積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?br> 【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǎ景l(fā)明是將積層有異種材料的陶瓷基板而成的積層陶瓷基板分?jǐn)?。在包含異種材料的陶瓷基板11、12的積層陶瓷基板10的陶瓷基板11上，沿著分?jǐn)囝A(yù)定線，借由劃線裝置而形成第1劃線S1。繼而在第2陶瓷基板12側(cè)，在與第1劃線S1相同的位置上，借由劃線裝置形成第2劃線S2。并且，自陶瓷基板11、12的至少一個面，沿著劃線S1、S2進(jìn)行斷裂。若如此則可將積層陶瓷基板10完全分?jǐn)唷?br> 【專利說明】積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?br> 【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?，特別是涉及一種將異種材料的陶瓷基板積層而成的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?。其是一種相當(dāng)具有實用性及進(jìn)步性的新設(shè)計，適于產(chǎn)業(yè)界廣泛推廣應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]在先前對于陶瓷基板上積層有金屬層而成的積層陶瓷基板進(jìn)行分?jǐn)嗟那樾螘r，較多使用晶圓切割機等進(jìn)行分?jǐn)?。又，在專利文獻(xiàn)I中提出對陶瓷基板進(jìn)行劃線之后接合金屬層，借由蝕刻而除去劃線的金屬層后進(jìn)行斷裂的陶瓷接合基板的制造方法。
[0003][先前技術(shù)文獻(xiàn)]
[0004][專利文獻(xiàn)]
[0005][專利文獻(xiàn)I]日本專利特開2009-252971號公報
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ù嬖诘娜毕荩峁┮环N新型結(jié)構(gòu)的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?，所要解決的技術(shù)問題是使其將積層有異種材料的陶瓷基板而成的2層構(gòu)造的積層陶瓷基板完全分?jǐn)喽鴤€別化。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ù嬖诘娜毕?，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?，所要解決的技術(shù)問題是使其將積層有3種以上的異種材料的陶瓷基板而成的積層陶瓷基板完全分?jǐn)喽鴤€別化。
[0008]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?，是分?jǐn)鄬⒉牧系姆N類互相不同的第1、第2陶瓷基板積層而成的積層陶瓷基板的方法，其特征在于:在上述第I陶瓷基板上，沿著分?jǐn)囝A(yù)定線，形成第I劃線，在上述第2陶瓷基板上，沿著與上述第I劃線對應(yīng)的線，形成第2劃線，沿著上述第1、第2劃線，使上述至少一個陶瓷基板斷裂，借此沿著劃線分?jǐn)嗵沾苫?。一種積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǎ欠謹(jǐn)嘀辽俜e層有第1、第2、第3陶瓷基板，至少上述第2陶瓷基板與上述第1、第3陶瓷基板的材料的種類不同的積層陶瓷基板的方法，其特征在于:在上述第I陶瓷基板上，沿著分?jǐn)囝A(yù)定線，形成第I劃線，在上述積層陶瓷基板的背面的陶瓷基板上，沿著與上述第I劃線對應(yīng)的線，形成第2劃線，沿著上述第1、第2劃線，使上述至少一個陶瓷基板斷裂，借此沿著劃線分?jǐn)嗵沾苫濉?br> [0009]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
