鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置及其生長(zhǎng)方法
【專(zhuān)利摘要】一種鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置及其生長(zhǎng)方法，包括箱式真空電阻爐，在爐體的外殼上設(shè)有真空系統(tǒng)，爐體內(nèi)部的結(jié)構(gòu)包含坩堝和加熱器，坩堝放置于爐體內(nèi)中心位置上，坩堝是底部中心區(qū)域帶有一板條狀的籽晶槽的方形坩堝。在坩堝的前后方設(shè)有Z字型的加熱器，加熱器的周?chē)邢涫绞矚直卣?。坩堝的底下為坩堝托，在坩堝的下方靠近籽晶槽的處有測(cè)溫控溫的熱電偶。在坩堝的正上方保溫罩的外部設(shè)有籽晶探針。本發(fā)明該裝置可以生長(zhǎng)大尺寸的鈦寶石晶體，大大提高了晶體生長(zhǎng)的速率及質(zhì)量，解決鈦寶石晶體直徑對(duì)長(zhǎng)度比的限制及大幅度縮短鈦寶石晶體的生長(zhǎng)周期，生長(zhǎng)出高品質(zhì)的完整的鈦寶石晶體。
【專(zhuān)利說(shuō)明】鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置及其生長(zhǎng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及單晶生長(zhǎng)，尤其涉及一種鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置及其生長(zhǎng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]鈦寶石晶體(Ti=Al2O3)以其寬帶可調(diào)諧及優(yōu)良的光學(xué)、熱學(xué)、物理、化學(xué)和機(jī)械性能成為優(yōu)良的固體寬調(diào)諧激光材料。生長(zhǎng)大口徑高品質(zhì)鈦寶石晶體應(yīng)用于高重復(fù)頻率大能量輸出的鈦寶石激光器件和皮秒、飛秒超短脈沖的研究。生長(zhǎng)大口徑、高質(zhì)量的鈦寶石晶體，完善其摻雜均勻性，提高吸收系數(shù)和完整性可以進(jìn)一步提高固體激光器的輸出功率和光強(qiáng)，這對(duì)激光技術(shù)的發(fā)展很重要。鈦寶石晶體作為一種富有潛力的激光晶體，其發(fā)展前途非?？捎^。
[0003]目前可用來(lái)以熔體生長(zhǎng)方式人工生長(zhǎng)鈦寶石晶體的方法主要有提拉法(CZ)、熱交換法(HEM)、溫度梯度法(TGT)等。
[0004]其中提拉法由于具有能夠自由地調(diào)整結(jié)晶體的直徑與長(zhǎng)度而具有生產(chǎn)效率高的優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛地應(yīng)用于類(lèi)似硅單晶的生長(zhǎng)方面。但是，生長(zhǎng)鈦寶石晶體脆性比較高的晶體時(shí)容易引起較大的溫度梯度所導(dǎo)致的龜裂，所以該方法限制了可生長(zhǎng)鈦寶石單晶的晶體直徑，也存在著晶體內(nèi)部的缺陷比較多的問(wèn)題。
[0005]熱交換法是根據(jù)生長(zhǎng)爐的內(nèi)部結(jié)構(gòu)利用自然形成的溫度梯度進(jìn)行晶體結(jié)晶生長(zhǎng)，該方法能生長(zhǎng)高熔點(diǎn)、大尺寸的晶體。但此方法最大缺點(diǎn)是生長(zhǎng)的晶體直徑對(duì)長(zhǎng)度的比限制在1:1以下。在生長(zhǎng)截面面積過(guò)大的鈦寶石晶體時(shí)，存在生長(zhǎng)周期過(guò)長(zhǎng)而降低了生產(chǎn)效率。
