蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置、有機(jī)el器件的制造裝置以及制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠?qū)υ谳斔椭幕纳线B續(xù)形成的有機(jī)EL元件確認(rèn)各結(jié)構(gòu)層的蒸鍍狀況的蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置、有機(jī)EL器件的制造裝置以及制造方法。蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置具有：讀取裝置，其用于讀取構(gòu)成各有機(jī)EL元件的多個(gè)結(jié)構(gòu)層中的、至少兩個(gè)以上的結(jié)構(gòu)層；處理部，其進(jìn)行將利用該讀取裝置讀取到的、位于上述基材的長(zhǎng)度方向的相同位置的各結(jié)構(gòu)層的數(shù)據(jù)作為規(guī)定的有機(jī)EL元件的數(shù)據(jù)集中起來(lái)的處理。
【專利說明】蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置、有機(jī)EL器件的制造裝置以及制造方法
[0001] 本申請(qǐng)主張日本特愿2012-52975號(hào)和日本特愿2013-30034號(hào)的優(yōu)先權(quán)，通過引 用而將這些編入本申請(qǐng)說明書的記載。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及用于對(duì)形成于基材的有機(jī)EL(電致發(fā)光）元件的蒸鍍數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的 蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置。另外，本發(fā)明涉及用于制造有機(jī)EL器件的有機(jī)EL器件的制造裝置，進(jìn) 一步涉及有機(jī)EL器件的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0003] 以往，作為有機(jī)EL器件的制造方法，公知有卷對(duì)卷工藝。該卷對(duì)卷工藝是這樣的 工藝：連續(xù)地放出被卷取成了卷狀的帶狀的基材并輸送，而且，多個(gè)蒸鍍?cè)闯蜉斔椭幕?材噴出氣化材料，并使噴出來(lái)的氣化材料蒸鍍?cè)诨牡恼翦兠?，由此，在基材上形成有機(jī)EL 元件的結(jié)構(gòu)層，之后，將基材卷取成卷狀（參照專利文獻(xiàn)1)。
[0004] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2008-287996號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 發(fā)明要解決的問是頁(yè)
[0006] 然而，在專利文獻(xiàn)1的制造裝置、制造方法中，因?yàn)槎鄠€(gè)蒸鍍?cè)催B續(xù)噴出氣化材 料，各結(jié)構(gòu)層連續(xù)被層疊，所以無(wú)法完全掌握各結(jié)構(gòu)層的蒸鍍狀況。因此，對(duì)于連續(xù)地形成 于輸送著的基材上的有機(jī)EL元件，有想要確認(rèn)規(guī)定的有機(jī)EL元件的各結(jié)構(gòu)層的蒸鍍狀況 的要求。
[0007] 于是，本發(fā)明鑒于這樣的情況，其課題在于，提供一種能夠?qū)B續(xù)地形成于輸送著 的基材的有機(jī)EL元件確認(rèn)各結(jié)構(gòu)層的蒸鍍狀況的蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置、有機(jī)EL器件的制造 裝置以及制造方法。
[0008] 用于解決問題的方案
[0009] 本發(fā)明的蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置是一種對(duì)通過在被輸送的帶狀的基材上蒸鍍氣化材 料而沿上述基材的長(zhǎng)度方向并列形成的多個(gè)有機(jī)EL元件的蒸鍍數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的蒸鍍數(shù)據(jù) 處理裝置，其特征在于，該蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置具有：讀取裝置，其用于讀取構(gòu)成上述各有機(jī) EL元件的多個(gè)結(jié)構(gòu)層中的、至少2個(gè)以上的結(jié)構(gòu)層；處理部，其進(jìn)行將利用該讀取裝置讀取 到的、位于上述基材的長(zhǎng)度方向的相同位置的各結(jié)構(gòu)層的數(shù)據(jù)作為規(guī)定的有機(jī)EL元件的 數(shù)據(jù)集中起來(lái)的處理。
[0010] 另外，本發(fā)明的有機(jī)EL器件的制造裝置具有：輸送裝置，其用于輸送上述基材；多 個(gè)蒸鍍?cè)矗溆糜趯饣牧蠂姷奖惠斔偷纳鲜龌纳?，通過將自上述各蒸鍍?cè)磭姵鰜?lái)的 氣化材料蒸鍍到上述基材上，而形成由多個(gè)結(jié)構(gòu)層構(gòu)成的上述有機(jī)EL元件，其特征在于， 該有機(jī)EL器件的制造裝置具有上述的蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置。
