂絕緣層(或相鄰樹(shù)脂絕緣層)上形成的導(dǎo)體層C半導(dǎo)體集成電路器件(IC芯片)GB主板(例如母板)S粘合劑薄片101連接核心體的內(nèi)側(cè)表面的頂端和陶瓷子核心的外側(cè)表面的頂端的平面102位于核心體和陶瓷子核心之間的間隙之上的層表面103位于陶瓷子核心之上的層表面104位于核心體之上的層表面具體實(shí)施方式
[第一實(shí)施例]下面參考附圖來(lái)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的布線板。圖1是顯示根據(jù)第一實(shí)施例的布線板1A的構(gòu)造的示意性截面圖。在以下說(shuō)明中，關(guān)于板狀部件，附圖中顯示在上面的表面將被稱作第一主表面WP1、MP1，并且顯示在下面的表面將被稱作第二主表面WP2、MP2。布線板1A在核心板CB中的焊料凸起7下面具有陶瓷子核心(疊片陶瓷電容器)3?？s短半導(dǎo)體集成電路器件(IC芯片)C和陶瓷子核心3之間的互連的長(zhǎng)度的陶瓷子核心3的使用，有助于減少互連的電感部分，這在減少I(mǎi)C芯片C的開(kāi)關(guān)噪聲并且穩(wěn)定其操作供電電壓方面很重要。由于由陶瓷制成的并因此具有比由絕緣材料制成的核心體2具有更小的線性膨脹系數(shù)的陶瓷子核心3位于核心板CB中的焊料凸起7下面，所以布線板1A和IC芯片C的線性膨脹系數(shù)的差減少，并且因此布線板1A不易于由于熱應(yīng)力而線路斷開(kāi)或發(fā)生類似情況。隨后將進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
圖2顯示了布置在IC芯片C和主板(例如母板)GB之間的布線板1A。IC芯片C在第二主表面上具有信號(hào)端、電源端和接地端，并且倒裝芯片連接到形成在布線板1A的第一主表面WP1上的焊料凸起7(Pb-Sn、Sn-Ag、Sn-Sb或Sn-Zn焊料)。為了延長(zhǎng)焊料凸起7的熱疲勞壽命，IC芯片C和布線板1A的第一主表面WP1之間的間隔用未充滿材料(under fill material)填充，所述未充滿材料為熱固樹(shù)脂。另一方面，主板(例如母板)GB主要由通過(guò)填料加強(qiáng)的樹(shù)脂材料制成，所述填料為陶瓷微?；蚶w維，并且經(jīng)由布線板1A的第二主表面WP2上形成的焊球BL連接到終端焊盤(pán)56(見(jiàn)圖1)。
圖3顯示了布線板1A的第一主表面WP1。以點(diǎn)陣的形式(或者以交錯(cuò)的方式)布置焊料凸起7。在焊料凸起7之中，電源端7a和接地端7b以方格的形式布置在中心區(qū)域中，并且信號(hào)端7s圍繞它們布置。焊料凸起7對(duì)應(yīng)于IC芯片C的各個(gè)終端。
核心體2是耐熱樹(shù)脂板(例如雙馬來(lái)酰亞胺三嗪(bismaleimidetriazine)樹(shù)脂板)或纖維加強(qiáng)樹(shù)脂板(例如玻璃纖維加強(qiáng)環(huán)氧樹(shù)脂板)的板狀部件。布線圖形(內(nèi)層圖形)可以形成在核心體2里面，在所述情況下布線板1A甚至能夠在功能性方面增強(qiáng)。進(jìn)而，核心體2可以通過(guò)在核心上層疊薄絕緣層而形成。子核心容納空間(通孔)25形成在這樣的區(qū)域中，所述區(qū)域包括焊料凸起7下面的區(qū)域，以便與主表面MP1和MP2相聯(lián)系。板狀陶瓷子核心3容納在子核心容納空間25中。這樣一來(lái)就形成了核心板CB。
陶瓷子核心3是這樣的疊片陶瓷電容器，在所述疊片陶瓷電容器中，多個(gè)陶瓷層33和多個(gè)電極導(dǎo)體層36或37交替層疊。電極導(dǎo)體層36的集合和電極導(dǎo)體層37的集合中的一個(gè)是對(duì)應(yīng)于電源端7a的電源側(cè)電極導(dǎo)體層，而另一個(gè)則是對(duì)應(yīng)于接地端7b的接地側(cè)電極導(dǎo)體層。同樣地，電極導(dǎo)體層36和電極導(dǎo)體層37在層疊方向上交替布置，以便通過(guò)陶瓷層33相互隔開(kāi)，并因此在DC的意義上相互隔離。金屬化焊盤(pán)31連接到電源側(cè)電極導(dǎo)體層或接地側(cè)電極導(dǎo)體層，并且包圍金屬化焊盤(pán)31的屏障金屬化層39形成在陶瓷子核心3的主表面MP1和MP2的每一個(gè)中。
更加具體地，如圖9A的水平截面圖中顯示的那樣，在電極導(dǎo)體層36在水平平面上延伸的層中，電極導(dǎo)體層36與穿透導(dǎo)體32隔離，所述穿透導(dǎo)體32連接到以陶瓷層33夾在中間的方式緊接著位于電極導(dǎo)體層36之上和之下的電極導(dǎo)體層37，并且間隙用陶瓷層33的連接部分填充。另一方面，如圖9B所示，在電極導(dǎo)體層37在水平平面上延伸的層中，電極導(dǎo)體層37與穿透導(dǎo)體32隔離，所述穿透導(dǎo)體32連接到以陶瓷層33夾在中間的方式緊接著位于電極導(dǎo)體層37之上和之下的電極導(dǎo)體層36，并且間隙用陶瓷層33的連接部分填充。具有上述結(jié)構(gòu)，陶瓷子核心3起到疊片陶瓷電容器的作用。
通過(guò)如下面說(shuō)明的那樣同時(shí)燒制陶瓷材料和金屬材料，能夠產(chǎn)生上述疊片陶瓷電容器。如圖10所示，通過(guò)沖孔、激光孔形成或類似方法在包含陶瓷材料粉末(以成為陶瓷層33)的陶瓷基板中形成通孔。通過(guò)用印刷施加包含金屬材料粉末的金屬漿，通孔被填充(以形成穿透導(dǎo)體32的部分)，并且在陶瓷基板的一個(gè)主表面上形成將要成為電極導(dǎo)體層36或37或者金屬化焊盤(pán)31和屏障金屬化層39的圖形。如此獲得的陶瓷板單元3P被層疊在一起，并且燒制作為結(jié)果的層疊體，由此獲得疊片陶瓷電容器。最終通過(guò)穿透導(dǎo)體32在層疊方向上互連的電極導(dǎo)體層36或37，在通過(guò)用印刷施加金屬漿來(lái)形成它們的圖形期間，被分開(kāi)地形成。
陶瓷層33的陶瓷材料的例子為氧化鋁、氮化硅、氮化鋁以及通過(guò)添加諸如硼硅玻璃或硼硅鉛玻璃之類的無(wú)機(jī)填料40到60重量份產(chǎn)生的玻璃陶瓷。金屬化焊盤(pán)31、穿透導(dǎo)體32、電極導(dǎo)體層36和37以及屏障金屬化層39的金屬材料的例子為Ni或Ag基金屬。金屬化焊盤(pán)31和屏障金屬化層39的表面鍍有銅。