[0006]溫度梯度法的晶體生長(zhǎng)設(shè)備采用真空電阻爐，爐內(nèi)溫度梯度由特制的加熱器和保溫裝置構(gòu)成。該方法的優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、成本較低。缺點(diǎn)是在生長(zhǎng)大直徑的鈦寶石晶體時(shí)，晶體嚴(yán)重開(kāi)裂或晶體中存在鑲嵌結(jié)構(gòu)，嚴(yán)重影響了晶體的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)生長(zhǎng)鈦寶石晶體的難題，提供一種鈦寶石晶體的生長(zhǎng)裝置及生長(zhǎng)方法，該裝置可以生長(zhǎng)大尺寸的鈦寶石晶體，解決鈦寶石晶體直徑(或?qū)挾?對(duì)長(zhǎng)度(或高度)比的限制及大幅度縮短鈦寶石晶體的生長(zhǎng)周期，生長(zhǎng)出高品質(zhì)的完整的鈦寶石晶體。
[0008]本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下:
[0009]一種鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置，包括箱式真空電阻爐體，在該箱式真空電阻爐體的外殼上設(shè)有真空系統(tǒng)，其特征是在所述的箱式真空電阻爐體內(nèi)部的中心位置設(shè)置底部中心區(qū)域帶有一板條狀的籽晶槽的方形坩堝，在該坩堝的兩側(cè)是平行放置的Z字型的加熱器，加熱器是由石墨螺帽固定連接在電極上，在該加熱器的周?chē)星昂箝_(kāi)門(mén)、上下左右一體的箱式石墨硬氈保溫罩，坩堝的底下為坩堝托，在坩堝的底部靠近籽晶槽的部位有測(cè)溫控溫的熱電偶，在坩堝的正上方保溫罩的外部設(shè)有籽晶探測(cè)系統(tǒng)。[0010]所述的加熱器是兩塊Z字型在寬度和厚度上下方向和長(zhǎng)度方向開(kāi)了多個(gè)上槽和多個(gè)下槽以構(gòu)成Z字型的板條通電回路，在板條通電回路的上下和長(zhǎng)度方向按一定規(guī)律排列制作不同的厚度和寬度。
[0011]利用上述一種鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置生長(zhǎng)鈦寶石晶體的方法，其特征在于生長(zhǎng)鈦寶石晶體的工藝步驟如下:
[0012](1)在坩堝的籽晶槽中放入定向板條狀籽晶，其厚度已知，啟動(dòng)籽晶探針升降機(jī)構(gòu)探測(cè)籽晶至坩堝上邊緣的距離；
[0013](2)將晶體生長(zhǎng)原料裝入坩堝內(nèi)，裝好爐，通過(guò)所述的真空系統(tǒng)將所述的箱式真空電阻爐體內(nèi)抽真空至真空度l(T3Pa，充入惰性氣體進(jìn)入原料熔融階段；
[0014](3)當(dāng)爐內(nèi)熱電偶測(cè)溫達(dá)到原料熔點(diǎn)溫度后，啟動(dòng)籽晶探針升降機(jī)構(gòu)探測(cè)確定籽晶與坩堝上邊緣的距離差，通過(guò)板條籽晶的厚度、籽晶與坩堝上邊緣的距離變化的差值，判定籽晶與熔體熔接點(diǎn)溫度；
[0015](4)當(dāng)確定好籽晶與熔體熔接點(diǎn)溫度后，恒溫幾小時(shí)，以澄清、均化好熔體以待結(jié)晶生長(zhǎng);
[0016](5)通過(guò)啟動(dòng)溫度控制儀，按既定的晶體生長(zhǎng)程序，控制加熱器輸出電壓電流的大小，形成穩(wěn)定適中的熱場(chǎng)，自動(dòng)完成晶體的生長(zhǎng)、退火過(guò)程；
[0017](6)等爐內(nèi)溫度按既定程序降到室溫后，打開(kāi)爐門(mén)，取出晶體。