[0011] 另外，在本發(fā)明的有機(jī)EL器件的制造裝置中，也可以是，該有機(jī)EL器件的制造裝 置具有遮蔽裝置，該遮蔽裝置具有用于遮蔽上述基材的遮蔽構(gòu)件，為了在上述基材的、作為 形成結(jié)構(gòu)層的位置的結(jié)構(gòu)層形成位置蒸鍍氣化材料，上述遮蔽構(gòu)件具有使上述基材的上述 結(jié)構(gòu)層形成位置暴露的第1開放部，為了形成成為上述讀取裝置讀取結(jié)構(gòu)層的契機(jī)的讀取 契機(jī)部，進(jìn)而為了在上述基材的、作為形成上述讀取契機(jī)部的位置的契機(jī)部形成位置蒸鍍 氣化材料，上述遮蔽裝置具有使上述基材的上述契機(jī)部形成位置暴露的第2開放部，上述 讀取裝置基于對(duì)上述讀取契機(jī)部的檢測(cè)來(lái)讀取結(jié)構(gòu)層。
[0012] 另外，在本發(fā)明的有機(jī)EL器件的制造裝置中，也可以是，上述處理裝置具有：蒸鍍 控制部，其用于控制上述各蒸鍍?cè)磭姵鰵饣牧系那闆r；蒸鍍檢查部，其基于由上述讀取裝 置讀取到的結(jié)構(gòu)層的數(shù)據(jù)來(lái)檢查該結(jié)構(gòu)層的蒸鍍狀態(tài)，上述蒸鍍控制部基于上述蒸鍍檢查 部的檢查結(jié)果，使上述各蒸鍍?cè)赐Ｖ箛姵鰵饣牧稀?br> [0013] 另外，本發(fā)明的有機(jī)EL器件的制造方法的特征在于，利用上述的有機(jī)EL器件的制 造裝置來(lái)制造有機(jī)EL器件。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014] 圖1表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置的整體俯視圖。
[0015] 圖2表示該實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置的主要部件俯視圖。
[0016] 圖3表示作為該實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置的主要部件圖的、規(guī)定的遮蔽 構(gòu)件位于遮蔽位置的狀態(tài)的俯視圖。
[0017] 圖4表示作為該實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置的主要部件圖的、規(guī)定的遮蔽 構(gòu)件位于遮蔽位置的狀態(tài)的縱剖視圖。
[0018] 圖5表示作為該實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置的主要部件圖的、規(guī)定的遮蔽 構(gòu)件位于遮蔽位置的狀態(tài)的側(cè)面展開圖。
[0019] 圖6表示作為該實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置的主要部件圖的、規(guī)定的遮蔽 構(gòu)件位于遮蔽解除位置的狀態(tài)的俯視圖。
[0020] 圖7表示作為該實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置的主要部件圖的、規(guī)定的遮蔽 構(gòu)件位于遮蔽解除位置的狀態(tài)的縱剖視圖。
[0021] 圖8表示該實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置的系統(tǒng)概要圖。
[0022] 圖9表示利用該實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置制造出來(lái)的有機(jī)EL器件的主 要部件俯視圖。
[0023] 圖10表示該有機(jī)EL器件的、圖9中的X-X線的放大剖視圖。
[0024] 圖11表示利用本發(fā)明的其他的實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置制造出來(lái)的有 機(jī)EL器件的放大縱剖視圖。
[0025] 圖12表示本發(fā)明的其他的實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置的主要部件側(cè)面展 開圖。
[0026] 圖13表示利用該實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置制造出來(lái)的有機(jī)EL器件的 主要部件俯視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027] 以下，參照?qǐng)D1?圖10,說明本發(fā)明的有機(jī)EL器件的制造裝置的一實(shí)施方式。
[0028] 本實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置（以下也簡(jiǎn)稱為"制造裝置"）100具有：真 空室1，其內(nèi)部是真空；輸送裝置2,其以使帶狀的基材81通過真空室1的內(nèi)部的方式沿長(zhǎng) 度方向輸送帶狀的基材81 ;蒸鍍裝置3,其將氣化材料噴到作為被輸送的基材81的一側(cè)的 面的蒸鍍面811 ;讀取裝置4,其用于讀取構(gòu)成各有機(jī)EL元件80的結(jié)構(gòu)層；遮蔽裝置5,其 用于遮蔽基材81 ;處理部6,其用于處理由讀取裝置4讀取到的數(shù)據(jù)。
[0029] 另外，制造裝置100具有用于處理沿基材81的長(zhǎng)度方向并列地形成的多個(gè)有機(jī)EL 元件80的蒸鍍數(shù)據(jù)的蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置（以下也簡(jiǎn)稱為"處理裝置"）101。處理裝置101 由讀取裝置4、處理部6、例如像鍵盤、鼠標(biāo)這樣的用于輸入各種數(shù)據(jù)的輸入部71以及例如 像顯示裝置、打印機(jī)這樣的用于輸出被處理過的數(shù)據(jù)的輸出部72構(gòu)成。
