基板對(duì)位靶標(biāo)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基板對(duì)位靶標(biāo)的制作方法，包括下述步驟：步驟一，提供一基板；在基板的輔助邊鉆定位孔；步驟二，利用定位孔的位置定位，在基板的表面制作內(nèi)層線路圖形和對(duì)位靶標(biāo)；對(duì)位靶標(biāo)周圍具有一圈絕緣空間間隔；步驟三，使用平整的貼靶標(biāo)材料覆蓋對(duì)位靶標(biāo)和對(duì)位靶標(biāo)周圍的絕緣空間間隔；步驟四，在基板外層表面進(jìn)行加溫層壓，層壓后的各外層結(jié)構(gòu)層與基板結(jié)合；步驟五，利用層壓后各外層結(jié)構(gòu)層的凸起為指示，刮開外層結(jié)構(gòu)層上與對(duì)位靶標(biāo)相對(duì)應(yīng)的部位，并剝離貼靶標(biāo)材料，使得對(duì)位靶標(biāo)露出。本方法能縮短加工流程，降低工藝成本。
【專利說明】基板對(duì)位靶標(biāo)的制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)基板的制作工藝，尤其是一種基板對(duì)位靶標(biāo)的制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)基板的高密度化的實(shí)現(xiàn)直接取決于基板層間的激光孔連接和窄節(jié)距線路的制備，隨著電路板向著小型化和高密度化的方向發(fā)展，基板對(duì)光刻對(duì)位的精度要求也越來越高，對(duì)位精度直接影響著基板的質(zhì)量。目前現(xiàn)有的技術(shù)，基板在做build-up層壓工藝，光刻對(duì)位方法都是以內(nèi)層靶標(biāo)為基準(zhǔn)，都是在經(jīng)過層壓或化銅之后，在基板上與靶標(biāo)所對(duì)應(yīng)的區(qū)域采用鉆靶標(biāo)孔、貼干膜、曝光、顯影、蝕刻等加工工藝使光刻靶標(biāo)露出，此種加工方法在制作光刻對(duì)位靶標(biāo)的加工流程較為復(fù)雜，影響了基板的加工效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種基板對(duì)位靶標(biāo)的制作方法，無需在進(jìn)行鉆靶標(biāo)孔、貼干膜、曝光、顯影、蝕刻等加工工藝才能使靶標(biāo)露出，縮短加工流程，降低工藝成本，減少基板的成本，提高了封裝基板光刻的質(zhì)量與加工效率。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種基板對(duì)位靶標(biāo)的制作方法，包括下述步驟:
步驟一，提供一基板；在基板的輔助邊鉆定位孔；
步驟二，利用定位孔的位置定位，在基板的表面制作內(nèi)層線路圖形和對(duì)位靶標(biāo)；對(duì)位靶標(biāo)周圍具有一圈絕緣空間間隔；
步驟三，使用平整的貼靶標(biāo)材料覆蓋對(duì)位靶標(biāo)和對(duì)位靶標(biāo)周圍的絕緣空間間隔；所使用的貼靶標(biāo)材料能夠耐受后續(xù)步驟中層壓時(shí)的溫度；
步驟四，在基板外層表面進(jìn)行加溫層壓，層壓后的各外層結(jié)構(gòu)層與基板結(jié)合；
步驟五，利用層壓后各外層結(jié)構(gòu)層的凸起為指示，刮開外層結(jié)構(gòu)層上與對(duì)位靶標(biāo)相對(duì)應(yīng)的部位，并剝離貼靶標(biāo)材料，使得對(duì)位靶標(biāo)露出。
[0004]進(jìn)一步地,步驟三中，還包括記錄對(duì)位祀標(biāo)的相應(yīng)位置；另外制作一份對(duì)位祀標(biāo)位置指示圖的步驟，步驟五中，則利用上述制作的對(duì)位靶標(biāo)位置指示圖為指示，刮開外層結(jié)構(gòu)層上與對(duì)位靶標(biāo)相對(duì)應(yīng)的部位。
[0005]進(jìn)一步地，對(duì)位靶標(biāo)設(shè)于基板的四個(gè)角的輔助邊內(nèi)；
進(jìn)一步地,對(duì)位祀標(biāo)制作成直徑2mm的銅箔圓點(diǎn)。
[0006]進(jìn)一步地，貼靶標(biāo)材料采用耐溫大于200度的耐高溫膠帶或者PET離型膜。
[0007]進(jìn)一步地,基板采用雙面覆銅板。
