發(fā)光裝置、顯示設(shè)備以及照明設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及發(fā)光裝置、顯示設(shè)備以及照明設(shè)備。一種發(fā)光裝置包括：第一電極；第二電極；以及有機(jī)層，該有機(jī)層被設(shè)置在第一電極與第二電極之間并且通過(guò)從第一電極側(cè)按順序堆疊第一發(fā)光層和第二發(fā)光層形成，其中，從有機(jī)層中發(fā)射的光由第一發(fā)光層與第一電極之間的界面反射、穿過(guò)第二電極并且發(fā)射到發(fā)光裝置的外部，從第二發(fā)光層側(cè)按順序在與第一發(fā)光層相反的第二發(fā)光層的一側(cè)上設(shè)置第一光透射層、第二光透射層以及第三光透射層，并且滿(mǎn)足預(yù)定的條件。
【專(zhuān)利說(shuō)明】發(fā)光裝置、顯示設(shè)備以及照明設(shè)備
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 本申請(qǐng)要求于2013年6月14日提交的日本優(yōu)先權(quán)專(zhuān)利申請(qǐng)JP2013-125848的權(quán) 益，通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于本文中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本公開(kāi)涉及發(fā)光裝置、以及使用該發(fā)光裝置的顯示設(shè)備和照明設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004]有機(jī)電致發(fā)光裝置（在下文中稱(chēng)為"有機(jī)EL裝置"）已作為能夠以低壓DC發(fā)射高 亮度光的發(fā)光裝置而引起了關(guān)注，并且已積極地研制了這些有機(jī)電致發(fā)光裝置。有機(jī)EL裝 置具有一結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，在包括厚度通常為幾十納米到幾百納米的發(fā)光層的有機(jī)層被 插入在反射電極與透明電極之間。將從發(fā)光層中發(fā)射的光提取到外部，并且己嘗試在裝置 結(jié)構(gòu)中使用光干涉來(lái)提高有機(jī)EL裝置的發(fā)光效率。此外，作為能夠提高發(fā)光效率和發(fā)射壽 命的裝置，眾所周知具有堆疊結(jié)構(gòu)（所謂的串接（tandem)結(jié)構(gòu)）的有機(jī)EL裝置，其中，多 個(gè)發(fā)光層通過(guò)連接層堆疊，以便使發(fā)光層彼此串接，并且可堆疊任意數(shù)量的發(fā)光層。例如， 通過(guò)堆疊發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)光層、發(fā)射綠光的綠色發(fā)光層以及發(fā)射紅光的紅色發(fā)光層，可 發(fā)射作為藍(lán)光、綠光以及紅光的組合光的白光。
[0005] 在例如日本未經(jīng)審查的專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2011-159432號(hào)中，公開(kāi)了具有這種配置 的有機(jī)EL裝置。在日本未經(jīng)審查的專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2011-159432號(hào)中公開(kāi)的有機(jī)EL裝置 包括：
[0006]有機(jī)層，插入在第一電極與第二電極之間，并且其中，發(fā)射可見(jiàn)波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)的單一 顏色或兩個(gè)或多個(gè)不同顏色的光的第一發(fā)光層和第二發(fā)光層依次被包括在從第一電極到 第二電極的方向上按照這種順序相互分離的位置上；
[0007]第一反射界面，被設(shè)置在第一電極側(cè)上，以反射將從第二電極側(cè)發(fā)射的第一發(fā)光 層和第一發(fā)光層中發(fā)射的光；以及
[0008]第二反射界面和第三反射界面，從第一電極到第二電極的方向上按照這種順序被 設(shè)置在相互分開(kāi)的位置上，
[0009]其中，當(dāng)?shù)谝环瓷浣缑媾c第一發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離為L(zhǎng)u、第一反射 界面與第一發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離為L(zhǎng)21、第一發(fā)光層的發(fā)光中心與第二反射界 面之間的光學(xué)距離為l 12、第二發(fā)光層的發(fā)光中心與第二反射界面之間的光學(xué)距離為l22、第 一發(fā)光層的發(fā)光中心與第三反射界面之間的光學(xué)距離為l 13、第二發(fā)光層的發(fā)光中心與第三 反射界面之間的光學(xué)距離為L(zhǎng)23、第一發(fā)光層的發(fā)射光譜的中心波長(zhǎng)為λ i，并且第二發(fā)光層 的發(fā)射光譜的中心波長(zhǎng)為入2時(shí)，選擇1^11、1^21、1 12、1^22、113以及123，以滿(mǎn)足所有表達(dá)式（1) 到（6)以及表達(dá)式（7)和（8)中的至少一個(gè)。
[0010] 2LU/λ η+φ y2 π = 〇 ⑴
[0011] 2L21/λ 21+φ/2 τι = n (其中 n 彡 1) (2)
[0012」 λ^Ιδ?Κλ^λ^Ο ⑶
[0013] λ 2-3〇< λ 21< λ 2+80 (4) _4] 2L12/ λ 12+ φ 2/2 π = m' +1/2 以及 2L13/ λ 13+ φ 3/2 π = m";
[0015]或者21^/入12+4)2/211=111，以及21 13/入13+4)3/2〇1=111"+1/2(5)
[0016] 2L22/ λ 22+ φ 2/2 π = η' +1/2 以及 2L23/ λ 23+ φ 3/2 n = η〃 ；
[0017]21^2/入22+?]52/231= ]1'以及21^3/入23+4)3/211=11〃+1/2 ;或者 _8]2乙22/入22+<]52/231= 11，+1/2以及2123/入23+(]53/2 31=1^+1/2(6) _9]人22<入2-15或者入23>入2+15(7)
[0020] λ23<λ2-15 或者 λ22>λ2+15 (8)
[0021] 其中，m'、m〃、η、η，以及η'，是整數(shù)，
[0022] λ 1Λ λ 2、λ u、λ 21、λ 12、λ 22、λ 13 以及 λ 23，以 nm 為單位，
[0023] t是在由第一反射界面反射每個(gè)波長(zhǎng)的光時(shí)發(fā)生的相移，
[0024] Φ2是在由第二反射界面反射每個(gè)波長(zhǎng)的光時(shí)發(fā)生的相移，
[0025] Φ 3是f由第三反射界面反射每個(gè)波長(zhǎng)的光時(shí)發(fā)生的相移，
[0026]、通過(guò)采用這種配置，可以實(shí)現(xiàn)一種發(fā)光裝置，該裝置能夠在寬波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)有效地 提取光^且在可見(jiàn)波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)相對(duì)于單一顏色或兩個(gè)或多個(gè)不同顏色的組合顏色的光，大 幅減少亮度和色度的視角依賴(lài)性。
[0027]此外，除了第一反射界面、第二反射界面以及第三反射界面，還另外設(shè)置第四反射 界面，從而可提高視角特征。在第四反射界面中，根據(jù)兩個(gè)發(fā)光層的堆疊順序，在第四反射 界面的位置條件下，增強(qiáng)或削弱存在的光線。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0028]對(duì)于由第一反射界面、第二反射界面以及第三反射界面形成的干涉濾波器的扁平 化特征，在日本未經(jīng)審查的專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2011-159432號(hào)中公開(kāi)的技術(shù)非常有用。然而， 人們發(fā)現(xiàn)，僅僅干涉濾波器的特征的扁平化不足以進(jìn)一步提高色飽和度。日本未經(jīng)審查的 專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第 2〇11-159432號(hào)未描述對(duì)上述問(wèn)題采取的任何對(duì)策。
[0029]優(yōu)選地提供一種發(fā)光裝置，該裝置包括第一反射界面、第二反射界面以及第三反 射界面并且能夠使用由反射界面形成的干涉濾波器來(lái)進(jìn)一步提高色飽和度；以及包括該發(fā) 光裝置的顯示設(shè)備和照明設(shè)備。
[0030]根據(jù)本公開(kāi)的第一實(shí)施方式，提供了一種發(fā)光裝置，包括：
[0031] 第一電極；
[0032] 第二電極；以及
[0033]有機(jī)層，其位于第一電極與第二電極之間并且通過(guò)從第一電極側(cè)按順序堆疊第一 發(fā)光層和第二發(fā)光層形成，
[0034]其中，從有機(jī)層發(fā)射的光由在第一發(fā)光層與第一電極之間的界面反射、穿過(guò)第二 電極并且發(fā)射到發(fā)光裝置的外部，
[0035]從第二發(fā)光層側(cè)按順序在與第一發(fā)光層相反的第二發(fā)光層的一側(cè)上設(shè)置第一光 透射層、第二光透射層和第三光透射層，
[0036] 滿(mǎn)足以下表達(dá)式⑴和表達(dá)式⑵，并且
[0037] 滿(mǎn)足以下表達(dá)式（3-A)或（3-B)、或者滿(mǎn)足以下表達(dá)式（3-A)和（3-B)，
[0038] ⑴（-Φ /2 π +mi) · ( λ「150) /2 彡 Ln 彡（-φ 72 π 十叫）·（ λ 1+8〇) /2
[0039] ⑵（-Φ /2 π +ηι) · ( λ 2-3〇) /2 彡 L21 彡（-φ 72 π +ηι) · ( λ 2+8〇) /2
[0040] (3-A)L12 < (_φ2/2 π+m2+l/2) · ( λ #5)/2^3 < (-φ3/2 π+m3) · ( λ「15)/2 以 及（-Φ 4/2 11 +m4) · ( λ「50) /2 < L14
[0041] (3-B)L22 < (_φ2/2 π+η2+?/2) · ( λ 2+15)/2、L23 < (-φ3/2 π+η3) · ( λ 2-15)/2 以 及（-φ 4/2 n +η4) · ( λ 2-50) /2 彡 L24
[0042] 其中，
[0043] 入：是第一發(fā)光層的發(fā)射波長(zhǎng)區(qū)域的中心波長(zhǎng)（單位：nm);
[0044] λ 2是第二發(fā)光層的發(fā)射波長(zhǎng)區(qū)域的中心波長(zhǎng)（單位：nm);
[0045] Lu是第一反射界面與第一發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm)，該第一 反射界面是第一發(fā)光層與第一電極之間的界面；
[0046] L12是第二反射界面與第一發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm)，該第二 反射界面是第二發(fā)光層與第一光透射層之間的界面；
[0047] L13是第二反射界面與第一發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm)，該第三 反射界面是第一光透射層與第二光透射層之間的界面；
[0048] L14是第四反射界面與第一發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm)，該第四 反射界面是第二光透射層與第三光透射層之間的界面；
[0049] L21是在第一反射界面與第二發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm);
[0050] L22是在第二反射界面與第二發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm);
[0051] L23是在第三反射界面與第二發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm);
[0052] L24是在第四反射界面與第二發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nra); [00 53] Φι是在由第一反射界面反射光時(shí)發(fā)生的相移（單位：弧度）；
[0054] Φ2是在由第二反射界面反射光時(shí)發(fā)生的相移（單位：弧度）；
[0055] Φ 3是在由第三反射界面反射光時(shí)發(fā)生的相移（單位：弧度）；
[0056] Φ4是在由第四反射界面反射光時(shí)發(fā)生的相移（單位：弧度）；
[0057] 1?是0或更大的整數(shù)；
[0058] ηι是0或更大的整數(shù)；并且
[0059] m2、m3、m4、n2、n3 以及 n4 是整數(shù)。
[0060] 此外，光學(xué)距離也被稱(chēng)為光程長(zhǎng)度，并且在光通過(guò)折射率為n。。的介質(zhì)的行進(jìn)距離 (物理距離）為DQQ時(shí)，通常將值表示為n QQXD。。。
[0061] 根據(jù)本公開(kāi)的第二實(shí)施方式，提供了一種發(fā)光裝置，包括：
[0062] 第一電極；