[0030] 真空室1具有3個(gè)真空腔室11和為了使各真空腔室11的內(nèi)部成為真空而與各真 空腔室11連接的真空發(fā)生裝置（例如，真空泵）12。而且，各真空腔室11將各裝置2、3、4、 5收容在內(nèi)部。
[0031] 輸送裝置2具有：基材供給部21，其將被卷成了卷狀的帶狀的基材81放出并進(jìn)行 供給；多個(gè)支承輥22、23,其通過將基材81掛在外周部來(lái)支承基材81 ;基材回收部24,其將 基材81卷取成卷狀并進(jìn)行回收。另外，自始至終，基材81以蒸鍍面811朝向側(cè)方的狀態(tài)被 輸送。
[0032] 在多個(gè)支承輥22、23中設(shè)置有：第1筒輥?第3筒輥22,其在基材81被蒸鍍裝置 3蒸鍍時(shí)支承基材81 ;多個(gè)輸送輥23,其配置在基材供給部21、各筒輥22以及基材回收部 24之間。而且，多個(gè)支承輥22、23將基材81架起來(lái)。
[0033] 蒸鍍裝置3具有：第1蒸鍍部31，其使氣化材料朝向支承于第1筒輥22的基材81 蒸鍍；第2蒸鍍部32,其使氣化材料朝向支承于第2筒輥22的基材81蒸鍍；第3蒸鍍部 33,其使氣化材料朝向支承于第3筒輥22的基材81蒸鍍。此外，各蒸鍍部31?33是配置 在各筒輥22的側(cè)方的橫向蒸鍍部。
[0034] 第1蒸鍍部31具有通過使氣化材料氣化并噴出、而在基材81的蒸鍍面811上形 成陽(yáng)極層82(參照?qǐng)D10)的陽(yáng)極層蒸鍍?cè)?11。即，第1蒸鍍部31形成構(gòu)成陽(yáng)極層82的、 一層的陽(yáng)極層結(jié)構(gòu)層。
[0035] 第2蒸鍍部32具有：空穴注入層蒸鍍?cè)?21，其通過使氣化材料氣化并噴出，而在 基材81的蒸鍍面811上形成空穴注入層831 (參照?qǐng)D10);空穴輸送層蒸鍍?cè)?22,其配置 在比空穴注入層蒸鍍?cè)?21靠下游的位置，通過使氣化材料氣化并噴出，而形成空穴輸送 層832 (參照?qǐng)D10);發(fā)光層蒸鍍?cè)?23,其配置在比空穴輸送層蒸鍍?cè)?22靠下游的位置， 通過使氣化材料氣化并噴出，而形成發(fā)光層833 (參照?qǐng)D10)。
[0036] 另外，第2蒸鍍部32具有：電子輸送層蒸鍍?cè)?24,其配置在比發(fā)光層蒸鍍?cè)?23 靠下游的位置，通過使氣化材料氣化并噴出，而形成電子輸送層834 (參照?qǐng)D10);電子注入 層蒸鍍?cè)?25,其配置在比電子輸送層蒸鍍?cè)?24靠下游的位置，通過使氣化材料氣化并噴 出，而形成電子注入層835 (參照?qǐng)D10)。即，第2蒸鍍部32形成構(gòu)成有機(jī)EL層83 (參照?qǐng)D 10)的、五層的有機(jī)EL層結(jié)構(gòu)層。
[0037] 第3蒸鍍部33具有通過使氣化材料氣化并噴出、而在基材81的蒸鍍面811上形 成第1陰極層結(jié)構(gòu)層?第3陰極層結(jié)構(gòu)層841?843 (參照?qǐng)D10)的第1陰極層蒸鍍?cè)? 第3陰極層蒸鍍?cè)?31?333。即，第3蒸鍍部33形成構(gòu)成陰極層84的、三層層疊體的陰 極層結(jié)構(gòu)層。
[0038] 各蒸鍍?cè)?11、321?325、331?333構(gòu)成為，利用加熱部（未圖示和未標(biāo)附圖標(biāo) 記）對(duì)收容于內(nèi)部的材料進(jìn)行加熱而使其氣化，而且，使氣化了的材料（氣化材料）從噴出 部的開口向基材81的蒸鍍面811噴出。而且，各蒸鍍?cè)?11、321?325、331?333為了橫 向噴出氣化材料，以噴出部的開口配置在側(cè)部并且與基材81的蒸鍍面811相對(duì)的方式配 置。
[0039] 另外，各蒸鍍?cè)?11、321?325、331?333配置在靠近基材81的位置。具體而言， 各蒸鍍?cè)?11、321?325、331?333配置在各蒸鍍?cè)?11、321?325、331?333的噴出部 的開口與基材81之間的距離（最短距離）為10mm以下的位置。
[0040] 讀取裝置4具有用于讀取基材81的蒸鍍面811的規(guī)定區(qū)域的多個(gè)讀取器41。另 夕卜，各讀取器41分別配置于各蒸鍍?cè)?11、321?325、331?333的下游側(cè)。由此，讀取裝 置4利用各讀取器41讀取有機(jī)EL元件80的被各蒸鍍?cè)?11、321?325、331?333蒸鍍 而成的各結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?843的蒸鍍狀態(tài)（例如，蒸鍍區(qū)域、蒸鍍厚度等）。
[0041] 而且，各讀取器41配置于各筒輥22的側(cè)方，并且以與基材81的蒸鍍面811相對(duì) 的方式配置。而且，各讀取器41配置在靠近基材81的位置。此外，在本實(shí)施方式中，各讀 取器41使用C⑶攝像機(jī)。
[0042] 如圖2?圖7所示，遮蔽裝置5具有：多個(gè)遮蔽構(gòu)件51，其用于遮蔽基材81 ;多個(gè) 切換機(jī)構(gòu)52,其通過使各遮蔽構(gòu)件51旋轉(zhuǎn)移動(dòng)，來(lái)切換各遮蔽構(gòu)件51的位置。此外，在圖 2中示出在第1筒輥22中設(shè)置的全部（六個(gè)）遮蔽構(gòu)件51，但在圖3?圖7中，只圖示特 定（1個(gè)）的遮蔽構(gòu)件51。