陶瓷子核心3是12.0mm×12.0mm×0.8mm(厚度)的方平板。優(yōu)選地，陶瓷子核心3的厚度為0.2mm到1.0mm。如果厚度小于0.2mm，則當(dāng)在頂部焊料凸起7上安裝IC芯片C時(shí)，陶瓷子核心3不能可靠地支撐它。另一方面，如果厚度大于1.0mm，則布線板1A會(huì)太厚。陶瓷子核心3被沿著4個(gè)垂直邊斜切。
返回到圖1，陶瓷子核心3和核心體2之間的間隙，其為子核心容納空間25的部分，用由樹(shù)脂材料制成的凹槽填充部分4填充。凹槽填充部分4和形成在第一主表面MP1一側(cè)的布線疊層L1的最低樹(shù)脂絕緣層B0連續(xù)并構(gòu)成整體。同樣地，凹槽填充部分4用來(lái)將陶瓷子核心3固定到核心體2，并且通過(guò)它自己的彈性變形吸收陶瓷子核心3和核心體2的水平方向和厚度方向上的線性膨脹系數(shù)之間的差異。與最低樹(shù)脂絕緣層B0連續(xù)并且構(gòu)成整體，凹槽填充部分4在對(duì)于核心板CB和布線疊層L1的附著力方面很高。
在核心板CB的主表面MP1上提供的布線疊層L1，具有由樹(shù)脂絕緣層B0和B11-B14以及導(dǎo)體層M11-M14組成的層疊結(jié)構(gòu)。在核心板CB的主表面MP2上提供的布線疊層L2，具有由樹(shù)脂絕緣層B21-B24和導(dǎo)體層M21-M24組成的層疊結(jié)構(gòu)。
在核心板CB的第一主表面MP1上形成和凹槽填充部分4連續(xù)并且構(gòu)成整體的最低樹(shù)脂絕緣層B0。最低樹(shù)脂絕緣層B0由與凹槽填充部分4相同的樹(shù)脂材料制成。用最低樹(shù)脂絕緣層B0覆蓋核心板CB，使得可以通過(guò)最低樹(shù)脂絕緣層B0的彈性變形來(lái)吸收陶瓷子核心3和布線疊層L1上安裝的IC芯片C的(厚度方向上的)線性膨脹系數(shù)之間的差異。這防止了如陶瓷子核心3周?chē)幕ミB的斷開(kāi)那樣的麻煩。凹槽填充部分4和最低樹(shù)脂絕緣層B0可以由這樣的樹(shù)脂制成，所述樹(shù)脂通過(guò)向環(huán)氧樹(shù)脂或如胺那樣的樹(shù)脂添加酸酐而產(chǎn)生。
樹(shù)脂絕緣層B11-B14和B21-B24基本上由諸如環(huán)氧樹(shù)脂之類的樹(shù)脂材料制成，并且包含適當(dāng)量的諸如硅石粉之類的無(wú)機(jī)填料，用于介電常數(shù)或介電擊穿電壓的調(diào)節(jié)。在樹(shù)脂絕緣層B11-B14和B21-B24之中，樹(shù)脂絕緣層B11-B13和B21-B23被稱作內(nèi)建層或經(jīng)由層，并且用作導(dǎo)體層M11-M13或M21-M23之間的絕緣。通過(guò)樹(shù)脂絕緣層B11-B14和B21-B24形成用于層間連接的轉(zhuǎn)接導(dǎo)體6和多層穿透轉(zhuǎn)接導(dǎo)體65。另一方面，樹(shù)脂絕緣層B14和B24為阻焊層，并且形成有用于暴露焊盤(pán)55或56的孔。
盡管凹槽填充部分4和最低樹(shù)脂絕緣層B0基本上由與樹(shù)脂絕緣層B11-B14和B21-B24相同的環(huán)氧樹(shù)脂制成，但是它們的線性膨脹系數(shù)通過(guò)改變無(wú)機(jī)填料的含量來(lái)調(diào)節(jié)。亦即，與樹(shù)脂絕緣層B11-B14和B21-B24相比，凹槽填充部分4和最低樹(shù)脂絕緣層B0在填料含量方面較高，并因此具有較小的線性膨脹系數(shù)。
更加具體地，盡管陶瓷子核心3和樹(shù)脂絕緣層B11-B14與B21-B24的線性膨脹系數(shù)分別為3到13ppm/℃和40到50ppm/℃，但是最低樹(shù)脂絕緣層B0的線性膨脹系數(shù)小于或等于32ppm/℃(除了0之外)。(特別地，在打算在線性膨脹系數(shù)方面用陶瓷子核心3匹配最低樹(shù)脂絕緣層B0的情況下，優(yōu)選地最低樹(shù)脂絕緣層B0的線性膨脹系數(shù)小于或等于25ppm/℃。)為了獲得這樣的線性膨脹系數(shù)，最低樹(shù)脂絕緣層B0的填料含量可以設(shè)置在53到80wt％。(特別地，在打算在線性膨脹系數(shù)方面用陶瓷子核心3匹配最低樹(shù)脂絕緣層B0的情況下，優(yōu)選地最低樹(shù)脂絕緣層B0的填料含量高于或等于70wt％。)核心體2和陶瓷子核心3很少在高度方面完全相同。通常，任一個(gè)高，如圖13A和13B所示，并且因此連接核心體2的內(nèi)側(cè)表面的頂端25A(亦即第一主表面MP1一側(cè)的開(kāi)口)和陶瓷子核心3的外側(cè)表面的頂端35A的平面101，從核心體2的第一主表面MP1傾斜。另一方面，由于最低樹(shù)脂絕緣層B0是通過(guò)用樹(shù)脂漿印刷形成的(稍后詳細(xì)說(shuō)明)，所以最低樹(shù)脂絕緣層B0被平整，以致它的位于核心體2和陶瓷子核心3之間的間隙之上的表面102從核心體2的第一主表面MP1的傾斜度被做得接近于零。由于最低樹(shù)脂絕緣層B0被如此平整，所以上覆的樹(shù)脂絕緣層B11-B14同樣能夠被平整。同樣地，分別位于陶瓷子核心3和核心體2之上的最低樹(shù)脂絕緣層B0的那些表面103和104同樣被做得基本上平行于核心體2的第一主表面MP1(亦即，表面103和104的傾斜度被做得接近于零)。
能夠關(guān)于核心體2的第一主表面MP1定義傾斜度。亦即，位于核心體2和陶瓷子核心3之間的間隙之上的表面102、位于陶瓷子核心3之上的表面103以及位于核心體2之上的表面104的傾斜度，被定義為通過(guò)作為表面102-104出現(xiàn)在平行于布線板1A的厚度方向截取的橫截面中的直線和作為核心體2的第一主表面MP1出現(xiàn)在相同的橫截面中的直線形成的角度。同樣地，連接核心體2的內(nèi)側(cè)表面的頂端25A和陶瓷子核心3的外側(cè)表面的頂端35A的平面101的傾斜度，被定義為通過(guò)作為平面101出現(xiàn)在平行于布線板1A的厚度方向截取的橫截面中的直線和作為核心體2的第一主表面MP1出現(xiàn)在相同的橫截面中的直線形成的角度。
平面是通過(guò)經(jīng)過(guò)點(diǎn)和法向矢量(亦即垂直于平面的矢量)定義的。因此，通過(guò)確定規(guī)定的基準(zhǔn)位置，位于核心體2和陶瓷子核心3之間的間隙之上的表面102、位于陶瓷子核心3之上的表面103、位于核心體2之上的表面104以及連接核心體2的內(nèi)側(cè)表面的頂端25A和陶瓷子核心3的外側(cè)表面的頂端35A的平面101的平面(從核心體2的第一主表面MP1的)傾斜度，被分別定義為通過(guò)表面102-104與平面101的法向矢量和核心體2的第一主表面MP1的法向矢量形成的角度。