[0010]前述的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǎ渲猩鲜龇e層陶瓷基板是依序積層有上述第I?第3陶瓷基板而成的，中間的上述第2陶瓷基板是比上述第1、第3陶瓷基板更薄的基板。
[0011]前述的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?，其中上述積層陶瓷基板是依序積層有上述第I?第3陶瓷基板而成的，中間的上述第2陶瓷基板是硬度比上述第1、第3陶瓷基板更低的基板。
[0012]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明(名稱)可達(dá)到相當(dāng)?shù)募夹g(shù)進(jìn)步性及實用性，并具有產(chǎn)業(yè)上的廣泛利用價值，其至少具有下列優(yōu)點:
[0013]根據(jù)具有此種特征的本發(fā)明，自兩側(cè)對積層有異種材料的陶瓷基板而成的積層陶瓷基板進(jìn)行劃線，自至少一個面進(jìn)行斷裂。
[0014]因此獲得能完全分?jǐn)喑伤栊螤疃鴤€別化，可提高端面精度的效果。
[0015]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǖ淖?層構(gòu)造的積層陶瓷基板的一個陶瓷基板側(cè)進(jìn)行劃線及斷裂的情形的分?jǐn)嗵幚淼膱D。
[0017]圖2是本發(fā)明積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǖ淖?層構(gòu)造的積層陶瓷基板的一個陶瓷基板側(cè)進(jìn)行劃線及斷裂的情形的分?jǐn)嗵幚淼膱D。
[0018]圖3是本發(fā)明積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǖ淖?層構(gòu)造的積層陶瓷基板的另一個陶瓷基板側(cè)進(jìn)行劃線并斷裂時的狀態(tài)的圖。
[0019]圖4是本發(fā)明積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǖ淖?層構(gòu)造的積層陶瓷基板的另一個陶瓷基板側(cè)進(jìn)行劃線并斷裂時的狀態(tài)的圖。
[0020]圖5是本發(fā)明積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǖ膶嵤├姆e層陶瓷基板的分?jǐn)嗵幚淼膱D。
[0021]圖6是本發(fā)明積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǖ膶嵤├姆e層陶瓷基板的分?jǐn)嗵幚淼膱D。
[0022]圖7是本發(fā)明積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǖ牡?實施例的積層陶瓷基板的分?jǐn)嗵幚淼膱D。
[0023]圖8是本發(fā)明積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǖ牡?實施例的積層陶瓷基板的分?jǐn)嗵幚淼膱D。
[0024]符號說明
[0025]〈圖5、圖 6>
[0026]10:積層陶瓷基板
[0027]11、12:陶瓷基板
[0028]13、14:劃線輪
[0029]15、16:支持構(gòu)件
[0030]17、19:帶
[0031]18:斷裂桿
[0032]〈圖7、圖 8>
[0033]10:積層陶瓷基板
[0034]11、12、13:陶瓷基板[0035]14、15:劃線輪
[0036]16、17:支持構(gòu)件
[0037]18、20:帶
[0038]19:斷裂桿
【具體實施方式】
[0039]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǎ洹揪唧w實施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
[0040]<第I實施例:2層構(gòu)造的陶瓷基板的分?jǐn)嗵幚?gt;
[0041]圖5(a)是表示積層有種類不同的第1、第2陶瓷基板11、12而成的本發(fā)明的實施例的成為分?jǐn)鄬ο蟮姆e層陶瓷基板(以下僅稱為積層基板)10的圖。此處，關(guān)于陶瓷基板