[0043] 另外，在圖2?圖7中，圖示在第1筒輥22設(shè)置的各遮蔽構(gòu)件51和各切換機(jī)構(gòu) 52,但在第2筒輥22和第3筒輥22設(shè)置的各遮蔽構(gòu)件51和各切換機(jī)構(gòu)52也是大致相同 的結(jié)構(gòu)。此外，在本實(shí)施方式中，在第2筒輥22設(shè)置的各遮蔽構(gòu)件51和各切換機(jī)構(gòu)52分 別是10個(gè)。在第3筒輥23設(shè)置的各遮蔽構(gòu)件51和各切換機(jī)構(gòu)52分別是6個(gè)。
[0044] 各遮蔽構(gòu)件51具有：遮蔽部511，其用于遮蔽基材81 ;第1開放部512,其為了使 氣化材料蒸鍍到基材81的規(guī)定位置（以下也稱為"結(jié)構(gòu)層形成位置"）而使結(jié)構(gòu)層形成位 置暴露出來(lái)。另外，各遮蔽構(gòu)件51具有與切換機(jī)構(gòu)52相連的基部513。
[0045] 而且，各遮蔽構(gòu)件51利用各切換機(jī)構(gòu)52在遮蔽位置和遮蔽解除位置之間切換，遮 蔽位置是指遮蔽部511配置在蒸鍍?cè)?11和基材81之間而將基材81遮蔽的位置，遮蔽解除 位置是指使遮蔽部511從蒸鍍?cè)?11和基材81之間退避而解除對(duì)基材81的遮蔽的位置。 在本實(shí)施方式中，各遮蔽構(gòu)件51使用所謂的翻轉(zhuǎn)式遮蔽板。
[0046] 各遮蔽部511形成為帶狀（具體而言是矩形形狀）并且形成為板狀，而第1開放 部512在遮蔽部511的內(nèi)部形成為矩形形狀。另外，遮蔽部511在位于遮蔽位置的狀態(tài)下， 與基材81分開地配置。例如，遮蔽部511與基材81之間的分開間隔優(yōu)選1mm以下。
[0047] 另外，在遮蔽裝置5中，各遮蔽構(gòu)件51沿著筒輥22的周向并列，并且，位于遮蔽位 置的各遮蔽部511間彼此分開地配置，由此，形成有第2開放部5a。而且，遮蔽裝置5借助 第2開放部5a使基材81的規(guī)定位置（以下也稱為"契機(jī)部形成位置"）暴露出來(lái)。由此， 能將氣化材料蒸鍍?cè)诨?1的契機(jī)部形成位置，從而形成作為讀取裝置4讀取結(jié)構(gòu)層82、 831?835、841?843的契機(jī)的讀取契機(jī)部85 (參照?qǐng)D10)。
[0048] 各切換機(jī)構(gòu)52具有以與筒輥22 -體旋轉(zhuǎn)的方式固定于筒輥22的主體部521。另 夕卜，各切換機(jī)構(gòu)52具有：第1旋轉(zhuǎn)體522,其以繞著與筒輥22的驅(qū)動(dòng)軸221平行的軸旋轉(zhuǎn) 的方式支承于主體部521 ;第2旋轉(zhuǎn)體523,其以繞沿著與第1旋轉(zhuǎn)體522的軸正交的方向 配置的軸旋轉(zhuǎn)的方式支承于主體部521，并且受到第1旋轉(zhuǎn)體522的驅(qū)動(dòng)。
[0049] 而且，各切換機(jī)構(gòu)52具有：第1連桿體524,其一端部與第1旋轉(zhuǎn)體522的軸連結(jié)； 第2連桿體525,其一端部與第2旋轉(zhuǎn)體523的軸連結(jié)并且另一端部與遮蔽構(gòu)件51的基部 513連結(jié)。而且，各切換機(jī)構(gòu)52具有：凸輪從動(dòng)件526,其以能夠旋轉(zhuǎn)的方式安裝于第1連 桿體524的另一端部；凸輪527,其與凸輪從動(dòng)件526滑動(dòng)接觸。
[0050] 在各第1旋轉(zhuǎn)體522和各第2旋轉(zhuǎn)體523的內(nèi)部，分別設(shè)置有磁性體。由此，各第 2旋轉(zhuǎn)體523的磁性體自各第1旋轉(zhuǎn)體522的磁性體受到磁力，因此，各第2旋轉(zhuǎn)體523伴 隨各第1旋轉(zhuǎn)體522的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)。此外，各第1旋轉(zhuǎn)體522和各第2旋轉(zhuǎn)體523分開配 置。
[0051] 凸輪527構(gòu)成為圓板狀。而且，凸輪527與用于驅(qū)動(dòng)筒輥22的驅(qū)動(dòng)軸221同心狀 地配置。然而，凸輪527并不與驅(qū)動(dòng)軸221和筒輥22 -體旋轉(zhuǎn)，而被固定于真空腔室11。
[0052] 凸輪527具有：第1區(qū)域527a，其用于將遮蔽部511保持在遮蔽解除位置；第2區(qū) 域527b，其用于使遮蔽部511從遮蔽解除位置向遮蔽位置移動(dòng)；第3區(qū)域527c，其用于將遮 蔽部511保持在遮蔽位置；第4區(qū)域527d，其用于使遮蔽部511從遮蔽位置向遮蔽解除位 置移動(dòng)。
[0053] 而且，各切換機(jī)構(gòu)52通過使遮蔽構(gòu)件51以筒輥22的外周部的切線方向（與筒輥 22的驅(qū)動(dòng)軸221正交的方向）為中心旋轉(zhuǎn)，而使遮蔽部511與基材81接近、分開。此外，在 各切換機(jī)構(gòu)52上設(shè)置有施力構(gòu)件（未圖7^和未標(biāo)附圖標(biāo)記），以維持凸輪從動(dòng)件526與凸 輪527的各區(qū)域（第1區(qū)域527a?第4區(qū)域527d)接觸了的狀態(tài)的方式進(jìn)行施力。
[0054] 另外，在第1筒輥22中，筒輥22每旋轉(zhuǎn)1圈時(shí)，以使遮蔽部511位于遮蔽位置和 遮蔽解除位置各1次的方式進(jìn)行切換。為了讀取裝置4讀取所有的結(jié)構(gòu)層82、831?835、 841?843的蒸鍍狀況，各筒輥22每旋轉(zhuǎn)1圈時(shí)，以使遮蔽部511位于遮蔽位置和遮蔽解除 位置分別與配置于筒輥22的蒸鍍?cè)?11、321?325、341?343的數(shù)量相當(dāng)?shù)拇螖?shù)的方式 進(jìn)行切換。