[0018]本發(fā)明鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置及其生長(zhǎng)方法的關(guān)鍵技術(shù)包括:籽晶探測(cè)系統(tǒng)，探測(cè)系統(tǒng)由籽晶探針、探針連接桿及探針升降機(jī)構(gòu)所構(gòu)成。籽晶探針在原料熔化和晶體生長(zhǎng)初期通過(guò)升降系統(tǒng)將探針與位于坩堝底部中心的籽晶接觸探測(cè)，通過(guò)升降機(jī)構(gòu)的升降位移，可以計(jì)算判斷出坩堝中原料熔化程度以及籽晶與熔體的熔接程度，可以快速便捷的判斷出最佳的晶體結(jié)晶生長(zhǎng)溫度點(diǎn)，從而完全避免了原料熔化不充分或籽晶被熔化導(dǎo)致無(wú)法生長(zhǎng)出優(yōu)質(zhì)的晶體的難題。
[0019]本發(fā)明的關(guān)鍵技術(shù)還包括:熱場(chǎng)是由兩塊Z字型加熱器及石墨硬氈保溫罩組成在爐內(nèi)形成穩(wěn)定的熱場(chǎng)。兩塊Z字型加熱器的寬度和厚度按照上下方向和長(zhǎng)度方向形成梯度，從而能控制晶體生長(zhǎng)所需的局部溫場(chǎng)分布。而且可實(shí)現(xiàn)水平和垂直方向同時(shí)進(jìn)行晶體生長(zhǎng)的具有水平和垂直方向溫度梯度的晶體生長(zhǎng)裝置。在此晶體生長(zhǎng)裝置下可以實(shí)現(xiàn)鈦寶石晶體在長(zhǎng)寬高三個(gè)方向上同時(shí)進(jìn)行立體空間生長(zhǎng)，大大提高了晶體生長(zhǎng)的速率。本發(fā)明的關(guān)鍵技術(shù)為在晶體生長(zhǎng)時(shí)提供使用了板條狀籽晶，這樣不但可以大幅度縮短晶體生長(zhǎng)時(shí)間，而且可以通過(guò)調(diào)整坩堝的形狀可以來(lái)任意調(diào)整晶體的斷面尺寸。
[0020]本發(fā)明的技術(shù)要點(diǎn)與在先的鈦寶石晶體生長(zhǎng)技術(shù)(如提拉法(CZ)、熱交換法(HEM)、溫度梯度法(TGT))相比，本發(fā)明鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置其關(guān)鍵技術(shù)是它包括籽晶探測(cè)裝置，Z字型加熱器及石墨硬氈保溫罩組成的可控的溫度熱場(chǎng)及板條狀籽晶。在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中可以實(shí)現(xiàn)鈦寶石晶體在長(zhǎng)寬高三個(gè)方向上同時(shí)進(jìn)行立體空間生長(zhǎng)，大大提高了晶體生長(zhǎng)的速率及質(zhì)量。這樣，既克服了提拉法生長(zhǎng)鈦寶石晶體對(duì)其晶體直徑的限制，又克服了熱交換法生長(zhǎng)的晶體直徑對(duì)長(zhǎng)度的比限制在1:1以下，以及克服了溫度梯度法生長(zhǎng)大直徑的鈦寶石晶體時(shí)，晶體嚴(yán)重開(kāi)裂或晶體中存在鑲嵌結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0021]圖1是本發(fā)明的鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置爐內(nèi)結(jié)構(gòu)主視圖。
[0022]圖2是本發(fā)明的鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置爐內(nèi)結(jié)構(gòu)俯視圖。
[0023]圖3是本發(fā)明的加熱器的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，但并不因此限制本發(fā)明的內(nèi)容。
