專(zhuān)利名稱(chēng)：低溫低壓熱輻射治療器溫控模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及熱輻射治療器溫度控制，特別是一種低溫低壓熱輻射治療器溫度控制模塊。
熱輻射治療器的溫度控制好壞直接影響治療器的療效和適用安全?，F(xiàn)有技術(shù)中應(yīng)用于低溫低壓熱輻射治療器的溫度控制器通常使用機(jī)械式溫控器或電子溫度繼電器。前者如JNC-1M系列密封式雙金屬溫度繼電器，它存在著穩(wěn)定性差、使用壽命短的缺陷，因而在大批量使用中，難以保證質(zhì)量；后者如TTS200系列帶溫度晶閘管傳感器元件的溫度控制電路，由于該電路結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，溫度晶閘管傳感離散性差，在批量生產(chǎn)時(shí)要嚴(yán)格篩選老化溫度傳感器和配置電阻，工作量大，產(chǎn)品合格率低。由于沒(méi)有模塊化，因而體積大，安裝也較困難。
本實(shí)用新型的目的在于提供一種線路壓降小，功耗低，溫升小，工作簡(jiǎn)單，可靠性高的低溫低壓熱輻射治療器溫控模塊。
本實(shí)用新型的上述目的是通過(guò)這樣的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的即一種低溫低壓熱輻射治療器溫控模塊，包括雙向開(kāi)關(guān)、雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)電路和溫度傳感器，其特征在于可控硅雙向開(kāi)關(guān)串接在加熱器的電源回路中；雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)電路由全橋二極管D1-D4，單向可控硅Th2、Th3，電阻R1、R2，穩(wěn)壓管D5構(gòu)成，其中全橋二極管的控制端接在雙向可控硅Th1的觸發(fā)端，單向可控硅Th2和串聯(lián)后的R1、R2、D5并聯(lián)在全橋二極管的輸入端，Th2的觸發(fā)端接在D5和R2之間，單向可控硅Th3并聯(lián)在串聯(lián)的D5和R2的兩端，其觸發(fā)端接在溫度傳感器R5與溫度設(shè)定電阻之間，溫度傳感器一端接地，另一端通過(guò)溫度設(shè)定電阻接溫度設(shè)定開(kāi)關(guān)；所述電路除溫度傳感器，全部裝入盒內(nèi)，用環(huán)氧樹(shù)脂灌封成一體。
本實(shí)用新型的上述結(jié)構(gòu)可以通過(guò)附圖給出的實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明。
附

圖1為本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)圖；附圖2為本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)圖。
參見(jiàn)附圖1圖中包括加熱器RL、雙向開(kāi)關(guān)Th1、雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)電路和溫度傳感器R5；其中加熱器由電阻繞制，加熱器和可控硅雙向開(kāi)關(guān)串接在電源回路中；雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)電路由全橋二極管D1-D4，單向可控硅Th2、Th3，電阻R1、R2，穩(wěn)壓管D5構(gòu)成，其中全橋二極管的控制端接在雙向可控硅Th1的觸發(fā)端，單向可控硅Tb2和串聯(lián)后的R1、R2、D5并聯(lián)在全橋二極管的輸入端，Th2的觸發(fā)端接在D5和R2之間，單向可控硅Th3并聯(lián)在串聯(lián)的D5和R2的兩端，其觸發(fā)端接在溫度傳感器R5與溫度設(shè)定電阻之間；溫度傳感器采用熱敏電阻，其一端接地，另一端通過(guò)溫度設(shè)定電阻接溫度設(shè)定開(kāi)關(guān)。