[0063] 第二電極；以及
[0064] 有機(jī)層，其位于第一電極與第二電極之間并且通過(guò)從第一電極側(cè)按順序堆疊第一 發(fā)光層和第二發(fā)光層形成，
[0065]其中，從有機(jī)層中發(fā)射的光由在第一發(fā)光層與第一電極之間的界面反射、穿過(guò)第 二電極并且發(fā)射到發(fā)光裝置的外部，
[0066]從第二發(fā)光層側(cè)按順序在與第一發(fā)光層相反的第二發(fā)光層的一側(cè)上設(shè)置第一光 透射層、第二光透射層以及第三光透射層，
[0067]在第二發(fā)光層側(cè)上的第一光透射層的界面上形成第二反射界面，
[0068]在第一光透射層與第二光透射層之間形成第三反射界面，
[0069]在第二光透射層與第三光透射層之間形成第四反射界面，
[0070]干涉濾波器由第一反射界面、第二反射界面、第三反射界面以及第四反射界面形 成，
[0071]所述第一反射界面被布置為滿(mǎn)足以下（條件-1)，以及
[0072]所述第二反射界面、第三反射界面以及第四反射界面被配置為滿(mǎn)足以下（條 件-2)或（條件-3)，或者滿(mǎn)足以下（條件-2)和（條件-3)
[0073](條件-1)
[0074]加強(qiáng)在第一反射界面上對(duì)從第一發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射，并且加強(qiáng)在第一反 射界面上對(duì)從第二發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射，
[0075](條件 _2)
[0076]削弱在第二反射界面上對(duì)從第一發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射，加強(qiáng)在第三反射界 面上對(duì)從第一發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射，并且加強(qiáng)在第四反射界面上對(duì)從第一發(fā)光層中 發(fā)射的光線的反射，
[0077](條件-3)
[0078]削弱在第二反射界面上對(duì)從第二發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射，加強(qiáng)在第三反射界 面上對(duì)從第二發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射，并且加強(qiáng)在第四反射界面上對(duì)從第二發(fā)光層中 發(fā)射的光線的反射。
[0079]根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)實(shí)施方式，提供了一種顯示設(shè)備，通過(guò)在二維矩陣中布置根 據(jù)第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式的多個(gè)發(fā)光裝置，獲得所述顯示設(shè)備。
[0080]根據(jù)本公開(kāi)的又一個(gè)實(shí)施方式，提供了一種照明設(shè)備，該照明設(shè)備包括根據(jù)第一 實(shí)施方式或第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置。
[0081]在根據(jù)第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，通過(guò)第一反射界面、第二反射界面、第三反射 界面和第四反射界面形成干涉濾波器，并且通過(guò)滿(mǎn)足表達(dá)式（1)和表達(dá)式（2)，來(lái)實(shí)現(xiàn)在干 涉濾波器中增強(qiáng)光線的條件。通過(guò)設(shè)置第一反射界面、第二反射界面、第三反射界面以及第 四反射界面可獲得一種干涉濾波器，其中，光透射率曲線在寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)更平坦。而且，通 過(guò)滿(mǎn)足表達(dá)式（3-A)或表達(dá)式（ 3_B)、或滿(mǎn)足表達(dá)式（3_A)和表達(dá)式（3-B)，在與從第一發(fā) 光層中發(fā)射的光相對(duì)應(yīng)的窄波長(zhǎng)區(qū)域和/或與從第二發(fā)光層中發(fā)射的光相對(duì)應(yīng)的窄波長(zhǎng) 區(qū)域中，可增大干涉濾波器的光透射率。結(jié)果，色飽和度可增大，并且在可見(jiàn)波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)，相 對(duì)于單一顏色或兩個(gè)或多個(gè)顏色的組合顏色的光，亮度和色度的視角依賴(lài)性可大幅減小。 此外，在根據(jù)第二實(shí)施方式的第二發(fā)光裝置中，由于第一反射界面、第二反射界面、第三反 射界面以及第四反射界面被設(shè)置為滿(mǎn)足預(yù)定條件，故可獲得干涉濾波器，其中，光透射率曲 線在寬波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)更平坦。而且，在與從第一發(fā)光層中發(fā)射的光相對(duì)應(yīng)的窄波長(zhǎng)區(qū)域和/ 或與從第二發(fā)光層中發(fā)射的光相對(duì)應(yīng)的窄波長(zhǎng)區(qū)域中，可增大干涉濾波器的光透射率。因 此，可增大色飽和度，并且在可見(jiàn)波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)相對(duì)于單一顏色或兩個(gè)或多個(gè)顏色的組合顏 色的光，亮度和色度的視角依賴(lài)性可大幅減小。在該說(shuō)明書(shū)中描述的效果僅是示例性的，并 且本公開(kāi)的內(nèi)容不限于此。此外，可獲得額外的效果。 ^
【專(zhuān)利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0082]圖1A和圖1B分別為示出了形成實(shí)施例1和比較例1的發(fā)光裝置的相應(yīng)層的配置 的示圖；
[0083] 圖2為示意性地示出了實(shí)施例1的顯示設(shè)備的一部分的剖視圖；
[0084] 圖3A和圖3B分別為示出了計(jì)算比較例1和實(shí)施例1的發(fā)光裝置的千涉濾波器的 光透射率的結(jié)果的示圖；
[0085] 圖4A和圖4B分別為在實(shí)施例1的顯示設(shè)備中示出了亮度變化（Y/Y。）的模擬結(jié) 果的示圖（其中，視角用作參數(shù)）以及示出了色度偏移（Διιν)的模擬結(jié)果的示圖（其中， 視角用作參數(shù)）；
[0086] 圖5為示意性地示出了實(shí)施例3的顯示設(shè)備的一部分的剖視圖；以及
[0087]圖6為示意性地示出了實(shí)施例4的照明設(shè)備的一部分的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0088] 在下文中將參照附圖根據(jù)實(shí)施例對(duì)本公開(kāi)進(jìn)行描述，但是本公開(kāi)不限于這些實(shí)施 例。在實(shí)施例中的各種數(shù)值和材料僅是示例性的。將按照以下順序進(jìn)行描述。
[0089] 1、關(guān)于根據(jù)第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置、顯示設(shè)備以及照明設(shè)備的 總體描述
[0090] 2、實(shí)施例1 (根據(jù)第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置和顯示設(shè)備）
[0091] 3、實(shí)施例2 (實(shí)施例1的變形）
[0092] 4、實(shí)施例3 (實(shí)施例1和實(shí)施例2的變形）
[0093] 5、實(shí)施例4(根據(jù)實(shí)施方式的照明設(shè)備）等
[0094]關(guān)于根據(jù)第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置、顯示設(shè)備以及照明設(shè)備的總 體描述
[0095]關(guān)于根據(jù)第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置、在根據(jù)實(shí)施方式的顯示設(shè)備中的根據(jù)第一 實(shí)施方式的發(fā)光裝置以及在根據(jù)實(shí)施方式的照明設(shè)備中的根據(jù)第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置 (在下文中，這些發(fā)光裝置也將被統(tǒng)稱(chēng)為"根據(jù)第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置"），可通過(guò)第一反 射界面、第二反射界面、第三反射界面以及第四反射界面形成干涉濾波器。表述"通過(guò)第一 反射界面、第二反射界面、第三反射界面以及第四反射界面形成干涉濾波器"可與表述"具 有通過(guò)在第一反射界面、第二反射界面、第三反射界面以及第四反射界面上的光反射造成 干涉所顯現(xiàn)出的光譜透射率而獲得的濾波效應(yīng)的干涉濾波器"可交換使用。
[0096] 在包括上述優(yōu)選配置的根據(jù)第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，第二光透射層的光 學(xué)厚度t2優(yōu)選地滿(mǎn)足〇· 2 · λ i < t2 < 0. 35 · λ 1?？商鎿Q地，光學(xué)厚度t2優(yōu)選地滿(mǎn)足 0· 8X (λ /4) < & < 1. 4X (λ '4；^從第二光透射層的厚度（物理厚度）與第二光透射 層的折射率的乘積獲得光學(xué)厚度t2。
[0097] 關(guān)于根據(jù)第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置、在根據(jù)實(shí)施方式的顯示設(shè)備中的根據(jù)第二 實(shí)施方式的發(fā)光裝置以及在根據(jù)實(shí)施方式的照明設(shè)備中的根據(jù)第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置 (在下文中，這些發(fā)光裝置也將被統(tǒng)稱(chēng)為"根據(jù)第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置"），可確定第二反 射界面的位置，使得千涉濾波器的光透射率的峰值位置從第一發(fā)光層中發(fā)射的光的發(fā)射光 譜的峰值偏移并且從第二發(fā)光層中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰值偏移。此外，在包括上述優(yōu) 選配置的根據(jù)第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，可確定第三反射界面的位置，使得干涉濾波器 的光透射率的峰值位置從第一發(fā)光層中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰值偏移并且從第二發(fā)光 層中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰值偏移。而且，在包括上述優(yōu)選配置的根據(jù)第二實(shí)施方式的 發(fā)光裝置中，可確定第四反射界面的位置，使得干涉濾波器的光透射率的峰值位置從第一 發(fā)光層中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰值偏移并且從第二發(fā)光層中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰 值偏移。因此，干涉濾波器可在更寬的區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。這同樣適用于根據(jù)第一實(shí)施方式的發(fā) 光裝置。
[0098] 進(jìn)一步地，在包括上述各種優(yōu)選配置的根據(jù)第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式的發(fā)光 裝置中，與在視角為〇°時(shí)的亮度（YQ)相比，在視角為45°時(shí)的亮度優(yōu)選地減小30%或以 下。
[0099] 進(jìn)一步地，在包括上述各種優(yōu)選配置的根據(jù)第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式的發(fā)光 裝置中，在視角為45°時(shí)的色度偏移Διιν優(yōu)選地為0.015或以下。
[0100] 進(jìn)一步地，在包括上述各種優(yōu)選配置的根據(jù)第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式的發(fā)光 裝置中，在第二發(fā)光層與第一光透射層之間，可設(shè)置具有5mn或以下厚度的金屬層。在該配 置中，例如，鎂（Mg)、銀（Ag)或其合金可被用作形成金屬層的材料。從有機(jī)層中發(fā)射的光穿 過(guò)金屬層。
[0101] 進(jìn)一步地，在包括上述各種優(yōu)選配置的根據(jù)第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式的發(fā)光 裝置中，第二反射界面、第三反射界面或者第四反射界面可包括多個(gè)界面。
