外殼及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種外殼及其制造方法，尤其涉及一種表面形成有透明膜的外殼及其 制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著科技的迅速演進，移動電話、個人計算機等3C產(chǎn)品和汽車電子產(chǎn)品的發(fā)展迅 速，市場上所出現(xiàn)的高光、高亮度、多樣化的外殼及表面具有金屬外觀的產(chǎn)品普遍得到消費 者的青睞。為了使電子產(chǎn)品呈現(xiàn)良好的亮度和光潔度，通常使用噴涂等傳統(tǒng)的制作工藝于 電子產(chǎn)品表面形成透明膜。然而，這些傳統(tǒng)的制作工藝復雜，且制作的透明膜光潔度較低， 耐磨損性能較差，使用壽命較短。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，有必要提供一種外殼，其表面形成有高光、高亮度的透明膜。
[0004] 另外，還有必要提供一種上述外殼的制造方法。
[0005] -種外殼，其包括基材和形成于基材表面的透明膜，該透明膜包括打底層、形成于 打底層表面的過渡層及形成于過渡層表面的透明層，該打底層為鉻層，該過渡層為碳化鉻 層，該透明層為硅層，該打底層形成于所述基材的表面，該過渡層形成于該打底層的表面， 該透明層形成于該過渡層的表面。
[0006] 一種外殼的制造方法，其包括如下步驟： 提供基材； 以鉻靶為靶材，采用磁控濺射法在基材表面濺鍍打底層，該打底層為鉻層； 以鉻靶為靶材，通入反應(yīng)氣體乙炔，采用磁控濺射法在打底層的表面濺鍍過渡層，該過 渡層為碳化鉻層； 以硅靶為靶材，采用磁控濺射法在過渡層的表面濺鍍透明層，該透明層為硅層。
[0007] 本發(fā)明采用特殊的靶材組合，配合新的PVD鍍膜工藝，制備出具有透明膜的外殼， 所述透明膜具有高光亮度，使外殼的表面具有較高的亮度和光潔度。另，使用磁控濺射法在 基體表面依次濺鍍打底層、過渡層和透明層，膜層之間逐層過渡較好，膜層內(nèi)部沒有明顯的 應(yīng)力產(chǎn)生，這樣在施加外力時，透明膜不易被破壞，可呈現(xiàn)良好的硬度和耐磨性，延長了外 殼的使用壽命。
【附圖說明】
[0008] 圖1為本發(fā)明一較佳實施例的外殼的剖視圖。
[0009] 圖2為本發(fā)明一較佳實施例真空鍍膜機的俯視示意圖。
[0010] 主要元件符號說明
【主權(quán)項】
1. 一種外殼，其包括基材及形成于基材表面的透明膜，該透明膜包括打底層、過渡層和 透明層，其特征在于：該打底層為鉻層，該過渡層為碳化鉻層，該透明層為硅層，該打底層形 成于所述基材的表面，該過渡層形成于該打底層的表面，該透明層形成于該過渡層的表面。
2. 如權(quán)利要求1所述的外殼，其特征在于：所述透明層由硅原子組成，該透明層的厚度 為 0· 1-0. 3Mm。
3. 如權(quán)利要求1所述的外殼，其特征在于：所述打底層的厚度為0. 1-0. 3Mm，所述過渡 層的厚度為0.2-0. 4Mm。
4. 如權(quán)利要求1所述的外殼，其特征在于：所述基材的材質(zhì)為金屬、塑料或陶瓷。
5. -種外殼的制造方法，其包括如下步驟： 提供基材； 以鉻靶為靶材，采用磁控濺射法在基材表面濺鍍打底層，該打底層為鉻層； 以鉻靶為靶材，通入反應(yīng)氣體乙炔，采用磁控濺射法在打底層的表面濺鍍過渡層，該過 渡層為碳化鉻層； 以硅靶為靶材，采用磁控濺射法在過渡層的表面濺鍍透明層，該透明層為硅層。
6. 如權(quán)利要求5所述的外殼的制造方法，其特征在于：所述基材的材質(zhì)為金屬、塑料或 陶瓷。
7. 如權(quán)利要求5所述的外殼的制造方法，其特征在于：所述打底層的厚度為 0. 1-0. 3Mm，制備該打底層的工藝參數(shù)為：鉻靶使用射頻電源，鉻靶功率為8-15KW，通入氬 氣，氬氣流量為100-150sccm，鍍膜室的室內(nèi)溫度為120-180°C，施加于基材的負偏壓為 100-250V，鍍膜時間為 5-10min。
8. 如權(quán)利要求5所述的外殼的制造方法，其特征在于：所述過渡層的厚度為 0. 2-0. 4Mm，制備該過渡層的工藝參數(shù)為：鉻靶使用射頻電源，鉻靶功率為6-12KW，通入氬 氣，氬氣流量為8〇-14〇SCCm，乙炔流量為50-75 SCCm，鍍膜室的室內(nèi)溫度為100-150°C，施加 于基材的負偏壓為200-300V，鍍膜時間為40-50min。
9. 如權(quán)利要求5所述的外殼的制造方法，其特征在于：所述透明層由硅原子組成，該 透明層的厚度為0. 1-0. 3Mm，制備該透明層的工藝參數(shù)為：硅靶使用射頻電源，硅靶功率為 4-8KW，通入氬氣，氬氣流量為50-135SCCm，鍍膜室的室內(nèi)溫度為90-120°C，施加于基材的 負偏壓為200-400V，鍍膜時間為20-40min。
【專利摘要】一種外殼，其包括基材及形成于基材表面的透明膜，該透明膜包括打底層、過渡層和透明層，該打底層為鉻層，該過渡層為碳化鉻層，該透明層為硅層。本發(fā)明還涉及一種外殼的制造方法：提供基材；以鉻靶為靶材，在基材表面濺鍍打底層；以鉻靶為靶材，通入反應(yīng)氣體乙炔，在打底層的表面濺鍍過渡層；以硅靶為靶材，在過渡層的表面濺鍍透明層。所述透明膜具有高光亮度，使外殼的表面呈現(xiàn)較高的亮度和光潔度；膜層之間的逐層過渡較好，使外殼具有較高的硬度和抗磨損的性能，延長了外殼的使用壽命。
【IPC分類】C23C14-35, B32B9-04, B32B15-04, H05K5-04, C23C14-06
【公開號】CN104669709
【申請?zhí)枴緾N201310614634
【發(fā)明人】張春杰
【申請人】深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2013年11月28日