[0008]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明在有機(jī)基板進(jìn)行疊板層壓或化學(xué)鍍銅之前，運(yùn)用貼靶標(biāo)材料對(duì)靶標(biāo)位置進(jìn)行覆蓋處理，使得有機(jī)基板在經(jīng)過層壓或化學(xué)鍍銅之后，再對(duì)靶標(biāo)位置進(jìn)行剝離處理，使得對(duì)位靶標(biāo)露出以便光刻機(jī)能夠準(zhǔn)確、快速的找到對(duì)位靶標(biāo)的位置，從而提高基板光刻的精度與加工效率。無需在進(jìn)行曝光、顯影、蝕刻等工藝才能使對(duì)位靶標(biāo)露出，縮短加工流程，降低工藝成本，減少基板的成本，提高了封裝基板光刻的質(zhì)量與加工效率。貼靶標(biāo)材料成本低(耐高溫膠帶、PET離型膜均可)，制作過程簡易、方便、可靠性高，適合于大規(guī)?；慨a(chǎn)的需要。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明的提供基板鉆定位孔示意圖。
[0010]圖2為本發(fā)明的制作內(nèi)層線路圖形和對(duì)位標(biāo)靶示意圖。
[0011]圖3a和圖3b為本發(fā)明的覆蓋貼靶標(biāo)材料示意圖。
[0012]圖4為本發(fā)明的外層結(jié)構(gòu)層層壓示意圖。
[0013]圖5為本發(fā)明的刮開外層結(jié)構(gòu)層并剝離貼靶標(biāo)材料示意圖。
[0014]圖6為本發(fā)明的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0016]本實(shí)施例以雙面覆銅板上進(jìn)行層壓形成有機(jī)基板為例，介紹基板對(duì)位靶標(biāo)的制作方法，具體包括下述步驟:
步驟一，提供一雙面覆銅板作為基板I ;在雙面覆銅板的輔助邊鉆定位孔2 ;
如圖1所示，雙面覆銅板的中間層為絕緣基材，正面和背面都是銅箔。雙面覆銅板距離板的各條邊緣大約10厘米范圍內(nèi)是輔助邊。定位孔2通常是鉆在雙面覆銅板四個(gè)角的輔助邊內(nèi)。鉆孔的目的是可以給制作內(nèi)層線路圖形和對(duì)位靶標(biāo)時(shí)做光刻對(duì)位使用。
[0017]圖1是側(cè)面視圖，可視為是雙面覆銅板左邊的一個(gè)角附近的結(jié)構(gòu)。
[0018]步驟二，利用定位孔2的位置定位，在雙面覆銅板的正面和背面分別制作正面內(nèi)層線路圖形31和背面內(nèi)層線路圖形32，以及對(duì)位靶標(biāo)4 ;對(duì)位靶標(biāo)4周圍具有一圈絕緣空間間隔5 ；
如圖2所示，此步驟主要進(jìn)行內(nèi)層線路圖形和對(duì)位靶標(biāo)4的制作；具體可在雙面覆銅板上進(jìn)行干膜前處理、貼干膜、光刻、顯影、蝕刻，經(jīng)過第一次圖形轉(zhuǎn)移，得到正面內(nèi)層線路圖形31和背面內(nèi)層線路圖形32，以及對(duì)位靶標(biāo)4 ;步驟一中的定位孔2可以給步驟二中的光刻對(duì)位使用。此步驟可采用現(xiàn)有的工藝制作，因此不作過多展開描述。
[0019]對(duì)位靶標(biāo)4形成于雙面覆銅板的四個(gè)角的輔助邊內(nèi)，靠近內(nèi)層線路圖形；通常是一個(gè)直徑約2mm的銅箔圓點(diǎn)，對(duì)位靶標(biāo)4周圍具有一圈絕緣空間間隔5，與雙面覆銅板上的內(nèi)層線路圖形不接觸。
[0020]步驟三，使用平整的貼靶標(biāo)材料6覆蓋對(duì)位靶標(biāo)4和對(duì)位靶標(biāo)4周圍的絕緣空間間隔5 ;所使用的貼靶標(biāo)材料6能夠耐受后續(xù)步驟中層壓時(shí)的溫度；
如圖3a和圖3b所示，首先準(zhǔn)備貼靶標(biāo)材料6，要求平整、厚度均勻，能夠耐受200?300度的高溫,貼靶標(biāo)材料6的尺寸要大于對(duì)位靶標(biāo)4的尺寸，并且要能夠覆蓋對(duì)位靶標(biāo)4和對(duì)位靶標(biāo)4周圍的絕緣空間間隔5 ;貼靶標(biāo)材料6可選用耐高溫膠帶(耐溫大于200度)或者PET離型膜均可，材料的成本較低。
[0021]用制作好的貼靶標(biāo)材料6把對(duì)位靶標(biāo)4和絕緣空間間隔5完全覆蓋住，并記錄對(duì)位靶標(biāo)4的相應(yīng)位置；可另外制作一份對(duì)位靶標(biāo)位置指示圖。
[0022]步驟四，在雙面覆銅板的兩面進(jìn)行層壓，層壓后的各外層結(jié)構(gòu)層與雙面覆銅板結(jié)合；
如圖4所示，此步驟進(jìn)行層壓，在雙面覆銅板的兩面進(jìn)行加溫層壓，層壓的溫度控制在貼靶標(biāo)材料6的耐溫范圍內(nèi)。
[0023]正面外層結(jié)構(gòu)包括正面半固化片71和通過正面半固化片71與覆銅板正面粘合的正面外層銅箔81 ;背面外層結(jié)構(gòu)包括背面半固化片72和通過背面半固化片72與覆銅板背面粘合的背面外層銅箔82 ；