[0055] 具體而言，在第2筒輥22中，筒輥22每旋轉(zhuǎn)1圈時(shí)，以使遮蔽部511位于遮蔽位 置和遮蔽解除位置各5次的方式進(jìn)行切換。另外，在第3筒輥22中，第3筒輥22每旋轉(zhuǎn)1 圈時(shí)，以使遮蔽部511位于遮蔽位置和遮蔽解除位置各3次的方式進(jìn)行切換。而且，在遮蔽 部511位于遮蔽解除位置時(shí)，讀取器41讀取基材81的蒸鍍面811。
[0056] 如圖8所示，處理部6具有：輸送控制部61，其用于控制輸送裝置2 ;蒸鍍控制部 62,其用于控制蒸鍍裝置3 ;讀取控制部63,其用于控制讀取裝置4。另外，處理部6具有： 蒸鍍檢查部64,其基于讀取裝置4讀取到的數(shù)據(jù)檢查蒸鍍狀況；集中處理部65,其用于將由 讀取裝置4讀取到的數(shù)據(jù)集中起來(lái)。
[0057] 蒸鍍控制部62用于控制各蒸鍍?cè)?11、321?325、331?333噴出氣化材料的情 況。而且，蒸鍍控制部62基于蒸鍍檢查部64的檢查結(jié)果使各蒸鍍?cè)?11、321?325、331? 333停止噴出氣化材料。具體而言，在蒸鍍檢查部64判斷為規(guī)定的結(jié)構(gòu)層形成位置的陽(yáng) 極層82出現(xiàn)異常的情況下，使配置于陽(yáng)極層蒸鍍?cè)?11的下游側(cè)的各蒸鍍?cè)?21?325、 331?333停止向該結(jié)構(gòu)層形成位置噴出氣化材料。
[0058] 讀取控制部63基于對(duì)基材81的讀取契機(jī)部85進(jìn)行檢測(cè)的情況控制各讀取器41， 以使各讀取器41讀取基材81的蒸鍍面811。具體而言，為了在合適的位置讀取結(jié)構(gòu)層，讀 取控制部63以這樣的方式控制各讀取器41 :在讀取器41檢測(cè)到讀取契機(jī)部85后經(jīng)過規(guī) 定時(shí)間時(shí)，使讀取器41讀取基材81的蒸鍍面811。
[0059] 蒸鍍檢查部64具有：信息存儲(chǔ)部641，其存儲(chǔ)用于進(jìn)行檢查的蒸鍍數(shù)據(jù)的信息；結(jié) 果判定部642,其用于比較信息存儲(chǔ)部641的信息與利用讀取裝置4讀取到的結(jié)構(gòu)層的蒸 鍍數(shù)據(jù)（例如，蒸鍍區(qū)域、基于蒸鍍濃度的蒸鍍厚度等），并判定蒸鍍狀況是正常還是異常。 而且，蒸鍍檢查部64在判定為規(guī)定的結(jié)構(gòu)層形成位置的蒸鍍產(chǎn)生異常時(shí)，將該結(jié)構(gòu)層形成 位置的信息送到蒸鍍控制部62。
[0060] 集中處理部65進(jìn)行將利用讀取裝置4讀取到的、位于基材81的長(zhǎng)度方向的相同 位置、即在相同的結(jié)構(gòu)層形成位置的各結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?843的數(shù)據(jù)作為1個(gè) 有機(jī)EL元件80的數(shù)據(jù)集中起來(lái)的處理。由此，分別將各有機(jī)EL元件80的各結(jié)構(gòu)層82、 831?835、841?843的數(shù)據(jù)匯總起來(lái)。
[0061] 本實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置100是如上述那樣形成，接著，參照?qǐng)D9和 圖10說明利用本實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置100制造出來(lái)的有機(jī)EL器件8的結(jié) 構(gòu)。
[0062] 有機(jī)EL器件8具有：基材81 ;由一層構(gòu)成的陽(yáng)極層82 ;作為五層的層疊體的有機(jī) EL層83 ;作為三層的層疊體的陰極層84。另外，有機(jī)EL器件8具有成為讀取沿基材81的 長(zhǎng)度方向并列地形成的多個(gè)有機(jī)EL元件80的各結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?843的契機(jī) 的讀取契機(jī)部85。
[0063] 此外，基材81的各尺寸（寬度、厚度、長(zhǎng)度）能夠根據(jù)形成于基材81的有機(jī)EL元 件80的大小、制造裝置100的結(jié)構(gòu)等適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，而并不特別限定。另外，各層82?84的 厚度通常設(shè)計(jì)為幾 nm?幾十nm左右，能夠根據(jù)所使用的結(jié)構(gòu)層形成材料、發(fā)光特性等進(jìn)行 適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)，而不特別限定。
[0064] 作為基材81的形成材料，使用輸送時(shí)不產(chǎn)生損傷那樣具有撓性的材料。作為這樣 的材料，例如能舉出不銹鋼、銅、鋁或者鈦這樣的金屬材料、薄膜玻璃這樣的非金屬無(wú)機(jī)材 料、作為聚酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂或者 聚酰胺樹脂這樣的熱固化性樹脂、熱塑性樹脂的合成樹脂材料。
[0065] 作為陽(yáng)極層82的形成材料，能夠舉出金、銀、鋁等。此外，雖然本實(shí)施方式的陽(yáng)極 層82采用了由1個(gè)陽(yáng)極層結(jié)構(gòu)層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，但并不限于該結(jié)構(gòu)。例如，陽(yáng)極層只要由1 個(gè)以上的陽(yáng)極層結(jié)構(gòu)層形成即可。
