附載體銅箔的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種附載體銅箔。更詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及一種用作印刷配線板的材 料的附載體銅箔。
【背景技術(shù)】
[0002] 印刷配線板通常經(jīng)過下述步驟而制造：在使絕緣基板與銅箔接著而制成覆銅積層 板之后，通過蝕刻而在銅箔面形成導(dǎo)體圖案。隨著近年來電子機(jī)器的小型化、高性能化需求 的增大而推展搭載零件的高密度構(gòu)裝化或信號的高頻化，從而對印刷配線板要求有導(dǎo)體圖 案的微細(xì)化（窄間距化）或高頻應(yīng)對等。
[0003] 與窄間距化相對應(yīng)，最近要求厚度9 μπι以下、甚至是厚度5 μπι以下的銅箔，但此 種極薄的銅箔由于機(jī)械強(qiáng)度較低，在制造印刷配線板時容易破損或產(chǎn)生皺褶，故而出現(xiàn)了 利用具有厚度的金屬箔作為載體，對其隔著剝離層電沉積極薄銅層而成的附載體銅箔。附 載體銅箔通常的使用方法是將極薄銅層的表面貼合于絕緣基板并進(jìn)行熱壓接后，經(jīng)由剝離 層剝離載體。
[0004] 先前，已知剝離層是由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P或它們的合金或它們的水合物 所形成。進(jìn)而，也記載有為了實(shí)現(xiàn)加熱壓制等高溫使用環(huán)境下的剝離性的穩(wěn)定化，有效的是 在剝離層的基底設(shè)置Ni、Fe或它們的合金層。（日本特開2010 - 006071號公報、日本特 開 2007 - 007937 號公報）。
[0005] 在這些文獻(xiàn)中，對剝離層上的鍍敷因其剝離性而非常難以進(jìn)行均勻的鍍敷，因此 根據(jù)鍍敷條件而存在在形成的極薄銅箔針孔的數(shù)變多的情況。因此，也記載有首先在剝離 層上進(jìn)行沖擊鍍銅，在沖擊鍍敷層上進(jìn)而鍍銅，由此可在剝離層上實(shí)施均勻的鍍敷，可明顯 減少極薄銅箔的針孔數(shù)。
[0006] [專利文獻(xiàn)1]日本特開2010 - 006071號公報；
[0007] [專利文獻(xiàn)2]日本特開2007 - 007937號公報。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 對于附載體銅箔，在向絕緣基板的積層步驟前必須避免極薄銅層自載體剝離，另 一方面，在向絕緣基板的積層步驟后必須可將極薄銅層自載體剝離。而且，對于附載體銅 箔，極薄銅層側(cè)的表面存在針孔會導(dǎo)致印刷配線板的性能不良，因此欠佳。
[0009] 關(guān)于這些方面，【背景技術(shù)】并未進(jìn)行充分的研宄，尚有改善的余地。因此，本發(fā)明的 課題在于提供一種在向絕緣基板的積層步驟前極薄銅層不會自載體剝離，另一方面，在向 絕緣基板的積層步驟后可進(jìn)行剝離的附載體銅箔。本發(fā)明的課題也在于進(jìn)而提供一種抑制 在極薄銅層側(cè)表面產(chǎn)生針孔的附載體銅箔。
[0010] 為達(dá)成上述目的，本發(fā)明人等反復(fù)進(jìn)行潛心研宄，結(jié)果發(fā)現(xiàn)有效的是使用銅箔作 為載體，使由Ni層及極薄的Cr層的2層構(gòu)成的中間層而形成于極薄銅層與載體之間。并 且，發(fā)現(xiàn)通過在中間層添加微量Zn，可進(jìn)一步提高特性。
[0011] 本發(fā)明基于上述見解而完成，在一個實(shí)施方案中為一種附載體銅箔，其依序具有 銅箔載體、中間層、及極薄銅層，中間層自銅箔載體側(cè)依序具有Ni層及Cr層，中間層中的Ni 的附著量為100 μ g/dm2以上且未達(dá)1000 μ g/dm2,中間層中的Cr的附著量為5~100 μ g/ dm2 〇
[0012] 本發(fā)明在另一實(shí)施方案中為一種附載體銅箔，其具備銅箔載體、積層于銅箔載體 上的中間層、及積層于中間層上的極薄銅層，中間層是由接觸于與銅箔載體的界面的Ni 層、及接觸于與極薄銅層的界面的Cr層構(gòu)成，中間層中的Ni的附著量為100 μ g/dm2以上 且未達(dá)1000 μ g/dm2。中間層中的Cr的附著量為5~100 μ g/dm2。
[0013] 本發(fā)明在另一實(shí)施方案中為一種附載體銅箔，其依序具有銅箔載體、中間層、及極 薄銅層，中間層自銅箔載體側(cè)依序具有Ni層及Cr層，中間層中的Ni的附著量為100 μ g/ dm2以上且未達(dá)1000 μ g/dm2,中間層中的Cr的附著量為5~100 μ g/dm2,在中間層中，進(jìn)一 步以1~70 μ g/dm2的附著量存在Zn。
[0014] 本發(fā)明在另一實(shí)施方案中為一種附載體銅箔，其具備銅箔載體、積層于銅箔載體 上的中間層、及積層于中間層上的極薄銅層，中間層是由接觸于與銅箔載體的界面的Ni 層、及接觸于與極薄銅層的界面的Cr層構(gòu)成，中間層中的Ni的附著量為100 μ g/dm2以上且 未達(dá)1000 μ g/dm2,中間層中的Cr的附著量為5~100 μ g/dm2,在中間層中，進(jìn)一步以1~ 70 μ g/dm2的附著量存在Zn。
[0015] 在本發(fā)明的附載體銅箔的一個實(shí)施形態(tài)中，Ni的附著量為200 μ g/dm2以上且未達(dá) 1000 μ g/dm2, Cr 的附著量為 20 ~40 μ g/dm2。
[0016] 在本發(fā)明的附載體銅箔的另一實(shí)施形態(tài)中，存在于中間層的Zn相對于Cr的質(zhì)量 比的值為0.01~5的范圍。
[0017] 在本發(fā)明的附載體銅箔的另一實(shí)施形態(tài)中，Cr通過電解鉻酸鹽而附著。
[0018] 在本發(fā)明的附載體銅箔的另一實(shí)施形態(tài)中，在上述極薄銅層表面具有粗化處理 層。