11、12，可為LTCC基板、氧化鋁(HTCC)、氮化鋁、鈦酸鋇、鐵氧體、氮化硅等陶瓷基板、所謂精細(xì)陶瓷的陶瓷基板。陶瓷基板11、12的板厚例如設(shè)為0.2?0.4mm。第I陶瓷基板11的材料只要與陶瓷基板12不同即可。陶瓷基板11的板厚可與陶瓷基板12的板厚相同，又亦可不同。此處，將第I陶瓷基板11設(shè)為鐵氧體，將第2陶瓷基板12設(shè)為LTCC基板。
[0042]并且，將該積層基板10以特定圖案進(jìn)行分?jǐn)嗟那樾螘r，首先如圖5(b)所示，自第I陶瓷基板11，沿著預(yù)定分?jǐn)嗟木€，借由未圖示的劃線裝置，按壓劃線輪13使其轉(zhuǎn)動而形成劃線。將如此形成的劃線設(shè)為第I劃線SI。該劃線所使用的劃線輪可使用能高浸透劃線的，亦可為正規(guī)的劃線輪。此處，使用能高浸透的劃線輪且刃前緣角度155°的。例如在日本專利文獻(xiàn)3074143號中提出在圓周面上隔開特定間隔形成多個槽，以其間隙為突起而能高浸透的劃線輪。鐵氧體的材質(zhì)較脆，故而較佳為使用刃前緣角度155°的進(jìn)行較淺劃線。
[0043]進(jìn)而，使積層基板10反轉(zhuǎn)，如圖5(c)所示，自第2陶瓷基板12之面，由劃線SI的正上，借由未圖示的劃線裝置形成劃線。將如此形成的劃線設(shè)為第2劃線S2。在該情形時亦可使用能高浸透劃線的，亦可為正規(guī)的劃線輪。此處，使用能高浸透劃線的劃線輪14。將此時的刃前緣角度設(shè)為110°，較陶瓷基板11更深進(jìn)行劃線。劃線輪的種類、劃線時的荷重根據(jù)陶瓷基板11、12的材質(zhì)或厚度、硬度等適當(dāng)選擇。
[0044]繼而如圖5(d)所示，使用斷裂裝置，在一對支持構(gòu)件15、16的上面配置帶17，以劃線S1、S2位于支持構(gòu)件15、16的中間的方式配置積層基板10。并且，自其上部沿著第2劃線S2壓下斷裂桿18進(jìn)行斷裂。
[0045]進(jìn)而如圖6(e)所示，反轉(zhuǎn)積層基板10，在支持構(gòu)件15、16的上面配置帶19，以劃線S1、S2位于支持構(gòu)件15、16的中間的方式配置積層基板10。并且，自其上部，沿著第I劃線SI壓下斷裂桿18而進(jìn)行斷裂。若如此，則如圖6(f)所示，可將積層基板10沿著劃線S1、S2完全進(jìn)行分?jǐn)喽鴤€別化，可提高端面精度。可借由將該積層陶瓷基板以格子狀進(jìn)行分?jǐn)?，而形成個別的積層基板晶片。
[0046]再者，在上述實施例中，如圖5(b)、(C)所示，對陶瓷基板11進(jìn)行劃線，繼而對陶瓷基板12進(jìn)行劃線，亦可順序相反進(jìn)行劃線。
[0047]又，在上述例中，如圖5(d)及圖6(e)所示，自兩側(cè)的陶瓷基板借由斷裂裝置進(jìn)行斷裂，但亦可根據(jù)陶瓷基板的種類或厚度，借由進(jìn)行一側(cè)的陶瓷基板的斷裂而分?jǐn)?。例如，在陶瓷基?2上沿著劃線S2充分深浸透劃線的情形時，或陶瓷基板11充分薄的情形時，可借由自任一側(cè)的陶瓷基板的一個面進(jìn)行斷裂而分?jǐn)嗖€別化。
[0048]此處，在第1、第2陶瓷基板的陶瓷基板劃線時，使用不同的劃線輪，但可為相同者。劃線輪的種類根據(jù)陶瓷基板11、12的材質(zhì)或厚度、硬度等適當(dāng)選擇最佳的劃線輪。關(guān)于劃線輪的刃前緣的角度或劃線荷重等，也適當(dāng)根據(jù)陶瓷基板而選擇。通常而言，在鐵氧體中可為淺劃線，關(guān)于LTCC，性質(zhì)根據(jù)燒結(jié)溫度或添加物等而大不相同，故使用適合該基板的刃前緣角度及種類的劃線輪及劃線荷重。
[0049]再者，在該實施例中，在圖5(b)、(C)的步驟中，使用劃線裝置使劃線輪移動而執(zhí)行劃線，亦可借由激光劃線裝置進(jìn)行劃線?？蔀槔迷摷す鈩澗€借由激光進(jìn)行加熱，其之后立即冷卻并浸透劃線的激光劃線裝置，亦可為提高激光自身的輸出使基板熔融而劃線的。又，可為斷續(xù)照射激光使照射位置不同進(jìn)行劃線的激光劃線裝置。又，在圖6(e)的步驟中是使用斷裂裝置進(jìn)行斷裂，但亦可代替其，在分?jǐn)嗟男∑男螤钕鄬^大的情形時，由作業(yè)者直接用手進(jìn)行分?jǐn)?。在該情形時，帶19變得多余。