[0102]進(jìn)一步地，在包括上述各種優(yōu)選配置的根據(jù)第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式的發(fā)光 裝置中，第一發(fā)光層與第二發(fā)光層中的至少一個(gè)可為發(fā)射兩種或多種不同顏色的光的異色 發(fā)光層，并且在確定異色發(fā)光層的發(fā)光中心并非處于一個(gè)水平上時(shí)，可進(jìn)一步設(shè)置第四光 透射層。表述"確定異色發(fā)光層的發(fā)光中心并非處于一個(gè)水平上"表示例如，在異色發(fā)光 層的第一顏色的發(fā)光中心與第二顏色的發(fā)光中心之間的距離為5mn或以上。在該配置中， 干涉濾波器優(yōu)選地由第一反射界面、第二反射界面、第三反射界面、第四反射界面以及第五 反射界面形成；第一反射界面優(yōu)選地是在第一發(fā)光層與第一電極之間的界面；第二反射界 面優(yōu)選地由第二發(fā)光層、第一光透射層、第二光透射層、第三光透射層以及第四光透射層形 成；并且在波長(zhǎng)用作變量的干涉濾波器中從異色發(fā)光層中發(fā)射到發(fā)光裝置的外面的光線的 光透射率曲線的變化具有的趨勢(shì)優(yōu)選地與在波長(zhǎng)用作變量的干涉濾波器中從異色發(fā)光層 中發(fā)射到發(fā)光裝置的外面的另一個(gè)光線的光透射率曲線的變化的趨勢(shì)相同。通過(guò)這種配 置，在可見(jiàn)波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)，相對(duì)于單一顏色或兩個(gè)或多個(gè)顏色的組合顏色的光，亮度和色度的 視角依賴(lài)性可大幅減小。進(jìn)一步地，在包括上述各種優(yōu)選配置的根據(jù)第二實(shí)施方式的發(fā)光 裝置中，第一發(fā)光層與第二發(fā)光層中的至少一個(gè)可以是發(fā)射兩種或多種不同顏色的光的異 色發(fā)光層，并且在確定異色發(fā)光層的發(fā)光中心并非處于一個(gè)水平上時(shí)，可進(jìn)一步設(shè)置第四 光透射層。在該配置中，優(yōu)選地進(jìn)一步設(shè)置第四光透射層；并且在其中波長(zhǎng)被用作變量的千 涉濾波器中從異色發(fā)光層發(fā)射到發(fā)光裝置的外部的光線的光透射率曲線的變化具有的趨 勢(shì)優(yōu)選地與在其中波長(zhǎng)被用作變量的干涉濾波器中從異色發(fā)光層中發(fā)射到發(fā)光裝置的外 部的另一個(gè)光線的光透射率曲線的變化的趨勢(shì)相同。
[0103]進(jìn)一步地，在包括上述各種優(yōu)選配置的根據(jù)第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式的發(fā)光 裝置中，第一電極、有機(jī)層以及第二電極按照這種順序堆疊在基板（為了便于描述，也稱(chēng)為 "第一基板"）上。為了便于描述，該配置將被稱(chēng)為"頂部發(fā)射型"。在這種情況下，在與第二 光透射層相反的第三光透射層的側(cè)邊上，可進(jìn)一步形成具有Ο.δμπι或以上厚度的透明導(dǎo) 電材料層、具有0. 5 μ m或以上厚度的透明絕緣層、具有0. 5 μ m或以上厚度的樹(shù)脂層、具有 0. 5 μ m或以上厚度的玻璃層或者具有0. 5 μ m或以上厚度的空氣層。在第二電極之上的最 外層是第二基板。
[0104] 可替換地，在包括上述各種優(yōu)選配置的根據(jù)第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式的發(fā)光 裝置中，第二電極、有機(jī)層和第一電極按照這種順序堆疊在基板上。為了便于描述，該配置 稱(chēng)為"底部發(fā)射型"。在這種情況下，在與第二光透射層相反的第三光透射層側(cè)上，可形成具 有1 μ m或以上厚度的透明導(dǎo)電材料層、具有1 μ m或以上厚度的透明絕緣層、具有1 μ m或 以上厚度的樹(shù)脂層、具有1 μ m或以上厚度的玻璃層或者具有1 μ m或以上厚度的空氣層。通 常，在第一電極之上的最外層是第二基板。
[0105] 通常，一部分入射光線穿過(guò)反射界面，在由透明材料形成的層A與B之間形成該反 射界面，并且由反射界面反射其他光線。因此，在反射光中發(fā)生相移。通過(guò)測(cè)量層A的復(fù)折 射率（n A、kA)和層B的復(fù)折射率（nB、kB)并且根據(jù)這些值進(jìn)行計(jì)算（例如，參照Principles of Optics, Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS))，可獲得在光由在層 A 與 B之間 形成的反射界面反射時(shí)發(fā)生的相移Φαβ。可使用光譜型橢偏儀來(lái)測(cè)量有機(jī)層和相應(yīng)的光透 射層的折射率。
[0106] 頂部發(fā)射型顯示設(shè)備可具有一配置，其中，有機(jī)層發(fā)射白光，并且第二基板包括濾 色片。第二基板可包括遮光膜（黑矩陣）。同樣，底部發(fā)射型顯示設(shè)備可具有一配置，其中， 有機(jī)層發(fā)射白光，并且第一基板包括濾色片或遮光膜（黑矩陣）。
[0107] 在根據(jù)該實(shí)施方式的顯示設(shè)備中，在其中由一個(gè)發(fā)光裝置形成一個(gè)像素（或一個(gè) 子像素）的配置中，不具體限制像素（或子像素）排列，但是例如可以是條紋排列、對(duì)角線 排列、Λ排列以及矩形排列。此外，在其中由多個(gè)發(fā)光裝置形成一個(gè)像素（或一個(gè)子像素） 的配置中，不具體限制像素（或子像素）排列，但是例如可以是條紋排列。
[0108]當(dāng)?shù)谝浑姌O被用作陽(yáng)極電極時(shí)，形成第一電極的材料（光反射材料）的實(shí)例包括 具有高的功函數(shù)的金屬，例如，鉑（Pt)、金（Au)、銀（Ag)、鉻（Cr)、鎢（W)、鎳（Ni)、銅（Cu)、 鐵（Fe)、鈷（Co)或鉭（Ta);及其合金（例如，括作為主要元件的銀、0.3質(zhì)量％至1質(zhì)量％ 的鈀（Pd)以及0. 3質(zhì)量％至1質(zhì)量％的銅（Cu)的Ag-Pd-Cu合金或Al-Nd合金）。進(jìn)一步 地，當(dāng)使用諸如鋁（A1)以及包括鋁的合金的具有低的功函數(shù)和高光反射系數(shù)的導(dǎo)電材料 時(shí)，通過(guò)例如設(shè)置合適的空穴注入層，以提高空穴注入性能，第一電極可用作陽(yáng)極電極。第 一電極的厚度例如為0· 1 μ m到1 μ m。可替換地，還可采用一結(jié)構(gòu)，其中，在介電多層膜或諸 如錯(cuò)（A1)的具有尚光反射系數(shù)的反射膜上堆疊諸如銦錫氧化物（ιτο)或銦鋅氧化物（ IZ〇) 的具有高空穴注入性能的透明導(dǎo)電材料。另一方面，當(dāng)?shù)谝浑姌O被用作陰極電極時(shí)，優(yōu)選地 使用具有低的功函數(shù)和高光反射系數(shù)的導(dǎo)電材料。例如，通過(guò)在被用作陽(yáng)極電極的具有高 光反射系數(shù)的導(dǎo)電材料上設(shè)置適當(dāng)?shù)碾娮幼⑷雽樱谝浑姌O可用作陰極電極，以提高電子 注入性能，。
[0109]另一方面，關(guān)于形成第二電極的材料（半透射式材料或透射式材料），在第二電極 用作陰極電極時(shí)，第二電極優(yōu)選地由導(dǎo)電材料形成，所發(fā)射的光穿過(guò)該導(dǎo)電材料，并且該導(dǎo) 電材料具有低的功函數(shù)，使得電子可有效地注入有機(jī)層內(nèi)。導(dǎo)電材料的實(shí)例包括具有低的 功函數(shù)的金屬及其合金，例如，鋁（A1)、銀（Ag)、鎂（Mg)、鈣（Ca)、鈉（Na)、鍶（Sr)、銀（Ag) 合金以及堿金屬或堿土金屬（例如，鎂（Mg)和銀（Ag)合金（Mg-Ag合金））、鎂和鈣合金 (Mg-Ca合金）或者鋁（A1)和鋰（Li)合金（Al-Li合金）。在這些之中，優(yōu)選Mg-Ag合金， 并且鎂與銀的體積比（Mg:Ag)例如為2:1至30:1?？商鎿Q地，鎂與鈣的體積比（Mg:Ca)例 如為2:1至10:1。第二電極的厚度例如為4nm至50nm，優(yōu)選地為4nm至20nm，并且更優(yōu)選 地為6mn至12mn?？商鎿Q地，第二電極可具有一堆疊式結(jié)構(gòu)，其中，從有機(jī)層側(cè)按順序堆疊 上述材料層以及由例如ITO或ΙΖ0構(gòu)成的所謂的透明電極（具有例如3 X 1〇Λι至1X l〇-6m 的厚度）。在堆疊結(jié)構(gòu)的情況下，上述材料層的厚度可減小為lrnn至4nm。此外，第二電極 還可僅由透明電極形成。另一方面，當(dāng)?shù)诙姌O被用作陽(yáng)極電極時(shí)，第二電極優(yōu)選地由導(dǎo)電 材料形成，所發(fā)射的光穿過(guò)該導(dǎo)電材料，并且該導(dǎo)電材料具有高的功函數(shù)。
[011 0] 通過(guò)具有上述配置的第二電極可形成第一光透射層、可形成第二光透射層或者可 形成第三光透射層。可替換地，可獨(dú)立于第一光透射層、第二光透射層以及第三光透射層來(lái) 設(shè)置第二電極。此外，由諸如鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、或金合金的低阻抗材料 形成的總線電極（輔助電極）可被設(shè)置在第二電極上，以減小第二電極的總阻抗。
[0111]形成第一電極或第二電極的方法的實(shí)例包括沉積方法（諸如電子束沉積方法、熱 絲沉積方法或真空沉積方法）、濺射方法、化學(xué)氣相沉積（CVD)方法、M0CVD方法以及離子電 鍍方法與蝕刻方法的組合；各種印刷方法，諸如絲網(wǎng)印刷方法、噴墨印刷方法以及金屬掩膜 印刷方法；噴鍍方法，諸如電鍍方法或非電鍍方法；剝離方法；激光磨損方法；以及溶膠凝 膠方法。根據(jù)各種印刷方法和噴鍍方法，可直接形成具有期望圖案的第一電極或第二電極。 在形成有機(jī)層之后形成第一電極或第二電極時(shí)，優(yōu)選地形成第一電極或第二電極，具體而 言，使用其中薄膜形成顆粒的能量較低的薄膜形成方法，諸如真空沉積方法；或者從防止損 壞有機(jī)層的角度來(lái)看，使用諸如M0CVD方法的薄膜形成方法。當(dāng)有機(jī)層被損壞時(shí)，由于泄露 電流，故可生成被稱(chēng)為"黑點(diǎn)"的非發(fā)光像素（非發(fā)光子像素）。此外，從防止空氣中的水分 造成有機(jī)層退化的角度來(lái)看，在不暴露到空氣中的情況下，優(yōu)選地形成有機(jī)層和這些電極。 在一些情況下，無(wú)需使第一電極或第二電極形成圖案。
[0112] 在根據(jù)該實(shí)施方式的顯示設(shè)備或照明設(shè)備中（在下文中，這些設(shè)備也被稱(chēng)為"根 據(jù)該實(shí)施方式的顯示設(shè)備等"），在第一基板上形成多個(gè)發(fā)光裝置。在該配置中，第一基板 或第二基板的實(shí)例包括高應(yīng)變點(diǎn)玻璃基板、鈉鈣玻璃（Na 20 · CaO · Si02)基板、硼硅玻璃 (Na20 · B203 · Si02)基板、鎂橄欖石（2Mg0 · Si02)基板、鉛玻璃（Na20 · PbO · Si02)基板、無(wú) 堿玻璃基板、在其上形成絕緣膜的各種玻璃基板、熔融石英玻璃基板、在其上形成絕緣膜的 石英基板、在其上形成絕緣膜的硅基板以及有機(jī)聚合物的基板（具有聚合物材料形式的基 板，例如，彈性塑料薄膜、塑料片材或者由聚合物材料構(gòu)成的塑料基板），諸如聚甲基丙烯酸 甲酯（PMMA)、聚乙烯醇（PVA)、聚乙烯基苯酚（PVP)、聚酯砜（PES)、聚酰亞胺、聚碳酸酯或聚 對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET)。形成第一電極的材料以及形成第二電極的材料可彼此相同或 不同。然而，在頂部發(fā)射型顯示設(shè)備中，第二電極需要對(duì)從發(fā)光裝置中發(fā)射的光透明，并且 在底部發(fā)射型顯示設(shè)備中，第一電極需要對(duì)從發(fā)光裝置中發(fā)射的光透明。
[0113] 根據(jù)該實(shí)施方式的顯示設(shè)備等的實(shí)例包括有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備（縮寫(xiě)為"有機(jī) EL顯示設(shè)備"）。在有機(jī)EL顯示設(shè)備是彩色有機(jī)EL顯示設(shè)備時(shí)，如上所述，子像素由包含 在有機(jī)EL顯示設(shè)備內(nèi)的相應(yīng)的有機(jī)EL裝置形成。在這種情況下，如上所述，一個(gè)像素由例 如三種子像素構(gòu)成，這三種子像素包括發(fā)射紅光的紅色發(fā)光子像素、發(fā)射綠光的綠色發(fā)光 子像素以及發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)光子像素。因此，在這種情況下，當(dāng)被包括在有機(jī)EL顯示設(shè) 備內(nèi)的有機(jī)EL裝置的數(shù)量為NXM時(shí)，像素的數(shù)量為（NXM)/3。有機(jī)EL顯示設(shè)備可被用作 配置個(gè)人電腦的顯示器或者用作包含在電視接收器、移動(dòng)電話(huà)、個(gè)人數(shù)字助理（PDA)或游 戲機(jī)內(nèi)的顯示器。可替換地，有機(jī)EL顯示設(shè)備可適用于電子尋像器（EVF)或頭戴式顯示器 (HMD)。此外，根據(jù)該實(shí)施方式的照明設(shè)備的實(shí)例包括用于液晶顯示器的背光單元以及包括 表面發(fā)射光源的照明設(shè)備。
