熱傳導(dǎo)介電界面的制作方法
【專利摘要】一種熱傳導(dǎo)介電界面包括相對(duì)硬的聚合物基部以及布置在所述基部的第一和第二側(cè)面的聚合物上涂層。所述上涂層具有相對(duì)較軟且促進(jìn)電子組件各部件的熱連結(jié)的中間狀態(tài)。將所述上涂層固化至完成狀態(tài)以使得這一熱連結(jié)變硬。
【專利說明】熱傳導(dǎo)介電界面
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 本申請(qǐng)要求于2013年6月 25 日提交的、題為〃Thermally Conductive Dielectric Interface"的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)序列號(hào)No. 61/839, 116的權(quán)益，該臨時(shí)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容結(jié) 合在此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明一般地涉及熱管理材料，尤其涉及用于電子裝置內(nèi)各部件傳熱表面之間熱 能傳輸?shù)臒醾鲗?dǎo)介電界面。本發(fā)明的界面優(yōu)選地與傳熱表面結(jié)合以在各部件之間形成牢固 連結(jié)。

【背景技術(shù)】
[0004] 熱傳輸材料廣泛地用作例如產(chǎn)熱電子部件以及用于把來自電子部件的過多熱能 傳送至熱耦接熱沉的熱沉之間的界面。已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了用于這類熱界面的各種設(shè)計(jì)和材料，其 中最高性能在實(shí)質(zhì)上避免熱界面與電子部件的各傳熱表面和熱沉之間的間隙時(shí)實(shí)現(xiàn)。因 此，在許多情況下，熱界面材料相對(duì)較軟，至少在操作溫度下較軟，由此"順應(yīng)"各部件有點(diǎn) 不那么平坦的傳熱表面。
[0005] 許多熱傳導(dǎo)界面的另一方面是介電的，以避免熱界面所固定至的電子部件的短 路。一個(gè)常規(guī)界面的例子在美國(guó)專利No. 4, 810, 563中描述，其內(nèi)容通過引用結(jié)合在此。
[0006] 熱界面結(jié)構(gòu)通常能夠形成將電子組件的各分離部件固定在一起的連結(jié)。理想的連 結(jié)因此是高度熱傳輸?shù)?，呈現(xiàn)出對(duì)部件傳熱表面的強(qiáng)結(jié)合特性，并且在某些情況下，是高度 電絕緣的（介電的）。這類界面還應(yīng)該容易并入電子設(shè)備組裝過程，并且是相對(duì)便宜的。當(dāng) 前可用的界面不足以實(shí)現(xiàn)每個(gè)上述期望的特性。因此需要一種在電子組件內(nèi)各分離部件的 傳熱表面之間良好傳送熱能的熱傳導(dǎo)介電界面，并且該界面能夠在各部件之間提供強(qiáng)結(jié)合 以用作其間的永久連結(jié)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 通過本發(fā)明，各電子部件可以通過熱傳導(dǎo)介電界面可靠結(jié)合至關(guān)聯(lián)的熱耗散構(gòu) 件。本發(fā)明的界面提供有助于獲取至各電子部件以及至熱耗散構(gòu)件的熱高效連接的一致且 粘性的外層。在安裝之后，該界面可以經(jīng)歷額外的固化過程以在保持該界面的期望熱傳導(dǎo) 率和電阻率屬性的同時(shí)永久固定所述組件。
[0008] 在一個(gè)實(shí)施例中，一種熱傳導(dǎo)介電界面，包括具有基本平行于基部平面的第一和 第二側(cè)面并且呈現(xiàn)至少l〇 5Pa的壓縮模量的基部，其中所述基部由第一硅酮聚合物制劑 (silicone polymer preparation)形成。所述界面還包括布置在所述基部的所述第一和第 二側(cè)面處的上涂層，所述上涂層呈現(xiàn)小于l〇4Pa的壓縮模量。所述上涂層包括第二硅酮聚 合物制劑，其中所述界面的厚度沿著與所述基部平面垂直的軸定義并且延伸通過所述上涂 層和所述基部。所述界面跨所述厚度呈現(xiàn)至少3kV的擊穿電壓值以及至少0. 5W/m*K的熱 傳導(dǎo)率。