[0066] 有機(jī)EL層83是由5個(gè)有機(jī)EL層結(jié)構(gòu)層構(gòu)成的五層的層疊體。而且，5個(gè)有機(jī)EL 層結(jié)構(gòu)層是從陽(yáng)極層82側(cè)依次為空穴注入層831、空穴輸送層832、發(fā)光層833、電子輸送層 834以及電子注入層835。
[0067] 作為空穴注入層831的形成材料，例如能夠舉出銅酞菁（CuPc)、4,4' -雙 [N-4- (N，N-二-間甲苯基氨基）苯基]-N-苯基氨基聯(lián)苯（DNTH))、HAT-CN等。
[0068] 作為空穴輸送層832的形成材料，例如能夠舉出4, 4' -二[N-(l-萘基）N-苯基 氨基]-聯(lián)苯（a-NPD)、N，N' -二苯基-Ν，Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯_4,4' -二胺 (TTO)等。
[0069] 作為發(fā)光層833的形成材料，例如能夠舉出摻雜了三（8-羥基喹啉）鋁（Alq3)、銥 絡(luò)合物（Ir(ppy)3)的4,4' -N，N' -二咔唑聯(lián)苯（CBP)等。
[0070] 作為電子注入層834的形成材料，例如能夠舉出氟化鋰（LiF)、氟化銫（CsF)、氧化 鋰（Li 20)等。
[0071] 作為電子輸送層835的形成材料，例如能夠舉出三（8-羥基喹啉）鋁（Alq3)、 二（2-甲基-8-羥基喹啉）-4-苯基苯酚-鋁（BAlq)、0XD-7(1，3_二[5_(對(duì)叔丁基苯 基） -1，3,4-11惡二唑_2_基])苯、氣化裡（LiF)等。
[0072] 此外，本實(shí)施方式的有機(jī)EL層83采用由5個(gè)有機(jī)EL層結(jié)構(gòu)層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，但并 不限于該結(jié)構(gòu)。例如，有機(jī)EL層83只要由1個(gè)以上的有機(jī)EL層結(jié)構(gòu)層形成即可。具體而 言，有機(jī)EL層83只要至少具有發(fā)光層833,就不特別限定其層結(jié)構(gòu)。
[0073] 作為陰極層84的形成材料，能夠舉出含有鎂（Mg)、銀（Ag)等的合金、氟化鋰 (LiF)等。而且，在本實(shí)施方式中，第1陰極層結(jié)構(gòu)層是LiF層，第2陰極層形成層是Mg層， 第3陰極層結(jié)構(gòu)層是Ag層。此外，本實(shí)施方式的陰極層84采用由3個(gè)陰極層結(jié)構(gòu)層構(gòu)成 的結(jié)構(gòu)，但并不限于該結(jié)構(gòu)。例如，陰極層只要由1個(gè)以上的陰極層結(jié)構(gòu)層形成即可。
[0074] 讀取契機(jī)部85配置在沿基材81的長(zhǎng)度方向并列的多個(gè)有機(jī)EL元件80之間。而 且，讀取契機(jī)部85以在基材81的長(zhǎng)度方向上寬度比有機(jī)EL元件80寬度小的方式形成。
[0075] 如上所述，采用本實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置100,讀取裝置4讀取構(gòu)成沿 基材81的長(zhǎng)度方向并列形成的各有機(jī)EL元件80的、多個(gè)結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?843 的全部數(shù)據(jù)。而且，處理部6進(jìn)行將由讀取裝置4讀取到的、位于基材81的長(zhǎng)度方向的相 同位置的各結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?843的數(shù)據(jù)作為規(guī)定的有機(jī)EL元件80的數(shù)據(jù)集 中起來(lái)的處理。
[0076] 由此，能夠容易確認(rèn)每個(gè)有機(jī)EL元件80的各結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?843的 數(shù)據(jù)。因此，能夠?qū)υ谳斔椭幕?1上連續(xù)形成的有機(jī)EL元件80確認(rèn)規(guī)定的有機(jī)EL 元件80的各結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?843的蒸鍍狀況。
[0077] 另外，采用本實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置100,在遮蔽裝置5上設(shè)置有用于 遮蔽基材81的遮蔽構(gòu)件51。而且，在遮蔽構(gòu)件51上設(shè)置有第1開放部512,因此，使基材 81的、作為形成結(jié)構(gòu)層的位置的結(jié)構(gòu)層形成位置暴露出來(lái)。由此，在基材81的結(jié)構(gòu)層形成 位置蒸鍍氣化材料，能夠形成所希望的結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?843。
[0078] 另外，采用本實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置100,在遮蔽裝置5上，在遮蔽部 511之間的間隙設(shè)置有第2開放部5a，因此，能夠使作為形成讀取裝置4讀取結(jié)構(gòu)層82、 831?835、841?843的契機(jī)的讀取契機(jī)部85的位置的、基材81的契機(jī)部形成位置暴露出 來(lái)。
[0079] 由此，因?yàn)樵诨?1的契機(jī)部形成位置蒸鍍氣化材料，能夠形成讀取契機(jī)部85。 而且，讀取裝置4基于對(duì)讀取契機(jī)部85進(jìn)行檢測(cè)的情況而讀取結(jié)構(gòu)層82、831?835、841? 843的數(shù)據(jù)，因此，各讀取器41正確地識(shí)別結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?843的位置并讀取 結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?843的數(shù)據(jù)。