[0114] 有機(jī)層包括發(fā)光層（例如，由有機(jī)發(fā)光材料形成的發(fā)光層），并且更具體而言，可 具有其中堆疊空穴傳輸層、發(fā)光層以及電子傳輸層的堆疊結(jié)構(gòu)、堆疊也被用作電子傳輸層 的空穴傳輸層和發(fā)光層的堆疊結(jié)構(gòu)、以及其中堆疊空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子 傳輸層以及電子注入層的堆疊結(jié)構(gòu)。這些堆疊結(jié)構(gòu)被稱(chēng)為"串接單元"。即，有機(jī)層可具有其 中堆疊第一串接單元、連接層以及第二串接單元的一種兩級(jí)串接結(jié)構(gòu)或者堆疊三個(gè)或多個(gè) 串接單元的一種三級(jí)或更多級(jí)串接結(jié)構(gòu)。在這些情況下，通過(guò)各個(gè)串接單元將發(fā)射顏色變 成紅色、綠色以及藍(lán)色或者通過(guò)各個(gè)串接單元將發(fā)射顏色變成例如藍(lán)色和黃色，可獲得在 總體上發(fā)射白光的有機(jī)層。一種形成有機(jī)層的方法的實(shí)例包括物理氣相沉積（PVD)方法， 例如，氣相沉積方法；印刷方法，例如，絲網(wǎng)印刷方法或噴墨印刷方法；激光傳輸方法，該方 法使用激光照射在傳輸基板上堆疊激光吸收層和有機(jī)層的堆疊結(jié)構(gòu)，以使有機(jī)層和激光吸 收層分開(kāi)并且傳輸有機(jī)層；以及各種涂覆方法。當(dāng)使用真空沉積方法形成有機(jī)層時(shí)，通過(guò)位 于金屬掩膜內(nèi)的開(kāi)口，通過(guò)使用例如所謂的金屬掩膜來(lái)沉積材料可獲得有機(jī)層。在整個(gè)表 面上可形成有機(jī)層而無(wú)需形成圖案。
[0115] 在頂郃發(fā)射型顯不設(shè)備等中，例如，在層間電介質(zhì)上設(shè)置第一電極。該層間電介質(zhì) 覆蓋形成在第一基板上的發(fā)光裝置驅(qū)動(dòng)部分。發(fā)光裝置驅(qū)動(dòng)部分包括一個(gè)或多個(gè)薄膜晶體 管（TFT)，并且該TFT和第一電極通過(guò)位于層間電介質(zhì)內(nèi)的接觸插頭彼此電連接。形成層間 電介質(zhì)的材料的實(shí)例包括基于Si0 2的材料，諸如Si02、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、SiONj^ 涂玻璃（S0G)、低熔點(diǎn)玻璃或玻璃漿料；基于SiN的材料；以及諸如聚酰亞胺樹(shù)脂、酚醛清漆 樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂或聚苯并惡唑的絕緣樹(shù)脂。這些材料可適當(dāng)?shù)貑为?dú)或者在兩種或多種的 組合中使用。為了形成層間電介質(zhì)，可使用現(xiàn)有工序，例如，CVD方法、涂覆方法、濺射方法 或各種印刷方法。在具有從發(fā)光裝置中發(fā)射的光穿過(guò)層間電介質(zhì)的配置和結(jié)構(gòu)的底部發(fā)射 型顯示設(shè)備等中，層間電介質(zhì)需要由對(duì)從發(fā)光裝置中發(fā)射的光透明的材料形成；并且需要 形成發(fā)光裝置驅(qū)動(dòng)部分，以不干涉從發(fā)光裝置中發(fā)射的光。在底部發(fā)射型顯示設(shè)備等中，發(fā) 光裝置驅(qū)動(dòng)部分可被設(shè)置在第一電極之上。
[0116]為了防止水分在有機(jī)層內(nèi)部滲透，絕緣或?qū)щ姳Ｗo(hù)膜優(yōu)選地被設(shè)置在有機(jī)層之 上。優(yōu)選地形成保護(hù)膜，具體地，使用其中薄膜形成顆粒的能量較低的真空沉積方法等薄膜 形成方法或者使用CVD方法或M0CVD方法等薄膜形成方法，這是因?yàn)榭蓽p少其對(duì)底涂覆層 的影響?？商鎿Q地，為了防止有機(jī)層的退化造成亮度減小，薄膜形成溫度優(yōu)選地被設(shè)定為正 常溫度。進(jìn)一步地，為了防止保護(hù)膜剝離，優(yōu)選地在盡可能減小保護(hù)膜的應(yīng)力的條件下形成 保護(hù)膜。此外，優(yōu)選地在已形成的電極不暴露到空氣的情況下形成保護(hù)膜。因此，可防止在 空氣中的水分和氧氣造成有機(jī)層退化。進(jìn)一步地，當(dāng)顯示設(shè)備等是頂部發(fā)射型時(shí)，保護(hù)膜優(yōu) 選地由從有機(jī)層中發(fā)射的80 %或以上的光穿過(guò)其的材料構(gòu)成。具體而言，例如，可使用無(wú)機(jī) 非晶態(tài)絕緣材料，諸如可使用以下材料。由于這種無(wú)機(jī)非晶態(tài)絕緣材料不形成晶粒，故可形 成具有低透水性的優(yōu)異的保護(hù)膜。具體而言，作為形成保護(hù)膜的材料，優(yōu)選地使用對(duì)從發(fā)光 層中發(fā)射的光透明、密集并且防水的材料。更具體而言，該材料的實(shí)例包括非晶硅 （CI _Si)、 非晶碳化娃（α-SiC)、非晶氮化硅（α-Sii_ xNx)、非晶氧化硅（a-Siiy〇y)、非晶碳（a_ c)、 非晶氮氧化硅（a-SiON)以及Al2〇3。當(dāng)由導(dǎo)電材料形成保護(hù)膜時(shí)，保護(hù)膜可由透明導(dǎo)電材 料（例如，IT0或IZ0)形成。第一光透射層、第二光透射層以及第三光透射層中的至少一 層可由保護(hù)膜形成。
[0117] 除了上述各種材料，形成第一光透射層、第二光透射層或第三光透射層的材料還 包括金屬氧化物，例如，氧化鉬、氧化鈮、氧化鋅或氧化錫；以及各種有機(jī)材料。
[0118] 實(shí)施例1
[0119] 一實(shí)施例1涉及根據(jù)第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置以及根據(jù)該實(shí)施方 式的顯示設(shè)備。圖1A為示出了形成實(shí)施例1的發(fā)光裝置的相應(yīng)的層的配置的示圖，并且圖 2為示意性地示出了實(shí)施例1的顯示設(shè)備的一部分的剖視圖。
[0120]實(shí)施例1的發(fā)光裝置10,即有機(jī)EL裝置10包括：
[0121] 第一電極 31;
[0122] 第二電極32;以及
[0123] 有機(jī)層33,被設(shè)置在第一電極31與第二電極32之間并且通過(guò)從第一電極側(cè)按順 序堆疊第一發(fā)光層34和第二發(fā)光層35形成，
[0124]其中，從有機(jī)層33中發(fā)射的光由在第一發(fā)光層34與第一電極 31之間的界面（第 一反射界面RFJ反射、穿過(guò)第二電極32并且發(fā)射到所述發(fā)光裝置的外部，
[0125]從第二發(fā)光層側(cè)按順序在與第一發(fā)光層34相反的第二發(fā)光層35的一側(cè)上設(shè)置第 一光透射層41、第二光透射層42以及第三光透射層43。
[0126]可替換地，實(shí)施例1的發(fā)光裝置10,即有機(jī)EL裝置10包括：
[0127] 第一電極 31;
[0128] 第二電極32;以及
[0129]有機(jī)層33,被設(shè)置在第一電極31與第二電極32之間并且通過(guò)從第一電極側(cè)按順 序堆疊第一發(fā)光層；M和第二發(fā)光層35來(lái)形成，
[0130]其中，從有機(jī)層33中發(fā)射的光通過(guò)在第一發(fā)光層34與第一電極31之間的界面RFi 反射、穿過(guò)第二電極32并且發(fā)射到發(fā)光裝置的外部，
[0131]從第二發(fā)光層側(cè)按順序在與第一發(fā)光層34相反的第二發(fā)光層35的一側(cè)上設(shè)置第 一光透射層41、第二光透射層42以及第三光透射層43，
[0132]在第二發(fā)光層側(cè)上的第一光透射層41的界面上形成第二反射界面RF2，
[0133]在第一光透射層41與第二光透射層42之間形成第三反射界面RF3，
[0134]在第二光透射層42與第三光透射層43之間形成第四反射界面RF4，
[0135]通過(guò)第一反射界面RFi、第二反射界面RF2、第三反射界面RF3以及第四反射界面 rf4形成干涉濾波器，
[0136]第一反射界面RFi被配置為滿(mǎn)足上述（條件-1)，以及
[0137]第二反射界面即2、第三反射界面即3以及第四反射界面RF 4被設(shè)置為滿(mǎn)足上述 (條件-2)或（條件-3)，或者滿(mǎn)足上述（條件-2)和（條件-3)。
[0138] 此外，通過(guò)在二維矩陣中布置這樣的多個(gè)發(fā)光裝置來(lái)形成實(shí)施例1和下面描述的 實(shí)施例2和實(shí)施例3中的任一個(gè)的有機(jī)EL顯示設(shè)備。第一電極31、有機(jī)層33以及第二電 極32按照這種順序堆疊在第一基板11上。即，具體而言，設(shè)置兩個(gè)基板，這兩個(gè)基板包括：
[0139] (A)第一基板11，在第一基板上形成通過(guò)堆疊第一電極31、包括由有機(jī)發(fā)光材料 形成的第一發(fā)光層34和第二發(fā)光層35的有機(jī)層33以及第二電極32形成的多個(gè)發(fā)光裝置 10 ;以及
[0140] (B)第二基板12,被設(shè)置在第二電極32之上。
[0141] 從發(fā)光層中發(fā)射的光通過(guò)第二基板12發(fā)射到外部。即，實(shí)施例1的顯示設(shè)備是頂 部發(fā)射型顯示設(shè)備。在第二發(fā)光層35與第一光透射層41之間（具體而言，在有機(jī)層33與 第二電極32之間）設(shè)置由鎂（Mg)、銀（Ag)或其合金構(gòu)成的并且具有5nm或以下厚度的金 屬層（未顯示），但所示出的設(shè)備不限于這種配置。
[0142] 雖然未示出，但在與第二光透射層42相反的第三光透射層43的一側(cè)上，可進(jìn)一步 形成具有0.5ym或以上厚度的透明導(dǎo)電材料層、具有〇.5μπι或以上厚度的透明絕緣層、具 有0· 5 μ m或以上厚度的樹(shù)脂層、具有〇· 5 μ m或以上厚度的玻璃層或者具有〇. 5 μ m或以上 厚度的空氣層，即，可進(jìn)一步形成在第三光透射層43與第二基板12之間。在第二電極32 之上的最外層是第二基板12。
[0143] 實(shí)施例1或下面將描述的實(shí)施例2和實(shí)施例3中的任一個(gè)的有機(jī)EL顯示設(shè)備是 高清晰度顯示設(shè)備，其適用于電子尋像器（EVF)或頭戴式顯示器（HMD)?？商鎿Q地，例如，有 機(jī)EL顯示設(shè)備可適用于諸如電視接收器的大型有機(jī)EL顯示設(shè)備。
[0144] -個(gè)像素由三個(gè)子像素形成，這三個(gè)子像素包括發(fā)射紅光的紅色發(fā)光子像素、發(fā) 射綠光的綠色發(fā)光子像素以及發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)光子像素。第二基板12可包括濾色片（未 示出）。發(fā)光裝置10發(fā)射白光，并且每個(gè)彩色發(fā)光子像素由發(fā)射白光的發(fā)光裝置10與濾色 片的組合形成。濾色片包括傳輸紅光的區(qū)域、傳輸綠光的區(qū)域以及傳輸藍(lán)光的區(qū)域。此外， 遮光膜（黑矩陣）可被設(shè)置在濾色片之間。像素的數(shù)量例如為1920X1080, 一個(gè)發(fā)光裝置 10形成一個(gè)子像素，并且發(fā)光裝置（具體而言，有機(jī)EL裝置）10的數(shù)量是像素的數(shù)量的三 倍。在沒(méi)有設(shè)置濾色片時(shí)，顯示設(shè)備是所謂的單色顯示設(shè)備。
[0145]在實(shí)施例1中，= 0并且ηι = 1。此外,有機(jī)層33、第一光透射層41、第二光透 射層42以及第三光透射層43的折射率n。。、nQ1、nQ2以及n Q3以及各種參數(shù)如在下面的表1 中所示。具體而言，第一發(fā)光層34是發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)光層，并且第二發(fā)光層 35是發(fā)射黃 光的黃色發(fā)光層。發(fā)射波長(zhǎng)的平均值如在下面的表1中所示。
[0146]此外，雖然下面詳細(xì)地進(jìn)行了描述，而干涉濾波器是由第一反射界面RFp第二反 射界面RF2、第三反射界面RF3以及第四反射界面RF4形成。
[0147] 在實(shí)施例1或下面描述的實(shí)施例2和實(shí)施例3中的任一個(gè)中，第一電極31被用作 陽(yáng)極電極，并且第二電極32被用作陰極電極。第一電極31由光反射材料（具體而言，A1- Nd 合金）構(gòu)成，并且第二電極32由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。尤其是使用真空沉積方法與蝕刻方法 的組合來(lái)形成第一電極 31。此外，使用薄膜形成顆粒的能量較低的薄膜形成方法（例如，真 空沉積方法）來(lái)形成第二電極32,并且不形成第二電極的圖案。 ~
[0148] 在實(shí)施例1或下面描述的實(shí)施例2和實(shí)施例3中的任一個(gè)中，使用CVD方法在由 SiON形成的層間電介質(zhì)25(更具體而言，上部層間電介質(zhì)25B)上設(shè)置包括在發(fā)光裝置（有 機(jī)EL裝置）10內(nèi)的第一電極31。該層間電介質(zhì)25(更具體而言，下部層間電介質(zhì)25A)覆 蓋在第一基板11上形成的有機(jī)EL裝置驅(qū)動(dòng)部分。有機(jī)EL發(fā)光裝置驅(qū)動(dòng)包括多個(gè)TFT的 部分，并且TFT和第一電極31通過(guò)接觸插頭27、互連26以及位于層間電介質(zhì)（更具體而 言，上部層間電介質(zhì)25B)內(nèi)的接觸插頭26A電連接。有機(jī)層33的實(shí)際發(fā)光部分被絕緣層 28包圍。在附圖中，一個(gè)TFT被示出用于一個(gè)有機(jī)EL裝置驅(qū)動(dòng)部分。TFT包括形成在第一 基板11上的柵極電極21、在第一基板11和柵極電極21上形成的柵極絕緣膜22、設(shè)置在形 成于柵極絕緣膜22上的半導(dǎo)體層上的源極/漏極區(qū)域23以及被設(shè)置在源極/漏極區(qū)域23 之間并且與設(shè)置在柵極電極21之上的半導(dǎo)體部分相對(duì)應(yīng)的通道形成區(qū)域24。在所示出的 實(shí)施例中，TFT是底部柵極型但是可以是頂部柵極型。TFT的柵極電極21連接至掃描電路 (未示出）。