導(dǎo)體層M11-M14和M21-M24由鍍Cu形成的互連51和53、焊盤(pán)55和56等等組成。轉(zhuǎn)接導(dǎo)體6和65用作導(dǎo)體層M11-M14和M21-M24之間的層間連接，由此形成從焊盤(pán)55到焊盤(pán)56的傳導(dǎo)路徑(用于信號(hào)傳輸、電力供應(yīng)和接地)。焊盤(pán)55和56被提供用于形成焊料凸起7或焊球BL，并且它們的表面是鍍Ni-Au的。
特別地，轉(zhuǎn)接導(dǎo)體65為多層穿透轉(zhuǎn)接導(dǎo)體，其穿透兩個(gè)層，亦即最低樹(shù)脂絕緣層B0和相鄰樹(shù)脂絕緣層B11。同樣地，轉(zhuǎn)接導(dǎo)體65將陶瓷子核心3的第一主表面MP1上形成的導(dǎo)體焊盤(pán)31(導(dǎo)體層M11)連接到相鄰樹(shù)脂絕緣層B11上形成的導(dǎo)體層M12。
通過(guò)核心板CB的核心體2以及樹(shù)脂絕緣層B0、B11和B21形成通孔，并且在通孔的內(nèi)表面上形成用于布線疊層L1和L2之間的傳導(dǎo)的通孔導(dǎo)體21。通孔導(dǎo)體21對(duì)應(yīng)于各個(gè)信號(hào)端7s。通孔導(dǎo)體21的內(nèi)部空間被填充以樹(shù)脂孔填充材料23，其為包含諸如硅石填料之類的無(wú)機(jī)填料的環(huán)氧樹(shù)脂，并且在每個(gè)通孔導(dǎo)體21的兩個(gè)末端處提供鍍Cu形成的蓋導(dǎo)體52。從導(dǎo)體層M12延伸到導(dǎo)體層M22并且具有作為主要部分的核心基片CB的布線板1A的那個(gè)部分被稱作“核心部分CR”。
下一步，將參考

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的布線板的制造方法。圖4-8顯示了布線板1A的制造方法。
在步驟1，在核心體2的兩個(gè)主表面MP1和MP2上形成導(dǎo)體圖形54(導(dǎo)體層M11和M21)。為此目的，使用覆銅箔疊層，其中，35μm厚的銅箔被粘貼到400mm×400mm×0.8mm(厚度)的耐熱樹(shù)脂板(例如雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂板)或纖維加強(qiáng)樹(shù)脂板(例如玻璃纖維加強(qiáng)環(huán)氧樹(shù)脂板)的兩個(gè)主表面。使用掩模將銅箔蝕刻成導(dǎo)體圖形54。
在步驟2，通過(guò)刳刨機(jī)形成與主表面MP1和MP2相聯(lián)系的作為子核心容納空間25的通孔。作為子核心容納空間25的通孔是具有其每個(gè)邊都為14.0mm的基本上方形截面的孔。子核心容納空間(通孔)25的壁沿著4個(gè)壁連接線形成有圓角。通過(guò)使用高錳酸鉀或類似物使子核心容納空間25的側(cè)面經(jīng)受粗糙處理，能夠增加對(duì)稍后充滿的凹槽填充部分4的附著力。進(jìn)而，可以向側(cè)面施加有機(jī)化合物(偶聯(lián)劑)。
在步驟3(粗糙步驟)，僅在核心體2的兩個(gè)主表面MP1和MP2上形成的導(dǎo)體圖形54之中的第一主表面MP1上形成的導(dǎo)體圖形54上，執(zhí)行用于增加對(duì)樹(shù)脂材料的附著力的表面化學(xué)處理。這種表面化學(xué)處理的例子是用于使銅表面粗糙的Cu粗糙處理(例如已知的微蝕刻處理或黑化處理)。粗糙化銅表面通過(guò)粘固效應(yīng)增加了對(duì)于布線疊層L1的最低樹(shù)脂絕緣層B0的附著力。為了充分地獲得這種效果，優(yōu)選地執(zhí)行Cu粗糙處理，以便JIS-B-0601 10點(diǎn)平均粗糙度(Rz)變?yōu)榇蠹s0.3到20μm。在Cu粗糙處理之后執(zhí)行清潔處理。如果必要的話，可以通過(guò)使用硅烷偶聯(lián)劑來(lái)執(zhí)行偶聯(lián)處理。
表面化學(xué)處理的另一個(gè)例子是在銅表面上形成包括Cu和Sn的合金的非常薄的粘附層的處理。這種處理能夠獲得足夠的對(duì)于布線疊層L1的最低樹(shù)脂絕緣層B0的附著力，而不需要使銅表面粗糙。更加具體地，粘附層包括Cu、Sn以及第三金屬(從Ag、Zn、A1、Ti、Bi、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Au和Pt中選擇的至少一種金屬)的合金。例如，粘附層包括大約1到50at.％的Cu、大約20到98at.％的Sn以及大約1到50at.％的第三金屬。為了獲得充分的粘附效果，優(yōu)選地粘附層的厚度為0.001到1μm。
在步驟4(封閉步驟)，通過(guò)在一個(gè)表面上具有粘合劑ad的粘合片S，以粘合劑ad暴露于子核心容納空間25的里面的方式，封閉子核心容納空間25的第二主表面MP2側(cè)的開(kāi)口25B。優(yōu)選地粘合片S的粘合劑ad具有高于或等于8.0N/25mm的粘合強(qiáng)度(通過(guò)180°剝離方法(JIS Z 0237)測(cè)量)。單位“N/25mm”是指通過(guò)25mm寬的粘合片樣品上的測(cè)量獲得的力。粘合片S(基底)可以是聚酯、聚酰亞胺、PET或類似物的樹(shù)脂片。例如，在粘合片S的一個(gè)表面上提供的粘合劑ad可以是有機(jī)硅粘合劑、丙烯酸粘合劑、熱塑橡膠粘合劑或類似物。
在步驟5(子核心容納步驟)，陶瓷子核心3通過(guò)子核心容納空間25的第一主表面MP1側(cè)的開(kāi)口25A被插入到它里面，并且被固定到粘合劑ad。結(jié)果，陶瓷子核心3被從第二主表面MP2側(cè)支撐。陶瓷子核心3能夠通過(guò)使用安裝設(shè)備而被準(zhǔn)確地容納。
在這個(gè)步驟容納的陶瓷子核心3是這樣的只有它的第一主表面MP1上提供的金屬化焊盤(pán)31和導(dǎo)體圖形39已事先經(jīng)受了Cu粗糙處理。如圖5所示，粘合片S的粘合劑ad粘附到了核心體2的第二主表面MP2上提供的導(dǎo)體圖形54以及陶瓷子核心3的第二主表面MP2上提供的金屬化焊盤(pán)31和導(dǎo)體圖形39。然而，由于這些焊盤(pán)和圖形并未經(jīng)受Cu粗糙處理，所以沒(méi)有發(fā)生粘合劑ad被埋入粗糙表面的凸凹不平中的現(xiàn)象。