[0009] -種用于向產(chǎn)熱部件安裝熱沉的方法包括將上述熱傳導(dǎo)介電界面固定在所述熱 沉和所述產(chǎn)熱部件之間。
[0010] 在另一個(gè)實(shí)施例中，一種熱傳導(dǎo)介電界面，包括具有與核心平面基本平行的相對(duì) 的第一和第二表面并且分別定義所述界面的第一和第二側(cè)面的核心。所述界面還包括具有 施加至所述核心的所述第一和第二表面的每一表面的內(nèi)表面的基層，所述基層包括散布在 第一聚合物制劑中的熱傳導(dǎo)微粒。所述基層呈現(xiàn)至少l〇 5Pa的壓縮模量。上涂層在所述界 面的所述第一和第二側(cè)面的兩側(cè)施加至所述基層的所述外表面，所述上涂層包括散布在第 二聚合物制劑中的熱傳導(dǎo)微粒。所述上涂層呈現(xiàn)小于l〇 4Pa的壓縮模量。所述熱傳導(dǎo)界面 的厚度沿著與所述核心平面垂直的軸定義，并且延伸通過所述上涂層、所述基層和所述核 心。所述界面跨所述厚度呈現(xiàn)至少〇. 5W/m*K的熱傳導(dǎo)率以及至少的電阻率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 圖1是本發(fā)明的電子設(shè)備組件的橫截面示意圖；
[0012] 圖2是本發(fā)明的熱傳導(dǎo)介電界面的分離的橫截面視圖；
[0013] 圖3是本發(fā)明的熱傳導(dǎo)介電界面的分離的橫截面視圖；
[0014] 圖4是本發(fā)明的熱傳導(dǎo)介電界面的性能比較圖表；
[0015] 圖5是本發(fā)明的熱傳導(dǎo)介電界面的性能比較圖表；以及
[0016] 圖6是本發(fā)明的熱傳導(dǎo)介電界面的性能比較圖表。

【具體實(shí)施方式】
[0017] 現(xiàn)將通過【具體實(shí)施方式】呈現(xiàn)本發(fā)明所代表的目標(biāo)、特征和優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的其他實(shí) 施例和方面將被認(rèn)為是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠理解的。
[0018] 除非顯見或聲明，諸如"上"、"下"、"前"、"后"、"垂直"、"水平"、"頂部"和"底部" 等的方向參考旨在是如圖所示相對(duì)于本發(fā)明具體實(shí)施例的定向。此外，附圖中給定的參考 編號(hào)指示在不同附圖中出現(xiàn)的相同或類似結(jié)構(gòu)，并且相似的參考編號(hào)標(biāo)識(shí)本發(fā)明的類似結(jié) 構(gòu)元件和/或特征。
[0019] 現(xiàn)在參考附圖，電子設(shè)備組件10包括在典型地是印刷電路板（PCB)的基底14上 支持的產(chǎn)熱電子部件12。電子部件12可以是在電子學(xué)中常用的各類產(chǎn)熱設(shè)備中的任意設(shè) 備，諸如微處理器、晶體管、集成微芯片或其他功率半導(dǎo)體器件。電子部件12可以通過諸如 焊接、管腳或其他連接之類的已知方法固定至基底14。電子部件12的操作產(chǎn)生熱能，為了 最優(yōu)性能會(huì)期望從電子部件12中耗散這些熱能。為了幫助從電子部件12中耗散過多的熱 能，電子設(shè)備組件10包括熱耗散構(gòu)件或熱沉16。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，熱耗散構(gòu)件16可 被設(shè)置為鰭狀熱沉或本領(lǐng)域中常用的其他傳熱結(jié)構(gòu)。