[0149] 在實(shí)施例1或下面描述的實(shí)施例2和實(shí)施例3中的任一個(gè)中，第一基板11是硅 基板、無(wú)堿玻璃或熔融石英玻璃基板，并且第二基板12是無(wú)堿玻璃基板或熔融石英玻璃基 板。
[0150] 更具體而言，有機(jī)層33具有以下配置或結(jié)構(gòu)，但是，這種配置或結(jié)構(gòu)是示例性的 并且可適當(dāng)?shù)馗淖?。空穴注入層的厚度例如為lnm至20nm，空穴傳輸層的厚度例如為I5nm 至lOOnm，發(fā)光層的厚度例如為5nm至50nm，并且電子傳輸層的厚度例如為15nm至200nm。
[0151] 包括在有機(jī)層33內(nèi)的緩沖層形成在第一電極31上。緩沖層被設(shè)置用于防止泄 露，并且由例如六氮雜苯并菲（HAT)形成。在緩沖層上形成由例如a-NPD(N，Ν'-二（1-萘 基）-Ν，Ν' -二苯基-[1，1' -聯(lián)苯]-4, 4' -二胺）形成的空穴傳輸層。在空穴傳輸層上形成 藍(lán)色發(fā)光層（厚度：20nm)。通過(guò)沉積作為基質(zhì)材料的ADN并且以5%的相對(duì)膜厚比率摻雜 ADN和作為摻雜劑材料的二氨基屈衍生物可獲得藍(lán)色發(fā)光層。進(jìn)一步地，在藍(lán)色發(fā)光層上形 成由BCP (2, 9-二甲基-4, 7_二苯基-1，10-鄰二氮雜菲）等形成的電子傳輸層以及由氟化 鋰（LiF)等形成的電子注入層。使用上述堆疊結(jié)構(gòu)來(lái)形成第一發(fā)光層 34。
[0152] 在第一發(fā)光層34上形成由摻雜有5%的Mg的Alq3(三（8-羥基喹啉）鋁（III)) 形成的或者由HAT形成的連接層。
[0153] 在連接層上形成還被用作由a-NPD形成的空穴傳輸層的空穴注入層。在空穴注 入層上形成由發(fā)射黃光的發(fā)光材料形成的黃色發(fā)光層（厚度：20nm)。通過(guò)沉積作為基質(zhì)材 料的08?并且以10%的相對(duì)膜厚比率摻雜08?和作為摻雜劑材料的^ 11^(：衍生物，可獲 得黃色發(fā)光層。進(jìn)一步地，在黃色發(fā)光層上形成由BCP等形成的電子傳輸層以及由氟化鋰 (LiF)形成的電子注入層。通過(guò)上述堆疊結(jié)構(gòu)，形成第二發(fā)光層35。
[0154] 由于使用現(xiàn)有方法可制造上述發(fā)光裝置，故將不再描述制造方法的細(xì)節(jié)。
[0155] 實(shí)施例1的發(fā)光裝置10滿(mǎn)足上述表達(dá)式（1)和表達(dá)式（2)，并且滿(mǎn)足表達(dá)式（3-A) 和表達(dá)式（3-B)。更具體而言，在實(shí)施例1中，滿(mǎn)足表達(dá)式（3-B)。通過(guò)滿(mǎn)足下面描述的表 達(dá)式（3-A)或表達(dá)式（C-1)，在與從第一發(fā)光層中發(fā)射的光相對(duì)應(yīng)的窄波長(zhǎng)區(qū)域中，干涉濾 波器的光透射率可增大。通過(guò)滿(mǎn)足下面描述的表達(dá)式（3-B)或表達(dá)式（c-2)，在與從第二 發(fā)光層中發(fā)射的光相對(duì)應(yīng)的窄波長(zhǎng)區(qū)域中，千涉濾波器的光透射率可增大。通過(guò)滿(mǎn)足下面 描述的表達(dá)式（3-A)和表達(dá)式（ 3_B)，或表達(dá)式（C-1)和表達(dá)式（c-2)，在與從第一發(fā)光層 和第二發(fā)光層中發(fā)射的光相對(duì)應(yīng)的窄波長(zhǎng)區(qū)域中，千涉濾波器的光透射率可增大。是否采 用下面描述的表達(dá)式（3-A)或表達(dá)式（C-1)，是否采用下面描述的表達(dá)式（3-B)或表達(dá)式 (C-2)，以及是否采用下面描述的表達(dá)式（3-A)和表達(dá)式（3-B)或表達(dá)式（C-1)和表達(dá)式 (C-2)，這均屬于設(shè)計(jì)問(wèn)題。同樣，可彼此獨(dú)立地采用這些表達(dá)式。
[0156] 可表示上述表達(dá)式的其他表達(dá)式如下。
[0157] SP,當(dāng)
[0158] λ r150 彡 λ η 彡 λ，80 ;
[0159] λ 2-30 彡 λ 21 彡 λ 2+80 ;
[0160] λ 12 < 入丄+15、λ 13 < λ「15 以及 λ「50 < λ 14 ;以及
[0161] λ 22 < λ 2+15、λ 23 < λ 2-15 以及 λ 2-50 < λ 24 時(shí)，
[0162] 滿(mǎn)足表達(dá)式（Α)和（Β)，并且
[0163] 滿(mǎn)足表達(dá)式（C-1)或表達(dá)式（C-2)，或者滿(mǎn)足表達(dá)式（C-1)和表達(dá)式（C-2)兩者。 在這種情況下，光學(xué)距離L是在考慮介質(zhì)（通過(guò)該介質(zhì)傳輸光）的折射率的波長(zhǎng)依賴(lài)性時(shí) 計(jì)算的值。
[0164] (A)2 · Lu/入-<{^/2 π =
[0165] (Β) 2 · L21/ 入 21+ φ /2 π = ηι
[0166] (01)2 · L12/A 12+Φ2/2 π = m2+l/2、2 · ?13/λ 13+φ3/2 π = m3 以及 2 · L14/ 入 14+Φ4/2 π = m4
[0167] (C-2) 2 · L22/λ 22+φ 2/2 π = η2+1/2、2 · L23/λ 23+φ 3/2 π = η3 以及 2 · L24/ 入 24+Φ4/2 π = η4
[0168] 表 1
[0169] η00 :1.75
[0170] η01 ：2. 30
[0171] η02 ：1. 80
[0172] η03 ：2. 00
[0173] 入 i :460nm
[0174] λ 2 ：560nm
[0175] Ln ：72nm
[0176] L12 ：582nm
[0177] L13 ：1065nm
[0178] L14 ：1686nm
[0179] L21 ：389nm
[0180] L22 ：267nm
[0181] L23 ：750nm
[0182] L24 ：1371nm
[0183]有機(jī)層33的折射率n。。與第一光透射層41的折射率如之間的差值為0· 15或以 上，第一光透射層41的折射率nQ1與第二光透射層42的折射率1!。2之間的差值是0· 15或以 上，并且第二光透射層42的折射率11。2與第三光透射層43的折射率1!。3之間的差值是0· 15 或以上。此外，第二光透射層的光學(xué)厚度1：2是為蘭(丨舛認(rèn)丨并且滿(mǎn)足〇· 2 ·入35 · λ i 以及 Ο.βΧΟΑ)彡 t2< ljXUA)。
[0184] 結(jié)果，滿(mǎn)足以下表達(dá)式。 ~
[0185] 2 · Lu/A 11+φ1/2 π = 〇
[0186] 2 · ?21/λ21+φ1/2 π = ι
[0187] 其中，
[0188] λ「Ι50 = 310咖彡 λ u = 480nm 彡 λ #0 = 540nm ;以及
[0189] 入 2-3〇 = 530nm 彡 λ 21 = 570nm 彡 λ 2+8〇 = 640nm。
[0190]因此，滿(mǎn)足表達(dá)式（A)和表達(dá)式（B)，即，表達(dá)式⑴和表達(dá)式⑵。
[0191] 此外，從顯示設(shè)備的設(shè)計(jì)角度來(lái)看，確定了諸如λ n = 48〇_或人 或者下面描述的λιζ、λ13、λ"、入22、λ 23以及λ24值。此外，滿(mǎn)足或以下達(dá)
[0192] 2 · L12/A 12+Φ2/2 π = 3+1/2 。
[0193] 2 · L13/ λ 13+φ 3/2 π = 5
[0194] 2 · L14/λ 14+Φ4/2 π = 8
[0195] 2 · ?22/λ22+Φ2/2π = 1+1/2
[0196] 2 · L23/ λ 23+ Φ 3/2 π = 3
[0197] 2 · L24/λ 24+φ4/2 π = 5
[0198] 其中，
[0199] λ 12 = 388nm 彡 λ i+15 = 475nm ;
[0200] λ 13 = 426nm 彡 λ 廠15 = 445nm ;
[0201] λ 14 = 422nm 彡 λ 廠50 = 410nm ;
[0202] λ 22 = 534nm 彡 λ 2+15 = 575nm ;
[0203] 入 23 = 500nm 彡 λ 2-15 = 545nm ;以及
[0204] 入 μ = 548nm 彡 λ 2-50 = 510nm。
[0205] 因此，滿(mǎn)足表達(dá)式（C-1)和表達(dá)式（C-2)。優(yōu)選地滿(mǎn)足λ 12關(guān)λ 13和λ 22關(guān)λ『 [0206]為了進(jìn)行比較，如在圖1Β的相應(yīng)層的配置圖中所示出的，采用一種發(fā)光裝置（L 較例1的發(fā)光裝置），其中，從第二發(fā)光層側(cè)按順序在與第一發(fā)光層34相反的第二發(fā)光層 35的一側(cè)上僅設(shè)置兩層，即，第一光透射層41'和第二光透射層42'。比較例1的發(fā)光裝置 滿(mǎn)足所有表達(dá)式Q)到表達(dá)式（ 6)以及在日本未經(jīng)審查的專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2011-159432號(hào) 中公開(kāi)的表達(dá)式（7)和表達(dá)式（S)中的至少一個(gè)。具體而言，除了值以外 nQ3、Li4以及L24以 夕卜，如在上述表1中示出了有機(jī)層 33、第一光透射層41'以及第二光透射層42'的折射率 n00、n01以及n02等各種參數(shù)。
[0207]圖3B示出了在由實(shí)施例1的發(fā)光裝置的第一反射界面RFi、第二反射界面 Rf2、第 三反射界面RF3以及第四反射界面RF4形成的千涉濾波器中計(jì)算從第一發(fā)光層34中發(fā)射的 光（波長(zhǎng)λ 〇以及從第二發(fā)光層35中發(fā)射的光（波長(zhǎng)入2)的光透射率的結(jié)果。同樣，圖 3Α示出了在由比較例1的發(fā)光裝置的第一反射界面RFi、第二反射界面RF 2以及第三反射界 面RF3形成的干涉濾波器中計(jì)算從第一發(fā)光層34中發(fā)射的光（波長(zhǎng)λ ^以及從第二發(fā)光 層35中發(fā)射的光（波長(zhǎng)λ 2)的光透射率的結(jié)果。在圖3Α和圖3Β中，關(guān)于從第一發(fā)光層 34中發(fā)射的光的數(shù)據(jù)由實(shí)線"Α"表示，并且關(guān)于從第二發(fā)光層35中發(fā)射的光的數(shù)據(jù)由實(shí)線 "Β"表示。
[0208] 通常，當(dāng)使用能夠發(fā)射綠光和紅光的黃色發(fā)光裝置時(shí)，可結(jié)合使用藍(lán)色發(fā)光層來(lái) 發(fā)射白光。然而，通過(guò)濾色片與白色分離的綠色或紅色的單一顏色的顏色純度較低。此外， 當(dāng)濾色片的厚度增大以增大色飽和度時(shí)，發(fā)光效率大幅減小，這造成功耗和成本增大。
[0209] 從圖3A中可以看出，在比較例1中，通過(guò)控制第二光透射層42的厚度，在具有高 顏色純度的接近530nm的綠色波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)，可形成干涉濾波器的峰值。因此，可由濾色片等 提高所獲得的顏色純度，并且可提高顯示設(shè)備的顏色純度以及色飽和度。此外，由于實(shí)現(xiàn)與 上面相同水平的色度點(diǎn)所需要的濾色片的厚度不增大，故在發(fā)光效率和功耗方面具有有利 效應(yīng)。然而，在比較例1中，增強(qiáng)的綠色波長(zhǎng)區(qū)域較寬，并且干涉濾波器的光譜透射率在高 于5 3〇nm的曲線B的波長(zhǎng)區(qū)域（從550nm到650nm的區(qū)域）內(nèi)形成大凹谷。因此，當(dāng)從前 面觀看顯示設(shè)備時(shí)，雖然提高了色度，但是色度的視角依賴(lài)性較大。
[0210] 另一方面，在實(shí)施例1中，通過(guò)設(shè)置第三光透射層43以形成第四反射界面斯4，生 成與千涉濾波器的光譜透射率相反的相位的干涉。因此，如圖3B中所示，千涉濾波器的光 譜透射率變平（參照從550nm到650nm的曲線B的區(qū)域），并且應(yīng)加強(qiáng)以增大色飽和度的 波長(zhǎng)區(qū)域變窄。結(jié)果，色飽和度增大并且視角特征改進(jìn)。此外，確定第二反射界面RF 2的位 置，使得干涉濾波器的光透射率的峰值位置從從第一發(fā)光層34中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的 峰值偏移并且從從第二發(fā)光層35中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰值偏移。確定第三反射界面 RF3的位置，以便干涉濾波器的光透射率的峰值位置從從第一發(fā)光層34中發(fā)射的光的發(fā)射 光譜的峰值中移動(dòng)并且從從第二發(fā)光層35中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰值中移動(dòng)。確定第 四反射界面RF 4的位置，以便干涉濾波器的光透射率的峰值位置從從第一發(fā)光層34中發(fā)射 的光的發(fā)射光譜的峰值中移動(dòng)并且從從第二發(fā)光層35中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰值中移 動(dòng)。因此，千涉濾波器可在更寬的區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。