如圖11(頂視圖)所示，在多產(chǎn)品制造板R上執(zhí)行布線板1A的制造過(guò)程，所述多產(chǎn)品制造板R由以下組成產(chǎn)品區(qū)PR，在所述產(chǎn)品區(qū)PR中布置要成為布線板1A的多個(gè)產(chǎn)品部分；以及邊緣區(qū)DR，其包圍產(chǎn)品區(qū)PR。圖11顯示完成步驟5之后的狀態(tài)，亦即陶瓷子核心3已剛剛?cè)菁{在子核心容納空間25中的狀態(tài)。在核心體2和陶瓷子核心3之間形成間隙。在下一個(gè)步驟中，在形成最低樹(shù)脂絕緣層B0期間將會(huì)用樹(shù)脂材料填充間隙，并從而形成凹槽填充部分4。子核心容納空間25和陶瓷子核心3具有方形形狀。為了避免在間隙中形成凹槽填充部分4時(shí)在其中產(chǎn)生裂縫的現(xiàn)象，子核心容納空間25的壁沿著壁連接線形成有圓角，并且陶瓷子核心3的相應(yīng)邊緣被斜切。
在步驟6(印刷步驟)，通過(guò)使用橡膠滾軸SK從陶瓷子核心3和核心體2的第一主表面MP1一側(cè)壓印樹(shù)脂漿4P，將樹(shù)脂漿4P充滿到陶瓷子核心3和核心體2之間的間隙中(形成充滿樹(shù)脂部分)。使用橡膠滾軸SK的壓印使得樹(shù)脂漿4P充滿到陶瓷子核心3和核心體2之間的間隙中而不形成空隙。在這個(gè)壓印中，樹(shù)脂漿4P直接在陶瓷子核心3和核心體2的第一主表面MP1上印刷而不介入任何掩模。因此，在用樹(shù)脂漿4P填充陶瓷子核心3和核心體2之間的間隙的同時(shí)，陶瓷子核心3和核心體2的第一主表面MP1整個(gè)地被與充滿樹(shù)脂部分連續(xù)并且構(gòu)成整體的層所覆蓋(亦即，形成要成為最低樹(shù)脂絕緣層B0的層)。樹(shù)脂漿4P的如此形成的充滿部分和覆蓋層通過(guò)加熱和干燥而被凝固(固化)，由此形成凹槽填充部分4和最低樹(shù)脂絕緣層B0。
參考圖11，在步驟6，樹(shù)脂漿4P沉積在邊緣區(qū)DR的位于陶瓷子核心3一側(cè)的部分上，并且通過(guò)橡膠滾軸SK(見(jiàn)圖6)朝向邊緣區(qū)DR的位于陶瓷子核心3另一側(cè)的另一個(gè)部分移動(dòng)，由此將樹(shù)脂漿4P充滿到陶瓷子核心3和核心體2之間的間隙中，并且形成整個(gè)地覆蓋陶瓷子核心3和核心體2的第一主表面MP1的層。
例如，樹(shù)脂漿4P的粘度在室溫(例如25℃)到120℃的溫度范圍內(nèi)設(shè)置在大約6(優(yōu)選地為30)到57Pa·s。為了獲得這樣的粘度，樹(shù)脂漿4P的填料含量可以設(shè)置在53(優(yōu)選地為70)到80wt％。樹(shù)脂漿4P可以是通過(guò)向環(huán)氧樹(shù)脂或如胺那樣的樹(shù)脂添加酸酐而產(chǎn)生的樹(shù)脂。
在通過(guò)利用加熱和干燥樹(shù)脂漿4P使其凝固(固化)而形成凹槽填充部分4和最低樹(shù)脂絕緣層B0之后，通過(guò)使用高錳酸鉀或類似物執(zhí)行粗糙處理，能夠增加對(duì)于稍后形成的樹(shù)脂絕緣層B11和B21的附著力。
在步驟7以及隨后的步驟中，通過(guò)以下方式形成布線疊層L1和L2在陶瓷子核心3容納在其中的核心板CB的第一主表面MP1(更加具體地即最低樹(shù)脂絕緣層B0)上，交替層疊導(dǎo)體層M12-M14和樹(shù)脂絕緣層B11-B14；以及在核心板CB的第二主表面MP2上，交替層疊導(dǎo)體層M22-M24和樹(shù)脂絕緣層B21-B24。這能夠通過(guò)已知的內(nèi)建過(guò)程(半疊加(semi-additive)方法、光刻技術(shù)等等的組合)進(jìn)行。
在步驟7，分別在陶瓷子核心3容納在其中的核心板CB的第一主表面MP1(更具體地即最低樹(shù)脂絕緣層B0)和第二主表面MP2上，層疊樹(shù)脂絕緣層B11和B21。
在步驟8，在第一主表面MP1一側(cè)，通過(guò)諸如激光穿孔過(guò)程或光刻穿孔過(guò)程之類的技術(shù)形成多層穿透通孔65a以便穿透最低樹(shù)脂絕緣層B0和相鄰樹(shù)脂絕緣層B11。在第二主表面MP2一側(cè)，在樹(shù)脂絕緣層B21中形成通孔6a。結(jié)果，導(dǎo)體焊盤(pán)31部分地暴露在通孔6a和多層穿透通孔65a的底部。在形成通孔6a和多層穿透通孔65a之后，通過(guò)使用高錳酸鉀或類似物的去污處理(亦即用于去除樹(shù)脂殘留物的處理)清潔導(dǎo)體焊盤(pán)31的表面。
在步驟9，用鉆孔機(jī)或類似物形成通孔TH，以便在厚度方向上穿透核心板CB以及核心板CB的主表面MP1和MP2上形成的導(dǎo)體層M11與M21和樹(shù)脂絕緣層B0、B11與B21。在步驟10，在整個(gè)表面上執(zhí)行Cu鍍(在無(wú)電Cu鍍之后執(zhí)行Cu電鍍)，由此分別在通孔6a和多層穿透通孔65a中形成轉(zhuǎn)接導(dǎo)體6和多層穿透轉(zhuǎn)接導(dǎo)體65，并且在通孔TH的內(nèi)表面上形成通孔導(dǎo)體21。
在步驟11，將樹(shù)脂孔填充材料23充滿到由通孔導(dǎo)體21包圍的空間中，然后在整個(gè)表面上執(zhí)行Cu鍍以形成蓋導(dǎo)體52。在步驟12，覆蓋樹(shù)脂絕緣層B11和B21的鍍Cu層被蝕刻成互連51等的圖形。這樣一來(lái)就獲得了核心部分CR。然后，以與上述相同的方式，交替層疊樹(shù)脂絕緣層B12-B14和導(dǎo)體層M13與M14，并且交替層疊樹(shù)脂絕緣層B22-B24和導(dǎo)體層M23與M24。通過(guò)諸如激光穿孔過(guò)程或光刻穿孔過(guò)程之類的技術(shù)在樹(shù)脂絕緣層B14和B24中形成孔，由此焊盤(pán)55和56被部分地暴露。在焊盤(pán)55和56的表面上執(zhí)行Ni-Au鍍，并且在焊盤(pán)55上形成焊料凸起7。隨后，執(zhí)行諸如電氣測(cè)試和外觀測(cè)試之類的規(guī)定測(cè)試，由此完成圖1的布線板1A。
參考附圖來(lái)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的布線板。圖12是顯示根據(jù)第二實(shí)施例的布線板1B的構(gòu)造的示意性截面圖。以下說(shuō)明將主要針對(duì)指出和根據(jù)第一實(shí)施例的布線板1A相比的不同，并且這樣的組成部分，所述組成部分具有第一實(shí)施例中的相同或相應(yīng)組成部分，將被給予與后者相同的參考符號(hào)而且不再說(shuō)明。