此步驟中，正是因?yàn)橘N靶標(biāo)材料6覆蓋住了對(duì)位靶標(biāo)4和絕緣空間間隔5，使得半固化片在受熱軟化時(shí)不會(huì)進(jìn)入對(duì)位靶標(biāo)4周圍的絕緣空間間隔5 ;這將使得后續(xù)靶標(biāo)的露出變得容易。層壓后，各外層結(jié)構(gòu)層表面對(duì)應(yīng)于貼靶標(biāo)材料6部位會(huì)有輕微的凸起，這也是因?yàn)閮?nèi)部墊有貼靶標(biāo)材料6的緣故。
[0024]而在傳統(tǒng)的對(duì)位靶標(biāo)制作工藝中，貼靶標(biāo)材料6是不存在的，因此層壓時(shí)，半固化片就會(huì)流動(dòng)進(jìn)入到對(duì)位靶標(biāo)4周圍的絕緣空間間隔5，必須在外層結(jié)構(gòu)層上靶標(biāo)所對(duì)應(yīng)的區(qū)域采用鉆靶標(biāo)孔、貼干膜、曝光、顯影、蝕刻等加工工藝才能使對(duì)位靶標(biāo)露出。
[0025]步驟五，利用層壓后各外層結(jié)構(gòu)層的凸起為指示，或者利用上述制作的對(duì)位靶標(biāo)位置指示圖為指示，刮開外層結(jié)構(gòu)層上與對(duì)位祀標(biāo)4相對(duì)應(yīng)的部位,并剝離貼祀標(biāo)材料6,使得對(duì)位靶標(biāo)4露出。
[0026]如圖5所示，此步驟中，可利用美工刀將對(duì)位靶標(biāo)4區(qū)域的外層銅箔和半固化片刮掉，并剝離貼靶標(biāo)材料6 ;此步驟的操作相對(duì)于傳統(tǒng)的露出對(duì)位靶標(biāo)的工藝，大大縮短了加工流程。
[0027]在對(duì)位靶標(biāo)4露出后，就可以提供給后續(xù)光刻、激光鉆孔、機(jī)械鉆孔等工藝對(duì)位使用，以便加工外層線路和形成最終的產(chǎn)品。
【權(quán)利要求】
1.一種基板對(duì)位靶標(biāo)的制作方法，其特征在于，包括下述步驟: 步驟一，提供一基板(I);在基板(I)的輔助邊鉆定位孔(2); 步驟二，利用定位孔(2)的位置定位，在基板(I)的表面制作內(nèi)層線路圖形和對(duì)位靶標(biāo)(4);對(duì)位靶標(biāo)⑷周圍具有一圈絕緣空間間隔(5)； 步驟三，使用平整的貼靶標(biāo)材料(6)覆蓋對(duì)位靶標(biāo)(4)和對(duì)位靶標(biāo)(4)周圍的絕緣空間間隔(5);所使用的貼靶標(biāo)材料(6)能夠耐受后續(xù)步驟中層壓時(shí)的溫度； 步驟四，在基板(I)外層表面進(jìn)行加溫層壓，層壓后的各外層結(jié)構(gòu)層與基板(I)結(jié)合；步驟五，利用層壓后各外層結(jié)構(gòu)層的凸起為指示，刮開外層結(jié)構(gòu)層上與對(duì)位靶標(biāo)(4)相對(duì)應(yīng)的部位，并剝離貼靶標(biāo)材料6，使得對(duì)位靶標(biāo)4露出。
2.如權(quán)利要求1所述的基板對(duì)位靶標(biāo)的制作方法，其特征在于: 步驟三中，還包括記錄對(duì)位靶標(biāo)(4)的相應(yīng)位置；另外制作一份對(duì)位靶標(biāo)位置指示圖的步驟，步驟五中，則利用上述制作的對(duì)位靶標(biāo)位置指示圖為指示，刮開外層結(jié)構(gòu)層上與對(duì)位靶標(biāo)(4)相對(duì)應(yīng)的部位。
3.如權(quán)利要求1所述的基板對(duì)位靶標(biāo)的制作方法，其特征在于: 對(duì)位靶標(biāo)(4)設(shè)于基板(I)的四個(gè)角的輔助邊內(nèi)； 如權(quán)利要求1所述的基板對(duì)位靶標(biāo)的制作方法，其特征在于: 對(duì)位靶標(biāo)(4)制作成直徑2mm的銅箔圓點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求1所述的基板對(duì)位靶標(biāo)的制作方法，其特征在于: 貼靶標(biāo)材料(6)采用耐溫大于200度的耐高溫膠帶或者PET離型膜。
5.如權(quán)利要求1所述的基板對(duì)位靶標(biāo)的制作方法，其特征在于: 基板(I)采用雙面覆銅板。
【文檔編號(hào)】H05K3/00GK104302111SQ201410607162
【公開日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】宋陽 申請(qǐng)人:華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司