[0050]<第2實施例:3層構(gòu)造的陶瓷基板的分?jǐn)嗵幚?gt;
[0051]圖7(a)是表示依序積層有種類不同的第I?第3陶瓷基板11、12、13而成的本發(fā)明的實施例的成為分?jǐn)鄬ο蟮姆e層陶瓷基板(以下僅稱為積層基板)10的圖。此處，關(guān)于陶瓷基板11、12、13，可為LTCC基板、氧化鋁(HTCC)、氮化鋁、鈦酸鋇、鐵氧體、氮化硅等陶瓷基板、所謂精細(xì)陶瓷的陶瓷基板。陶瓷基板11、12、13的板厚例如設(shè)為0.2?0.4mm。
[0052]又，第2陶瓷基板12的材料可與第1、第3陶瓷基板11、13不同，陶瓷基板11、13的材料可相同亦可不同。各陶瓷基板的板厚可相同亦可互相不同。此處，中間的第2陶瓷基板12可借由斷裂而進(jìn)行分?jǐn)啵识^佳為較兩側(cè)的陶瓷基板11、13相對更薄的基板，例如厚度為0.3mm以下的基板。又，與此同時，或代替其，第2陶瓷基板的硬度較佳為較第1、第3陶瓷基板的硬度相對更低，例如維氏硬度HV可為800以下。此處，將第I陶瓷基板11設(shè)為LTCC基板，將第2陶瓷基板12設(shè)為鐵氧體，將第3陶瓷基板設(shè)為LTCC基板。
[0053]并且，將該積層基板10以特定圖案進(jìn)行分?jǐn)嗟那樾螘r，首先如圖7(b)所示，自陶瓷基板11側(cè)，沿著預(yù)定分?jǐn)嗟木€，借由未圖示的劃線裝置，按壓劃線輪14使其移動而形成劃線。將如此形成的劃線設(shè)為第I劃線SI。該劃線所使用的劃線輪可使用能高浸透劃線的，亦可為正規(guī)的劃線輪。此處，使用高浸透的劃線輪且刃前緣角度110°的。例如在日本專利文獻(xiàn)3074143號中，提出在圓周面上隔開特定間隔形成多個槽，以其間隙為突起而能高浸透的劃線輪。
[0054]進(jìn)而使積層基板10反轉(zhuǎn)，如圖7(c)所示，自第3陶瓷基板13之面，自劃線SI的正上，借由未圖示的劃線裝置形成劃線。將如此形成的劃線設(shè)為第2劃線S2。在該情形時亦可使用能高浸透劃線的，亦可為正規(guī)的劃線輪。此處，使用能高浸透劃線的劃線輪15。將此時的刃前緣角度設(shè)為110°。劃線輪的種類根據(jù)陶瓷基板11、13的材質(zhì)或厚度、硬度等適當(dāng)選擇。
[0055]繼而如圖7(d)所示，使用斷裂裝置，在一對支持構(gòu)件16、17的上面配置帶18，在支持構(gòu)件16、17的中間以沿劃線S1、S2位置的方式配置積層基板10。并且，自其上部沿著第2劃線S2壓下斷裂桿19進(jìn)行斷裂。借此可使陶瓷基板11斷裂。此時會有陶瓷基板12也斷裂的情形。[0056]進(jìn)而如圖8(e)所示，反轉(zhuǎn)積層基板10，在支持構(gòu)件16、17的上面配置帶20，在支持構(gòu)件16、17的中間，以沿劃線S1、S2位置的方式配置積層基板10。并且，自其上部，沿著第I劃線SI，壓下斷裂桿19而進(jìn)行斷裂。若如此，則如圖8(f)所示，陶瓷基板13斷裂，進(jìn)而可貫通中間陶瓷基板12，沿著劃線S1、S2進(jìn)行分?jǐn)喽鴤€別化。借由如此分?jǐn)啵商岣叨嗣婢??？山栌稍摲e層陶瓷基板以格子狀進(jìn)行分?jǐn)?，而形成個別的積層基板晶片。
[0057]再者，在上述實施例中，如圖7(b)、(C)所示，對陶瓷基板11進(jìn)行劃線，繼而對陶瓷基板13進(jìn)行劃線，亦可順序相反進(jìn)行劃線。
[0058]又，在上述例中，如圖7(d)及圖8(e)所示，自兩側(cè)的陶瓷基板借由斷裂裝置進(jìn)行斷裂，但亦可根據(jù)陶瓷基板的種類或厚度或者劃線的浸透度，借由進(jìn)行一側(cè)的陶瓷基板的斷裂而分?jǐn)?。例如，在陶瓷基?3上沿著劃線S2充分深浸透劃線的情形時，或陶瓷基板11?13充分薄的情形時，可借由自任一側(cè)的陶瓷基板的一個面機型斷裂而分?jǐn)嗖€別化。