根據(jù)第二實(shí)施例的布線板1B不具有根據(jù)第一實(shí)施例的布線板1A的相鄰樹(shù)脂絕緣層B11。亦即，在第一主表面MP1側(cè)的布線板L1中，轉(zhuǎn)接導(dǎo)體6僅穿透最低樹(shù)脂絕緣層B10，并且將陶瓷子核心3的第一主表面MP1上形成的導(dǎo)體焊盤(pán)31(傳導(dǎo)層M11)連接到最低樹(shù)脂絕緣層B10上形成的傳導(dǎo)層M12。
為了制造布線板1B，在步驟7(見(jiàn)圖7)，只有樹(shù)脂絕緣層B21層疊在核心板CB的第二主表面MP2上。
進(jìn)而，為了制造布線板1B，上述步驟6和隨后的步驟被改變成將在下面說(shuō)明的步驟6’-14’。
步驟6’-8’是膜形成和充滿步驟。首先，在步驟6’，如圖15所示，在陶瓷子核心3在子核心容納空間25中從第二主表面MP2側(cè)由粘合片S支撐的狀態(tài)下，從第一主表面MP1側(cè)將樹(shù)脂膜91壓力接合到核心體2和陶瓷子核心3。結(jié)果，形成第一主表面MP1側(cè)的布線疊層L1的最低樹(shù)脂絕緣層B10，并且形成第一凹槽填充部分41，其填充核心體2和陶瓷子核心3之間的間隙的第一主表面MP1側(cè)的部分，并且與最低樹(shù)脂絕緣層B10相連續(xù)。
樹(shù)脂膜91，其為具有脫模片92的樹(shù)脂膜9的部分，通過(guò)根據(jù)真空層疊方法操作的層壓機(jī)，在低壓氣氛中被壓力接合到核心體2和陶瓷子核心3的第一主表面MP1。通過(guò)層壓機(jī)的加熱/擠壓輥執(zhí)行壓力接合。結(jié)果，部分的樹(shù)脂膜91被充滿到核心體2和陶瓷子核心3之間的間隙的第一主表面MP1側(cè)的部分(例如近似一半部分)中，并且成為第一凹槽填充部分41。第一凹槽填充部分41未形成在其中的剩余的第二主表面MP2側(cè)的部分4S，將在稍后的步驟填充。根據(jù)這種方法，正在充滿的第一凹槽填充部分41停止在間隙中的一半，并且因此沒(méi)有進(jìn)入第二主表面MP2一側(cè)。
具有脫模片92的樹(shù)脂膜9的樹(shù)脂膜91為大約100μm厚，并且比將要在層疊其他樹(shù)脂絕緣層B12、B13、B22和B23期間使用的樹(shù)脂膜厚，因?yàn)橛斜匾纬傻谝话疾厶畛洳糠?1。更加具體地，樹(shù)脂膜91比尚未凝固的樹(shù)脂絕緣層B10厚大約1.5到2倍，比最終形式的樹(shù)脂絕緣層B10厚大約3到4倍，并且比陶瓷子核心3厚大約10％到20％。
在步驟7’，如圖16所示，粘附到核心體2和陶瓷子核心3的第二主表面MP2的粘合片S被剝離。在粘合片S已被剝離之后，用諸如醇溶劑(IPA)之類的有機(jī)溶劑去除粘合劑ad的殘留物。然后，為了增加對(duì)于稍后形成的樹(shù)脂絕緣層B21的附著力，在核心體2的第二主表面MP2上形成的導(dǎo)體圖形54以及陶瓷子核心3的第二主表面MP2上形成的導(dǎo)體圖形(金屬化焊盤(pán)31和屏障金屬化層39)上，執(zhí)行Cu粗糙處理。
在步驟8’，如圖17所示，在陶瓷子核心3從第一主表面MP1側(cè)由樹(shù)脂絕緣層B10和第一凹槽填充部分41支撐的狀態(tài)下，從第二主表面MP2側(cè)將樹(shù)脂膜91壓力接合到核心體2和陶瓷子核心3。結(jié)果，形成第二主表面MP2側(cè)的布線疊層L2的最低樹(shù)脂絕緣層B21，并且形成第二凹槽填充部分42，其與最低樹(shù)脂絕緣層B21相連續(xù)，并且填充核心體2和陶瓷子核心3之間的間隙的剩余部分4S(亦即未被第一凹槽填充部分41填充的部分)。
以如進(jìn)行第一主表面MP1側(cè)的樹(shù)脂膜91那樣的相同的方式壓力接合第二主表面MP2側(cè)的樹(shù)脂膜91。亦即，樹(shù)脂膜91，其為具有脫模片92的樹(shù)脂膜9的部分，通過(guò)根據(jù)真空層疊方法操作的層壓機(jī)，在低壓氣氛中被壓力接合。在第一主表面MP1側(cè)的樹(shù)脂絕緣層B10和第一凹槽填充部分41尚未充分固化(為半凝固)的狀態(tài)下壓力接合樹(shù)脂膜91。使用這種測(cè)量，在步驟9’，如圖18所示，當(dāng)完全凝固時(shí)，第一凹槽填充部分41和第二凹槽填充部分42相互構(gòu)成整體成為凹槽填充部分4，其完全填充核心體2和陶瓷子核心3之間的間隙。對(duì)應(yīng)于步驟9’的圖18的頂部顯示了從樹(shù)脂膜91去除脫模片92之前的狀態(tài)。
在步驟10’以及隨后的步驟中，通過(guò)以下方式形成布線疊層L1和L2在樹(shù)脂絕緣層B10上交替層疊導(dǎo)體層M12-M14和樹(shù)脂絕緣層B12-B14，并且在樹(shù)脂絕緣層B21上交替層疊導(dǎo)體層M22-M24和樹(shù)脂絕緣層B22-B24。這能夠通過(guò)已知的內(nèi)建過(guò)程(半疊加方法、光刻技術(shù)等等的組合)進(jìn)行。
在步驟10’，通過(guò)諸如激光穿孔過(guò)程或光刻穿孔過(guò)程之類的技術(shù)在最低樹(shù)脂絕緣層B10和B21中形成通孔6a。結(jié)果，金屬化焊盤(pán)31部分地暴露在通孔6a的底部。在形成通孔6a之后，通過(guò)使用高錳酸鉀或類似物的去污處理(亦即用于去除樹(shù)脂殘留物的處理)清潔金屬化焊盤(pán)31的表面。能夠令人滿意地執(zhí)行通孔6a的形成和去污處理，因?yàn)橹挥幸粋€(gè)層(亦即樹(shù)脂絕緣層B10或B21)形成在金屬化焊盤(pán)31上，亦即，在金屬化焊盤(pán)31上沒(méi)有形成具有不同特性的多個(gè)樹(shù)脂絕緣層。
在步驟11’，用鉆孔機(jī)或類似物形成通孔TH，以便在厚度方向上穿透核心板CB以及核心板CB的主表面MP1和MP2上形成的導(dǎo)體層M11與M21和樹(shù)脂絕緣層B10與B21。在步驟12’，在整個(gè)表面上執(zhí)行Cu鍍(在無(wú)電Cu鍍之后執(zhí)行Cu電鍍)，由此在通孔6a中形成轉(zhuǎn)接導(dǎo)體6，并且在通孔TH的內(nèi)表面中形成通孔導(dǎo)體21。在步驟13’，將樹(shù)脂孔填充材料23充滿到由通孔導(dǎo)體21包圍的空間中，然后在整個(gè)表面上執(zhí)行Cu鍍以形成蓋導(dǎo)體52。在步驟14’，覆蓋樹(shù)脂絕緣層B10和B21的鍍Cu層被蝕刻成互連51等的圖案。