[0020] 本發(fā)明的熱傳導(dǎo)介電界面18可以介于熱耗散構(gòu)件16和電子部件12的各傳熱表 面20、22之間，以有效傳送其間的熱能。界面18可以優(yōu)選地符合傳熱表面20、22以最小化 界面18和傳熱表面20、22之間的氣隙，否則氣隙的存在會(huì)阻礙熱能的傳輸。界面18優(yōu)選 地提供將熱耗散構(gòu)件16與電子部件12的物理和熱耦接兩者的連結(jié)。然而應(yīng)該理解，界面 18可以不直接將熱耗散構(gòu)件16連接至電子部件12,而是可以僅提供沿著產(chǎn)熱電子部件12 和熱耗散構(gòu)件16之間的熱路徑的熱傳導(dǎo)連結(jié)。
[0021] 熱傳導(dǎo)介電界面18的單獨(dú)的截面視圖在圖2中示出，其包括具有第一側(cè)面32和 第二側(cè)面34的基部30,以及布置在基部30的第一側(cè)面32和第二側(cè)面34處的上涂層36。 沿著可與基部30的第一側(cè)面32和第二側(cè)面34基本垂直的厚度軸38定義厚度"T"。如圖2 所示，界面厚度"T"延伸通過上涂層36和基部30。界面18的厚度"T"旨在表示熱耗散構(gòu)件 16和電子部件12各傳熱表面20、22之間的尺寸。在某些實(shí)施例中，厚度"T"在100-600微 米（μπι)之間，其中基部30可以具有例如在50-350μπι之間的厚度尺寸"t/'，而上涂層36 則可以具有例如在50-300 μ m之間的總厚度尺寸（"t2A"+"t2B")。為了提供在此描述的益 處，每個(gè)上涂層的厚度尺寸"t 2A"和"t2B"優(yōu)選地為至少25 μ m，并且更優(yōu)選地在50-150 μ m 之間。
[0022] 材料、材料厚度和材料條件的組合為本發(fā)明的界面18提供一組期望的特性。在界 面18的期望屬性中尤其包括上涂層36的符合性、上涂層36的粘合能力、上涂層36相對(duì)較 低的壓縮模量、基部30相對(duì)較高的壓縮模量、跨厚度"T"的高介電電壓擊穿力（也被稱為 擊穿電壓）、以及跨厚度"T"的高熱傳導(dǎo)率。作為電子部件12和熱耗散構(gòu)件16之間有效的 熱路徑，界面18優(yōu)選地呈現(xiàn)跨厚度"T"的至少0. 5W/m*K的熱傳導(dǎo)率，并且在某些實(shí)施例中 在0. 5-3W/m*K之間。此外，界面18是介電的，并且呈現(xiàn)至少3kV的擊穿電壓。
[0023] 為了實(shí)現(xiàn)上述屬性，界面18能夠以相對(duì)"硬"的基部30和相對(duì)"軟"的上涂層36 的中間狀態(tài)被安裝在組件10內(nèi)，其中基部30和上涂層36中的一個(gè)或多個(gè)具有合適的熱傳 導(dǎo)和電絕緣性。在此中間狀態(tài)下，基部30呈現(xiàn)出至少10 5Pa(100,000Pa)的壓縮模量，而上 涂層36則呈現(xiàn)小于104Pa(10,000Pa)的壓縮模量。出于在此的目的，術(shù)語(yǔ)"壓縮模量"旨在 指示彈性模量（楊氏模量），并且是以壓力為單位的壓力與應(yīng)力之比。在電子設(shè)備組件10 的最終實(shí)現(xiàn)條件中，上涂層36可以具有超過10 4Pa的壓縮模量。
[0024] 本發(fā)明的一個(gè)方面在于獲取呈現(xiàn)由ASTM D149測(cè)試的期望擊穿電壓值的熱傳導(dǎo)介 電界面。本發(fā)明的布置使用足夠剛性以防止界面18在被安裝到電子設(shè)備組件10內(nèi)時(shí)沿著 厚度軸38被過度壓縮的相對(duì)較高壓縮模量的基部30來實(shí)現(xiàn)期望的擊穿電壓。許多常規(guī)的 一致性熱界面會(huì)沿著其厚度軸過分壓縮，從而導(dǎo)致諸如電子部件和熱耗散構(gòu)件之間的各部 件之間的間隙變得小到足以引起電壓擊穿。此外，如果電子設(shè)備組件的一個(gè)組件的傳熱表 面具有不規(guī)則或隆起的表面，則通過相對(duì)"軟"材料的突起會(huì)導(dǎo)致熱界面的短路或提早的電 壓擊穿。
[0025] 認(rèn)為有各種材料可用于界面18的制造，其總目標(biāo)是獲取壓縮模量至少為105Pa的 核心30,壓縮模量在中間狀態(tài)下小于10 4Pa的上涂層，以及呈現(xiàn)出至少3kV擊穿電壓的界 面，以及跨厚度"T"的至少0.5W/m*K的熱傳導(dǎo)率。在某些實(shí)施例中，界面18可以跨厚度 "T"呈現(xiàn)至少ΚΓΩΦπι的電阻率。在一個(gè)實(shí)施例中，基部30包括其內(nèi)散布有諸如氧化鋁的 熱傳導(dǎo)微粒填充料的乙烯基娃酮聚合物基體（vinyl silicone polymer matrix)。上涂層 可以包括其內(nèi)散布有諸如氧化鋁的熱傳導(dǎo)微粒填充料的乙烯和氫基反應(yīng)性硅酮聚合物基 體（hydride-functional silicone polymer matrix)〇