[0211] 此外，圖4A在使用實(shí)施例1的發(fā)光裝置的顯示設(shè)備中示出了視角用作參數(shù)的亮 度變化（Y/Y。）的模擬結(jié)果，并且圖4B在使用實(shí)施例1的發(fā)光裝置的顯示設(shè)備中示出了 視角被用作參數(shù)的色度偏移（Δ υν)的模擬結(jié)果。從圖4A中可以看出，當(dāng)視角為45°時(shí)， 亮度變化可保持為85%或以上。從圖4Β中可以看出，當(dāng)視角為45°時(shí)，色度偏移可滿(mǎn)足 Διιν < 〇_〇15。即，在實(shí)施例1中，在圖4Α和圖4Β中顯而易見(jiàn)，亮度變化和色度偏移的視 角依賴(lài)性較低。下面的表2示出了實(shí)施例1和比較例1的發(fā)光裝置的色度和發(fā)光效率的 值。在實(shí)施例1的發(fā)光裝置中，該X值小于比較例1的發(fā)光裝置的X值并且y值大于比較 例1的發(fā)光裝置的y值。因此，顯示一個(gè)更優(yōu)選的色度，并且發(fā)光效率較高。
[0212] 表 2
[0213] 色度 發(fā)光效率 實(shí)施例 1 X = 0. 294, y = 0· 683 1. 03 比較例 1 ~ y = 0. 683, y = 0. 672 1. 00
[0214] 在實(shí)施例1的發(fā)光裝置中，干涉濾波器由第一反射界面、第二反射界面即2、第 三反射界面RF 3以及第四反射界面RF4形成，并且滿(mǎn)足表達(dá)式（1)和表達(dá)式（2)。因此，加 強(qiáng)在第一反射界面RR上從第一發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射，并且加強(qiáng)在第一反射界面 上從第二發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射。此外，通過(guò)滿(mǎn)足表達(dá)式（3-1)和表達(dá)式（3-B)，即， 通過(guò)使加強(qiáng)和削弱干涉濾波器的反射的條件適當(dāng)?shù)乇舜讼嘟Y(jié)合，可獲得光透射率曲線在寬 波長(zhǎng)區(qū)域中更平坦的干涉濾波器。而且，在與從第一發(fā)光層中發(fā)射的光相對(duì)應(yīng)的窄波長(zhǎng)區(qū) 域和/或與從第二發(fā)光層中發(fā)射的光相對(duì)應(yīng)的窄波長(zhǎng)區(qū)域中，干涉濾波器的光透射率可增 大。結(jié)果，單色色度可提高，色飽和度可增大，可提供具有優(yōu)異的色調(diào)和低功耗的白色發(fā)光 裝置，并且在可見(jiàn)的波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)，相對(duì)于單一顏色或兩個(gè)或多個(gè)不同顏色的組合顏色的光， 亮度和色度的視角依賴(lài)性可大幅減小?？商鎿Q地，由于第一反射界面、第二反射界面、第三 反射界面以及第四反射界面被設(shè)置為滿(mǎn)足預(yù)定的條件，所以可獲得光透射率曲線在寬波長(zhǎng) 區(qū)域中更平坦的干涉濾波器，并且可提供具有優(yōu)異的色調(diào)和低功耗的白色發(fā)光裝置。而且， 在與從第一發(fā)光層中發(fā)射的光對(duì)應(yīng)的窄波長(zhǎng)區(qū)域和/或與從第二發(fā)光層中發(fā)射的光對(duì)應(yīng) 的窄波長(zhǎng)區(qū)域中，干涉濾波器的光透射率可增大。結(jié)果，單色色度可提高，色飽和度可增大， 并且在可見(jiàn)的波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)，相對(duì)于單一顏色或兩個(gè)或多個(gè)不同顏色的組合顏色的光，亮度 和色度的視角依賴(lài)性可大幅減小。
[0215] 實(shí)施例2
[0216]實(shí)施例2是實(shí)施例1的變形。當(dāng)發(fā)光層是異色發(fā)光層時(shí)，具體而言，例如，當(dāng)形成 堆疊綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層的一個(gè)發(fā)光層時(shí)，第一顏色發(fā)光層和第二顏色發(fā)光層的厚度 難以減小到可確定異色發(fā)光層的發(fā)光中心處于一個(gè)水平上的程度。即，從發(fā)光裝置或顯示 設(shè)備的設(shè)計(jì)的角度來(lái)看或者從制造工序的角度來(lái)看，包括在單個(gè)發(fā)光層內(nèi)的第一顏色發(fā)光 層和第二顏色發(fā)光層的厚度需要增大。因此，難以確定異色發(fā)光層的發(fā)光中心處于一個(gè)水 平上。例如，在異色發(fā)光層（具體而言，在實(shí)施例2中，第二發(fā)光層35)中的第一顏色（綠 色）的發(fā)光中心與第二顏色（紅色）的發(fā)光中心之間的差值可為5nm或以上。此外，例如， 根據(jù)形成發(fā)光層的材料，在異色發(fā)光層中的第一顏色發(fā)光層和第二顏色發(fā)光層的堆疊順序 需要改變。因此，難以確定異色發(fā)光層的發(fā)光中心處于一個(gè)水平上。
[0217] 在這種情況下，在發(fā)光層的第一顏色的發(fā)光中心和第二顏色的發(fā)光中心中的每一 個(gè)中可確定各種參數(shù)，以滿(mǎn)足表達(dá)式（1)和表達(dá)式（2)并且滿(mǎn)足表達(dá)式（3-A)或表達(dá)式 (3_B)，或者表達(dá)式（3-A)和表達(dá)式（3-B)?？商鎿Q地，如上所述，在確定異色發(fā)光層的發(fā)光 中心不處于一個(gè)水平上時(shí)，可進(jìn)一步設(shè)置第四光透射層?？商鎿Q地，例如，第二反射界面可 包括多個(gè)界面。例如，在大約550nm到650nm的波長(zhǎng)區(qū)域中，在波長(zhǎng)用作變量的干涉濾波器 中從綠色發(fā)光層中發(fā)射到發(fā)光裝置的外部的綠光的光透射率曲線的變化具有的趨勢(shì)與在 波長(zhǎng)用作變量的千涉濾波器中從紅色發(fā)光層中發(fā)射到發(fā)光裝置的外部的紅光的光透射率 曲線的變化的趨勢(shì)相同。因此，甚至當(dāng)視角增大時(shí)，綠光的亮度減小的比率與紅光的亮度減 小的比率處于相同的水平上，因此，色度偏移不增大。
[0218] 實(shí)施例3
[0219] 實(shí)施例3是實(shí)施例1或?qū)嵤├?的變形，并且涉及底部發(fā)射型顯示設(shè)備。如在圖 5的局部示意性剖視圖中所示，實(shí)施例3的發(fā)光裝置10是底部發(fā)射型，其中，第二電極32、 有機(jī)層33以及第一電極31按照這種順序堆疊在第一基板11上。從發(fā)光層中發(fā)射的光通 過(guò)第一基板11發(fā)射到外部。雖然未示出，但是在與第二光透射層相反的第三光透射層的側(cè) 上，可進(jìn)一步形成具有1 μ m或以上厚度的透明導(dǎo)電材料層、具有1 μ m或以上厚度的透明絕 緣層、具有1 μ m或以上厚度的樹(shù)脂層、具有1 μ m或以上厚度的玻璃層或者具有1 μ m或以 上厚度的空氣層，即，可進(jìn)一步形成在第三光透射層43與第一基板11之間。在第一電極31 之上的最外層是第二基板12。第一電極31和第二基板12通過(guò)粘合層29彼此接合。
[0220] 實(shí)施例4
[0221]實(shí)施例4涉及根據(jù)該實(shí)施方式的照明設(shè)備。如在圖6的示意性剖視圖中所示，在 實(shí)施例4的照明設(shè)備中，在實(shí)施例〖到實(shí)施例3中描述的發(fā)光裝置10被設(shè)置在透明的第一 基板111與第一基板112之間。根據(jù)發(fā)光裝置1〇的結(jié)構(gòu)，光從發(fā)光層中發(fā)射給第二基板或 者發(fā)射給第一基板。第一基板111的外圍和第二基板112的外圍通過(guò)密封元件113彼此接 合。根據(jù)需要選擇照明設(shè)備的平面形狀，并且例如，該形狀為正方形或矩形。在圖6中，顯 示了一個(gè)發(fā)光裝置10。然而,可根據(jù)需要將多個(gè)發(fā)光裝置設(shè)置在期望的圖案中。由于照明 設(shè)備本身具有現(xiàn)有配置和結(jié)構(gòu)，故不對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0222]在實(shí)施例4的照明設(shè)備中，通過(guò)使用實(shí)施例i至實(shí)施例3的發(fā)光裝置，可實(shí)現(xiàn)一種 照明設(shè)備（例如，表面發(fā)射光源），該照明設(shè)備具有低角度依賴(lài)性（即，根據(jù)照明方向，強(qiáng)度 和色度的變化極低）并且具有優(yōu)異的光分布特性。此外，可實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)異的顯色性能和優(yōu) 異的光分布特性的照明設(shè)備。此外，通過(guò)選擇從發(fā)光裝置中發(fā)射的光的顏色,不僅可獲得白 光，而且可獲得各種顏色的光。
[0223] 在上文中，已經(jīng)描述了本公開(kāi)的優(yōu)選實(shí)施例，但是本公開(kāi)的內(nèi)容不限于這些實(shí)施 例。在實(shí)施例中描述的發(fā)光裝置、顯示設(shè)備以及照明設(shè)備的配置和結(jié)構(gòu)僅僅具有示例性并 且可適當(dāng)?shù)馗淖儭?br>
[0224] 本公開(kāi)可采用或以下配置。
[0225] [A01] -種發(fā)光裝置…第一實(shí)施方式
[0226] 一種發(fā)光裝置，包括：
[0227] 第一電極；
[0228] 第二電極；以及
[0229]有機(jī)層，其位于第一電極與第二電極之間并且通過(guò)從第一電極側(cè)按順序堆疊第一 發(fā)光層和第二發(fā)光層形成，
[0230]其中，從有機(jī)層中發(fā)射的光由第一發(fā)光層與第一電極之間的界面反射、穿過(guò)第二 電極并且發(fā)射到發(fā)光裝置的外面，
[0231] 從第二發(fā)光層側(cè)按順序在與第一發(fā)光層相反的第二發(fā)光層的一側(cè)上設(shè)置第一光 透射層、第二光透射層和第三光透射層，
[0232] 滿(mǎn)足以下表達(dá)式（1)和表達(dá)式（2)，并且
[0233] 滿(mǎn)足以下表達(dá)式（3-A)或表達(dá)式（3-B)，或者滿(mǎn)足以下表達(dá)式（3-A)和表達(dá)式 (3-B)
[0234] (1) (_ Φ /2 π 十叫）·（ λ「150) /2 彡 Lu 彡（-φ /2 π +ΠΟ ·(入 #0) /2
[0235] (2) (- Φ /2 π +ηι) ·(入 2-30) /2 彡 L21 彡（一 φ /2 n +ηι) ·(入 2+8〇) /2
[0236] (3-A)L12 < (_Φ2/2 π+m2+l/2) ·(入 ^Ιδ)/。、!^ < (_Φ3/2 π+m3) ·(入「15)/2 以 及（-Φ 4/2 π +m4) · ( λ「50) /2 彡 L14
[0237] (3-B)L22 < (_Φ2/2 π+η2+1/2) · (λ 2+15)/2、L23 < (_Φ3/2 π+η3) ·(入 2_15)/2 以 及（-Φ 4/2 π +η4) · ( λ 2-50) /2 彡 L24
[0238] 其中，
[0239] λ i是第一發(fā)光層的發(fā)射波長(zhǎng)區(qū)域的中心波長(zhǎng)（單位：nm);
[0240] λ 2是第二發(fā)光層的發(fā)射波長(zhǎng)區(qū)域的中心波長(zhǎng)（單位：nm);
[0241] Ln是在作為在第一發(fā)光層與第一電極之間的界面的第一反射界面與第一發(fā)光層 的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm);
[0242] Lu是第二反射界面與第一發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm)，該第二 反射界面是第二發(fā)光層與第一光透射層之間的界面；
[0243] L1S是第三反射界面與第一發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm)，該第三 發(fā)射界面是第一光透射層與第二光透射層之間的界面；
[0244] L14是第四反射界面與第一發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm)，該第四 反射界面是第二光透射層與第三光透射層之間的界面；
[0245] L21是在第一反射界面與第二發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm);
[0246] L22是在第二反射界面與第二發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm);
[0247] L23是在第三反射界面與第二發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm);
[0248] 是在第四反射界面與第二發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm);
[0249] Φ:是在由第一反射界面反射光時(shí)發(fā)生的相移（單位：弧度）；
[0250] Φ2是在由第二反射界面反射光時(shí)發(fā)生的相移（單位：弧度）；