這樣一來(lái)就獲得了核心部分CR。然后，以與上述相同的方式，交替層疊樹(shù)脂絕緣層B12-B14和導(dǎo)體層M13與M14，并且交替層疊樹(shù)脂絕緣層B22-B24和導(dǎo)體層M23與M24。通過(guò)諸如激光穿孔過(guò)程或光刻穿孔過(guò)程之類的技術(shù)在樹(shù)脂絕緣層B14和B24中形成孔，由此焊盤(pán)55和56被部分地暴露。在焊盤(pán)55和56的表面上執(zhí)行Ni-Au鍍，并且在焊盤(pán)55上形成焊料凸起7。隨后，執(zhí)行諸如電氣測(cè)試和外觀測(cè)試之類的規(guī)定測(cè)試，由此完成圖12的布線板1B。
上述第一實(shí)施例(圖1)和第二實(shí)施例(圖12)針對(duì)整個(gè)陶瓷子核心3是疊片陶瓷電容器的情況，本發(fā)明并不限于這樣的情況。例如，布線板可以是這樣的在陶瓷子核心3中沒(méi)有提供疊片陶瓷電容器(見(jiàn)圖20中顯示的布線板1C)或者是這樣的疊片陶瓷電容器被提供以便只占用陶瓷子核心3的第一主表面MP1側(cè)的部分(見(jiàn)圖21中顯示的布線板1D)。陶瓷子核心3可以是這樣的陶瓷電容器，在所述陶瓷電容器中，在基片(不限于陶瓷基片)上形成陶瓷材料的薄膜。
例如，通過(guò)圖22-24中顯示的過(guò)程能夠制造圖21中顯示的薄膜電容器部分3c。在陶瓷基底34上形成薄膜電容器部分3c。如上所述，通過(guò)以下方式產(chǎn)生陶瓷基底34層疊并燒制包含陶瓷材料粉末的已知陶瓷基板，其中，在通過(guò)沖孔、激光孔形成或類似方法形成的通孔中充滿金屬粉末漿。
首先，在步驟C1，在陶瓷基底34的一個(gè)主表面上形成金屬薄膜367。在步驟C2，包圍電源或接地穿透導(dǎo)體32的金屬薄膜367的那些部分(每個(gè)都被成形為如炸面圈一樣)被蝕刻掉，由此穿透導(dǎo)體32與電極導(dǎo)體薄膜36分開(kāi)。圖24A是這種狀態(tài)下的過(guò)程中薄膜電容器部分的頂視圖。在步驟C3，例如通過(guò)溶膠-凝膠方法形成介電薄膜38，以便覆蓋整個(gè)電極導(dǎo)體薄膜36。在步驟C4，在對(duì)應(yīng)于穿透導(dǎo)體32的位置處的介電薄膜38中形成孔。在步驟C5，以與步驟C1相同的方式形成金屬薄膜367。在步驟C6，包圍不同于步驟C2的上述說(shuō)明中提到的那些的穿透導(dǎo)體32的金屬薄膜367的那些部分(每個(gè)都被成形為如炸面圈一樣)被蝕刻掉，由此穿透導(dǎo)體32與電極導(dǎo)體薄膜37分開(kāi)。圖24B是這種狀態(tài)下的過(guò)程中薄膜電容器部分的頂視圖。通過(guò)重復(fù)上述步驟產(chǎn)生多個(gè)介電薄膜38和多個(gè)電極導(dǎo)體薄膜36或37在其中交替層疊的結(jié)構(gòu)。
上面已說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例，并且能夠在等同的范圍之內(nèi)以適當(dāng)修改的形式實(shí)施。
本申請(qǐng)基于2005年6月3日提交的日本專利申請(qǐng)JP 2005-163673、2005年10月6日提交的日本專利申請(qǐng)JP 2005-293806以及2006年3月28日提交的日本專利申請(qǐng)JP 2006-87569，其整體內(nèi)容在此并入作為參考，如同詳細(xì)闡明了一樣。
權(quán)利要求
1.一種布線板，包括核心板，其包括核心體和陶瓷子核心，所述陶瓷子核心容納在子核心容納空間中，所述子核心容納空間為與所述核心體的主表面相聯(lián)系的通孔或在所述核心體的第一主表面中具有開(kāi)口的凹陷；以及布線疊層，其每個(gè)都是通過(guò)所述核心板的主表面的每一個(gè)上層疊的樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層形成，其中填充所述核心體和所述陶瓷子核心之間的間隙的凹槽填充部分與所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層構(gòu)成整體；以及連接到所述陶瓷子核心的第一主表面上形成的各個(gè)導(dǎo)體圖形的轉(zhuǎn)接導(dǎo)體穿透所述最低樹(shù)脂絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線板，其中，所述最低樹(shù)脂絕緣層的位于所述核心體和所述陶瓷子核心之間的所述間隙之上的表面小于這樣的表面，所述表面以與所述核心體的所述第一主表面傾斜的方式連接所述核心體的內(nèi)側(cè)表面的頂端和所述陶瓷子核心的外側(cè)表面的頂端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的布線板，其中，在所述核心體和所述陶瓷子核心之間的所述間隙上以及在所述陶瓷子核心上提供所述最低樹(shù)脂絕緣層，并且所述最低樹(shù)脂絕緣層的表面小于以與所述核心體的所述第一主表面傾斜的方式連接所述核心體的所述內(nèi)側(cè)表面的所述頂端和所述陶瓷子核心的所述外側(cè)表面的所述頂端的所述表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線板，其中，所述最低樹(shù)脂絕緣層的位于所述核心體和所述陶瓷子核心之間的所述間隙之上以及所述陶瓷子核心之上的表面，基本上平行于所述核心體的所述第一主表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線板，其中，在所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層中，穿透所述最低樹(shù)脂絕緣層的所述轉(zhuǎn)接導(dǎo)體，是穿透多層的各個(gè)多層穿透轉(zhuǎn)接導(dǎo)體的部分，所述多層為所述最低樹(shù)脂絕緣層和鄰近于所述最低樹(shù)脂絕緣層的樹(shù)脂絕緣層，并且將所述陶瓷子核心的所述第一主表面上形成的所述導(dǎo)體圖形連接到所述相鄰樹(shù)脂絕緣層上形成的所述導(dǎo)體層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線板，其中，在所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層中，穿透所述最低樹(shù)脂絕緣層的所述轉(zhuǎn)接導(dǎo)體將所述陶瓷子核心的所述第一主表面上形成的所述導(dǎo)體圖形連接到所述最低樹(shù)脂絕緣層上形成的所述導(dǎo)體層。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的布線板，其中，在所述核心體和所述陶瓷子核心之間的所述間隙上、在所述陶瓷子核心上以及在所述核心體上提供所述最低樹(shù)脂絕緣層，并且所述最低樹(shù)脂絕緣層的表面小于以與所述核心體的所述第一主表面傾斜的方式連接所述核心體的所述內(nèi)側(cè)表面的所述頂端和所述陶瓷子核心的所述外側(cè)表面的所述頂端的所述表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的布線板，其中，在所述核心體和所述陶瓷子核心之間的所述間隙、所述陶瓷子核心以及所述核心體上提供所述最低樹(shù)脂絕緣層，并且所述最低樹(shù)脂絕緣層的表面小于以與所述核心體的所述第一主表面傾斜的方式連接所述核心體的所述內(nèi)側(cè)表面的所述頂端和所述陶瓷子核心的所述外側(cè)表面的所述頂端的所述表面。