[0026] 基部30和上涂層36兩者都可優(yōu)選地由載有熱傳導(dǎo)微粒材料的熱塑或熱固聚 合物基體形成?？捎糜诨?0和上涂層36的聚合物基體的熱塑或熱固樹脂的例子包 括娃酮、丙烯酸（acrylic)、聚氨酯（urethane)、環(huán)氧樹脂（epoxy)、聚硫化物、聚異丁烯 (polyisobutylene)、聚乙烯或聚烯經(jīng)基聚合物?；?0和上涂層36的期望的壓縮模量可 以通過聚合物基體材料的選擇、交聯(lián)劑的選擇、交聯(lián)控制和固化程度中的一種或多種來實(shí) 現(xiàn)。
[0027] 熱傳導(dǎo)微粒填充料在本領(lǐng)域內(nèi)周知用以提升聚合物基體的熱傳導(dǎo)率。用于本發(fā)明 的聚合物基體的示例性熱傳導(dǎo)填充料包括金屬或陶瓷，并且尤其包括例如氧化鋁、氮化鋁、 氫氧化鋁、氧化鋁、氮化硼、氮化鋅和碳化硅。熱傳導(dǎo)微粒填充料可以按體積的約5-90%的 裝載濃度散布在聚合物基體內(nèi)，以實(shí)現(xiàn)跨厚度"T"的0. 5W/m*K的期望最小熱傳導(dǎo)率。雖然 在某些實(shí)施例中，基部30和上涂層36兩者都呈現(xiàn)至少0. 5W/m*K的熱傳導(dǎo)率，但是在其他 實(shí)施例中可以考慮僅基部30和上涂層36之一呈現(xiàn)至少0. 5W/m*K的熱傳導(dǎo)率，但仍然需要 得到跨厚度"T"呈現(xiàn)至少0. 5W/m*K的熱傳導(dǎo)率的界面18。
[0028] 本發(fā)明的另一實(shí)施例在圖3中示出，其中熱傳導(dǎo)介電界面118包括具有定義界面 118的第一側(cè)面126和第二側(cè)面127的相對(duì)的第一表面129A和第二表面129B的核心128。 基層130包括施加至核心128的第一表面129A和第二表面129B的每一個(gè)的內(nèi)表面132。 在一個(gè)實(shí)施例中，核心128用作其上施加基層130的基底。在一個(gè)實(shí)施例中，核心128可以 是柔性玻璃纖維膜。核心128在某些實(shí)施例中可以不顯著影響界面118的性能屬性，而是可 以主要用作其上建立界面118的層疊結(jié)構(gòu)的基底。因此，核心128不會(huì)顯著阻礙跨界面118 的厚度"T"的熱傳輸，并且也不會(huì)顯著地不利影響界面118的電阻和電壓擊穿性能。因此 為每個(gè)應(yīng)用而從各種材料和配置中選擇核心128被認(rèn)為是必須的。在某些實(shí)施例中，核心 128本身可以呈現(xiàn)至少0. 5W/m*K的熱傳導(dǎo)率，雖然可以理解這一熱傳導(dǎo)率特性對(duì)核心128 而言不是必須的。在某些實(shí)施例中，核心128可以包括散布其內(nèi)以提升核心128的熱傳導(dǎo) 率的熱傳導(dǎo)微粒材料。
[0029] 界面118的基層130可以與界面18的基部30相類似，不同之處在于核心128至 少部分位于基部?jī)?nèi)。因此，基層130實(shí)際上可以是施加至核心128的第一表面129A和第二 表面129B的基部30?；鶎?30可以優(yōu)選地是呈現(xiàn)至少10 5Pa的壓縮模量的聚合物基體，并 且可以包括散布其內(nèi)以提升其熱傳導(dǎo)率屬性的熱傳導(dǎo)微粒?；鶎?30的組成在某些實(shí)施例 可以類似于如上對(duì)界面18的基部30的描述。例如，基層130可以包括其內(nèi)散布有熱傳導(dǎo) 微粒的硅酮聚合物制劑。