[0080] 另外，采用本實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置100,蒸鍍檢查部64基于由讀取 裝置4讀取到的結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?843的數(shù)據(jù)，檢查該結(jié)構(gòu)層82、831?835、 841?843的蒸鍍狀態(tài)。而且，控制各蒸鍍?cè)?11、321?325、331?333噴出氣化材料的蒸 鍍控制部62基于蒸鍍檢查部64的檢查結(jié)果，使各蒸鍍?cè)?11、321?325、331?333停止 噴出氣化材料。
[0081] 由此，蒸鍍檢查部64在判斷為規(guī)定的結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?843出現(xiàn)異常的 情況下，停止下游側(cè)的蒸鍍?cè)?21?325、331?333向該結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?842 的位置噴出氣化材料，由此，能夠?qū)崿F(xiàn)提高氣化材料的材料利用率（日文：材料歩合）。
[0082] 另外，采用本實(shí)施方式的有機(jī)EL器件的制造裝置100,在蒸鍍時(shí)，在基材81未產(chǎn)生 錯(cuò)位的情況下，遮蔽裝置5的轉(zhuǎn)動(dòng)速度和支承輥（筒輥）22的旋轉(zhuǎn)速度相等，進(jìn)行氣化材料 的蒸鍍。與此相對(duì)，在產(chǎn)生基材81的錯(cuò)位的情況下，讀出該錯(cuò)位，并且與該錯(cuò)位相應(yīng)地改變 遮蔽裝置5的轉(zhuǎn)動(dòng)速度，由此，能夠修正該錯(cuò)位帶來(lái)的影響。
[0083] 另外，本發(fā)明的蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置、有機(jī)EL器件的制造裝置以及制造方法并不限 于上述的實(shí)施方式，能夠在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更是理所當(dāng)然的。另 夕卜，任意選擇下述的各種的變更例的結(jié)構(gòu)、方法等，采用上述的實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)、方法等也 是理所當(dāng)然的。
[0084] 例如，在本發(fā)明的各裝置和制造方法中，在第1蒸鍍部31的下游具有邊緣覆蓋蒸 鍍部，在第3蒸鍍部33的下游具有密封層蒸鍍部。由此，如圖11所示，在所制造出的有機(jī) EL器件8上，為了防止陽(yáng)極層82和陰極層84接觸，也可以形成用于覆蓋陽(yáng)極層82的周圍 的邊緣覆蓋86,為了防止各層82?84與空氣接觸，可以形成用于覆蓋各層82?84的密封 層87。
[0085] 作為該邊緣覆蓋86的形成材料，能夠舉出氧化硅（SiOx)、三氧化鑰（M〇0 3)、五氧化 二鑰;（v；A)等。
[0086] 作為該密封層87的形成材料，能夠舉出三氧化鑰（M〇03)、氮氧化硅（SiN0 x)、碳氧 化硅（SiOC)等。此外，作為SiOx，例如能夠舉出5102等，作為SiN0 x，例如能夠舉出SiNO等。
[0087] 另外，在上述實(shí)施方式的各裝置100、101和制造方法中，說明了由各遮蔽部511之 間的間隙形成第2開放部5a的結(jié)構(gòu)，但并不限于該結(jié)構(gòu)。例如，如圖12所示，可以是在各 遮蔽構(gòu)件51上設(shè)置第2開放部514的結(jié)構(gòu)。此外，在圖12中，表示各遮蔽構(gòu)件51位于遮 蔽位置的狀態(tài)。
[0088] 而且，如圖12所示，可以是第2開放部514在每個(gè)遮蔽構(gòu)件51上是不同的形狀的 結(jié)構(gòu)。如圖13所示，采用該結(jié)構(gòu)，讀取契機(jī)部85在6個(gè)遮蔽部511 (511a?511f)的每個(gè)遮 蔽部上形成為不同形狀，因此，在蒸鍍檢查部64判定為規(guī)定的結(jié)構(gòu)層82、831?835、841? 843的蒸鍍狀況發(fā)生異常的情況下，能夠指定使異常發(fā)生的遮蔽構(gòu)件51 (511a?51 If)。
[0089] 另外，在上述實(shí)施方式的各裝置100U01和制造方法中，說明了通過使氣化材料 蒸鍍到基材81上、而形成讀取契機(jī)部85的結(jié)構(gòu)，但并不限于該結(jié)構(gòu)。例如，也可以是，在從 基材供給部21所供給的基材81上事先粘貼標(biāo)簽等。
[0090] 另外，在上述實(shí)施方式的各裝置100、101和制造方法中，說明了遮蔽部511旋轉(zhuǎn)的 翻轉(zhuǎn)式遮蔽板的結(jié)構(gòu)，但并不限于該結(jié)構(gòu)。例如，既可以是，遮蔽裝置5通過使遮蔽部511 沿規(guī)定方向滑動(dòng)、而在遮蔽位置和遮蔽解除位置之間切換遮蔽部511的結(jié)構(gòu)，另外，也可以 是，遮蔽裝置5與基材81面對(duì)面緊密接觸并且與基材81 -體地被輸送的帶狀的陰影掩模 的結(jié)構(gòu)。
[0091] 另外，在上述實(shí)施方式的各裝置100、101和制造方法中，說明了讀取裝置4是讀取 所有的結(jié)構(gòu)層82、831?835、841?843的結(jié)構(gòu)，但并不限于該結(jié)構(gòu)。例如，讀取裝置4可 以是讀取至少2個(gè)以上的結(jié)構(gòu)層的結(jié)構(gòu)。