參見(jiàn)附圖2所述電路除溫度傳感器外，金部由環(huán)氧樹(shù)脂封裝在盒體2內(nèi)構(gòu)成模塊，引出的導(dǎo)線a和b與電源和加熱器連接，溫度傳感器R5通過(guò)導(dǎo)線與模塊連接，并安裝在加熱器的被面或一側(cè)。
本實(shí)用新型的工作過(guò)程是這樣的當(dāng)向加熱器RL加上AC25V-45V電壓時(shí)，溫度傳感器R5冷態(tài)阻值小，同時(shí)端電壓也小，Th3截止，此時(shí)Th2流過(guò)觸發(fā)電流而導(dǎo)通，為雙向可控硅Th1提供觸發(fā)通路，使Th1過(guò)零觸發(fā)完全導(dǎo)通，加熱器通過(guò)電流而升溫。當(dāng)溫度升至設(shè)定值時(shí)，溫度傳感器受感溫傳導(dǎo)而阻值上升，其端屺壓升至Th3觸發(fā)電平以上時(shí)，Th3導(dǎo)通，而Th2無(wú)觸發(fā)電平而截止，同時(shí)Th1因失去觸發(fā)電流而跟隨截止，加熱器斷電停止升溫。當(dāng)溫度下降到某一設(shè)定值時(shí)，重復(fù)前述過(guò)程，這樣周而復(fù)始，達(dá)到溫度控制的目的。
本實(shí)用新型由于所述結(jié)構(gòu)而具有以下優(yōu)點(diǎn)1.電路采用的元件少，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；2.功耗低，溫升小，可靠性高，穩(wěn)定性好；3.產(chǎn)品模塊化，結(jié)構(gòu)緊湊，便于安裝。
本實(shí)用新型特別適用于便攜式低溫?zé)彷椛渲委熎骷訜嵩臏囟瓤刂啤?br> 權(quán)利要求1.一種低溫低壓熱輻射治療器溫控模塊，包括雙向開(kāi)關(guān)、雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)電路和溫度傳感器，其特征在于可控硅雙向開(kāi)關(guān)Th1串接在加熱器RL的電源回路中；雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)電路由全橋二極管D1-D4，單向可控硅Th2、Th3，電阻R1、R2，穩(wěn)壓管D5構(gòu)成，其中全橋二極管的控制端接在雙向可控硅Th1的觸發(fā)端，單向可控硅Th2和串聯(lián)后的R1、R2、D5并聯(lián)在全橋二極管的輸入端，Th2的觸發(fā)端接在D5和R2之間，單向可控硅Tb3并聯(lián)在串聯(lián)的D5和R2的兩端，其觸發(fā)端接在溫度傳感器R5與溫度設(shè)定電阻之間，溫度傳感器一端接地，另一端通過(guò)溫度設(shè)定電阻接溫度設(shè)定開(kāi)關(guān)；所述電路除溫度傳感器，全部裝入盒內(nèi)，用環(huán)氧樹(shù)脂灌封成一整體。
專(zhuān)利摘要一種低溫低壓熱輻射治療器溫控模塊,其可控硅雙向開(kāi)關(guān)Th1串接在加熱器RL的電源回路中;雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)電路由全橋二極管D1－D4,單向可控硅Th2、Th3,電阻R1、R2,穩(wěn)壓管D5構(gòu)成,其中全橋二極管的控制端接在雙向可控硅Th1的觸發(fā)端,單向可控硅Th2和串聯(lián)后的R1、R2、D5并聯(lián)在全橋二極管的輸入端,Th2的觸發(fā)端接在D5和R2之間,單向可控硅Th3并聯(lián)在串聯(lián)的D5和R2的兩端,其觸發(fā)端接在溫度傳感器R5與溫度設(shè)定電阻之間,溫度傳感器一端接地,另一端通過(guò)溫度設(shè)定電阻接溫度設(shè)定開(kāi)關(guān);所述電路用環(huán)氧樹(shù)脂灌封成一整體。具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,體積小,功耗小性能穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H05B1/02GK2285540SQ9720740
公開(kāi)日1998年7月1日 申請(qǐng)日期1996年12月28日 優(yōu)先權(quán)日1996年12月28日
發(fā)明者王蕩 申請(qǐng)人:王蕩