[0030] 界面118還包括在界面118的第一側(cè)面126和第二側(cè)面127兩側(cè)施加至基層130 的外表面134的上涂層136。在優(yōu)選實(shí)施例中，上涂層136可以與如上所述的界面18的上 涂層36相類似。上涂層136可以包括聚合物基體，并且在中間狀態(tài)下呈現(xiàn)小于10 4Pa的壓 縮模量。在某些實(shí)施例中，上涂層136可以包括其中散布熱傳導(dǎo)微粒以提升其熱傳導(dǎo)率屬 性的硅酮聚合物制劑。上涂層136可以在其完成狀態(tài)下（諸如在電子組件10中）呈現(xiàn)超 過10 4Pa的壓縮模量。
[0031] 界面118可以包括用于在生產(chǎn)電子設(shè)備組件10之前（諸如在上涂層136仍在其 中間狀態(tài)下時(shí)）改善對(duì)界面18的加工處理的第一和第二防黏襯里（release liner) 142和 144。第一和第二防黏襯里142和144是本領(lǐng)域周知的，并且可以在電子設(shè)備組件10處安裝 界面118之前被移除。結(jié)果，界面118的厚度"T"由于第一和第二防黏襯里142和144典 型地會(huì)在電子設(shè)備組件10內(nèi)使用界面118之前被移除而不包括這些防黏襯里142和144。 界面118的厚度"T"沿著厚度軸138定義，并且延伸通過上涂層136、基層130和核心128。 界面118跨厚度"T"呈現(xiàn)至少0.5W/m*K的熱傳導(dǎo)率，以及至少ΚΓΩ*!!!的電阻率。此外， 界面118優(yōu)選地跨厚度"Τ"呈現(xiàn)至少3kV的擊穿電壓值。
[0032] 如上所述，界面118不僅提供熱能傳送的有效路徑，還可以用作將諸如電子設(shè)備 組件10的組件的各分立元件固定在一起的連結(jié)。本發(fā)明的界面因此還呈現(xiàn)用于建立與各 部件的強(qiáng)結(jié)合的粘合屬性。本發(fā)明的各界面可以通過各種已知的技術(shù)制備。示例性的制備 技術(shù)包括向核心128的第一側(cè)面126和第二側(cè)面127溶劑涂覆重量為60-70%固體的基層 130,以得到厚度"t 3"在約100-250 μ m之間的基底，其包括基層130和核心層128的厚度。隨 后可在強(qiáng)制通風(fēng)烤箱中對(duì)基層130進(jìn)行干燥試劑和交聯(lián)（固化）以實(shí)現(xiàn)至少10 5Pa的壓縮 模量。隨后向基層130的外表面134溶劑涂覆重量為60-70%的固體，以得到在150-600 μ m 之間的總厚度"T"。隨后對(duì)上涂層136進(jìn)行干燥試劑，但大致保持其原樣（未固化），以使 得上涂層136在中間狀態(tài)下具有小于10 4Pa的壓縮模量。由于相對(duì)低模量的未固化上涂層 136的一般黏著力，可對(duì)上涂層136應(yīng)用防黏襯里142和144以在電子設(shè)備組件內(nèi)的安裝之 前方便對(duì)界面118的加工處理。在安裝時(shí)，從上涂層136移除防黏襯里142和144的之一 或兩者以暴露相對(duì)低模量（<l〇 4Pa)的未固化上涂層136。隨后可以定位界面以附接至例如 熱耗散構(gòu)件16和電子部件12中的一個(gè)或多個(gè)，其中上涂層136分別與這些熱耗散構(gòu)件16 和電子部件12的傳熱表面相接觸。可以施力以確保界面118和電子設(shè)備組件10各部件之 間的可靠接觸，隨后進(jìn)行固化過程以引起上涂層136內(nèi)的交聯(lián)，這一交聯(lián)（固化）增強(qiáng)各部 件與界面的粘合/結(jié)合，并將上涂層136帶到完成狀態(tài)。固定處理中施加的組裝壓力可在 約75-300psi之間。這一壓力可以在用于上涂層136的固化處理之前施加預(yù)定時(shí)間段，或 者可以在整個(gè)上涂層136的固化處理期間以恒定或變化的水平施加。在一個(gè)實(shí)施例中，上 涂層136(和上涂層36)在設(shè)置在160°C的烤箱中六分鐘后被固化至其完成狀態(tài)。然而可以 理解的是可以利用各種固化模量和程序來恰當(dāng)固化本發(fā)明界面的基底和上涂層。
[0033] 示例