[0251] Φ 3是在由第三反射界面反射光時(shí)發(fā)生的相移（單位：弧度）；
[0252] Φ 4是在由第四反射界面反射光時(shí)發(fā)生的相移（單位：弧度）；
[0253] 1?是0或更大的整數(shù)；
[0254] h是0或更大的整數(shù)；并且
[0255] m2、m3、m4、n2、n3 以及 n4 是整數(shù)。
[0256] [A02]根據(jù)[AO 1]所述的發(fā)光裝置，
[0257] 其中，1? = 0 并且 ηι = 1。
[0258] [A03]根據(jù)[A01]或[A02]所述的發(fā)光裝置，
[0259]其中，通過(guò)第一反射界面、第二反射界面、第三反射界面以及第四反射界面形成干 涉濾波器。
[0260] [A04]根據(jù)[A01]到[A03]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0261] 其中，有機(jī)層的折射率與第一光透射層的折射率之間的差值為0. 15或以上，
[0262] 第一光透射層的折射率與第二光透射層的折射率之間的差值為〇. 15或以上，并 且
[0263] 在第二光透射層的折射率與第三光透射層的折射率之間的差值為〇. 15或以上。
[0264] [A05]根據(jù)[A01]至[A04]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0265] 其中，第二光透射層的光學(xué)厚度t2滿(mǎn)足0. 2· 入^
[0266] [Α06]根據(jù)[Α01]至[Α05]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0267] 其中，與在視角為0°時(shí)的亮度相比，在視角為45°時(shí)的亮度減小30%或以下。
[0268] [A07]根據(jù)[A01]至[A06]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0269] 其中，在視角為45°時(shí)的色度偏移Λ UV為〇. 015或以下。
[0270] [Α08]根據(jù)[Α01]至[Α07]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0271] 其中，在第二發(fā)光層與第一光透射層之間提供厚度為5nm或以下的金屬層。
[0272] [A09]根據(jù)[A01]至[A08]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0273]其中，第二反射界面、第三反射界面或第四反射界面包括多個(gè)界面。
[0274] [A10]根據(jù)[A01]至[A09]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0275]其中，第一發(fā)光層與第二發(fā)光層中的至少一個(gè)是發(fā)射兩種或多種不同顏色的光的 異色發(fā)光層，并且
[0276]在確定異色發(fā)光層的發(fā)光中心并非位于一個(gè)水平上時(shí)，進(jìn)一步設(shè)置第四光透射 層。
[0277] [All]根據(jù)[A10]所述的發(fā)光裝置，
[0278]其中，通過(guò)第一反射界面、第二反射界面、第三反射界面、第四反射界面以及第五 反射界面形成干涉濾波器，
[0279]第一反射界面是在第一發(fā)光層與第一電極之間的界面，
[0280]通過(guò)第二發(fā)光層、第一光透射層、第二光透射層、第三光透射層以及第四光透射層 形成第二反射界面，并且
[0281]當(dāng)波長(zhǎng)被用作變量的干涉濾波器中，從異色發(fā)光層中發(fā)射到發(fā)光裝置的外部的光 線的光透射率曲線的變化具有與在波長(zhǎng)被用作變量的千涉濾波器中從異色發(fā)光層中發(fā)射 到發(fā)光裝置的外部的另一個(gè)光線的光透射率曲線的變化相同的趨勢(shì)。
[0282] [A12]根據(jù)[A01]至[All]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0283]其中，第一電極、有機(jī)層以及第二電極按照這種順序堆疊在基板上。
[0284] [A13]根據(jù)[A12]所述的發(fā)光裝置，
[0285]其中，在與第二光透射層相反的第三光透射層的一側(cè)上，進(jìn)一步形成具有厚度為 〇· 5 μ m或以上的透明導(dǎo)電材料層、具有厚度為〇· 5 μ m或以上的透明絕緣層、具有厚度為 0· 5 μ m或以上的樹(shù)脂層、具有厚度為〇· 5 μ m或以上的玻璃層或者具有厚度為〇. 5 μ m或以 上的空氣層。
[0286] [A14]根據(jù)[A01]到[All]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0287] 其中，第二電極、有機(jī)層以及第一電極按照這種順序堆疊在基板上。
[0288] [A15]根據(jù)[A14]所述的發(fā)光裝置，
[0289] 其中，在與第二光透射層相反的第三光透射層的一側(cè)上，形成具有1 μ m或以上厚 度的透明導(dǎo)電材料層、具有1 μ m或以上厚度的透明絕緣層、具有1 μ m或以上厚度的樹(shù)脂 層、具有1 μ m或以上厚度的玻璃層或者具有1 μ m或以上厚度的空氣層。
[0290] [B01] -種發(fā)光裝置…第二實(shí)施方式
[0291] 一種發(fā)光裝置，包括：
[0292] 第一電極；
[0293] 第二電極；以及
[0294]有機(jī)層，其被設(shè)置在第一電極與第二電極之間并且通過(guò)從第一電極側(cè)按順序堆疊 第一發(fā)光層和第二發(fā)光層形成，
[0295] 其中，從有機(jī)層中發(fā)射的光由第一發(fā)光層與第一電極之間的界面反射、穿過(guò)第二 電極并且發(fā)射到發(fā)光裝置的外部，
[0296] 從第二發(fā)光層側(cè)按順序在與第一發(fā)光層相反的第二發(fā)光層的一側(cè)上設(shè)置第一光 透射層、第二光透射層以及第三光透射層，
[0297] 在第二發(fā)光層側(cè)上的第一光透射層的界面上形成第二反射界面，
[0298]在第一光透射層與第二光透射層之間形成第三反射界面，
[0299]在第二光透射層與第三光透射層之間形成第四反射界面，
[0300]干涉濾波器由第一反射界面、第二反射界面、第三反射界面以及第四反射界面形 成，
[0301] 所述第一反射界面被設(shè)置為滿(mǎn)足以下（條件-1)，以及
[0302] 第二反射界面、第三反射界面以及第四反射界面被設(shè)置為滿(mǎn)足或以下（條件-2) 或（條件_ 3)、或者滿(mǎn)足以下（條件-2)和（條件-3)
[0303] (條件-1)
[0304] 加強(qiáng)在第一反射界面上對(duì)從第一發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射，并且加強(qiáng)在第一反 射界面上對(duì)從第二發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射；
[0305] (條件-2)
[0306] 削弱在第二反射界面上對(duì)從第一發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射，加強(qiáng)在第三反射界 面上對(duì)從第一發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射，并且加強(qiáng)在第四反射界面上對(duì)從第一發(fā)光層中 發(fā)射的光線的反射；
[0307] (條件-3)
[0308]削弱在第二反射界面上對(duì)從第二發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射，加強(qiáng)在第三反射界 面上對(duì)從第二發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射，并且加強(qiáng)在第四反射界面上對(duì)從第二發(fā)光層中 發(fā)射的光線的反射。
[0309] [B02]根據(jù)[B01]所述的發(fā)光裝置，
[0310] 其中，確定第二反射界面的位置，使得干涉濾波器的光透射率的峰值位置從第一 發(fā)光層中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰值偏移并且從第二發(fā)光層中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰 值偏移。
[0311] [B03]根據(jù)[B01]或[B02]所述的發(fā)光裝置，
[0312] 其中，確定第三反射界面的位置，使得干涉濾波器的光透射率的峰值位置從第一 發(fā)光層中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰值偏移并且從第二發(fā)光層中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰 值偏移。
[0313] [B04]根據(jù)[B01]至[B03]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0314] 其中，確定第四反射界面的位置，使得干涉濾波器的光透射率的峰值位置從第一 發(fā)光層中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰值偏移并且從第二發(fā)光層中發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰 值偏移。
[0315] [B05]根據(jù)[A01]至[A04]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0316] 其中，有機(jī)層的折射率與第一光透射層的折射率之間的差值為0. 15或以上，
[0317] 在第一光透射層的折射率與第二光透射層的折射率之間的差值為0. 15或以上， 并且
[0318] 在第二光透射層的折射率與第三光透射層的折射率之間的差值為0. 15或以上。
[0319] [B06]根據(jù)[B01]至[B05]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0320] 其中，與在視角為0°時(shí)的亮度相比，在視角為45°時(shí)的亮度減小30%或以下。
[0321] [B07]根據(jù)[B01]至[B06]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0322] 其中，在視角為45°時(shí)的色度偏移Auv為0.015或以下。
[0323] [BOS]根據(jù)[B01]至[B07]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0324] 其中，在第二發(fā)光層與第一光透射層之間設(shè)置厚度為5nm或以下的金屬層。
[0325] [B09]根據(jù)[B01]到[B08]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0326] 其中，第二反射界面、第三反射界面或第四反射界面包括多個(gè)界面。
[0327] [B10]根據(jù)[B01]至[B09]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0328] 其中，第一發(fā)光層與第二發(fā)光層中的至少一個(gè)是發(fā)射兩種或多種不同顏色的光的 異色發(fā)光層，并且
[0329] 在確定異色發(fā)光層的發(fā)光中心并非位于一個(gè)水平上時(shí)，進(jìn)一步設(shè)置第四光透射 層。
[0330] [B11]根據(jù)[B10]所述的發(fā)光裝置，
[0331] 其中，進(jìn)一步設(shè)置第四光透射層，以及
[0332] 在波長(zhǎng)被用作變量的干涉濾波器中從異色發(fā)光層中發(fā)射到發(fā)光裝置的外部的光 線的光透射率曲線的變化具有與在波長(zhǎng)被用作變量的干涉濾波器中從異色發(fā)光層中發(fā)射 到發(fā)光裝置的外部的另一個(gè)光線的光透射率曲線的變化的相同的趨勢(shì)。
[0333] [B12]根據(jù)[B01]至[B11]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0334] 其中，第一電極、有機(jī)層以及第二電極按照這種順序堆疊在基板上。
[0335] [B13]根據(jù)[B12]所述的發(fā)光裝置，
[0336] 其中，在與第二光透射層相反的第三光透射層的側(cè)邊上，進(jìn)一步形成具有〇.5μηι 或以上厚度的透明導(dǎo)電材料層、具有0· 5 μ m或以上厚度的透明絕緣層、具有〇. 5 μ m或以上 厚度的樹(shù)脂層、具有0. 5 μ m或以上厚度的玻璃層或者具有0. 5 μ m或以上厚度的空氣層。
[0337] [B14]根據(jù)[B01]至[B11]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，
[0338] 其中，所述第二電極、有機(jī)層以及第一電極按照這種順序堆疊在基板上。
[0339] [B15]根據(jù)[B14]所述的發(fā)光裝置，
[0340] 其中，在與第二光透射層相反的第三光透射層的一側(cè)上，形成具有Ιμπι或以上厚 度的透明導(dǎo)電材料層、具有?μηι或以上厚度的透明絕緣層、具有l(wèi)um或以上厚度的樹(shù)脂 層、具有厚度為1 μ m或以上厚度的玻璃層或者具有1 μ m或以上厚度的空氣層。