9.一種用于制造布線板的方法，所述布線板裝備有核心板，在所述核心板中，為與核心體的主表面相聯(lián)系的通孔或在所述核心體的第一主表面中具有開(kāi)口的凹陷的子核心容納空間形成在所述核心體中，并且陶瓷子核心容納在所述子核心容納空間中；以及布線疊層，其每個(gè)都是通過(guò)所述核心板的主表面的每一個(gè)上交替層疊的樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層形成，所述方法包括按書(shū)寫(xiě)順序執(zhí)行的如下步驟通過(guò)所述子核心容納空間的所述第一主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口在所述子核心容納空間中容納所述陶瓷子核心的子核心容納步驟；以及通過(guò)從所述核心體的所述第一主表面和所述陶瓷子核心的第一主表面的一側(cè)壓印樹(shù)脂漿將所述樹(shù)脂漿充滿到所述核心體和所述陶瓷子核心之間的間隙中的壓印步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述壓印步驟中，通過(guò)至少在所述陶瓷子核心的所述第一主表面上直接而不介入掩模地壓印所述樹(shù)脂漿，將所述樹(shù)脂漿充滿到所述核心體和所述陶瓷子核心之間的所述間隙中，并且和所述間隙中充滿的所述樹(shù)脂漿相連續(xù)的層被形成為充滿樹(shù)脂連續(xù)層，以便至少覆蓋所述陶瓷子核心的所述第一主表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括在所述壓印步驟之后執(zhí)行的如下步驟在所述充滿樹(shù)脂連續(xù)層上形成所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層的最低樹(shù)脂絕緣層形成步驟；多層穿透通孔形成步驟形成多層穿透通孔，其穿透所述最低樹(shù)脂絕緣層和所述充滿樹(shù)脂連續(xù)層，并從而在所述多層穿透通孔里面暴露所述陶瓷子核心的所述第一主表面上形成的導(dǎo)體焊盤(pán)；以及通過(guò)充滿在所述各個(gè)多層穿透通孔中形成多層穿透轉(zhuǎn)接導(dǎo)體的多層穿透轉(zhuǎn)接導(dǎo)體形成步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述制造方法進(jìn)一步包括在所述子核心容納步驟之前執(zhí)行的以下步驟用在一個(gè)表面上具有粘合劑的薄片，以所述粘合劑暴露在所述子核心容納空間里面的方式，封閉作為與所述核心體的所述主表面相聯(lián)系的所述通孔的所述子核心容納空間的第二主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口；并且在所述子核心容納步驟中，通過(guò)以下方式從所述第二主表面?zhèn)戎嗡鎏沾勺雍诵耐ㄟ^(guò)所述子核心容納空間的所述第一主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口容納所述陶瓷子核心，并且將所述陶瓷子核心固定到所述粘合劑。
13.一種用于制造布線板的方法，所述布線板裝備有核心板，在所述核心板中，為與核心體的主表面相聯(lián)系的通孔或在所述核心體的第一主表面中具有開(kāi)口的凹陷的子核心容納空間形成在所述核心體中，并且陶瓷子核心容納在所述子核心容納空間中；以及布線疊層，其每個(gè)都是通過(guò)所述核心板的主表面中的每一個(gè)上交替層疊的樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層形成，所述方法包括按書(shū)寫(xiě)順序執(zhí)行的如下步驟通過(guò)所述子核心容納空間的所述第一主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口在所述子核心容納空間中容納所述陶瓷子核心的子核心容納步驟；以及膜形成和充滿步驟通過(guò)從所述第一主表面一側(cè)將樹(shù)脂材料粘貼到所述核心體和所述陶瓷子核心，形成所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層，并且通過(guò)將所述樹(shù)脂材料充滿到所述核心體和所述陶瓷子核心之間的間隙中，形成與所述最低樹(shù)脂絕緣層相連續(xù)的凹槽填充部分。
14.一種用于制造布線板的方法，所述布線板裝備有核心板，在所述核心板中，為與核心體的主表面相聯(lián)系的通孔的子核心容納空間形成在所述核心體中，并且陶瓷子核心容納在所述子核心容納空間中；以及布線疊層，其每個(gè)都是通過(guò)所述核心板的主表面的每一個(gè)上交替層疊的樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層形成，所述方法包括按書(shū)寫(xiě)順序執(zhí)行的如下步驟在所述子核心容納空間中容納所述陶瓷子核心的子核心容納步驟；以及膜形成和充滿步驟通過(guò)從所述兩個(gè)主表面?zhèn)葘?shù)脂材料順序地粘貼到所述核心體和所述陶瓷子核心，形成所述兩個(gè)各自主表面?zhèn)鹊乃霾季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層，并且通過(guò)將所述樹(shù)脂材料充滿到所述核心體和所述陶瓷子核心之間的間隙中，形成與所述兩個(gè)主表面?zhèn)鹊乃鲎畹蜆?shù)脂絕緣層相連續(xù)的凹槽填充部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述膜形成和充滿步驟包括以下步驟以這樣的方式，形成第一最低樹(shù)脂絕緣層作為所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的所述最低樹(shù)脂絕緣層，并且形成與所述第一最低樹(shù)脂絕緣層相連續(xù)的第一凹槽填充部分，所述方式為，在從所述子核心容納空間中的第二主表面?zhèn)戎翁沾勺雍诵牡臓顟B(tài)下，所述子核心容納空間為與所述核心體的所述主表面相聯(lián)系的所述通孔，通過(guò)從所述第一主表面?zhèn)葘?shù)脂膜壓力接合到所述核心體和所述陶瓷子核心，至少所述核心體和所述陶瓷子核心之間的所述間隙的第一主表面?zhèn)鹊牟糠直惶畛湟运龅谝话疾厶畛洳糠?