[0092] 附圖標(biāo)記說明
[0093] 1、真空室；2、輸送裝置；3、蒸鍍裝置；4、讀取裝置；5、遮蔽裝置；5a、第2開放部； 6、處理部；8、有機(jī)EL器件；11、真空腔室；12、真空發(fā)生裝置；21、基材供給部；22、支承輥 (筒輥）；23、支承輥（輸送輥）；24、基材回收部；31，32,33、蒸鍍部；41、讀取器；51、遮蔽構(gòu) 件；52、切換機(jī)構(gòu)；61、輸送控制部；62、蒸鍍控制部；63、讀取控制部；64、蒸鍍檢查部；65、 集中處理部；71、輸入部；72、輸出部；80、有機(jī)EL元件；81、基材；82、陽(yáng)極層；83、有機(jī)EL 層；84、陰極層；85、讀取契機(jī)部；86、邊緣覆蓋；87、密封層；100、有機(jī)EL器件的制造裝置； 101、蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置；221、驅(qū)動(dòng)軸；311，321，322,323,324,325,331，332,333、蒸鍍?cè)矗?511、遮蔽部；512、第1開放部；513、基部；514、第2開放部；521、主體部；522、第1旋轉(zhuǎn)體； 523、第2旋轉(zhuǎn)體；524、第1連桿體；525、第2連桿體；526、凸輪從動(dòng)件；527、凸輪；527a、第1 區(qū)域；527b、第2區(qū)域；527c、第3區(qū)域；527d、第4區(qū)域；641、信息存儲(chǔ)部；642、結(jié)果判定部； 811、蒸鍍面；831、空穴注入層；832、空穴輸送層；833、發(fā)光層；834、電子輸送層；835、電子 注入層；841，842,843、陰極層結(jié)構(gòu)層。
【權(quán)利要求】
1. 一種蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置，其對(duì)通過在被輸送的帶狀的基材上蒸鍍氣化材料而沿上述 基材的長(zhǎng)度方向并列形成的多個(gè)有機(jī)EL元件的蒸鍍數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，其特征在于， 該蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置具有： 讀取裝置，其用于讀取構(gòu)成上述各有機(jī)EL元件的多個(gè)結(jié)構(gòu)層中的、至少2個(gè)以上的結(jié) 構(gòu)層；處理部，其進(jìn)行將利用該讀取裝置讀取到的、位于上述基材的長(zhǎng)度方向的相同位置的 各結(jié)構(gòu)層的數(shù)據(jù)作為規(guī)定的有機(jī)EL元件的數(shù)據(jù)集中起來(lái)的處理。
2. -種有機(jī)EL器件的制造裝置，其具有：輸送裝置，其用于輸送上述基材；多個(gè)蒸鍍 源，其用于將氣化材料噴到被輸送的上述基材上，通過將自上述各蒸鍍?cè)磭姵鰜?lái)的氣化材 料蒸鍍到上述基材上，而形成由多個(gè)結(jié)構(gòu)層構(gòu)成的上述有機(jī)EL元件，其特征在于， 該有機(jī)EL器件的制造裝置具有權(quán)利要求1所述的蒸鍍數(shù)據(jù)處理裝置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)EL器件的制造裝置，其特征在于， 該有機(jī)EL器件的制造裝置具有遮蔽裝置，該遮蔽裝置具有用于遮蔽上述基材的遮蔽 構(gòu)件， 為了在上述基材的、作為形成結(jié)構(gòu)層的位置的結(jié)構(gòu)層形成位置蒸鍍氣化材料，上述遮 蔽構(gòu)件具有使上述基材的上述結(jié)構(gòu)層形成位置暴露的第1開放部， 為了形成成為上述讀取裝置讀取結(jié)構(gòu)層的契機(jī)的讀取契機(jī)部，進(jìn)而為了在上述基材 的、作為形成上述讀取契機(jī)部的位置的契機(jī)部形成位置蒸鍍氣化材料，上述遮蔽裝置具有 使上述基材的上述契機(jī)部形成位置暴露的第2開放部， 上述讀取裝置基于對(duì)上述讀取契機(jī)部的檢測(cè)來(lái)讀取結(jié)構(gòu)層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的有機(jī)EL器件的制造裝置，其特征在于， 上述處理裝置具有：蒸鍍控制部，其用于控制上述各蒸鍍?cè)磭姵鰵饣牧系那闆r；蒸 鍍檢查部，其基于由上述讀取裝置讀取到的結(jié)構(gòu)層的數(shù)據(jù)來(lái)檢查該結(jié)構(gòu)層的蒸鍍狀態(tài)， 上述蒸鍍控制部基于上述蒸鍍檢查部的檢查結(jié)果，使上述各蒸鍍?cè)赐Ｖ箛姵鰵饣?料。
5. -種有機(jī)EL器件的制造方法，其特征在于， 利用權(quán)利要求2?4中任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL器件的制造裝置來(lái)制造有機(jī)EL器件。
【文檔編號(hào)】H05B33/12GK104160784SQ201380013335
【公開日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2013年3月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月9日
【發(fā)明者】垣內(nèi)良平, 山本悟, 山野隆義 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社