[0019] 在本發(fā)明的附載體銅箔的另一實(shí)施形態(tài)中，上述粗化處理層是由選自由銅、鎳、 鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅組成的群中的任一單質(zhì)或含有任1種以上該單質(zhì)的合金所構(gòu)成的 層。
[0020] 在本發(fā)明的附載體銅箔的另一實(shí)施形態(tài)中，在上述粗化處理層的表面具有選自由 耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層組成的群中的1種以上的層。
[0021] 在本發(fā)明的附載體銅箔的另一實(shí)施形態(tài)中，在上述極薄銅層的表面具有選自由耐 熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層組成的群中的1種以上的層。
[0022] 在本發(fā)明的附載體銅箔的另一實(shí)施形態(tài)中，在上述極薄銅層上具備樹脂層。
[0023] 在本發(fā)明的附載體銅箔的另一實(shí)施形態(tài)中，在上述粗化處理層上具備樹脂層。
[0024] 在本發(fā)明的附載體銅箔的另一實(shí)施形態(tài)中，在上述選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽 處理層及硅烷偶合處理層組成的群中的1種以上的層上具備樹脂層。
[0025] 在本發(fā)明的附載體銅箔的另一實(shí)施形態(tài)中，上述樹脂層含有介電體。
[0026] 本發(fā)明在另一實(shí)施方案中為一種印刷配線板，其使用本發(fā)明的附載體銅箔制得。
[0027] 本發(fā)明在另一實(shí)施方案中為一種印刷電路板，其使用本發(fā)明的附載體銅箔制得。
[0028] 本發(fā)明在另一實(shí)施方案中為一種覆銅積層板，其使用本發(fā)明的附載體銅箔制得。
[0029] 本發(fā)明在另一實(shí)施方案中為一種印刷配線板的制造方法，其包含下述步驟：
[0030] 準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板；
[0031] 將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；及
[0032] 在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層后，經(jīng)過將上述附載體銅箔的載體剝離的步 驟而形成覆銅積層板，
[0033] 其后，通過半加成法、減成法、部分加成法或改進(jìn)半加成法（Modif ied Semi Additive)中的任一種方法形成電路。
[0034] 本發(fā)明在另一實(shí)施方案中為一種印刷配線板的制造方法，其包含下述步驟：
[0035] 在本發(fā)明的附載體銅箔的上述極薄銅層側(cè)表面形成電路；
[0036] 以埋沒上述電路的方式在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側(cè)表面形成樹脂層；
[0037] 在上述樹脂層上形成電路；
[0038] 在上述樹脂層上形成電路后，剝離上述載體；及
[0039] 通過在剝離上述載體后去除上述極薄銅層，而使形成于上述極薄銅層側(cè)表面的埋 沒于上述樹脂層的電路露出。
[0040] 在本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一個實(shí)施形態(tài)中，在上述樹脂層上形成電路 的步驟是將另一附載體銅箔自極薄銅層側(cè)貼合于上述樹脂層上，使用貼合于上述樹脂層的 附載體銅箔形成上述電路的步驟。
[0041] 在本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一個實(shí)施形態(tài)中，貼合于上述樹脂層上的另 一附載體銅箔為本發(fā)明的附載體銅箔。
[0042] 在本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一個實(shí)施形態(tài)中，在上述樹脂層上形成電路 的步驟是通過半加成法、減成法、部分加成法或改進(jìn)半加成法中的任一種方法而進(jìn)行。
[0043] 在本發(fā)明的印刷配線板的制造方法的一個實(shí)施形態(tài)中，上述在表面形成電路的附 載體銅箔在該附載體銅箔的載體的表面具有基板或樹脂層。
[0044] 本發(fā)明的附載體銅箔在向絕緣基板的積層步驟前，在載體與極薄銅層之間可獲得 必需的密合性，另一方面，在向絕緣基板的積層步驟后可容易地自載體剝離極薄銅層。而 且，本發(fā)明的附載體銅箔由于抑制針孔的產(chǎn)生，故而可穩(wěn)定地供給高品質(zhì)的極薄銅層。
【附圖說明】
[0045] 圖IA~C為使用本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的至鍍 敷電路、去除抗蝕劑為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
[0046] 圖2D~F為使用本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的自積 層樹脂及第2層附載體銅箔至激光開孔的步驟中的配線板剖面的示意圖。
[0047] 圖3G~I為使用本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的自形 成填孔至剝離第1層載體的步驟中的配線板剖面的示意圖。
[0048] 圖4J~K為使用本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的自快 速蝕刻至形成凸塊、銅柱的步驟中的配線板