；以及以這樣的方式，形成第二最低樹(shù)脂絕緣層作為所述第二主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的所述最低樹(shù)脂絕緣層，并且形成與所述第二最低樹(shù)脂絕緣層相連續(xù)的第二凹槽填充部分，所述方式為，在所述第一最低樹(shù)脂絕緣層和所述第一凹槽填充部分從所述第一主表面?zhèn)戎嗡鎏沾勺雍诵牡臓顟B(tài)下，通過(guò)從所述第二主表面?zhèn)葘?shù)脂膜壓力接合到所述核心體和所述陶瓷子核心，所述核心體和所述陶瓷子核心之間的所述間隙的未被填充以所述第一凹槽填充部分的剩余部分被填充以所述第二凹槽填充部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述膜形成和充滿步驟包括以下步驟以這樣的方式，形成第一最低樹(shù)脂絕緣層作為所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的所述最低樹(shù)脂絕緣層，并且形成與所述第一最低樹(shù)脂絕緣層相連續(xù)的第一凹槽填充部分，所述方式為，在從所述子核心容納空間中的第二主表面?zhèn)戎翁沾勺雍诵牡臓顟B(tài)下，所述子核心容納空間為與所述核心體的所述主表面相聯(lián)系的所述通孔，通過(guò)從所述第一主表面?zhèn)葘?shù)脂膜壓力接合到所述核心體和所述陶瓷子核心，至少所述核心體和所述陶瓷子核心之間的所述間隙的第一主表面?zhèn)鹊牟糠直惶畛湟运龅谝话疾厶畛洳糠?；以及以這樣的方式，形成第二最低樹(shù)脂絕緣層作為所述第二主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的所述最低樹(shù)脂絕緣層，并且形成與所述第二最低樹(shù)脂絕緣層相連續(xù)的第二凹槽填充部分，所述方式為，在所述第一最低樹(shù)脂絕緣層和所述第一凹槽填充部分從所述第一主表面?zhèn)戎嗡鎏沾勺雍诵牡臓顟B(tài)下，通過(guò)從所述第二主表面?zhèn)葘?shù)脂膜壓力接合到所述核心體和所述陶瓷子核心，所述核心體和所述陶瓷子核心之間的所述間隙的未被填充以所述第一凹槽填充部分的剩余部分被填充以所述第二凹槽填充部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，在所述膜形成和充滿步驟中，在所述第一最低樹(shù)脂絕緣膜和所述第一凹槽填充部分尚未充分固化的狀態(tài)下，通過(guò)從所述第二主表面?zhèn)葔毫雍纤鰳?shù)脂膜，形成所述第二最低樹(shù)脂絕緣層和所述第二凹槽填充部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在所述膜形成和充滿步驟中，在所述第一最低樹(shù)脂絕緣膜和所述第一凹槽填充部分尚未充分固化的狀態(tài)下，通過(guò)從所述第二主表面?zhèn)葔毫雍纤鰳?shù)脂膜，形成所述第二最低樹(shù)脂絕緣層和所述第二凹槽填充部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述制造方法進(jìn)一步包括在所述子核心容納步驟之前執(zhí)行的以下步驟用在一個(gè)表面上具有粘合劑的薄片，以所述粘合劑暴露在所述子核心容納空間里面的方式，封閉作為與所述核心體的所述主表面相聯(lián)系的所述通孔的所述子核心容納空間的第二主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口；并且在所述子核心容納步驟中，通過(guò)以下方式從所述第二主表面?zhèn)戎嗡鎏沾勺雍诵耐ㄟ^(guò)所述子核心容納空間的所述第一主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口容納所述陶瓷子核心，并且將所述陶瓷子核心固定到所述粘合劑。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述制造方法進(jìn)一步包括在所述子核心容納步驟之前執(zhí)行的以下步驟用在一個(gè)表面上具有粘合劑的薄片，以所述粘合劑暴露在所述子核心容納空間里面的方式，封閉作為與所述核心體的所述主表面相聯(lián)系的所述通孔的所述子核心容納空間的第二主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口；并且在所述子核心容納步驟中，通過(guò)以下方式從所述第二主表面?zhèn)戎嗡鎏沾勺雍诵耐ㄟ^(guò)所述子核心容納空間的所述第一主表面?zhèn)鹊拈_(kāi)口容納所述陶瓷子核心，并且將所述陶瓷子核心固定到所述粘合劑。
全文摘要
一種布線板，包括核心板，其包括核心體和陶瓷子核心，所述陶瓷子核心容納在子核心容納空間中，所述子核心容納空間為與所述核心體的主表面相聯(lián)系的通孔或在所述核心體的第一主表面中具有開(kāi)口的凹陷；以及布線疊層，其每個(gè)都是通過(guò)所述核心板的主表面的每一個(gè)上層疊的樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層形成，其中填充所述核心體和所述陶瓷子核心之間的間隙的凹槽填充部分與所述第一主表面?zhèn)鹊牟季€疊層的最低樹(shù)脂絕緣層構(gòu)成整體；以及連接到所述陶瓷子核心的第一主表面上形成的各個(gè)導(dǎo)體圖形的轉(zhuǎn)接導(dǎo)體穿透所述最低樹(shù)脂絕緣層。
文檔編號(hào)H05K3/00GK1874648SQ20061008877
公開(kāi)日2006年12月6日 申請(qǐng)日期2006年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月3日
發(fā)明者村松正樹(shù), 由利伸冶, 折口誠(chéng), 浦島和浩 申請(qǐng)人:日本特殊陶業(yè)株式會(huì)社