[0025]本發(fā)明鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置如圖1所示，包括箱式真空電阻爐體9，爐體內(nèi)部的結(jié)構(gòu)包括籽晶探測(cè)系統(tǒng)7、坩堝1、加熱器2、3，保溫罩8等。坩堝I位于爐體內(nèi)中心位置上，坩堝I是底部中心帶有籽晶槽11的方錐形坩堝，坩堝I的底下有坩堝托5，坩堝托5下面與冷卻桿6相連接。冷卻桿6為中間通冷卻水形成回路以冷卻位于坩堝I底部的籽晶10，保證籽晶10不被熔化而起到晶體的定向生長(zhǎng)。坩堝I的上部是籽晶探測(cè)系統(tǒng)7，由探針7-3、連接桿7-2及探針升降機(jī)構(gòu)7-1構(gòu)成，在原料熔化、晶體生長(zhǎng)初期可通過(guò)籽晶探測(cè)系統(tǒng)7判斷原料的熔化狀態(tài)及籽晶與熔體的最佳熔接點(diǎn)。坩堝I的左右側(cè)分別設(shè)有左右Z字型平行的石墨加熱器2、3。石墨加熱器2、3與通過(guò)石墨螺帽13緊固于水冷的4只電極桿14上。供測(cè)量控制溫度的熱電偶4位于坩堝I的底部。坩堝I的外圍(上、側(cè)、下部)有保溫罩8。在爐體9的外殼上設(shè)有真空系統(tǒng)12。坩堝I的材料可以是鎢、鑰及鎢鑰合金等材料加工制成。坩堝托5用氧化鋯材料制成，保溫罩8由前后開(kāi)門(mén)可供晶體生長(zhǎng)裝爐及出爐、上下左右一體的石墨硬租制成。
[0026]爐體之外另附I套溫度控制儀，圖中未示，對(duì)加熱器2、3進(jìn)行控溫。熱電偶的型號(hào)為 W/Re3-25。
[0027]圖2是本發(fā)明的鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置爐內(nèi)結(jié)構(gòu)俯視圖，坩堝I位于爐體內(nèi)中心位置上，坩堝I是底部中心帶有籽晶槽11的方錐形坩堝。板條狀籽晶10置于籽晶槽11中。
[0028]圖3是本發(fā)明的加熱器的示意圖，石墨加熱器按長(zhǎng)度和寬度方向開(kāi)了多個(gè)上槽和多個(gè)下槽以構(gòu)成Z型的板條通電回路，在板條通電回路的上下方向和長(zhǎng)度方向按一定規(guī)律排列制作不同的厚度T和寬度W。其目的是在于調(diào)節(jié)加熱器板條的發(fā)熱阻值，使其在通電后形成水平方向和垂直方向的溫度梯度。水平方向(即長(zhǎng)度方向)的溫度梯度從中間往兩邊遠(yuǎn)離時(shí)減少加熱器的寬度W，即加熱器的中間部分的寬度Wl相對(duì)于加熱器兩邊寬度W2設(shè)置成逐漸變寬。因此可以調(diào)整加熱器的中間部分的溫度最低，兩邊的溫度最高。垂直方向(即上下方向)的溫度梯度是把加熱器的厚度T設(shè)置成錐體，把加熱器的下部厚度T2設(shè)置成比上部厚度Tl厚，從而可以把加熱器的溫度調(diào)整為下部的溫度比上部的低而獲得整個(gè)垂直方向的溫度梯度。
[0029]利用本發(fā)明一種鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置生長(zhǎng)鈦寶石晶體工藝步驟如下:
[0030]( I)在坩堝的籽晶槽11中放入定向板條狀籽晶10，其厚度已知，啟動(dòng)籽晶探針升降機(jī)構(gòu)7 -1探測(cè)籽晶至坩堝上邊緣的距離；
[0031](2)將晶體生長(zhǎng)原料裝入坩堝I內(nèi)，裝好爐，通過(guò)所述的真空系統(tǒng)12將所述的箱式真空電阻爐體9內(nèi)抽真空至真空度l(T3Pa，充入惰性氣體進(jìn)入原料熔融階段；
[0032](3)當(dāng)爐內(nèi)熱電`偶4測(cè)溫達(dá)到原料熔點(diǎn)溫度后，啟動(dòng)籽晶探針升降機(jī)構(gòu)7 — I探測(cè)確定籽晶與坩堝上邊緣的距離差，通過(guò)板條籽晶的厚度、籽晶與坩堝上邊緣的距離變化的差值，判定籽晶與熔體熔接點(diǎn)溫度；