[0059]此處，在第1、第3陶瓷基板的劃線時，使用相同劃線輪，但可為不同的。劃線輪的種類根據(jù)陶瓷基板11?13的材質(zhì)或厚度、硬度等而適當(dāng)選擇。關(guān)于劃線輪的刃前緣的角度或劃線荷重等，也適當(dāng)根據(jù)陶瓷基板而選擇。通常，在鐵氧體中可為淺劃線，關(guān)于LTCC，性質(zhì)根據(jù)燒結(jié)溫度或添加物等而大不相同，使用適合該基板的刃前緣角度及種類的劃線輪及劃線荷重。
[0060]再者，在該實施例中，在圖7(b)、(C)的步驟中，使用劃線裝置使劃線輪移動而執(zhí)行劃線，亦可借由激光劃線裝置進(jìn)行劃線?？蔀槔迷摷す鈩澗€借由激光進(jìn)行加熱，其之后立即冷卻并浸透劃線的激光劃線裝置，亦可為提高激光自身的輸出使基板熔融而劃線的。又，可為斷續(xù)照射激光使照射位置不同而進(jìn)行劃線的激光劃線裝置。又，在圖8(e)的步驟中是使用斷裂裝置進(jìn)行斷裂，但亦可代替其，在分?jǐn)嗟男∑男螤钕鄬^大的情形時，由作業(yè)者直接用手進(jìn)行分?jǐn)?。在該情形時，帶20變得多余。
[0061]再者，在該實施例中，將第1、第3陶瓷基板設(shè)為相同種類的材料，中間的第2陶瓷基板的材料不同，第I?第3的任一的陶瓷基板的材料亦可互相不同。
[0062]又，在該實施例中，對積層有第I至第3陶瓷基板而成的積層陶瓷基板進(jìn)行說明，但本發(fā)明進(jìn)而亦可應(yīng)用于積層有多個異種陶瓷基板而成的積層陶瓷基板。在該情形時，第2劃線S2相對于積層陶瓷基板的與第I陶瓷基板相反面的陶瓷基板，形成于與劃線SI相同的位置上。
[0063][產(chǎn)業(yè)上的可利用性]
[0064]本發(fā)明可使用劃線裝置與斷裂裝置容易將異種材料的積層陶瓷基板分?jǐn)?，對制造微小積層基板較為有效。
[0065]上述如此結(jié)構(gòu)構(gòu)成的本發(fā)明積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǖ募夹g(shù)創(chuàng)新，對于現(xiàn)今同行業(yè)的技術(shù)人員來說均具有許多可取之處，而確實具有技術(shù)進(jìn)步性。
[0066]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?，是分?jǐn)鄬⒉牧系姆N類互相不同的第1、第2陶瓷基板積層而成的積層陶瓷基板的方法，其特征在于: 在上述第I陶瓷基板上，沿著分?jǐn)囝A(yù)定線，形成第I劃線， 在上述第2陶瓷基板上，沿著與上述第I劃線對應(yīng)的線，形成第2劃線， 沿著上述第1、第2劃線，使上述至少一個陶瓷基板斷裂，借此沿著劃線分?jǐn)嗵沾苫濉?br> 2.一種積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?，是分?jǐn)嘀辽俜e層有第1、第2、第3陶瓷基板，至少上述第2陶瓷基板與上述第1、第3陶瓷基板的材料的種類不同的積層陶瓷基板的方法，其特征在于: 在上述第I陶瓷基板上，沿著分?jǐn)囝A(yù)定線，形成第I劃線， 在上述積層陶瓷基板的背面的陶瓷基板上，沿著與上述第I劃線對應(yīng)的線，形成第2劃線， 沿著上述第1、第2劃線，使上述至少一個陶瓷基板斷裂，借此沿著劃線分?jǐn)嗵沾苫濉?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒?，其特征在?其中上述積層陶瓷基板是依序積層有上述第I?第3陶瓷基板而成的，中間的上述第2陶瓷基板是比上述第1、第3陶瓷基板更薄的基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的積層陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǎ涮卣髟谟?其中上述積層陶瓷基板是依序積層有上述第I?第3陶瓷基板而成的，中間的上述第2陶瓷基板是硬度比上述第1、第3陶瓷基板更低的基板。
【文檔編號】H05K3/46GK103779200SQ201310454034
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月25日
【發(fā)明者】武田真和, 村上健二, 田村健太 申請人:三星鉆石工業(yè)股份有限公司