[0034] 根據(jù)圖3所示結(jié)構(gòu)的界面被制備為250 μ m的厚度"T"（ "例1"），并與來自 Bear, Delaware的ArIon, LLC的商品名為Secure? 1500FG的常規(guī)界面（"比較樣本"）相 t匕。下表闡明了比較結(jié)果，其中結(jié)合數(shù)據(jù)表示在聲明的施加壓力下經(jīng)由各界面耦接至固體 鋁基部的T0-220晶體管電子部件的應(yīng)用。
[0035] 表 1
[0036]

【權(quán)利要求】
1. 一種熱傳導(dǎo)介電界面，包括： 基部，具有基本平行于基部平面的第一和第二側(cè)面并且呈現(xiàn)至少l〇5Pa的壓縮模量，所 述基部包括第一硅酮聚合物制劑；以及 布置在所述基部的所述第一和第二側(cè)面處的上涂層，所述上涂層呈現(xiàn)小于l〇4Pa的壓 縮模量，并且包括第二硅酮聚合物制劑，其中所述界面的厚度沿著與所述基部平面垂直的 軸定義并且延伸通過所述上涂層和所述基部，并且所述界面跨所述厚度呈現(xiàn)至少3kV的擊 穿電壓值以及至少〇. 5W/m*K的熱傳導(dǎo)率。
2. 如權(quán)利要求1所述的熱傳導(dǎo)介電界面，包括散布在所述第一和第二硅酮聚合物制劑 中的每一個(gè)中的微粒填充料。
3. 如權(quán)利要求1所述的熱傳導(dǎo)介電界面，其中所述第一硅酮聚合物制劑比所述第二硅 酮聚合物制劑更為完全地固化。
4. 如權(quán)利要求1所述的熱傳導(dǎo)介電界面，其中所述界面跨所述厚度呈現(xiàn)至少ΚΓΩ*!!! 的電阻率。
5. 如權(quán)利要求1所述的熱傳導(dǎo)介電界面，其中所述基部沿所述軸在0. 1-0. 25mm之間。
6. 如權(quán)利要求5所述的熱傳導(dǎo)介電界面，其中所述上涂層沿所述軸在0. 05-0. 30mm之 間。
7. -種用于向產(chǎn)熱部件安裝熱沉的方法，所述方法包括將如權(quán)利要求1所述的熱傳導(dǎo) 介電界面固定在所述熱沉和所述產(chǎn)熱部件之間。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述上涂層將所述界面結(jié)合至所述熱沉和所述產(chǎn)熱 部件。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，包括：在將所述界面結(jié)合至所述熱沉和所述產(chǎn)熱部件之 后，將所述上涂層固化至使得所述上涂層呈現(xiàn)大于l〇 4Pa的壓縮模量的程度。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述固化包括啟動(dòng)在所述第二硅酮結(jié)合制劑中的 交聯(lián)反應(yīng)。
11. 一種熱傳導(dǎo)介電界面，包括： 具有與核心平面基本平行的相對(duì)的第一和第二表面并且分別定義所述界面的第一和 第二側(cè)面的核心； 具有施加至所述核心的所述第一和第二表面的每一表面的內(nèi)表面的基層，所述基層包 括散布在第一聚合物制劑中的熱傳導(dǎo)微粒，其中所述基層呈現(xiàn)至少105Pa的壓縮模量；以及 在所述界面的所述第一和第二側(cè)面施加至所述基層的所述外表面的上涂層，所述上涂 層包括散布在第二聚合物制劑中的熱傳導(dǎo)微粒，其中所述上涂層呈現(xiàn)小于l〇4Pa的壓縮模 量， 其中所述熱傳導(dǎo)界面的厚度沿著與所述核心平面垂直的軸定義，并且延伸通過所述上 涂層、所述基層和所述核心，并且所述界面跨所述厚度呈現(xiàn)至少〇. 5W/m*K的熱傳導(dǎo)率以及 至少ΚΓΩ*!!!的電阻率。
12. 如權(quán)利要求11所述的熱傳導(dǎo)介電界面，其中所述熱傳導(dǎo)微粒是金屬或陶瓷。
13. 如權(quán)利要求11所述的熱傳導(dǎo)介電界面，其中所述核心包括玻璃纖維膜。
14. 如權(quán)利要求11所述的熱傳導(dǎo)介電界面，其中所述第一和第二聚合物制劑包括硅酮 聚合物基體。
【文檔編號(hào)】H05K7/20GK104254229SQ201410289683
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月25日
【發(fā)明者】J·蒂莫曼, J·哈蒙德, J·施米茨 申請(qǐng)人:貝格斯公司