[0033](4)當(dāng)確定好籽晶與熔體熔接點(diǎn)溫度后，恒溫幾小時(shí)，以澄清、均化好熔體以待結(jié)晶生長(zhǎng);
[0034](5)通過(guò)啟動(dòng)溫度控制儀，按既定的晶體生長(zhǎng)程序，控制加熱器輸出電壓電流的大小，形成穩(wěn)定適中的熱場(chǎng)，自動(dòng)完成晶體的生長(zhǎng)、退火過(guò)程；
[0035](6)等爐內(nèi)溫度按既定程序降到室溫后，打開(kāi)爐門(mén)，取出晶體。
[0036]實(shí)施例1
[0037]用上述的鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置、生長(zhǎng)鈦寶石晶體工藝步驟進(jìn)行鈦寶石晶體的生長(zhǎng)
[0038]鑰制坩堝10長(zhǎng)140X寬IlOX高140mm3，坩堝壁厚3.5mm，為底部中心帶有一方形籽晶槽11深4X寬IOX長(zhǎng)50mm3的方錐坩堝。石墨加熱器為Z字型板狀,保溫裝置為石墨硬氈。采用A向鈦寶石板條籽晶。將7.5kg鈦寶石原料裝入底部已安裝好與籽晶槽11匹配的籽晶的坩堝中。調(diào)節(jié)好坩堝與熱電偶的位置，裝爐完成后開(kāi)啟真空系統(tǒng)12，邊抽真空邊升溫至1480°C，當(dāng)爐體9內(nèi)真空達(dá)到3 X 10_3Pa后，充入高純氬氣保護(hù)，繼續(xù)升溫至2050°C，啟動(dòng)籽晶探針升降機(jī)構(gòu)探測(cè)籽晶熔化程度，在兩小時(shí)內(nèi)籽晶高度下降0.5mm，確定原料全部熔化及籽晶與熔體熔接點(diǎn)溫度。啟動(dòng)鈦寶石晶體生長(zhǎng)程序通過(guò)溫控儀表調(diào)控加熱器的功率大小使坩堝內(nèi)熔體在立體空間(長(zhǎng)寬高)上產(chǎn)生合適的溫度梯度，以2V Ar速率降溫72小時(shí)。結(jié)晶完成后以35°C/h r速率降至室溫，生長(zhǎng)及退火全過(guò)程結(jié)束。開(kāi)爐取出鈦寶石晶體，獲得寬110mm，高120mm，長(zhǎng)度140mm，重達(dá)7公斤，結(jié)晶完整、沒(méi)有裂紋。晶體內(nèi)部質(zhì)量達(dá)到低位錯(cuò)密度、沒(méi)有包裹物及鑲嵌等缺陷的鈦寶石晶體。
[0039]實(shí)施例2
[0040]本實(shí)施例中所使用的晶體生長(zhǎng)裝置與實(shí)施例1相同，使用了長(zhǎng)280X寬140X高160_3，壁厚3.5mm的坩堝，底部中心帶有方形籽晶槽11深4X寬15X長(zhǎng)120_3的方錐坩堝。石墨加熱器為Z字型板狀，保溫裝置為石墨硬氈。采用A向鈦寶石板條籽晶。將
20.5kg鈦寶石原料裝入底部已安裝好與籽晶槽11匹配的籽晶的坩堝中。調(diào)節(jié)好坩堝與熱電偶的位置，裝爐完成后開(kāi)啟真空系統(tǒng)12，邊抽真空邊升溫至1480°C，當(dāng)爐體2內(nèi)真空達(dá)到3X 10_3Pa后，充入高純氬氣保護(hù)，繼續(xù)升溫至2060°C，啟動(dòng)籽晶探針升降機(jī)構(gòu)探測(cè)籽晶熔化程度，在兩小時(shí)內(nèi)籽晶高度下降0.8mm,以此溫度確定原料全部熔化及籽晶與熔體熔接點(diǎn)溫度。啟動(dòng)鈦寶石晶體生長(zhǎng)程序通過(guò)溫控儀表調(diào)控加熱器的功率大小使坩堝內(nèi)熔體在立體空間(長(zhǎng)寬高)上產(chǎn)生合適的溫度梯度，以2.50C Ar速率降溫80小時(shí)。結(jié)晶完成后以300C Ar速率降至室溫，生長(zhǎng)及退火全過(guò)程結(jié)束。開(kāi)爐取出鈦寶石晶體，獲得寬140_，高140mm，長(zhǎng)度280mm，重達(dá)20公斤，結(jié)晶完整、沒(méi)有裂紋。晶體內(nèi)部質(zhì)量達(dá)到低位錯(cuò)密度、沒(méi)有包裹物及鑲嵌等缺陷的鈦寶石晶體。