[0341] [C01] -種顯示設(shè)備
[0342] 通過(guò)在二維矩陣中設(shè)置根據(jù)[A01]至[B15]中任一項(xiàng)所述的多個(gè)發(fā)光裝置來(lái)獲得 所述顯示設(shè)備。
[0343] [C02] -種照明設(shè)備
[0344] 一種照明設(shè)備，包括：
[0345] 根據(jù)[A01]至[B15]中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置。
[0346] 本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解的是，只要在所附權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)，根據(jù) 設(shè)計(jì)要求和其他因素，可進(jìn)行各種修改、組合、子組合以及變形。
【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光裝置，包括： 第一電極； 第二電極；以及 有機(jī)層，所述有機(jī)層被設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間并且通過(guò)從第一電極 側(cè)按順序堆疊第一發(fā)光層和第二發(fā)光層形成， 其中，從所述有機(jī)層發(fā)射的光由所述第一發(fā)光層與所述第一電極之間的界面反射、穿 過(guò)所述第二電極并且發(fā)射至所述發(fā)光裝置的外部， 從第二發(fā)光層側(cè)按順序在與所述第一發(fā)光層相反的所述第二發(fā)光層的一側(cè)上設(shè)置第 一光透射層、第二光透射層以及第三光透射層， 滿(mǎn)足或以下表達(dá)式（1)和表達(dá)式（2)，以及 滿(mǎn)足或以下表達(dá)式（3-A)或表達(dá)式（3-B)，或者滿(mǎn)足或以下表達(dá)式（3-A)和表達(dá)式 (3-B)， (1) (-Φ i/2 31+mi) · ( λ「150)/2 彡 Ln 彡（-Φ i/2 31+mi) · ( λ i+80)/2 ; (2) (_ Φ i/2 π +11!) · ( λ 2_30) /2 < L21 < Φ j/2 π +11!) · ( λ 2+80) /2 ; (3-A) L12 < Φ 2/2 π+m2+l/2) · ( λ i+15)/2、L13 < Φ 3/2 π+m3) · ( λ「15)/2 以及 (-Φ 4/2 π +m4) · ( λ「50) /2 < L14 ; (3-B) 1^2 < (_ Φ 2/2 π +n2+l/2) · ( λ 2+15) /2、L23 < (_ Φ 3/2 π +n3) · ( λ 2_15) /2 以及 (-Φ 4/2 π +n4) · ( λ 2-50) /2 < L24 ; 其中，λ i是所述第一發(fā)光層的發(fā)射波長(zhǎng)區(qū)域的中心波長(zhǎng)（單位：nm); λ 2是所述第二發(fā)光層的發(fā)射波長(zhǎng)區(qū)域的中心波長(zhǎng)（單位：nm); Ln是第一反射界面與所述第一發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm)，所述第 一反射界面是所述第一發(fā)光層與所述第一電極之間的界面； L12是第二反射界面與所述第一發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm)，所述第 二反射界面是所述第二發(fā)光層與所述第一光透射層之間的界面； L13是第三反射界面與所述第一發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm)，所述第 三反射界面是所述第一光透射層與所述第二光透射層之間的界面； L14是第四反射界面與所述第一發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm)，所述第 四反射界面是所述第二光透射層與所述第三光透射層之間的界面； L21是所述第一反射界面與所述第二發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位：nm); L22是在所述第二反射界面與所述第二發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位： nm)； L23是在所述第三反射界面與所述第二發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位： nm)； L24是在所述第四反射界面與所述第二發(fā)光層的發(fā)光中心之間的光學(xué)距離（單位： nm)； Φ1是在由所述第一反射界面反射光時(shí)發(fā)生的相移（單位：弧度）； φ2是在由所述第二反射界面反射光時(shí)發(fā)生的相移（單位：弧度）； φ3是在由所述第三反射界面反射光時(shí)發(fā)生的相移（單位：弧度）； φ4是在由所述第四反射界面反射光時(shí)發(fā)生的相移（單位：弧度）； 1^是0或更大的整數(shù)； 化是〇或更大的整數(shù)；并且 m2、m3、m4、η2、η3 和 η4 是整數(shù)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置， 其中，由所述第一反射界面、所述第二反射界面、所述第三反射界面和所述第四反射界 面形成干涉濾波器。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置， 其中，與在視角為0°時(shí)的亮度相比，在視角為45°時(shí)的亮度減小了 30%或以下。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置， 其中，在視角為45°時(shí)的色度偏移Auv為0.015或以下。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置， 其中，在所述第二發(fā)光層與所述第一光透射層之間設(shè)置具有5nm或以下厚度的金屬 層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置， 其中，所述第二反射界面、所述第三反射界面或所述第四反射界面包括多個(gè)界面。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置， 其中，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層中的至少一個(gè)是發(fā)射兩個(gè)或多個(gè)不同顏色的 光的異色發(fā)光層，以及 當(dāng)確定所述異色發(fā)光層的發(fā)光中心沒(méi)有位于一個(gè)水平上時(shí)，進(jìn)一步設(shè)置第四光透射 層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置， 其中，通過(guò)所述第一反射界面、所述第二反射界面、所述第三反射界面、所述第四反射 界面和第五反射界面形成干涉濾波器， 所述第一反射界面是所述第一發(fā)光層與所述第一電極之間的界面， 通過(guò)所述第二發(fā)光層、所述第一光透射層、所述第二光透射層、所述第三光透射層和所 述第四光透射層形成所述第二反射界面，以及 在其中波長(zhǎng)被用作變量的所述干涉濾波器中從所述異色發(fā)光層發(fā)射到所述發(fā)光裝置 的外部的光線的光透射率曲線的變化，具有與在其中波長(zhǎng)被用作變量的所述干涉濾波器中 從所述異色發(fā)光層中發(fā)射到所述發(fā)光裝置的外部的另一個(gè)光線的光透射率曲線的變化相 同的趨勢(shì)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置， 其中，所述第一電極、所述有機(jī)層和所述第二電極按照這種順序堆疊在基板上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置， 其中，在與所述第二光透射層相反的所述第三光透射層的一側(cè)上進(jìn)一步形成具有 0. 5 μ m或以上厚度的透明導(dǎo)電材料層、具有0. 5 μ m或以上厚度的透明絕緣層、具有0. 5 μ m 或以上厚度的樹(shù)脂層、具有0. 5 μ m或以上厚度的玻璃層或者具有0. 5 μ m或以上厚度的空 氣層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置， 其中，所述第二電極、所述有機(jī)層和所述第一電極按照這個(gè)順序堆疊在基板上。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置， 其中，在與所述第二光透射層相反的所述第三光透射層的一側(cè)上形成具有1 μ m或以 上厚度的透明導(dǎo)電材料層、具有1 μ m或以上厚度的透明絕緣層、具有1 μ m或以上厚度的樹(shù) 脂層、具有1 μ m或以上厚度的玻璃層或者具有1 μ m或以上厚度的空氣層。
13. -種發(fā)光裝置，包括： 第一電極； 第二電極；以及 有機(jī)層，所述有機(jī)層被設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間并且通過(guò)從第一電極 側(cè)按順序堆疊第一發(fā)光層和第二發(fā)光層形成， 其中，從所述有機(jī)層發(fā)射的光通過(guò)形成在所述第一發(fā)光層與所述第一電極之間的第一 反射界面反射、穿過(guò)所述第二電極并且發(fā)射至所述發(fā)光裝置的外部， 從第二發(fā)光層側(cè)按順序在與所述第一發(fā)光層相反的所述第二發(fā)光層的一側(cè)上設(shè)置第 一光透射層、第二光透射層和第三光透射層， 在所述第二發(fā)光層側(cè)上的所述第一光透射層界面上形成第二反射界面， 在所述第一光透射層與所述第二光透射層之間形成第三反射界面， 在所述第二光透射層與所述第三光透射層之間形成第四反射界面， 通過(guò)所述第一反射界面、所述第二反射界面、所述第三反射界面和所述第四反射界面 形成干涉濾波器， 所述第一反射界面被配置為滿(mǎn)足以下（條件-1)，以及 所述第二反射界面、所述第三反射界面和所述第四反射界面被配置為滿(mǎn)足以下（條 件-2)或（條件-3)、或者滿(mǎn)足以下表達(dá)式（條件-2)和（條件-3)， (條件_1) 加強(qiáng)在所述第一反射界面上對(duì)從所述第一發(fā)光層發(fā)射的光線的反射，并且加強(qiáng)在所述 第一反射界面上對(duì)從所述第二發(fā)光層發(fā)射的光線的反射； (條件_2) 削弱在所述第二反射界面上對(duì)從所述第一發(fā)光層發(fā)射的光線的反射，加強(qiáng)在第三反射 界面上對(duì)從所述第一發(fā)光層中發(fā)射的光線的反射，并且加強(qiáng)在第四反射界面上對(duì)從所述第 一發(fā)光層發(fā)射的光線的反射； (條件_3) 削弱在所述第二反射界面上對(duì)從所述第二發(fā)光層發(fā)射的光線的反射，加強(qiáng)在所述第三 反射界面上對(duì)從所述第二發(fā)光層發(fā)射的光線的反射，并且加強(qiáng)在所述第四反射界面上對(duì)從 所述第二發(fā)光層發(fā)射的光線的反射。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置， 其中，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層中的至少一個(gè)是發(fā)射兩個(gè)或多個(gè)不同顏色的 光的異色發(fā)光層，以及 當(dāng)確定所述異色發(fā)光層的發(fā)光中心沒(méi)有位于一個(gè)水平上時(shí)，進(jìn)一步設(shè)置第四光透射 層。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置， 其中，確定所述第二反射界面的位置，使得所述干涉濾波器的光透射率的峰值位置從 所述第一發(fā)光層發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰值偏移并且從所述第二發(fā)光層發(fā)射的光的發(fā)射 光譜的峰值偏移。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置， 其中，確定所述第三反射界面的位置，使得所述干涉濾波器的光透射率的峰值位置從 所述第一發(fā)光層發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰值偏移并且從所述第二發(fā)光層發(fā)射的光的發(fā)射 光譜的峰值偏移。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置， 其中，確定所述第四反射界面的位置，使得所述干涉濾波器的光透射率的峰值位置從 所述第一發(fā)光層發(fā)射的光的發(fā)射光譜的峰值偏移并且從所述第二發(fā)光層發(fā)射的光的發(fā)射 光譜的峰值偏移。
18. -種顯示設(shè)備，通過(guò)在二維矩陣中配置根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置獲得所述 顯示設(shè)備。
19. 一種照明設(shè)備，包括： 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置。
【文檔編號(hào)】H05B33/24GK104244488SQ201410251374
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月14日
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