[0041 ] 實(shí)施例2中的鈦寶石晶體大小比實(shí)施例1增加了近3倍，雖然增加了鈦寶石晶體的大小而生長(zhǎng)鈦寶石晶體所需要的時(shí)間幾乎與實(shí)施例1相當(dāng)。所獲得的鈦寶石晶體完全沒(méi)有類(lèi)似氣泡、裂紋、鑲嵌等內(nèi)部質(zhì)量缺陷問(wèn)題。
【權(quán)利要求】
1.一種鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置，包括箱式真空電阻爐體(9)，在該箱式真空電阻爐體(9)的外殼上設(shè)有真空系統(tǒng)(12)，其特征是在所述的箱式真空電阻爐體(9)內(nèi)部的中心位置設(shè)置底部中心區(qū)域帶有一板條狀的籽晶槽的方形坩堝(1)，在該坩堝(I)的兩側(cè)是平行放置的Z字型的加熱器(2、3 )，該加熱器(2、3 )是由石墨螺帽(13 )固定連接在電極(14)上，在該加熱器的周?chē)星昂箝_(kāi)門(mén)、上下左右一體的箱式石墨硬氈保溫罩(8)，坩堝(I)的底下為坩堝托(5)，在坩堝的底部靠近籽晶槽的部位有測(cè)溫控溫的熱電偶(4)，在坩堝(I)的正上方保溫罩的外部設(shè)有籽晶探測(cè)系統(tǒng)(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于所述的加熱器是兩塊Z字型在寬度和厚度上下方向和長(zhǎng)度方向開(kāi)了多個(gè)上槽和多個(gè)下槽以構(gòu)成Z型的板條通電回路，在板條通電回路的上下和長(zhǎng)度方向按一定規(guī)律排列制作不同的厚度和寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于所述的籽晶探測(cè)系統(tǒng)(7)由籽晶探針、連接桿及探針升降機(jī)構(gòu)構(gòu)成，所述的探針由鎢材料加工而成。
4.利用權(quán)利要求1所述的鈦寶石晶體生長(zhǎng)裝置生長(zhǎng)鈦寶石晶體的方法，其特征在于該方法包括如下步驟: ①在坩堝(I)的籽晶槽(11)中放入定向板條狀籽晶(10)，其厚度已知，啟動(dòng)籽晶探針升降機(jī)構(gòu)(7 -1)探測(cè)籽晶(10)至坩堝(I)上邊緣的距離； ②將晶體生長(zhǎng)原料裝入坩堝(I)內(nèi)，裝好爐，通過(guò)所述的真空系統(tǒng)(12)將所述的箱式真空電阻爐體(9)內(nèi)抽真空至真空度10-3Pa，充入惰性氣體進(jìn)入原料熔融階段； ③當(dāng)爐內(nèi)熱電偶(4)測(cè)溫達(dá)到原料熔點(diǎn)溫度后，啟動(dòng)籽晶探針升降機(jī)構(gòu)(7— I)探測(cè)確定籽晶與坩堝上邊緣的距離差，通過(guò)板條籽晶的厚度、籽晶與坩堝上邊緣的距離變化的差值，判定籽晶與熔體熔接點(diǎn)溫度；` ④當(dāng)確定好籽晶與熔體熔接點(diǎn)溫度后，恒溫幾小時(shí)，以澄清、均化好熔體以待結(jié)晶生長(zhǎng); ⑤通過(guò)啟動(dòng)溫度控制儀，按既定的晶體生長(zhǎng)程序，控制加熱器輸出電壓電流的大小，形成穩(wěn)定適中的熱場(chǎng)，自動(dòng)完成晶體的生長(zhǎng)、退火過(guò)程； ⑥等爐內(nèi)溫度按既定程序降到室溫后，打開(kāi)爐門(mén)，取出晶體。
【文檔編號(hào)】C30B15/36GK103726105SQ201310471733
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月11日
【發(fā)明者】張小翠, 司繼良, 徐民 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所